「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device together with its manufacturing method of a lower cost by forming a capacitor in which a capacitance per a unit area is large while its manufacturing process is allowed to be common with a manufacturing process for an active element such as HEMT or PHEMT.例文帳に追加

単位面積当たりのキャパシタンスが大きなキャパシタを形成しつつ、製造工程をＨＥＭＴあるいはＰＨＥＭＴなどの能動素子の製造工程と共通化することにより、低コスト化を図る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polycrystalized silicon film 4 which is used as a storage node (lower electrode) for improving storage capacity in the storage capacitance element of a capacitor for charge storage or the like, in a structure having no defect and a sufficient strength regardless of growth conditions thereof.例文帳に追加

電荷蓄積用キャパシタ等の記憶容量素子における蓄積容量向上のために、ストレージノード（下部電極）として用いられる多結晶化シリコン膜４は、その成長条件によらず，欠損のない、かつ十分な強度を有する構造のものが求められる。 - 特許庁

A cross finger electrode 13 that is vertical or parallel to a distortion direction where the direction of a linear finger electrode 14 is generated by acceleration to be detected is formed at a part where distortion is generated by acceleration to be detected on the film layer 12 as a first capacitance element.例文帳に追加

この膜層上の被検出加速度により歪が発生する部分に、線状指電極１４の向きが被検出加速度により発生する歪みの方向に垂直あるいは平行の交差指電極１３を形成して第１の静電容量素子とする。 - 特許庁

To provide an integrated circuit having a structure capable of reducing an inter-line capacitance, and a method of manufacturing the integrated circuit that prevents impurities from causing a destructive reaction with a conductive element present in the next layer of a multi-layer integrated circuit structure.例文帳に追加

ライン間キャパシタンスを減少できる構造を有する集積回路および不純物が多層集積回路構造の次の層に存在する導電性要素に対し破壊的反応を起こすのを防止できる集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the transformer can maintain a high element efficiency and a small quantity of heat and, in addition, can reduce distortion, because the transformer can maintain the high effective coupling coefficient resulting from the electrode structure and mode of oscillation even when the value of the electrostatic capacitance is changed arbitrarily.例文帳に追加

これにより、上記容量値を任意に変化させたとしても、電極構造および振動モードに起因した実効結合係数を高く維持することができるので、高い素子効率および少ない発熱量を維持でき、また歪みも小さくできる。 - 特許庁

To provide a technology of changing an oscillated frequency while avoiding a state that changing of the oscillating frequency is dull on the basis of a change amount in a capacitance of a voltage controlled variable main capacitive element with respect to a control voltage due to the presence of a plurality of auxiliary capacitive elements.例文帳に追加

補助容量素子の存在に起因して、制御電圧に対する電圧制御可変主容量素子の容量の変化量に基づき発振周波数を変化させることが鈍化するという事態を回避しつつ、発振周波数を変化させる。 - 特許庁

A voltage conversion cell C is provided with a capacitance element and a switch circuit SW connects is parallel a plurality of voltage conversion cells C for voltage conversion of an input voltage Vcc or connects in series the cells C for voltage conversion of an input voltage Vcc.例文帳に追加

電圧変換セルＣは、容量素子を備え、スイッチ回路ＳＷは複数の電圧変換セルＣを並列に接続して入力電圧Ｖccを電圧変換するかあるいは直列に接続して入力電圧Ｖccを電圧変換するかを選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element to reduce a capacitance of a parasitic capacitor formed between the neighboring bit lines for enabling an operation speed of semiconductor memory device to be improved and to suppress a generation of a void in a contact plug, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

互いに隣接するビットライン間に形成される寄生キャパシタの容量を減少させてフラッシュメモリ素子の動作速度を改善すると共にコンタクトプラグにボイドが発生する現象を改善する半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to acquire a capacity detection signal, a constitution is adopted so that the metal spring is vibrated by the piezoelectric element to be in contact with the dielectric thin film on the conductive substrate having the ground potential, instead of application of a conventional AC signal, to thereby detect a capacitance change.例文帳に追加

容量検出信号を得るために、従来の交流信号を印可する代わりに、接地電位にした導電性基板上の誘電体薄膜に対して金属バネを圧電素子により振動接触するように構成し、静電容量の変化を検出する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence apparatus which realizes equalization of brightness distribution and suppresses stray capacitance between a switching element such as thin film transistor and a negative electrode to provide a good display characteristics, a method of manufacturing the organic electroluminescence apparatus and an electronic apparatus.例文帳に追加

輝度分布の均一化を実現し、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と陰極の間における寄生容量を抑制し、良好な表示特性が得られる有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

For all pixels, a pixel electrode for display and an electrode for proximity part formation are electrically disconnected by, for example, a TFT switching element irrelevantly to a driving method to make proximity parts operate as transition nuclei in spray bend alignment transition and eliminates parasitic capacitance between pixels in display operation, thereby solving display problems such as various display unevenness, etc., due to the parasitic capacitance between the pixels.例文帳に追加

また、駆動方法に関わらず全ての画素において、表示用画素電極と近接部形成用電極の間を、例えばＴＦＴスイッチング素子により電気的に切り離す構成とすることで、スプレイ−ベンド配向転移時は近接部が転移核として働くと共に表示動作では画素間の寄生容量をなくすことができるので画素間の寄生容量に起因する各種表示むら等の表示課題を解消できる。 - 特許庁

By controlling the characteristics of the negative feedback of the negative feedback circuit 13 with respect to the power amplifier 12 due to an input signal power, gain fluctuation of the power amplifier 12 is reduced and phase distortion is reduced through the second capacitance element C12.例文帳に追加

上記負帰還回路１３による電力増幅器１２に対する負帰還量が入力信号電力によって可変となる特性を調整することにより、電力増幅器１２の利得変動を抑制し、第２のキャパシタンス素子Ｃ12により、位相歪みを抑制する。 - 特許庁

Also, a ferrorelectric film 13 is provided on the film 11 via a lower electrode 12 formed of a conductive oxide film, thereby enabling to keep oxygen concentration of a ferroelectric capacitance element layer high and the generation of oxygen missing in the film 13 can be prevented.例文帳に追加

また、水素化窒化シリコン膜１１の上に導電性酸化膜により形成された下部電極１２を介して強誘電体膜１３を設けることにより、強誘電体容量素子層の酸素濃度を高く保つことができ、強誘電体膜１３における酸素欠損の発生を防止できる。 - 特許庁

The piezoelectric oscillator circuit 50 is composed of a high speed starting circuit 5 which reduces the rising time of oscillation, and a PMOS transistor (a disengagement means) 6 which electrically disengages a capacitor C1 (a capacitance element) connected on a resonance circuit 20 that constitutes the piezoelectric oscillator circuit 50.例文帳に追加

この圧電発振回路５０は、発振の立ち上がり時間を早める高速起動回路５と、圧電発振回路５０を構成する共振回路２０上に接続されたコンデンサＣ１（容量素子）を電気的に断接するＰＭＯＳトランジスタ（断接手段）６と、を備えて構成されている。 - 特許庁

To detect a plurality of kinds of voltage detection information that depend on the capacitance detected according to the input position of an operating element and to determine if the operating body is depressed in Z-direction in response to pressure thereon and whether the operating body follows in X- or Y-direction.例文帳に追加

操作体の入力位置で検出される静電容量に依存した複数種類の電圧検出情報を検出できるようにすると共に、その押下力に対するＺ方向への「押下」、Ｘ方向又はＹ方向への「なぞり」を判別できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor device includes a guard ring 7 around an inner circuit 6, a capacitance element 8 overlaid on the guard ring 7 and connected to power lines 21 and 22 for the inner circuit 6, and a lateral thyristor 9 overlaid on the guard ring 7 and connected to the power lines 21 and 22.例文帳に追加

内部回路６を囲むガードリング７と、このガードリング７に重ねて形成されるとともに内部回路６への電源ライン２１，２２に接続された容量素子８と、ガードリング７に重ねて形成されるとともに電源ライン２１，２２に接続されたラテラルサイリスタ９とを備える。 - 特許庁

There is proved the variable capacitance element that includes a ground electrode 3 and a signal line 2 for feeding a signal disposed on a surface of a substrate 1, and a movable electrode 4 opposed the signal line 2 and the ground electrode 3, the movable electrode 4 being movable toward and away from the signal line 2 and the ground electrode 3.例文帳に追加

基板１の表面にグランド電極３と信号が流れる信号線路２とを設け、当該信号線路２およびグランド電極３に対向し、当該信号線路２およびグランド電極３に対して接離する方向に変位可能に可動電極４を設ける。 - 特許庁

To provide a high frequency power inductance element with which leakage can be remarkably reduced by considerably reducing a capacitance between windings, the property of heat radiation from a coil can be remarkably improved and further, productivity and cost performance can be remarkably improved rather than a conventional one.例文帳に追加

巻線間容量を大幅に小さくしてリーケージを大幅に低減させることができるとともに、コイルからの放熱性を大幅に向上させることができ、さらに、生産性およびコスト性についても、従来よりも大幅に改善することができる高周波パワーインダクタンス素子を提供する。 - 特許庁

The capacitance element is provided with: a dielectric layer 10; a first electrode 11 formed on a given surface 10a of the dielectric layer 10; and a second electrode 12 formed on a surface 10b opposite to the predetermined surface 10a of the dielectric layer 10.例文帳に追加

本発明の静電容量素子は、誘電体層１０と、誘電体層１０の所定面１０ａ上に形成された第１電極１１と、誘電体層１０の前記所定面１０ａとは反対側の面１０ｂ上に形成された第２電極１２とを備える構成とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing capacitors of semiconductor element, suited to the manufacturing of capacitors of highly integrated semiconductor elements, whereby a capacitance value required for operating highly integrated elements can be ensured enough, using a high-permittivity (Ta2 O5)1-x-(TiO2)x film as a dieclectric film.例文帳に追加

本発明は、高誘電率の(Ta_2Ｏ_5)_1-x−(TiＯ_2)_x膜を誘電体膜に用いて高集積素子の動作に必要な静電容量値を十分確保することができ、高集積半導体素子のキャパシタ製造に適した半導体素子のキャパシタ製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A driving transistor 11b is constituted of an inorganic oxide thin film transistor in which threshold voltage performing OFF-operation is negative voltage, and a source terminal S of the driving transistor 11b and a terminal of a capacitance element 11c are connected to a common power source line 17 supplying the prescribed common voltage.例文帳に追加

駆動用トランジスタ１１ｂを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成し、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと容量素子１１ｃの端子とを所定の共通電圧を供給する共通電源線１７に接続する。 - 特許庁

A latch circuit part 105 performs drive control of a transistor M5 which supplies a start current to a constant current circuit part 12, according to a potential rise of a node N4 which is a junction of a diode-connected transistor M7 with a capacitance element C1 into which a current from the transistor M7 flows.例文帳に追加

ラッチ回路部１０５は、ダイオード接続されたトランジスタＭ７と、そのトランジスタＭ７からの電流が流入する静電容量素子Ｃ１との接続点であるノードＮ４の電位上昇に応じて、定電流回路部１２へ起動電流を供給するトランジスタＭ５を駆動制御する。 - 特許庁

Since a capacitance element 22 for matching impedances of circuit parts 24, 25 is constituted by an insulating layer of a printed wiring board 11 itself and copper foils opposed to the insulating layer, no electrical part is required for matching the impedances.例文帳に追加

回路部品２４、２５のインピーダンス同士を整合させるための容量素子２２が、プリント配線板１１自体の絶縁層とこの絶縁層を介して対向している銅箔層１３、１４とで構成されているので、インピーダンスの整合のために別個の電気部品を搭載する必要がない。 - 特許庁

To provide an integrated electronic component that is suitable for suppression of generation of parasitic capacitance caused by capacitive coupling between wiring on a wiring board and a functional element on the side of a mounting component mounted on the wiring board, and to provide the mounting component for the integrated electronic component.例文帳に追加

配線基板上の配線と当該配線基板に実装された実装部品側の機能素子との間において容量結合による寄生容量が発生するのを抑制するのに適した、集積型電子部品、および、当該集積型電子部品用の実装部品を提供する。 - 特許庁

Further, the capacitance element has such a configuration that the first dielectric part 11 is disposed between the first electrode 21 and second electrode 22, the second dielectric part 12 is disposed between the second electrode 22 and third electrode 23, and the third dielectric part 13 is disposed between the third electrode 23 and fourth electrode 24.例文帳に追加

そして、第１誘電体部１１は、第１電極２１及び第２電極２２間に設けられ、第２誘電体部１２は、第２電極２２及び第３電極２３間に設けられ、第３誘電体部１３は、第３電極２３及び第４電極２４間に設けられるように構成する。 - 特許庁

The variable capacitance element comprises a pair of signal electrodes 24, 25 provided with a dielectric layer 28 interposed therebetween, and a pair of control electrodes 23, 26 provided with the dielectric layer 28 interposed therebetween so as to generate a control electric field in a direction crossing a signal electric field generated between the signal electrodes 24, 25.例文帳に追加

誘電体層２８を挟持して設けられた対の信号電極２４，２５と、信号電極２４，２５間で発生する信号電界と交差する方向に制御電界を発生させるように、誘電体層２８を挟持して設けられた対の制御電極２３，２６とから構成する。 - 特許庁

The integrated circuit chip 7 forms a loop antenna 6 including the first conducting wire 8 and the second conducting wire 10 via a first terminal 7b and a fourth terminal 7g, and forms a resonance circuit including a capacitance element and the loop antenna 6 via a second terminal 7c and a third terminal 7f.例文帳に追加

集積回路チップ７は、第１の端子７ｂと第４の端子７ｇとを介して第１の導線８と第２の導線１０を含むループアンテナ６を形成し、第２の端子７ｃと第３の端子７ｆとを介して静電容量素子及びループアンテナ６を含む共振回路を形成する。 - 特許庁

The reference threshold value detector 20 is provided with at least one resistor 22 having a variable resistor R that is used to generate a reference threshold value signal from an input signal and at least one capacitive element 24 placed at a post-state of the resistor 22 and having a capacitance C.例文帳に追加

基準しきい値信号検出器２０は、入力信号から基準しきい値信号を生成するとともに、可変抵抗値Ｒを有する少なくとも１つの抵抗２２と、抵抗２２の後段に設けられて、あるキャパシタンスＣを有する少なくとも１つの容量性素子２４とを備えている。 - 特許庁

The reader is provided with a sensor substrate 20 as a light quantity conversion element having a TFT 7 for photodetection and a pixel capacitance 17, and a drive IC 19 which drives the TFT 7 to an on state or an off state by applying voltage to the gate electrode of the TFT 7.例文帳に追加

光検出用ＴＦＴ７と画素容量１７とを有する光量変換素子としてのセンサ基板２０と、上記光検出用ＴＦＴ７のゲート電極に電圧を印加して、該光検出用ＴＦＴ７をオン状態あるいはオフ状態に駆動する駆動ＩＣ１９とを備える。 - 特許庁

The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ（容量性スタブ）１５と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。 - 特許庁

At least a part of a capacitive element 112 comprising a capacitive lower electrode 109, a capacitance insulating film 110 and a capacitive upper electrode 111 is coated with a second hydrogen barrier film 113 formed of at least one of bismuth tantalate, bismuth niobate and bismuth tantalum niobate.例文帳に追加

容量下部電極１０９、容量絶縁膜１１０及び容量上部電極１１１からなる容量素子１１２の少なくとも一部分を、タンタル酸ビスマス、ニオブ酸ビスマス及びタンタルニオブ酸ビスマスの少なくとも１つからなる第２の水素バリア膜１１３によって被覆する。 - 特許庁

This impedance measuring device wherein the LSI 50 for receiving a digital signal is used as a measuring object is equipped with the TDR oscilloscope 10, a connection tool 20 for connecting the LSI to be measured which is the measuring object circuit, a capacitance element C1 for direct-current voltage blocking, and a power supply device 30.例文帳に追加

本発明のインピーダンス測定装置は、デジタル信号を受信するＬＳＩ５０を測定対象とし、ＴＤＲオシロスコープ１０、測定対象回路である被測定ＬＳＩを接続する接続治具２０、直流電圧阻止用のキャパシタンス素子Ｃ１、及び電源装置３０を備える。 - 特許庁

The antenna element 12 is e.g., an inverted-F type dielectric antenna, and the antenna resonance frequency is changed in response to the reception frequency by applying a DC bias voltage to the tuner section 13 to properly change the capacitance of the varactor diode 16.例文帳に追加

このアンテナ素子１２は例えば逆Ｆ型の誘電体アンテナであって、チューナ部１３側から直流バイアス電圧を印加してバラクタダイオード１６の容量値を適宜変化させることにより、アンテナ共振周波数を受信周波数に応じて変化させることができる。 - 特許庁

A chip-type composite electronic component is provided with a structural part, in which an NTC thermistor chip element 21 displaying the characteristics of an NTC thermistor 6 and varistor chip elements 22 and 23 which have a dielectric constant for displaying the characteristics of a varistor 10 and form the electrostatic capacitance of a bypass capacitor 11, are electrically connected in parallel.例文帳に追加

ＮＴＣサーミスタ６の特性を付与するＮＴＣサーミスタチップ素体２１と、バリスタ１０の特性を付与しかつバイパスコンデンサ１１の静電容量を形成する比誘電率を有するバリスタチップ素体２２，２３とが互いに電気的に並列接続された構造部分を有する。 - 特許庁

In the input panel requiring high durability, a thick non-insulating resin film is sometimes used as the protective layer, but a coordinate shifted from the position specified by a finger can be input in response to influence of capacitance binding between the palm and a face resistance element.例文帳に追加

高い耐久性の求められる入力パネルでは、非絶縁性の厚い樹脂膜を保護層として使用することがあるが、この場合に掌と面抵抗体との静電容量結合の影響を受けて指の指示した位置からずれた座標が入力されてしまうことがある。 - 特許庁

Therefore, the capacitor element 13, which is sufficiently large in size (capacitance) to prevent the switching noises of an IC chip or to stabilize the operational power voltage, can be built freely in a wiring substrate 1 in terms of dimension and more easily than heretofore.例文帳に追加

そのため、ＩＣチップ１５のスイッチングノイズの抑制や動作電源電圧の安定化の機能を果たすために必要な大きさ（即ち静電容量）のコンデンサ素子１３を、寸法的に余裕を持って、しかも従来よりも簡便に、配線基板１に内蔵させることができる。 - 特許庁

To provide a mechanism for a digital camera that controls local temperature elevation on the exterior of the camera by efficiently releasing heat generated by a heating element such as a CPU, while keeping the camera from being thicker and without decreasing capacitance of an aluminum electrolytic capacitor in a low-temperature environment.例文帳に追加

デジタルカメラの薄型化を確保しつつ、低温環境下でのアルミニウム電解コンデンサの静電容量を低下させることなく、ＣＰＵ等の発熱性素子で発熱した熱を効率よく放熱して外装の局所的な温度上昇を抑制する仕組みを提供する。 - 特許庁

To provide a method for driving memory display of a liquid crystal display element capable of displaying memory for a predetermined period by using a time constant circuit composed of equivalent static capacitance and equivalent resistance owned by a light control layer constituting a light scattering type liquid crystal.例文帳に追加

光散乱型液晶を構成する調光層が固有に有する等価静電容量と等価抵抗による時定数回路を利用して、所定の時間メモリー表示をすることができる液晶表示素子のメモリー表示駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing device capable of sharply reducing the defective insulation due to the arrival of a conductive high molecular layer at an anode lead part and the generation probability of dielectric breakdown and reducing dispersion in the electrostatic capacitance of a capacitor element unit.例文帳に追加

導電性高分子層が陽極引き出し部に到達して絶縁不良を引き起こしたりあるいは絶縁破壊の発生確率を格段に引き下げることができ、コンデンサ素子単体の静電容量のばらつきを低減するコンデンサの製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10.例文帳に追加

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。 - 特許庁

Furthermore, in this configuration, when an upper limit of a distance (electrode length l) between the end face electrodes 3a, 3a and the edge of the circumferential electrodes 10, 10 is less than 2L/10 (L; total length), the reduction in the Δf is small and the static capacitance Cx is increased, then the element offers a harmonized characteristic.例文帳に追加

また、この構成にあっては、端面電極３ａ，３ａから周面電極端縁までの距離（電極長ｌ）の上限が、２Ｌ／１０未満（Ｌ；全長）であると、Δｆの減少が小さく、かつ静電容量Ｃx も改善されており、調和のとれた特性を示す。 - 特許庁

The resistance value Rp of the resistance part 100 and the capacitance value Cp of the capacitor element 101 are set at a value to meet (Cp×Rp)×0.9≤tr/3≤(Cp×Rp)×1.1 in relation to the rise time tr [sec] of the signal output from the signal transmission part 203 (204).例文帳に追加

抵抗部１００の抵抗値Ｒｐ及びコンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐは、信号送信部２０３（２０４）から出力される信号の立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］に対して、（Ｃｐ×Ｒｐ）×０．９≦ｔｒ／３≦（Ｃｐ×Ｒｐ）×１．１を満たす値に設定されている。 - 特許庁

Accordingly, in the case that a battery, etc., are connected between output terminals 3 and 4, a stabilizing capacitor 17b connected between power wiring and the input terminal 2 is connected in parallel to the capacitance between the gate and the source of the switching element 12, so that the occurrence of self turn-on is suppressed.例文帳に追加

したがって、出力端子３，４間にバッテリ等が接続された場合に、電源配線と入力端子２との間に接続された安定化コンデンサ１７ｂがスイッチング素子１２のゲート−ソース間容量に並列接続されるので、セルフターンオンの発生が抑制される。 - 特許庁

Moreover, this can jointly have the inflow checking effect of the thunder change and the signal deterioration preventive function in the case where the power line is used as a signal line, by connecting a ZnO element 71 and a discharge tube 72 in series, thereby making them function as a surge absorber which is small in capacitance.例文帳に追加

また、ＺｎＯ素子７１及び放電管７２を直列接続することで、続流の遮断能力を持ちつつ静電容量の小さいサージアブソーバとして機能させ、雷サージの流入抑止効果と、電源線を信号線とした場合の信号劣化防止能力を合わせ持つことができる。 - 特許庁

When a wire 130 or the like is to be formed in the customized layer 120 in response to demands of an intermediate user such as a machine manufacturer, the connection structure of the wire 130 is made different from that of the laminate 150, thereby forming the capacitance element 140 or resistive elements 141-144.例文帳に追加

機器メーカなどの中間ユーザの要求に対応してカスタマイズ層１２０に配線１３０などを形成するとき、積層体１５０に対する配線１３０の接続構造を相違させることにより、容量素子１４０や抵抗素子１４１〜１４４が形成される。 - 特許庁