「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cathode 24, composit material with carbonaceous material is contained compressed while applying shearing force in at least one part of the surface of base material containing at least one type of the group 14 element compounds except carbon and the capacitance and the cycling property are improved.例文帳に追加

負極２４は、炭素を除く１４族元素のうちの少なくとも１種を含む基礎材料の表面の少なくとも一部に、圧縮しつつせん断力を加えて、炭素質材料を複合化した複合化材料を含んでおり、容量およびサイクル特性が改善されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory capacitor element which can be made constant in capacitance by a method, wherein the outer and inner wall of a roughened cylindrical storage node are separately controlled in surface roughness so as to be high in flexibility due to the outer and inner wall of the roughened cylindrical storage node becoming unstable in surface roughness, when the node becomes small in wall thickness.例文帳に追加

粗面化した筒状のストレージノードは、その厚みが薄くなると外壁と内壁の粗面形状が安定しなくなるので、外壁と内壁の各粗面形状の大きさを個別に制御できるように自由度をもたせて、安定した容量値を得ることができるようにする。 - 特許庁

To reduce the parasitic capacitance of the electrode pad of an element where a mesa stripe including an optical waveguide layer is buried by a semi-insulating InP based embedding layer having an upper surface consisting of a flat portion, an inclining portion and a fine growth portion and the electrode pad is formed on the embedding layer 4.例文帳に追加

光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。 - 特許庁

Then, a capacitor 21 for changing the capacitance of the integrating circuit is connected in parallel with this second capacitor 15, and also the turn-on delay time of the main switching element 5 is switched over by making/breaking the electric connection of this capacitor 21, according to the output voltage of feedback winding 4b.例文帳に追加

そして、この第２のコンデンサ１５と並列に積分回路の静電容量を変更するためのコンデンサ２１を接続し、帰還巻線４ｂの出力電圧に応じてこのコンデンサ２１の電気的な接続を入／切して、主スイッチング素子５のターン・オン遅延時間を切り換える。 - 特許庁

In the higher harmonic processing circuit 14, capacitance by chip capacitors 17 and 19 and parasitic inductances 32 and 33 of grounds 20 and 21 where chip capacitors 17 and 19 are connected and via holes 22 and 23 operate as an LC resonating element, and the higher harmonic processing circuit is embodied as a polarized low-pass filter.例文帳に追加

高調波処理回路１４において、チップコンデンサ１７，１９によるキャパシタンスと、チップコンデンサ１７，１９が接続するグランド２０，２１とビア２２，２３における寄生インダクタンス３２，３３がＬＣ共振素子として働き、前記高調波処理回路は、有極ローパスフィルタとして具現化する。 - 特許庁

To provide a chip type LC compound element capable of suppressing variations in the inductance value of a coil part and in the capacitance value of a capacitor part due to contraction of a conductor pattern and as a result having a controllable variations in the characteristics and a high reliability.例文帳に追加

本発明は、導体パターンが収縮してコイル部のインダクタンス値とコンデンサ部の静電容量値がばらつくのを抑制することができ、これにより、特性のばらつきの抑制が図れる信頼性の高いチップ型ＬＣ複合素子を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The pressure sensor 3 is a capacitance pressure-sensitive element, and a diaphragm 12 is held on a silicon substrate 9 loaded on the inner bottom surface 4b, and the height position of the sealing material 7 inside the case 4 is set approximately equal to the height position, where the diaphragm 12 exists.例文帳に追加

圧力センサ３は静電容量型の感圧素子であって、その内底面４ｂに搭載されるシリコン基体９上にダイヤフラム１２が保持されており、ケース４内における封止材７の高さ位置がダイヤフラム１２の存する高さ位置と略同等に設定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the interconnect line of a thin film device can be prevented from short-circuiting while reducing the increase of the parasitic capacitance when the thin film device (semiconductor device) is constituted by pasting a micro tile-like element onto a substrate, and to provide its manufacturing method and an electronic apparatus.例文帳に追加

基板上に微小タイル状素子を貼り付けて薄膜デバイス（半導体装置）を構成する場合に、その薄膜デバイスについての配線が短絡すること及び寄生容量が増大することを低減できる半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The capacitance element is provided with a first metal layer 11, a dielectric material layer 12 formed on the first metal layer 11, and a second metal layer 13 which is formed on the dielectric material layer 12; and is provided with a plurality of projected portions 15 at the surface opposing to the first metal layer 11.例文帳に追加

第１の金属層１１と、第１の金属層１１上に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上に形成され、第１の金属層１１と対向した面に複数の凸部１５が設けられた第２の金属層１３とを具備したことを特徴する。 - 特許庁

The piezoelectric type power supply converter is substituted for the conventional capacitor by utilizing a piezoelectric element, and the piezoelectric element includes higher capacitance than those of conventional capacitors, generates a reverse voltage effect during charging and deforming, and generates a positive voltage effect after deforming; and since positive charges are generated thereby, voltage effect is increased and large power supply output is attained.例文帳に追加

本発明の圧電式電源変換器は、圧電素子を利用して従来のキャパシタに取って代わり、圧電素子は従来のキャパシタよりも更に高いキャパシタンスを含み、且つ、通電変形時に逆電圧効果を発生させ、変形後に正電圧効果を発生させることができ、これによって正電荷が生じるので、電圧効果が増大して大きい電源出力を達成することができる。 - 特許庁

A conductive well different from a substrate is formed to a region under the element of a semiconductor substrate front surface, and a constant voltage which biases the bonding between the well and the substrate to a reverse direction is applied in the frequency of a signal applied to the element through a resistor having a higher impedance than the impedance of the capacitance of the bonding between the reverse biased well and the substrate.例文帳に追加

半導体基板表面の、素子の下方の領域に、基板と異なる導電型のウエルを形成し、ウエルと基板との間の接合を逆方向にバイアスする一定の電圧を、素子に印加される信号の周波数において、逆バイアスされたウエルと基板との間の接合の容量のインピーダンスに比較して高いインピーダンスを有する抵抗を介して、印加する。 - 特許庁

The tunable antenna 21 has a variable capacitance switch 28 provided to an antenna element 27, the conductor plate of a body 31, a feed point 29 provided between the antenna element 27 and the conductor plate of the body 31, a variable filter 32 connected to the feed point 29, a variable attenuator 33 connected to the variable filter 32, and an antenna control unit 26 which is a circuit for controlling these components.例文帳に追加

チューナブルアンテナ２１は、アンテナエレメント２７に設けられた可変容量スイッチ２８と、ボデー３１の導体板と、アンテナエレメント２７とボデー３１の導体板との間に設けられた給電点２９と、給電点２９に接続された可変フィルタ３２と、可変フィルタ３２に接続された可変アッテネータ３３と、これらを制御する回路であるアンテナ制御部２６と、を有している。 - 特許庁

A microcomputer 10 inputs, from an input terminal 13, a voltage of the electrolytic capacitor 6 converted in level by a voltage conversion circuit 9, determines its pattern, determines that the capacitance of the electrolytic capacitor 6 drops when the pattern coincides with a determination criterion, and outputs a signal for forcibly turning on a switching element 12 to a switching element driving circuit 11 from an output terminal 14.例文帳に追加

マイコン１０は、電解コンデンサ６の、電圧変換回路９でレベル変換された電圧を入力端子１３から入力し、そのパターンを判定し、判定基準に一致した場合、電解コンデンサ６の静電容量が低下したと判定し、スイッチング素子１２を強制にオンさせる信号を出力端子１４からスイッチング素子駆動回路１１に出力する。 - 特許庁

The temperature compensated crystal oscillator includes an oscillation circuit including a crystal oscillator; a variable capacitor inserted in series in the oscillation circuit; a thermosensitive circuit element whose resistance value changes in accordance with a temperature of the crystal oscillator; and a correction circuit configured to correct capacitance of the variable capacitor based on a current value that is used when applying current to the thermosensitive circuit element.例文帳に追加

水晶振動子を含む発振回路と、前記発振回路に直列に挿入される可変容量素子と、前記水晶振動子に蒸着され、前記水晶振動子の温度に応じて抵抗値が変化する感温回路素子と、前記感温回路素子に対し通電を行った際の電流値に基づき、前記可変容量素子の容量を補正する補正回路とを有する。 - 特許庁

The snubber circuit connected in parallel with a target semiconductor element and protecting the semiconductor element from overvoltage comprises a series circuit of a DC power supply of predetermined voltage, and a variable capacitor having a capacitance which decreases as the voltage being applied to the opposite ends of the DC power supply rises and increases as the applying voltage lowers.例文帳に追加

保護対象の半導体素子と並列に接続されて、過電圧から該半導体素子を保護するスナバ回路であって、このスナバ回路は、所定電圧の直流電圧源と、その両端に印加される電圧が高くなるとその静電容量が減少する一方、印加される電圧が低くなると静電容量が増加する可変容量コンデンサとが直列に接続された直列回路を備える。 - 特許庁

The inertia drive actuator further comprises a means 70 for controlling the frictional force between the oscillatory substrate 30 and the moving element 40 by applying a voltage between the first electrode 41 and the second electrode 31, and a means 80 for detecting the position of the moving element 40 by checking capacitance at the opposing portion of the first electrode 41 and the second electrode 31.例文帳に追加

慣性駆動アクチュエータはさらに、第一電極４１と第二電極３１との間に電圧を印加して振動基板３０と移動体４０との間の摩擦力を制御する摩擦力制御手段７０と、第一電極４１と第二電極３１の対向部分の静電容量を調べて移動体４０の位置を検出する位置検出手段８０とを備えている。 - 特許庁

The inertia drive actuator further comprises a means 70 for controlling the frictional force between the oscillatory substrate 30 and the moving element 40 by applying a voltage between the first electrode 41 and the second electrode 31, and a means 80 for detecting the position of the moving element 40 based on capacitance at the opposing portion of the first electrode 41 and the second electrode 31.例文帳に追加

慣性駆動アクチュエータはさらに、第一電極４１・第二電極３１間に電圧を印加して振動基板３０・移動体４０間の摩擦力を制御する摩擦力制御手段７０と、第一電極４１と第二電極３１の対向部分の静電容量に基づいて移動体４０の位置を検出する位置検出手段８０とを有する。 - 特許庁

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁

In order to drive a semiconductor switching element having an input capacitance formed between a gate electrode and a first output electrode, a first switch is connected between a direct-current voltage source and the gate electrode, a second switch is connected between the first output electrode and a reference potential terminal of the direct-current voltage source, and the first and second switches are turned on to turn the semiconductor switching element on.例文帳に追加

ゲート電極と第１の出力電極間に入力容量が形成された半導体スイッチング素子を駆動するため、直流電圧源とゲート電極間に第１のスイッチを接続し、第１の出力電極と直流電圧源の基準電位端間に第２のスイッチを接続し、第１，第２のスイッチをオンして半導体スイッチング素子をターン・オンさせる。 - 特許庁

The inertia drive actuator further comprises a means 70 for controlling the frictional force between the oscillatory substrate 30 and the moving element 40 by applying a voltage between the first drive electrode 41 and the second drive electrode 31, and a means 80 for detecting the position of the moving element 40 based on capacitance at the opposing portion of the first drive electrode 41 and the detection electrode 33.例文帳に追加

慣性駆動アクチュエータはさらに、第一駆動電極４１と第二駆動電極３１との間に電圧を印加して振動基板３０と移動体４０との間の摩擦力を制御する摩擦力制御手段７０と、第一駆動電極４１と検出電極３３の対向部分の静電容量に基づいて移動体４０の位置を検出する位置検出手段８０とを備えている。 - 特許庁

To obtain a small and lightweight optical semiconductor package in which an optical signal is inputted/outputted efficiently and smoothly to/from an optical semiconductor element and response characteristics and wideband properties of a high frequency signal are enhanced by reducing the transmission loss of high frequency signal and inner capacitance in the optical semiconductor package.例文帳に追加

光半導体パッケージを小型軽量化するとともに光信号が光半導体素子に効率よく円滑に入出力されるようにし、また高周波信号の伝送損失を低減し光半導体パッケージ内部の静電容量を減少させて高周波信号の応答特性と広帯域性を向上させること。 - 特許庁

In the plasma processing method, a device including a power source which outputs sine-wave power with a single frequency of 20 kHz to 3 MHz, an LC resonance circuit in which capacitance and inductance are variable, and a pulse control element is used as a power supply device supplying plasma excitation power to a pair of electrodes.例文帳に追加

電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

When an error detector circuit 240 detects a signal error, the detector circuit controls the inductance L11 of an antenna coil 211, the capacitance C11 of a capacitor 213, and any values of a coil, a capacitor, and a resistor in an RLC matching circuit, of constituent elements in an antenna circuit 210 relating to communication, so as to change any of element values to a specified level.例文帳に追加

誤り検出回路２４０が信号誤りを検出したときには、アンテナ回路２１０の通信にかかわる構成素子であるアンテナコイル２１１のインダクタンスＬ１１、キャパシタ２１３の容量Ｃ１１、ＲＬＣ整合回路のコイルやキャパシタ、抵抗の何れかの素子値を所定量変化させるように制御する。 - 特許庁

The reflective type electro-optical device 100 has an element substrate 10, on which since a shield line 7a comprising a light-transmitting conductive film extending in a Y-direction is formed in a region interposed by adjoining data lines 6a in an X-direction, the parasitic capacitance between adjoining data lines 6a in the X-direction is extremely low.例文帳に追加

反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor, forming a solid electrolyte layer consisting of a conductive polymer onto a flat-plate-shaped anode electrode element by chemical oxidation polymerization of a two-liquid method readily applicable to mass production to have favorable ESR (Equivalent Series Resistance) characteristics and capacitance characteristics and free of degradation of LC (Liquid Crystal) characteristics.例文帳に追加

平板状の陽極電極体に対し、量産工程に適用しやすい二液法の化学酸化重合により導電性高分子からなる固体電解質層を形成し、良好なＥＳＲ特性と静電容量特性を有するとともに、ＬＣ特性の劣化もない固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a power switch SW3 is turned on, 1st and 2nd transistors Q3 and Q2 turn on which electric charges accumulated in a capacitance element C1 in the OFF period of the power switch SW3, and a battery BATT3 supplies electric power to a timer circuit 57 and a circuit block 54 through the 2nd transistor Q2.例文帳に追加

電源スイッチＳＷ３がオンになると、電源スイッチＳＷ３がオフの期間に容量素子Ｃ１にチャージアップされた電荷により、第１および第２のトランジスタＱ３、Ｑ２はオンし、バッテリーＢＡＴＴ３から第２のトランジスタＱ２を介してタイマー回路５７および回路ブロック５４に電力が供給される。 - 特許庁

The capacitance value of the smoothing capacitor 18 is set so that the intensity of the peak value of a ripple overlapped onto the alternating-current output generated in an inverter circuit 4 by switching the switch element 15 at a predetermined period is greater than the intensity of the peak value of noises at a ripple frequency band in the alternating-current output.例文帳に追加

スイッチ素子１５を所定の周期で切り替えることによりインバータ回路４で生成される交流出力に重畳させたリップルのピーク値強度が、該交流出力に存在するリップル周波数帯におけるノイズのピーク値強度よりも大きくなるように、平滑用コンデンサ１８の容量値が設定される。 - 特許庁

The capacitor C has capacitance whose impedance is larger than that of the second resistive element R2 at the frequency of a signal inputted from a pair of signal lines, and becomes smaller than that of the first and second resistive elements R1, R2 at the frequency of the lighting surge voltage and that of a lighting surge current.例文帳に追加

該容量素子Ｃは、そのインピーダンスが一対の信号線路から入力される信号の周波数では第２の抵抗素子Ｒ２に比べて大きく、且つ雷サージ電圧の周波数及び雷サージ電流の周波数では第１及び第２の抵抗素子Ｒ１、Ｒ２に比べて小さくなる静電容量を有している。 - 特許庁

The filter device includes a metallic box body 11 and at least the two resonance elements 13 installed in an inner part 11a of the box body 11, and a coupling capacitance adjusting element 20 composed of a conductor 20a insulated from the box body 11 is disposed between at least the two resonance elements 13.例文帳に追加

本発明のフィルタ装置は、金属製の箱体１１と、この箱体１１の内部１１ａに設置された少なくとも２つの共振素子１３とを備え、前記少なくとも２つの共振素子１３の間に前記箱体１１と絶縁された導体２０ａからなる結合容量調整素子２０を配置したものである。 - 特許庁

The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15, and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity barrier film (oxygen barrier film) 16b consisting of the iridium oxide film, and a metallic film 16c.例文帳に追加

層間絶縁膜１４の上にはコンタクトプラグ１５と接続されるように容量素子の下部電極１６が形成されており、該下部電極１６は、第１の導電性バリア膜１６ａ、酸化イリジウム膜よりなる第２の導電性バリア膜（酸素バリア膜）１６ｂ及び金属膜１６ｃより構成されている。 - 特許庁

When the switching element 36 is turned from ON to OFF, a reflux electric current Id based on the inductance coil 38 flows in the forward direction of the diode 40 through a closed circuit 46 composed of the inductance coil 38, the capacitance 12, and the diode 40, and the capacitor 12 is charged with the reflux electric current Id.例文帳に追加

そして、スイッチング素子３６がオン状態からオフ状態になると、インダクタンスコイル３８、コンデンサ１２およびダイオード４０からなる閉回路４６内でインダクタンスコイル３８に基づく電流Ｉdがダイオード４０の順方向に還流し、この還流する電流Ｉdによってコンデンサ１２が充電される。 - 特許庁

In the optical module with the semiconductor light-emitting device 8, an optical fiber 6 transmitting light radiated from the light-emitting element and the semiconductor photodetector 9 which receives light radiated by the light-emitting device, constitution in which the junction capacitance of the photodetector 9 is set in 0.64 pF or less is adopted.例文帳に追加

半導体発光素子８と、この半導体発光素子が放射する光を伝送する光ファイバ６と、半導体発光素子が放射する光を受ける半導体受光素子９と、を有する光モジュールであって、半導体受光素子９の接合容量が０．６４ｐＦ以下である構成を採る。 - 特許庁

An element unit 3 having at least one of functions such as inductance, resistance, and capacitance is formed on a base 1, a resist film 4 is formed on the side of the base 1 and patterned, its disused part is removed, a protective material 5 is formed on a part where the disused part is removed, and the residue of the resist film 4 is removed.例文帳に追加

基台１にインダクタンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの機能を有する素子部３を形成し、基台１の少なくとも側面上にレジスト膜４を形成し、レジスト膜４をパターニングして不要部分を除去し、除去した部分に保護材５を形成し、レジスト膜４の残留部分を除去した。 - 特許庁

To provide a drying apparatus that can stably fabricate thin capacitor elements with few short circuit failures and few variations in element shapes, attain high capacitance by increasing the number of lamination layers of capacitor elements in a solid electrolytic capacitor chip, and manufacture multilayer solid electrolytic capacitors with few variations in equivalent series resistance.例文帳に追加

短絡不良が少なく、素子形状のバラツキが少なく、薄いコンデンサ素子を安定して作製でき、固体電解コンデンサチップ内のコンデンサ素子の積層枚数を増やし高容量化可能で、等価直列抵抗のバラツキが小さい積層型固体電解コンデンサを製造することができる乾燥装置を提供する。 - 特許庁

The measuring terminal 22A, the IGBT element and the photocoupler are provided for each of the plurality of loads 3, thereby easily individually controlling current supply to each load 3 by shutting off voltage application to the load 3 which is e.g., short-circuited, opened or determined defective in capacitance measurement of a previous step.例文帳に追加

測定端子２２Ａと、ＩＧＢＴ素子と、フォトカプラが、複数の負荷３毎にそれぞれ設けられているので、例えばショートまたはオープンとなっていたり、前工程の容量測定などで不良と判定された負荷３に対する電圧印加を遮断して、各負荷３への電流供給を容易に個別制御できる。 - 特許庁

To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26.例文帳に追加

ストレージノード２６の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。 - 特許庁

The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15 and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity iridium oxide barrier film (oxygen barrier film) 16b, and a metallic film 16c.例文帳に追加

層間絶縁膜１４の上にはコンタクトプラグ１５と接続されるように容量素子の下部電極１６が形成されており、該下部電極１６は、第１の導電性バリア膜１６ａ、酸化イリジウム膜よりなる第２の導電性バリア膜（酸素バリア膜）１６ｂ及び金属膜１６ｃより構成されている。 - 特許庁

To solve the problem that high speed operation can not be expected when an EL element has a large junction capacitance and, when a current course is changed, a transistor which controls a driving current becomes a source follower for a switching transistor connected with a power source line and the source voltage of a driving transistor is varied in accordance with characteristics of a switching transistor.例文帳に追加

ＥＬ素子がおおきな接合容量を持つ場合に、高速動作が期待できないこと、及び、電流経路が変換した場合に電源ラインに接続されるスイッチングトランジスタに対し駆動電流を制御するトランジスタがソースフォロワとなり、駆動用トランジスタのソース電圧がスイッチング用トランジスタの特性により変動する。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

The booster antenna and reader/writer provided with the variable capacitance element is capable of changing the resonance frequency, according to the rotational position, thereby data communication between a contactless communication medium and the reader/writer can be controlled and data leakage unintended by a holder of the contactless medium can be restrained.例文帳に追加

この可変容量素子を備えるブースターアンテナおよび読取書込装置は、回転位置に応じて共振周波数を変化させることができるため、非接触通信媒体と読取書込装置との間のデータ通信を制御することができ、非接触媒体の所有者が意図しないときのデータの漏洩を抑制することができる。 - 特許庁

A technique is provided, in which without having to reduce the capacitance the surface area of a capacitor, the capacitor can be reduced to increase the aperture ratio of an organic electroluminescence element, by forming a gate electrode and gate insulating film used for a dielectric film of the capacitor, while making them have thicknesses that are different from one another.例文帳に追加

ゲート電極及びキャパシタの誘電体膜に用いられるゲート絶縁膜の厚さを互いに異ならせて形成することで、静電容量の大きさを減少することなくキャパシタの表面積を減少させて、有機エレクトロルミネセンス素子の開口率を増加させることのできる技術である。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a liquid crystal layer interposed between substrates and having negative dielectric constant anisotropy and comprises first and second dielectric layers 20 and 21 provided on an upper part of pixel electrodes 27A and 27B and an upper part of a common electrode 11 to be opposed to each other for electrically forming capacitance.例文帳に追加

基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層を具備し、画素電極２７Ａ、２７Ｂ上部及び共通電極１１の上部に、各々電気的に容量を形成するために対向して設けられた第１の誘電体層２０および第２の誘電体層２１からなる。 - 特許庁

Interception of wireless signals is prevented owing to high input impedance property of the capacitance between electrodes of the gaseous discharge element specific to an end short circuit coaxial line of 1/4 wavelength even on gaseous discharge.例文帳に追加

使用中心周波数の１／４波長終端短絡線路の内部導体先端と、主同軸線路の内部導体間にガス放電素子を挿入し、ガス放電素子の電極間静電容量を高周波的に、ガス放電時にも、１／４波長終端短絡同軸線路特有の高入力インピーダンス性にし無線信号の遮断を防ぐ。 - 特許庁

For each pixel row, middle voltages Vmid0, Vmid1 and ON voltage Von are successively supplied in that order to a gate electrode of a transfer transistor as a transfer pulse TRG, and signal charges accumulated in the photoelectric conversion element 21 during an accumulation period of one unit are divided into three portions e.g. and transferred to the stray diffusion capacitance 26.例文帳に追加

画素行ごとに、中間電圧Ｖｍｉｄ０，Ｖｍｉｄ１およびオン電圧Ｖｏｎをその順番で順次転送トランジスタのゲート電極に転送パルスＴＲＧとして供給し、一単位の蓄積期間中に光電変換素子２１に蓄積された信号電荷を例えば３分割転送にて浮遊拡散容量２６へ転送する。 - 特許庁

To reduce the influence of a strong electric field by constituting a water level sensor by utilizing a capacitance change between electrodes, to improve noise resistance, to make a washing machine inexpensive and to improve reliability by simplifying a constitution by composing the sensor itself of one element in the washing machine provided with the water level sensor for detecting the level of water in a spinning tub.例文帳に追加

洗濯槽内の水位を検知する水位センサを備えた洗濯機において、電極間容量変化を利用して水位センサを構成して強電界の影響を少なくし、また耐ノイズ性を強くし、センサ自体の構成を１素子として構成を簡単にすることにより安価にし、信頼性を向上する。 - 特許庁