「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The moisture sensor 1 includes a humidity-sensitive film 60 formed from an inorganic material, having a number of pores of which dielectric constant changes by adsorbing moisture; a first sensor element 10 having interdigital electrodes 10a, 10b; and a second sensor element 20 having interdigital electrodes 20a, 20b; of which capacitance value does not change through relative humidity which includes these components in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

湿度センサ１は、多数の細孔を有する無機材料から形成されて、水分を吸着することによってその誘電率が変化する感湿膜６０、並びに、誘電率の変化を検出するための櫛歯電極１０ａ及び１０ｂを有する第１センサ素子１０と、櫛歯電極２０ａ及び２０ｂを有するとともに、相対湿度によってその容量値が変化しない第２センサ素子２０とを、同一の半導体基板３０に備える。 - 特許庁

To provide a logic circuit having no defects like in a conventional decoder circuit such as the large capacitance of an input in the conventional decoder circuit, rounded input waveform, large area required for an element separating area, full amplitude of an output caused by a PN configuration and a muck time required for reaching the threshold of a driver.例文帳に追加

従来のデコーダ回路における入力部のゲート容量が大きいこと，入力波形がなまること，素子分離領域が必要となり面積が大となること，ＰＮ構成のため出力がフル振幅となること，ドライバーのしきい値に達するのに時間がかかる等の従来のデコーダ回路の欠点のない論理回路の提供。 - 特許庁

The variable capacitance element includes a signal line 1 arranged on a substrate 10, movable electrodes 3a, 3b, 3c arranged to cross over the signal line 1 and with both ends fixed on the substrate 10, and fixed capacitances 4a, 4b, 4c arranged between at least one end of both ends of the movable electrodes 3a, 3b, 3c and the substrate 10.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。 - 特許庁

To make it possible to carry out a precise measuring evaluation of a dielectric characteristic of a dielectric in a high frequency band in a minute thin-film capacitance element used for measuring the dielectric characteristic of the thin-film dielectric and a thin-film dielectric characteristic measuring evaluation method.例文帳に追加

薄膜誘電体の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子及び薄膜誘電特性測定評価方法であって、高周波数帯域における誘電体の誘電特性を高精度に測定評価することのできる微小薄膜キャパシタンス素子及びそれを用いた薄膜誘電特性測定評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound thin film magnetic head equipped with an MR head element of CPP structure which can adjust parasitic capacitance without changing thickness of insulation layers between a substrate and a lower shield layer and between an upper shield layer and a lower magnetic pole layer, thickness, shape and area of a lower shield layer, an upper shield layer and a lower magnetic pole layer.例文帳に追加

基板と下部シールド層との間及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更することなく、寄生キャパシタンスの調整可能な、ＣＰＰ構造のＭＲヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The display device 1 includes: a pixel circuit having thin-film transistors Tr and a capacitance element Cs arrayed and formed on a substrate 3; and the interlayer dielectric 105 covering over the pixel circuit, wherein the interlayer dielectric 105 is provided with connection holes 105a each of which exposes parts of a plurality of adjoining pixel circuits among the pixel circuits.例文帳に追加

基板３上に配列形成された薄膜トランジスタＴｒと容量素子Ｃｓとを有する画素回路と、画素回路を覆う層間絶縁膜１０５とを備えた表示装置１において、層間絶縁膜１０５は、画素回路のうち隣接する複数の画素回路の一部分を底部に露出させた接続孔１０５ａを備えている。 - 特許庁

In the electret condenser microphone where a fixed electrode 6 and a diaphragm 4 are placed at a prescribed interval to detect a sound signal given to the diaphragm 4 due to the change in a static capacitance between the electrode 6 and the diaphragm 4, the fixed electrode 6, the diaphragm 4 and semiconductor element 8 are contained in a box type case 9 made of an insulating material side by side.例文帳に追加

固定電極６と振動膜４とを一定間隔で配置し、両者間の静電容量の変化によって振動膜４に与えられた音声信号を検出するようにしたエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、絶縁材からなる箱型ケース９内に、上記固定電極６及び振動膜４と、半導体素子８を並列に収納する。 - 特許庁

A conductive film 12 for the touch panel is provided between an observation-side substrate 2 of a liquid crystal display element 1 and an observation-side polarizer 10 disposed on the outer surface of the substrate 2, and an electrostatic capacitance type touch panel is formed which has an outer surface of the polarizer 10 to be touched between the conductive film 12 for the touch panel and the outer surface of the polarizer 10.例文帳に追加

液晶表示素子１の観察側基板２とその外面に配置された観察側偏光板１０との間にタッチパネル用導電膜１２を設け、このタッチパネル用導電膜１２と前記偏光板１０の外面との間に、前記偏光板１０の外面をタッチ面とした静電容量型タッチパネルを形成した。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

The time period T1 from when the recovering circuit starts to supply electric power to the display electrodes by discharge from the recovery capacitor until the switching element is turned on to start to supply discharge power to the display electrodes from the sustaining circuit is controlled to at most 60% of a resonance time determined by the inductor and an electrostatic capacitance of the plasma display panel.例文帳に追加

回収回路が回収コンデンサからの放電により表示電極に電力の供給を開始してから、スイッチ素子がオンすることにより維持回路から表示電極に対する放電電力の供給が開始されるまでの時間Ｔ１が、インダクタとプラズマディスプレイパネルの静電容量とで決定される共振時間の６０％以下に制御される。 - 特許庁

Since an ESD signal has as a main component a frequency band of a few hundred MHz or lower, it can pass through a low pass filter 15 as it is, but by forming the ESD filter toward an antenna switch circuit from the antenna terminal ANT by the synthetic grounded inductor and a capacitance element 13, it restrains the ESD signal from going through to the antenna switch circuit.例文帳に追加

ＥＳＤ信号は、数百ＭＨｚ程度以下の周波数帯が主成分であるため、ローパスフィルタ１５をほぼそのまま通過できるが、上述した合成接地インダクタと静電容量素子１３とによってアンテナ端子ＡＮＴから、アンテナスイッチ回路に向けてのＥＳＤフィルタを形成することにより、該アンテナスイッチ回路へＥＳＤ信号が抜けることを抑制する。 - 特許庁

To prevent zero-cross operation failures by a parasitic capacitance of a semi-insulating film to operate stably an AC voltage in a photo-thyristor element incorporated with a MOSFET for obtaining a zero-cross function, comprising a photodiode or a phototransistor for photodriving a gate of the MOSFET, and having a high breakdown voltage passivation film provided with an oxygen dope semi-insulating film on an insulation film.例文帳に追加

ゼロクロス機能を得るためのＭＯＳＦＥＴを内蔵し、ＭＯＳＦＥＴのゲートを光駆動するためのフォトダイオードまたはフォトトランジスタを備え、絶縁膜上に酸素ドープ半絶縁膜を設けた高耐圧パッシベーション膜を有するフォトサイリスタ素子において、半絶縁膜の寄生容量によるゼロクロス動作不良を防いでＡＣ電圧に対して安定して動作させる。 - 特許庁

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order.例文帳に追加

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The copper film 9a in the first region can be used for the interconnection with the capacitance between interconnections suppressed due to the low relative permittivity of the insulating film between the copper films 9a, and the copper film 9b in the second region can be used for the capacitive element with a satisfactory electrostatic capacity assured due to high relative permittivity of the insulating film between copper films 9b.例文帳に追加

これによって、第１領域内の銅膜９ａは、当該銅膜９ａ間の絶縁膜の比誘電率が低いため、配線間容量が抑制されており、配線に利用可能であるとともに、第２領域内の銅膜９ｂは、当該銅膜９ｂ間の絶縁膜の比誘電率が高いため十分な静電容量が確保でき、容量素子として利用可能である。 - 特許庁

An error amplifier 3 generates current Id corresponding to difference between charging voltage V (Cref) up to the charging time termination of capacitance Cref supplied to an inverted input terminal through a peak hold circuit 1 and the voltage Vbg of a voltage source Vbg supplied to a noninverted input terminal and supplies the current Id to an LC oscillation circuit 5 and the upper part of a switch element SW1.例文帳に追加

誤差アンプ３は、ピークホールド回路１を介して、反転入力端に供給される容量Ｃｒｅｆの充電時間終了時までの充電電圧Ｖ（Ｃｒｅｆ）と、非反転入力端に供給される電圧源Ｖｂｇの電圧Ｖｂｇとの差に応じた電流Ｉｄを生成し、ＬＣ発振回路５と、スイッチ素子ＳＷ１上方に供給する。 - 特許庁

This capacitance element comprises a lower electrode 12 formed on a substrate 10, an insulation film 16 including an aperture 24 on the lower electrode 12, a capacitor insulation film 30 formed on the lower electrode 12 within the aperture 24 wherein the circumferential area of the aperture 24 is formed thicker than the central area of the aperture, and an upper electrode 32 formed on the capacitor insulation film 30.例文帳に追加

基板１０上に形成された下部電極１２と、下部電極１２上に開口部２４を有する絶縁膜１６と、開口部２４内の下部電極１２上に形成され、開口部２４の周縁部における膜厚が開口部の中央部における膜厚よりも厚いキャパシタ絶縁膜３０と、キャパシタ絶縁膜３０上に形成された上部電極３２とを有する。 - 特許庁

If the electric power supplied by electromagnetic coupling caused between the power receiving antenna coil 11 and a power transmitting antenna coil 6 provided to the external device (reader writer) 2 becomes excessive, an internal temperature rises especially due to heating inside the constant voltage circuit 14, which changes a capacitance value of the capacitive element 13, resulting in changes in resonance frequency of the resonance circuit.例文帳に追加

外部装置（リーダライタ）２が備える送電用アンテナコイル６と受電用アンテナコイル１１との間で生じる電磁結合により供給される電力が過剰になると、特に定電圧回路１４内における発熱に起因して内部温度が上昇し、これによって容量性素子１３のキャパシタンス値が変化して、共振回路の共振周波数が変化する。 - 特許庁

A switch FET (electronic switch element) 14 is switched by a horizontal oscillation pulse Vosc so that the overall S-shaped correction static capacitance is small for a prescribed period corresponding to nearly the middle period of a horizontal scanning period and large for the other period thereby generating an M-shaped distortion correction pulse Vm at both edges and correcting the horizontal linearity.例文帳に追加

スイッチＦＥＴ(電子スイッチ素子)１４は、水平発振パルスＶoscによってスイッチングされ、総合Ｓ字補正静電容量値を、水平走査期間の大略中央部分の所定期間で静電容量値が小、その他の期間で静電容量値が大になる様に切り替えることにより、その両端に図３(Ｄ)のＭ字歪補正パルスＶmが発生し、水平直線性を補正する。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

A variable capacitance element includes a movable electrode 3a including: a substrate 10; a signal line 1 provided on the substrate 10; a fixed electrode 7 provided on the substrate 10; a movable part which straddles the signal line 1 to extend above the fixed electrode 7 and is movable to the fixed electrode 7; and a fixed part which is fixed to the fixed electrode 7 with a dielectric layer 9 in between.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０と、基板１０上に設けられる信号線路１と、基板１０上に設けられる固定電極７と、信号線路１を跨いで固定電極７の上方まで延び、前記固定電極７に対して可動である可動部と、固定電極７に誘電体層９を挟んで固定される固定部と、を含む可動電極３ａとを備える。 - 特許庁

Since the parasitic capacitance is reduced by isolating light receiving elements through an insulator or a dielectric isolating region 6 and direct contact is taken from a P type semiconductor substrate 2 becoming an anode region in a region 11 embedded with a low resistance conductor, series resistance is decreased and the frequency characteristics of a light receiving element can be enhanced.例文帳に追加

受光素子間を絶縁体または誘電体の分離領域６で分離することにより寄生容量が低減され、かつ、低抵抗の導電体を埋め込んだ導電体埋め込み領域１１でアノード領域となるＰ型半導体基板２から直接コンタクトを取ることによりシリーズ抵抗が低減されるため、受光素子の周波数特性を向上することができる。 - 特許庁

The CV converter is configured so that a change in the capacitance of a capacitive element is converted to a voltage and by giving an alternating constant current to a counter electrode of a device to be measured, by adding the voltage of both ends of the counter electrode after the balance adjustment and by further adding an alternating constant current converted to a voltage and by performing an AM detection thereof.例文帳に追加

計測しようとする装置の対電極に交流定電流を与え、対電極の両端の電圧をバランス調整して加算したものに、交流定電流を電圧に変換したものをさらに加算し、それをＡＭ検波することにより、容量素子の容量の変化を電圧に変換するように構成されていることを特徴とするＣＶ変換器が提供される。 - 特許庁

Voltages having different values are applied to one or two designated electrodes from among the electrodes 302 and one or two electrodes from among residual electrodes, and a voltage between electrodes to which the voltages are applied is measured by a measuring function provided in the communication element 200, and the capacitance between the electrodes or the strain quantity of the elastic body 300 is measured from the measured voltage.例文帳に追加

電極３０２のうち、指定する一つまたは二つの電極と、残りの電極のうちの一つまたは二つの電極に異なった値の電圧を印加し、通信素子２００に備えられた計測機能が電圧を印加した電極間の電圧を測定し、測定した電圧から、電極間の静電容量あるいは弾性体３００の歪量を計測する。 - 特許庁

This semiconductor capacitance element has a structure, where an upper electrode 104 is formed on a lower electrode 102 at the center thereof where is not overlapped on the peripheral portion of the lower electrode 102 and that a residue pattern 105 consisting of the upper electrode forming film is provided separated from the upper electrode 104 on the peripheral portion of the lower electrode 102, overlapping with the peripheral portion of the lower electrode 102.例文帳に追加

下部電極１０２上で、かつ下部電極１０２の周辺部とオーバーラップしない下部電極１０２の中央部上に上部電極１０４を有し、また、下部電極１０２の周辺部とオーバーラップする下部電極１０２の周辺部上に、上部電極１０４とは分離して、上部電極形成膜からなる残さ防止パターン１０５を有した構造とする。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming capacitance element includes a hydrogen terminating step of performing hydrogen terminating treatment for silicon on the surfaces of the HSG of a lower electrode after performing HSG producing treatment on the lower electrode, and a heat-treating step of performing heat treatment on the lower electrodes subjected to the hydrogen terminating step at a temperature between 600°C and 800°C in a heat treating furnace maintained in a silicon-nonreactive dopant gas atmosphere.例文帳に追加

本方法は、下部電極にＨＳＧ化処理を施した後、下部電極のＨＳＧ表面にシリコンの水素終端処理を施す水素終端処理ステップと、水素終端処理ステップを経た下部電極に、シリコンに対する非反応性のドーパントガス雰囲気の熱処理炉内で６００℃以上８００℃以下の温度範囲の温度で熱処理を施す熱処理ステップとを備えている。 - 特許庁

To provide a capacitor element capable of eliminating drawbacks without causing reduction in its capacitance, and further provide its manufacturing method and a solid electrolytic capacitor using the capacitor element.例文帳に追加

弁作用金属の粉末を多孔質の直方体に焼結した陽極チップ体１２と、この陽極チップ体における一端面１２ａに固着した陽極ワイヤ１３と、前記陽極チップ体における金属粉末の表面に形成した誘電体膜と、この誘電体膜に重ねて形成した固体電解質層１４と、更に、前記陽極チップ体の表面に前記固体電解質に重ねて形成した陰極側電極膜１５とから成るコンデンサ素子において、前記陰極側電極膜１５を形成する工程での不良品を発生率を低減し、このコンデンサ素子を使用した固体電解コンデンサの小型・軽量化を図る。 - 特許庁

In the manufacturing method of a solid electrolytic capacitor where a dielectric oxide layer is set to an anode and a solid electrolyte layer is set to a cathode, a remaining heat in the range of 40-150°C is given to the capacitor element 1 where the solid electrolyte layer is formed by a hot plate 10, thus preventing electrical characteristics such as the decrease in capacitance and increase in equivalent series resistance(ESR).例文帳に追加

誘電体酸化皮膜を陽極とし、固体電解質層を陰極とした固体電解コンデンサの製造方法において、前記固体電解質層を形成したコンデンサ素子１に、ホットプレート１０により４０〜１５０℃の範囲から余熱を与えて、吸湿を抑制している間に組立てを行うことで、静電容量の減少と等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増大等の電気的特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

A source-gate channel resistance of the MOS element 3 whose capacitance is stepwise changed depending on a DC voltage applied between the source and the gate through the control of the DC voltage on which an AC voltage is superimposed is selected to be a small resistance so as not to interrupt an AC signal by the AC voltage.例文帳に追加

ソースとゲートとの間に印加される直流電圧に応じて容量が階段状に変化するＭＯＳ素子３であって、直流電圧に交流電圧を重畳させるとともに直流電圧を制御することによって前記容量を可変する電圧可変容量素子３において、ソースとゲート間のチャンネル抵抗を、交流電圧による交流信号を遮断しない小さな値に構成する。 - 特許庁

The receiver 2 includes: a receive antenna electrode 5 which is paired with the transmit antenna electrode 4 and receives the transmission output radiated from the transmit antenna electrode 4; an oscillation circuit 6 which performs oscillating operation with an electrostatic capacitance of a quasi-electrostatic field being present between the receive antenna electrode 5 and the transmit antenna electrode 4 as a circuit element; and a demodulation circuit 7 for demodulating an output signal from the oscillation circuit 6.例文帳に追加

受信機２は 送信アンテナ電極４と対をなし、送信アンテナ電極４から放射された送信出力を受信する受信アンテナ電極５と、この受信アンテナ電極５と送信アンテナ電極４との間に存在する準静電界の静電容量Ｃを回路要素として発振動作を行う発振回路６と、この発振回路６からの出力信号を復調する復調回路７と、を有する。 - 特許庁

By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating.例文帳に追加

金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。 - 特許庁

The capacitor silicon sensor comprises a glass plate 120 having an electrode 121 and a diaphragm 103 formed from a semiconductor material, attached to the glass plate 120, forming a gap 115 including at least a part of the electrode 121 and a capacitor element and passing an electrical signal through so as to determine electrostatic capacitance for indicating the pressure to be determined when the capacitor silicon sensor is used.例文帳に追加

電極１２１を有するガラス製のプレート１２０と、半導体材料から形成されており、前記ガラス基板１２０に接着されており、少なくとも電極１２１の一部を含んでいる空隙１１５を形作り、それ故に容量式要素を形作り、それを通して、使用に際しては、決定される圧力を示すための静電容量を決定するために電気的信号が通過する隔膜１０３とかなる。 - 特許庁

The timer circuit 57 once supplied with the electric power discharges the electric charges charged up in the capacitance element C1 to keep the 1st transistor Q3 on before the 1st transistor turns off, then measures a specific fixed time according to the output signal of the circuit block 54, and turns off the 1st transistor Q3 when detecting the circuit block 54 not in operation for the specific fixed time.例文帳に追加

タイマー回路５７は、電力が供給されると、容量素子Ｃ１にチャージアップされた電荷がディスチャージして第１のトランジスタＱ３がオフする前に、そのオンを保持するように制御し、その後、回路ブロック５４の出力信号に基づいて所定の一定時間を計測し、回路ブロック５４が所定の一定時間動作していないことを検出した場合に、第１のトランジスタＱ３をオフするよう制御する。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

In the method of producing a porous resin sheet for a piezoelectric/pyroelectric element including a charging process where the inside of a bubble is charged by performing electron beam irradiation processing or corona discharge processing on a porous resin sheet, the charging process is performed in a state where a cover layer having a capacitance index X of 0.2 or higher is laminated on one or both surfaces of the porous resin sheet.例文帳に追加

多孔質樹脂シートに電子線照射処理又はコロナ放電処理を施すことにより気泡内部を帯電させる帯電処理工程を含む圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートの製造方法であって、下記式にて表わされるキャパシタンス指標Ｘが０．２以上であるカバー層を多孔質樹脂シートの片面又は両面に積層した状態で前記帯電処理工程を行う。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator includes a Colpitts oscillation circuit to a transistor of which a series circuit comprising: a WAVE electrode SAW resonator resonated at a prescribed frequency; and a variable capacitance element for controlling the prescribed frequency on the basis of an external control voltage and an extension coil are connected, and the extension coil is connected in parallel with the WAVE electrode SAW resonator the resonance characteristic of which is enhanced.例文帳に追加

本発明の電圧制御型発振器は、所定の周波数で共振するＷＡＶＥ電極型ＳＡＷ共振子と外部からの制御電圧に基づいて所定の周波数を制御する可変容量素子との直列回路と、伸張コイルとをそれぞれトランジスタに接続したコルピッツ型の発振回路を備え、共振特性の改善が図られたＷＡＶＥ電極型のＳＡＷ共振子と並列に前記伸張コイルを接続する。 - 特許庁

The first capacitor element has a capacitance value which is smaller in execution of an adding mode than in execution of a non-adding mode, and thereby making an amplification factor of the amplifier smaller in the execution of the adding mode than in the execution of the non-adding mode.例文帳に追加

光電変換素子を含む複数の画素部（Ｐｉｘ１，Ｐｉｘ２）と、複数の画素部の信号を読み出す信号線（１０６）と、信号線に第１の電極が接続された第１の容量素子（１０７ａ，１０７ｂ）と、第１の容量素子の第２の電極に入力端子が接続された増幅器（１０９）と、増幅器の入力端子及び出力端子の間に接続された第２の容量素子（１１０ａ，１１０ｂ）と、を有し、第１の容量素子は、その容量値が非加算モード実行時よりも加算モード実行時において小さくなり、前記増幅器の増幅率が前記非加算モード実行時よりも前記加算モード実行時において小さくなることを特徴とする固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The first capacitor element has a capacitance value which is smaller at the time of execution of an adding mode than at the time of execution of a non-adding mode, and thereby making an amplification factor of the amplifier smaller at the time of execution of the adding mode than at the time of execution of the non-adding mode.例文帳に追加

光電変換素子を含む複数の画素部（Ｐｉｘ１，Ｐｉｘ２）と、複数の画素部の信号を読み出す信号線（１０６）と、信号線に第１の電極が接続された第１の容量素子（１０７ａ，１０７ｂ）と、第１の容量素子の第２の電極に入力端子が接続された増幅器（１０９）と、増幅器の入力端子及び出力端子の間に接続された第２の容量素子（１１０ａ，１１０ｂ）と、を有し、第１の容量素子は、その容量値が非加算モード実行時よりも加算モード実行時において小さくなり、前記増幅器の増幅率が前記非加算モード実行時よりも前記加算モード実行時において小さくなることを特徴とする固体撮像装置を提供する。 - 特許庁