「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The antenna element A has a tuning capacitance 1, and a radiation resistor 2 provided in series with the tuning capacitance 1.例文帳に追加

アンテナ素子Ａは、同調キャパシタンス１と、同調キャパシタンス１と直列に設けられた放射抵抗２とを有する。 - 特許庁

The second capacitor element 12 includes smaller capacitance than that of the first capacitor element 11.例文帳に追加

第２コンデンサ素子１２は、第１コンデンサ素子１１の静電容量よりも小さい静電容量を有する。 - 特許庁

The latch circuit is provided with: inverter circuits (11,12 and 13); a switching element (17); and the capacitance element (15).例文帳に追加

ラッチ回路は、インバータ回路（１１、１２及び１３）、スイッチング素子（１７）及び容量素子（１５）を備えている。 - 特許庁

First capacitance 26 and second capacitance 27 having a large capacitance value relative to that of the first capacitance are connected to a board bias terminal 23 of a CCD solid-state imaging element, the first capacitance 26 is always grounded, and the second capacitance 27 is grounded only in an exposure period.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子の基板バイアス端子２３に第１の容量２６と、第１の容量よりも容量値の大きな第２の容量２７とを接続し、第１の容量２６については常時接地することとし、第２の容量２７については露光期間のみ接地することとする。 - 特許庁

In each capacitance-element forming region 5 at the power supply, MISFET elements 7 are so formed as to use as each capacitance element at the power supply, a gate-capacitance element comprising a gate electrode 9, a gate insulating film 12, and a semiconductor substrate 17 of each MISFET element 7.例文帳に追加

当該電源間容量素子形成領域５に、ＭＩＳＦＥＴ素子７を形成し、当該ＭＩＳＦＥＴ素子７のゲート電極９、ゲート絶縁膜１２及び半導体基板１７で構成されるゲート容量素子を電源間容量素子として用いる。 - 特許庁

To stably manufacture a capacitance element that suppresses capacitance variation due to misalignment of electrodes that face each other across a dielectric layer so as to have a desired capacitance.例文帳に追加

誘電体層を挟んで対向する電極間の位置ずれによる容量の変化を抑制して、所望の容量を有する静電容量素子を安定して製造する。 - 特許庁

To form a high-capacitance capacitor element in a wiring circuit board with an excellent yield.例文帳に追加

高容量キャパシタ素子を配線回路板内に収率良く形成すること。 - 特許庁

To reduce the influence of the terminal capacitance of an electrostatic protection element on an antenna.例文帳に追加

静電気保護素子の端子間容量によるアンテナヘの影響を低減する。 - 特許庁

CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

容量素子及びその製造方法、半導体メモリ及びその製造方法 - 特許庁

CAPACITIVE ELEMENT BUILT-IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND INPUT TERMINAL CAPACITANCE ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加

容量素子内蔵半導体装置および入力端子容量調整方法 - 特許庁

The second coupling circuit (40) cross-couples the other capacitance element (22) of each of the two capacitance elements by using two resistance elements (41, 42).例文帳に追加

第２の結合回路（４０）は、当該２つの容量素子の他方（２２）どうしを２つの抵抗素子（４１，４２）でクロス結合する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element capable of sufficiently securing an aperture ratio and increasing a capacitance value of compensation capacitance.例文帳に追加

開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a variable capacitance element wherein parasitic resistance among variable capacitance elements formed on a silicon IC is reduced.例文帳に追加

シリコンＩＣ上に構成されたそれぞれの可変容量素子間の寄生抵抗を小さくした可変容量素子を提供する。 - 特許庁

To increase the capacitance of a variable capacitance element for use in a frequency variable oscillator while suppressing an increase in a mounting area.例文帳に追加

実装面積の増大を抑制しつつ、周波数可変発振器に用いられる可変容量素子の大容量化を図る。 - 特許庁

The capacitance part includes a varicap diode C12 that is a variable capacitance element for varying a capacitance, and switches the two crystal oscillators X1 and X2 to be oscillated for control, based on a capacitance of the varicap diode C12.例文帳に追加

容量部には、容量を可変させる可変容量素子であるバリキャップダイオードＣ１２が含まれ、バリキャップダイオードＣ１２の容量に基づいて、発振させる水晶振動子Ｘ１，Ｘ２を切替制御する。 - 特許庁

The noise reduction circuit includes a decoupling capacity circuit which includes a capacitance element and a resistive element arranged between a power supply and a ground and, and a diode element connected between a connection point, of the capacitance element and the resistive element, and the ground or power supply.例文帳に追加

ノイズ低減回路は、電源とグランドとの間に配置された容量素子および抵抗素子を含むデカップリング容量回路と、容量素子と抵抗素子との接続点とグランドもしくは電源との間に接続されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁

Consequently, a transistor element having a low parasitic capacitance can be formed without fluctuating the characteristics of the element nor causing short circuits.例文帳に追加

素子特性のばらつきやショート不良なしに低寄生容量のトランジスタ素子を形成することができる。 - 特許庁

To provide a capacitive element for a high frequency circuit which can reduce the parasitic capacitance between the element and a substrate.例文帳に追加

基板との間の寄生容量を低減することができる高周波回路用容量素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, the capacitance of the first capacitive element 23a can be equalized with that of the second capacitive element 23b.例文帳に追加

これにより第１の容量素子２３ａと第２の容量素子２３ｂとの容量を等しくすることができる。 - 特許庁

CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURE, AND SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

容量素子、その容量素子の製造方法、半導体記憶素子、および、その半導体記憶素子の製造方法 - 特許庁

A 1st element 14 and a 2nd element 16 are capacitively coupled by a capacitance coupling section 15.例文帳に追加

第１のエレメント１４と第２のエレメント１６との間は、容量結合部１５により容量結合されている。 - 特許庁

The terminal X1 is connected to the variable capacitance element 10 and the element 11, and the terminal X2 is an open terminal.例文帳に追加

端子Ｘ１は可変容量素子１０および素子１１に接続するが、端子Ｘ２は開放端とする。 - 特許庁

The electrostatic capacitance of the first capacitive element Ccap is larger than that of the second capacitive element Cp.例文帳に追加

第１の容量素子Ｃｃａｐの静電容量は、第２の容量素子Ｃｐの静電容量よりも大きい。 - 特許庁

The capacitance element C is disposed between common wiring W_c for the capacitance element C in a floating state in an alternating current manner and an input terminal of the transimpedance amplifier 11.例文帳に追加

容量素子Ｃは、交流的に浮遊状態とされる容量素子用共通配線Ｗ_Ｃとトランスインピーダンスアンプ１１の入力端子との間に設けられる。 - 特許庁

SILICON OXIDE FILM FROMING METHOD, CAPACITANCE ELEMENT MANUFACTURING METHOD PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

シリコン酸化膜形成法、容量素子の製法及び半導体装置の製法 - 特許庁

The coil and the smoothing capacitance element carry out smoothing of the switched rectangular wave voltage.例文帳に追加

コイル及び平滑化容量素子は、スイッチングされた矩形波電圧を平滑化する。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE OF ELEMENT USING LOWER FACE CRYSTALLIZATION DIRECTION SELECTIVE ETCHING例文帳に追加

下面結晶方向選択エッチングを利用した素子の寄生キャパシタンス削減方法 - 特許庁

A second capacitance is provided in a photo detecting element, charges and discharges an electric charge overflowing from a first capacitance caused by the photocurrent flowing through the photo detecting element.例文帳に追加

第２容量は、光検出素子に備わり、その光検出素子を流れる光電流によって充放電される第１容量から溢れた電荷を充放電する。 - 特許庁

By this, the mounting area per one capacitance element 70 can be reduced compared with the time when the capacitance element 70 is face-mounted in the conventional way.例文帳に追加

これにより、従来のようにキャパシタンス素子７０が面実装される場合に比べ、キャパシタンス素子７０の１個当たりの実装面積を減少させることができる。 - 特許庁

A capacitance element 400 constitutes a memory cell and a first diffusion layer 226 serving as a source and a drain is connected to the capacitance element 400 in a first transistor 200.例文帳に追加

容量素子４００はメモリセルを構成しており、第１トランジスタ２００は、ソース及びドレインとなる第１拡散層２２６が容量素子４００に接続している。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board in which a mounting area of a capacitance element is small.例文帳に追加

キャパシタンス素子の実装面積の小さい多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

The base of Q1 is connected to an input terminal 5 through a capacitance element C1.例文帳に追加

Ｑ１のベースは、容量素子Ｃ１を介して入力端子５に接続される。 - 特許庁

In accordance with this, a capacity C_VD of a variable capacitance element 23 gradually decreases.例文帳に追加

これに応じて、可変容量素子２３の容量Ｃ＿ＶＤは緩やかに減少する。 - 特許庁

On the insulating film layer a2, the capacitance element pattern is provided with belt-like patterns b23, b24, and b25 in a projected shape to form a capacitance element C61 for adjusting characteristics.例文帳に追加

絶縁膜層ａ２上で、容量素子パターンに帯状パターンｂ２３，ｂ２４，ｂ２５を突き出し形状に設けて特性調整用の容量素子Ｃ６１を形成する。 - 特許庁

CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

容量素子及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a structure of a hydrogen barrier film for preventing deterioration in capacitance element characteristic by hydrogen in a semiconductor storage device provided with a capacitance element using a ferroelectric material.例文帳に追加

強誘電体を用いた容量素子を備えた半導体記憶装置において、水素による容量素子特性の劣化を防止できる水素バリア膜の構造を提供する。 - 特許庁

A buffer circuit is provided between a first terminal of the capacitance element connected to the switch element and the first power terminal, and a second terminal of the capacitance element is connected to the second power terminal.例文帳に追加

また、スイッチ素子に接続された容量素子の第１の端子と第１の電源端子との間にバッファ回路を有し、第２の電源端子に容量素子の第２の端子が接続されている。 - 特許庁

To provide a driving circuit and driving method for a thin film light emitting element for suppressing a decrease in the luminance of a thin film light emitting element, which is caused by the parasitic capacitance of the thin film light emitting element and the parasitic capacitance of wiring.例文帳に追加

薄膜発光素子の寄生容量及び配線の寄生容量に起因する薄膜発光素子の輝度の低下を抑制する薄膜発光素子の駆動回路及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

One of the n reference voltages is input to one of the terminals of a variable capacitance element of each of the n variable capacitance circuits.例文帳に追加

ｎ個の可変容量回路の可変容量素子の一方端子には、ｎ個の基準電位のいずれかがそれぞれ入力される。 - 特許庁

A temperature calculating section 54 uses conversion data that converts capacitance into temperature, and the capacitance measured by the capacitance measuring section 52, so as to calculate temperature of the piezoelectric element 20.例文帳に追加

温度算出部５４は、静電容量を温度に変換する変換データ、及び静電容量測定部５２が測定した静電容量を用いて、圧電素子２０の温度を算出する。 - 特許庁

To indirectly measure a capacitance value without using an expensive capacitance value measuring tester outside an LSI when the capacitance value of a capacitive element formed in the LSI is measured.例文帳に追加

ＬＳＩに形成されている容量素子の容量値を測定する際に、ＬＳＩ外部の高価な容量値測定テスタを用いることなく、間接的に容量値測定を行う。 - 特許庁

This power amplifier is provided with a bipolar transistor Tr1, a variable impedance element 1, a resistor element Rx and a capacitance element Cx.例文帳に追加

本発明による電力増幅器は、バイポーラトランジスタＴｒ１、可変インピーダンス素子１、抵抗素子Ｒｘおよびキャパシタンス素子Ｃｘを備える。 - 特許庁

VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR例文帳に追加

可変容量素子及び可変容量素子の製造方法並びに電圧制御発振装置 - 特許庁

CAPACITANCE INSULATING FILM AND ITS PRODUCTION PROCESS, AND CAPACITIVE ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

容量絶縁膜及びその製造方法、並びに容量素子及びその製造方法 - 特許庁

Thus, a capacitance value of a capacitive element C to be constituted of both fluctuates.例文帳に追加

このため、両者によって構成される容量素子Ｃの静電容量値は変動する。 - 特許庁