「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, self-diagnosis using the resonance phenomenon between the sensor element and the self-diagnosis frequency can be carried out accurately in a double axis capacitance type acceleration sensor.例文帳に追加

従って、複数軸の容量式加速度センサにおいて、センサエレメントと自己診断周波数との共振現象を用いた自己診断を行っても、正確な自己診断が行えるようにすることができる。 - 特許庁

When high-voltage high-speed surge is applied, capacitance 17 between the gate and the emitter is charged via the unidirectional diode to appropriately adjust the floating inductance, thereby turning on an element.例文帳に追加

そして、高電圧高速サージが印加されたとき、単方向ダイオードを介して、ゲート、エミッタ間容量１７をチャージし、素子をオン状態にすることができるように、浮遊インダクタンスを適切に調整する。 - 特許庁

The variable capacitance element 1 includes a support plate 2, a movable beam 3, lower capacitor electrodes 4A, 4B, lower drive electrodes 5A, 5B, an upper capacitor electrode 6, upper drive electrodes 7a, 7B, and a dielectric film 8.例文帳に追加

可変容量素子１は、支持板２、可動梁３、下容量電極４Ａ，４Ｂ、下駆動電極５Ａ，５Ｂ、上容量電極６、上駆動電極７Ａ，７Ｂ、および誘電体膜８を備える。 - 特許庁

To provide a method by which a very small capacitance element having a large electrostatic capacity can be formed by making a dopant stably injectable into the HSG(hemispherical grains) of a lower electrode at a high concentration.例文帳に追加

下部電極のＨＳＧ中に高濃度でドーパントを安定して注入できるようにすることにより、大きな静電容量を有する微小容量素子を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the P-channel MOS transistor 105, a terminal 202 and the capacitance element 107 are made to be electrically connectionless in response to the fact that an output signal of the delay circuit 100 changes to a H level from an L level.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０５は、遅延回路１００の出力信号がＬレベルからＨレベルに遷移することに応答して、端子２０２と容量素子１０７を電気的に非接続とする。 - 特許庁

In the filter device provided with a filter component being a three-terminal filter, or the like having respective terminals of an input terminal, an output terminal and a ground terminal, and ground connected to the ground terminal, the ground terminal and the ground are connected to each other through a circuit in which an inductance element having prescribed inductance and a capacitance element having prescribed capacitance are mutually connected in parallel.例文帳に追加

入力端子、出力端子、およびグランド端子の各端子を有した３端子フィルタ等であるフィルタ部品と、前記グランド端子に接続されているグランドと、を備えたフィルタ装置であって、前記グランド端子と前記グランドは、所定のインダクタンスを有するインダクタンス要素と；所定のキャパシタンスを有するキャパシタンス要素と；が互いに並列に接続された回路を介して、互いに接続されている構成のフィルタ装置とする。 - 特許庁

The resonance frequency of each of serial resonance circuit is set to almost the double or triple central frequency of the passing band of the element as a frequency of a basic wave, the double or triple fundamental wave is attenuated and the element is operated as a matched capacitance in the fundamental wave frequency.例文帳に追加

各直列共振回路の共振周波数は、基本波の周波数である素子の通過帯域の中心周波数の略２倍および略３倍に設定されて基本波の２倍波，３倍波を減衰させ、基本波周波数においては整合容量として作用する。 - 特許庁

A MOS type capacity element 28 having the other end connected to a reference voltage is connected to a gate of the driver TFT 22, the MOS type capacity element 28 is in an on state before a fall of the pulse drive line and becomes an OFF state during the fall and a capacitance changes at the switching of ON state to the OFF state.例文帳に追加

駆動ＴＦＴ２２のゲートには、他端がリファレンス電圧に接続されるＭＯＳ型容量素子２８が接続されており、ＭＯＳ型容量素子２８は、パルス駆動ラインの立ち下がり前はオン、立ち下がる途中でオフとなり、その切り替わりで容量値が変化する。 - 特許庁

A pixel circuit PIX includes the drive transistor TDR disposed between a driving potential line 26 and a circuit point p, an electrophoretic element 40 and an additional capacitance element CP that are connected to the circuit point p, and a switch SW1 that controls a connection between the circuit point p and a gate of the drive transistor TDR.例文帳に追加

画素回路ＰIXは、駆動電位線２６と回路点ｐとの間に介在する駆動トランジスターＴDRと、回路点ｐに接続された電気泳動素子４０および付加容量素子ＣPと、回路点ｐと駆動トランジスターＴDRのゲートとの接続を制御するスイッチＳW1とを含む。 - 特許庁

To provide a variable spectrometric element which can highly accurately control a wavelength even when capacitance generated between capacity sensor electrodes each arranged oppositely at optical substrates changes due to an environmental change such as a temperature change or a humidity change, to provide a spectroscopic unit and an endoscope device including the variable spectrometric element.例文帳に追加

温度や湿度の環境変化により対向配置されている光学基板に夫々設けられた容量センサ電極間で生じる静電容量が変化しても、高精度に波長制御できる可変分光素子並びにそれを備えた分光ユニット及び内視鏡装置の提供。 - 特許庁

To provide a miniaturized non-reciprocal circuit element which covers a desired frequency band on a low frequency side in comparison with conventional one by solving a problem such as securing C capacitance for capacitors for matching or increase in a resonance frequency accompanying the miniaturization of the non-reciprocal circuit element.例文帳に追加

本発明は、非可逆回路素子の小型化に伴う整合用容量のＣ容量確保、もしくは共振周波数の高周波化などの問題を解決して、従来に比べ低周波側の所望の周波数帯域をカバーできる、小型の非可逆回路素子を提供する。 - 特許庁

To provide a malfunction detection circuit without necessity of creating a resistance element or a capacitance element in a semiconductor integrated circuit, nor preparing them as an external part when the malfunction detection circuit for performing stop detection of an oscillation circuit or the like is formed in the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

発振回路の停止検出などを行う異常検出回路を半導体集積回路で形成する場合に、抵抗素子や容量素子を半導体集積回路内に作成する必要がない上に、外付け部品として用意する必要がない異常検出回路の提供。 - 特許庁

An electronic circuit includes: a non-inverting amplifier circuit; the capacitance element for connecting an input signal to the non-inverting amplifier circuit; a voltage-dividing circuit for dividing an output signal of the non-inverting amplifier circuit; and an impedance element for feeding back the divided voltage signal to an input terminal of the non-inverting amplifier circuit.例文帳に追加

非反転増幅回路と、前記非反転増幅回路に入力信号を接続するキャパシタンス素子と、前記非反転増幅回路の出力信号を分圧する分圧回路と、該分圧回路信号を前記非反転増幅回路の入力端子に帰還するインピーダンス素子を含んで構成する。 - 特許庁

To provide a light emitting device and an element substrate in which the off-current of a switching transistor is suppressed to be low, the luminance unevenness of a light emitting element between pixels due to variations in the characteristics of a driving transistor is suppressed, even if increase in the capacitance of the capacitor is not contrived.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。 - 特許庁

Thus, even when the piezoelectric resonance element 20 is inclined before hardening of the conductive adhesive agents 31a, 31b, etc., it is prevented that the piezoelectric resonance element 20 becomes the defective by electric short circuit by contact between a main surface electrode 22b and a capacitance formation electrode 14a connected to mutually different potential.例文帳に追加

これにより、導電性接着剤31ａ，31ｂの硬化前に圧電共振素子20が傾いてしまった場合等においても、互いに異なる電位に接続される主面電極22ｂと容量形成電極14ａとが接触して電気的に短絡することによって不良品になることを防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The resonance frequency deviated when the human body approaches the mobile phone in a state of a speech state or the like is adjusted to the operating frequency by controlling the capacitance of the first varactor element means 102 and the second varactor element means 103 so as to reduce a mismatching loss and ensure excellent communication quality.例文帳に追加

第１可変容量素子手段１０２と第２可変容量素子手段１０３の容量値を制御することによって、通話状態などの人体近接時にずれた共振周波数を使用周波数に調整し、不整合損失を軽減し、良好な通信品質を確保できる。 - 特許庁

To readily obtain a capacitor with a high capacitance and superior characteristics by a manufacturing method, wherein an anode foil and a cathode foil and separaters 7 and 8 which are provided between the anode and cathode foils are wound to compose a capacitor element, and a conductive polymer layer made of polyethylene dioxythiophene is formed on the dielectric layer of the capacitor element.例文帳に追加

陽極箔５と陰極箔６にセパレータ７、８を介在させて捲回したコンデンサ素子の誘電体層上にポリエチレンジオキシチオフェンからなる導電性高分子層を形成したコンデンサの製法において、高容量で特性の優れたコンデンサを容易に得ることを目的とする。 - 特許庁

The picture element comprises a substrate having a control region and a sensing region; a switching region and a driving region for covering the control region; a photodiode of a photosensor for covering the sensing region; an OLED element arranged in the sensing region, for making the photosensor emit; and a capacitance connected to the photosensor and the driving device.例文帳に追加

画素素子は、制御領域と感知領域を有する基板と、制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、感知領域に配置され、フォトセンサーを発光させるOLED素子と、フォトセンサーと駆動装置に結合されるキャパシタと、からなる。 - 特許庁

An electromechanical conversion device such as an electrostatic capacitance type ultrasonic conversion device includes an electromechanical conversion element 10 having a movable area 16 for receiving an acoustic wave emitted from a test object, an electric wiring board 13 electrically connected to the element 10, and a reflection suppression layer 12.例文帳に追加

静電容量型超音波変換装置などの電気機械変換装置は、被検体から放出される音響波を受信するための可動領域１６を有する電気機械変換エレメント１０と、エレメント１０と電気的接続を取る電気配線基板１３と、反射抑制層１２を有する。 - 特許庁

In order to detect attitude displacement to a standard attitude of the movable element 3a by the capacitance 11 between the movable element 3a and an electrode 4, an antiphase input of a noninverting amplifier 10 is connected to the electrode 4, and a driving signal and a detection signal are inputted from a positive-phase input.例文帳に追加

可動エレメント３ａの基準姿勢に対する姿勢変位を、該可動エレメント３ａと電極４との間の静電容量１１で検出するために、非反転増幅器１０の逆相入力を電極４に接続し、正相入力より駆動信号と検出信号を入力する。 - 特許庁

Here, a diode Dc, which is conducted when the parasitic capacitance Cs is charged by the resonance current of the current resonance circuit 5 after the switching element S1 is turned on and when a voltage between the drain and the source VDS of the switching element S1 is increased up to an output voltage Vo, is connected between one end of the switching element S1 and the line of the output voltage Vo.例文帳に追加

ここでは、スイッチング素子Ｓ１がオン状態になった後、電流共振回路５の共振電流によって寄生容量Ｃｓが充電され、スイッチング素子Ｓ１のドレイン・ソース間電圧ＶDSが出力電圧Ｖｏまで上昇すると導通するダイオードＤｃを、スイッチング素子Ｓ１の一端と出力電圧Ｖｏのラインとの間に接続している。 - 特許庁

To provide a display device capable of discriminating that a defective pixel is which kind of pixel (picture element) among a plurality kinds of pixels on a process of forming a switching element when manufacturing a display element, moreover having uniformly aligned characteristics of respective pixels without differences of pixel opening area, cumulative capacitance or else at every kinds of pixels.例文帳に追加

表示素子を製造する際に、スイッチング素子を形成した段階で、欠陥のある画素が複数種類の画素のうちどの種類の画素（絵素）であるかを識別することが可能であると共に、画素の種類によって画素開口面積及び蓄積容量等の違いが生じることがなく、各画素の特性が均一に揃っている表示装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.例文帳に追加

素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁

As the reverse bias voltage is applied to the organic EL element 112R or the like by coupling through a sustaining capacitance C_s, a high reverse bias voltage can be easily applied to the organic EL element 112R or the like compared to a process of applying a reverse bias to the organic EL element 112R or the like through a transistor T_Dr.例文帳に追加

このとき、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等への逆バイアス電圧の印加は保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによって行われるので、トランジスタＴ_Ｄｒを介して有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に逆バイアスを印加した場合よりも、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に対して大きな逆バイアス電圧を容易に印加することができる。 - 特許庁

That can be realized by a process of lowering the contrast and luminance of display data than those at normal time, and an alternation of an element power source voltage (anode/cathode voltage) and a holding capacitance voltage Vsc of pixels from those at normal time, or the like.例文帳に追加

これは、表示データのコントラストや輝度を通常時より低下させる処理、素子電源電圧（陽極、陰極電圧）、画素の保持容量電圧Ｖscを通常時から変更するの変更などによって実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, the nano-tube, the nano-wire or the nano-belt is employed as the area of a capacitor electrode whereby the capacitance of the integrated circuit element can be increased without widening the bottom area itself of the capacitor electrode.例文帳に追加

この方法によれば、コンデンサ電極の領域としてナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを用いているため、コンデンサ電極の底面積自体を広げることなく容量を増加させることができる。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor, which is superior in electrical characteristics and is large in capacitance, by a method wherein a solid electrolyte layer consisting of conductive molecules, which are dense and even, is formed in the interior of a wound capacitor element, and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

An X-common driver 21 connected with a capacitance component CL of a PDP is provided with a reactive power recovering circuit 22, and a switching element SW is connected in parallel with a recovering condenser C1 in the circuit 22.例文帳に追加

ＰＤＰの容量成分ＣＬに接続されたＸ共通ドライバ２１は無効電力回収回路２２を備え、回路２２内の回収コンデンサＣ１に並列にスイッチング素子ＳＷが接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gate resistance switching circuit discharges charges stored in a gate-source capacitance CGS in cooperation with the 1st resistor when a gate-source voltage VGS of the switching element is a prescribed voltage or over.例文帳に追加

上記ゲート抵抗切換回路は、スイッチング素子のゲート〜ソース間のゲート電圧Ｖ_GSが所定値以上であるときに、第１の抵抗とともに、ゲート〜ソース間に充電された容量Ｃ_GSの電圧を放電するように動作する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state electrolytic capacitor by which a solid-state electrolytic layer composed of fine uniform conductive molecules is formed into a winding type capacitor element and which has excellent electrical characteristics and large capacitance.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れ、かつ大容量の固体湖電解コンデンサを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The sense signal generator generates a sensing signal by sensing the change in capacitance of a liquid crystal capacitor of each pixel through the data line in while the first switching element couples the data line to the sense signal generator.例文帳に追加

第１スイッチング素子がデータ線を感知信号生成部に接続する期間では、感知信号生成部がデータ線を通して各画素の液晶キャパシタの静電容量の変化を感知して感知信号を生成する。 - 特許庁

The switching transistor 314 functions to connect the capacitive element 310 in parallel to a storage capacitance 120 and is turned on only in the emission period, which increases the bootstrap gain without giving adverse influences on the writing gain.例文帳に追加

スイッチトランジスタ３１４は、保持容量１２０に対して容量素子３１０を並列接続するように機能し、発光期間にのみオンすることで、書込みゲインに悪影響を与えることなく、ブートストラップゲインを大きくする。 - 特許庁

To provide a vertical resonance type surface light emitting element having a structure for easing a relation of tradeoff between a decrease in parasitic capacitance resulting from current block and a decrease in optical absorption resulting from current block.例文帳に追加

電流ブロックに起因する寄生キャパシタンスの低減と電流ブロックに起因する光吸収の低減との間のトレードオフの関係を緩和可能な構造を有する垂直共振型面発光素子を提供する。 - 特許庁

In the capacitance element, the first electrode 21 and fourth electrode 24 are the electrodes to which a signal of one polarity is applied and the second electrode 22 and third electrode 23 are the electrodes to which the signal of the other polarity is applied.例文帳に追加

第１電極２１及び第４電極２４は、一方の極性の信号が印加される電極とし、第２電極２２及び第３電極２３は、他方の極性の信号が印加される電極とする。 - 特許庁

Setting of the electrostatic capacitance can be materialized by forming the lightning arrester so that the outer diameter of the center conductor 120 becomes small as it approaches the contact spot where the center conductor 120 is brought into contact with the lightning arresting element 130, for example.例文帳に追加

静電容量の設定は、例えば、中心導体１２０と避雷素子１３０との接触箇所に近づくにつれて中心導体１２０の外径が小さくなるように形成すると実現できる。 - 特許庁

This evens out a capacitance components of the wirings of every light emitting element to even out the signal modulation characteristics of all the light emitting elements 1, and variations in signal degradation at the time of high speed modulation are reduced.例文帳に追加

これにより、発光素子毎の配線の容量成分がほぼ同一となるので、全ての発光素子１で信号変調特性が同じになり、高速変調時の信号劣化のばらつきが低減される。 - 特許庁

The capacitance element for detection 62 is constituted of an electrode 72 and an electrode 74, which are formed on a surface of the first substrate 10 opposed to the second substrate 20, and the liquid crystal 58 to which voltage between both electrodes is applied.例文帳に追加

検出用容量素子６２は、第１基板１０のうち第２基板２０との対向面上に形成された電極７２と電極７４と両電極間の電圧が印加される液晶５８とで構成される。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor storage device, a capacitance element having a lower electrode 114, a capacitor insulating film 115, and an upper electrode 116 is formed on insulating films 112 and 113 after a MOS transistor is formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１上にＭＯＳトランジスタを形成した後、絶縁膜１１２及び１１３上に下部電極１１４、容量絶縁膜１１５及び上部電極１１６を有する容量素子を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of simultaneously achieving reduction in the resistance value of a path in which an output signal is output and the certainty of the trigger of an ESD protection element, having a low output capacitance.例文帳に追加

低い出力キャパシタンスを有しながら、出力信号が出力される経路の抵抗値の低減とＥＳＤ保護素子のトリガの確実性とを同時に実現できる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

A wiring conductor 23 is provided to a holder 22 for holding a piezoelectric transformer element 21, so that the output voltage of a piezoelectric transformer 50 is detected by detecting a current flowing through the wiring conductor 23 via a floating capacitance.例文帳に追加

圧電トランス素子２１を保持する保持具２２に導体配線２３を設け、浮遊容量を介して前記導体配線２３に流れる電流を検出することにより、圧電トランス５０の出力電圧を検出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a downsized and highly efficient composite electronic component which is constituted by combining a common-mode filter with a static electricity countermeasure element that has small static capacitance and superior discharge property, heat resistance, and anti-weatherability.例文帳に追加

静電容量が小さく且つ放電特性、耐熱性及び耐候性に優れた静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成された小型で高性能な複合電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitance element 10 includes a first electrode 21, a second electrode 22, a third electrode 23, a fourth electrode 24, a first dielectric part 11, a second dielectric part 12, and a third dielectric part 13.例文帳に追加

第１電極２１と、第２電極２２と、第３電極２３と、第４電極２４と、第１誘電体部１１と、第２誘電体部１２と、第３誘電体部１３とを備える静電容量素子１０を提供する。 - 特許庁