「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus performing appropriately refresh of a memory cell having different data holding time by suppressing increase of noise in sensing.例文帳に追加

センス時のノイズの増大を抑止し、データ保持時間の異なるメモリセルのリフレッシュを適格に行う装置の提供。 - 特許庁

The MAC cells and the diagonal cell are also used to calculate an estimated vector d of received data.例文帳に追加

ＭＡＣセルと対角セルとはまた、受信されたデータの評価されたベクトル＾ｄを計算するために使用される。 - 特許庁

To provide an EEPROM enabling reading data at high speed without using a reference cell transistor.例文帳に追加

基準セルトランジスタを用いることなく、高速でのデータの読み出しを可能とするＥＥＰＲＯＭを提供すること。 - 特許庁

Individual internal data lines 45 amounting to k+m+n lines (n is a natural number) are arranged for every memory cell array block 31.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック３１毎にｋ＋ｍ＋ｎ本（ｎは自然数）の個別内部データ線４５が配設される。 - 特許庁

Obtained non-volatile data is stored in a memory cell and a sense amplifier 7 connected to a correspondent column address.例文帳に追加

得られた揮発性データをそのメモリセル内と該当する列アドレスに接続されるセンスアンプ７内に記憶させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which detects an abnormal state change of a memory cell during data writing/erasing.例文帳に追加

データ書き込み／消去時のメモリセルの異常な状態変化を検知する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor storage device 1 is provided with a nonvolatile memory cell in which data writing is restricted to a prescribed logical value.例文帳に追加

半導体記憶装置１はデータ書き込みが所定論理値に制限される不揮発性メモリセルを備える。 - 特許庁

Read/write operation of data of a memory cell is controlled based on a timing signal ICL generated in a SRAM.例文帳に追加

メモリセルのデータのリード・ライト動作をＳＲＡＭで発生するタイミング信号ＩＣＬに基づいて制御する。 - 特許庁

The data cell in which multicast routing code is deleted is led to a second set of output ports OP1 by a switch 80.例文帳に追加

スイッチ８０により、マルチキャスト・ルーティング・コードを削除したデータ・セルを第２組の出力ポートＯＰ１に導く。 - 特許庁

A memory cell changes the potential of a bit line from a pre-charge potential to a discharge potential in accordance with the holding data.例文帳に追加

メモリセルは、保持するデータに対応してビット線の電位をプリチャージ電位から放電電位へ変化させる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device having a function for preventing data from being damaged in a nonselected memory cell.例文帳に追加

非選択メモリセルでのデータ破壊を防止する機能を有する強誘電体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

By an erase control circuit, an erase pulse is impressed until data of the real memory cell are erased at the erasing operation.例文帳に追加

消去制御回路は、消去動作時に、リアルメモリセルのデータが消去されるまで消去パルスを印加する。 - 特許庁

The polarity of the data voltage charged to a liquid crystal cell of the display panel is inverted in a dot inversion form.例文帳に追加

前記表示パネルの液晶セルに充電されるデータ電圧の極性はドットインバージョン形態に反転される。 - 特許庁

To provide a cell structure of a low-power static RAM which reduces the standby current and can control the data holding voltage.例文帳に追加

スタンバイ電流を低減させ、データ維持電圧を制御し得る低電力スタティックラムのセル構造を提供する。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 holds n bit data corresponding to 2^n threshold levels.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００中のメモリセルの各々は、２^n個のしきい値レベルに対応してｎビットのデータを保持できる。 - 特許庁

To improve reliability of a memory cell and to surely read out stored data in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置において、メモリセル信頼性を高くするとともに、記憶データの読み出しを確実にすること。 - 特許庁

The internal circuit is tested by the scan method on the basis of the test input data set in the storage cell.例文帳に追加

内部回路は、この記憶素子に設定されるテスト入力データに基づいてスキャン方式で試験される。 - 特許庁

To provide a phase change memory cell which can store a plurality of data bits in order to obtain a high density phase change memory.例文帳に追加

高密度の相変化メモリを得るために、複数のデータビットを記憶できる相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a memory cell MC stores data in a nonvolatile manner by utilizing a difference of threshold voltage.例文帳に追加

半導体装置１において、メモリセルＭＣは、閾値電圧の相違を利用してデータを不揮発的に記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory reliably preventing a read error of data held in a normal memory cell.例文帳に追加

通常メモリセルの保持データの誤読み出しを確実に防止することが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The ATM switch 1 receives the cells and the control data from the PHY 4 at the final stage to perform cell switching.例文帳に追加

ＡＴＭスイッチ１が、最後段のＰＨＹ４からセル及び制御データを受け取ってセルのスイッチングを実行する。 - 特許庁

To prevent an excessive writing current from flowing into a magnetic storage device when data are written into a memory cell.例文帳に追加

磁性体記憶装置において、メモリセルへのデータ書込時に過剰書込電流が流れるのを防止する。 - 特許庁

The reported data are used to discriminate whether or not a cell or the satellite is transferred.例文帳に追加

報告されたデータは、セルまたは衛星の移管を行うか否かを判断するために、使用されることもできる。 - 特許庁

A write control section 102 writes the data to the nonvolatile memory cell 103 and the volatile memory cells 104, 105.例文帳に追加

書込み制御部１０２は、不揮発性メモリセル１０３及び揮発性メモリセル１０４、１０５にデータ書込む。 - 特許庁

The magnetoresistive sensor conducts a read current representative of data stored in the memory cell during a read interval.例文帳に追加

磁気抵抗センサは、読出し間隔の間に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory capable of improving a reliability of data stored in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに記憶されたデータの信頼性を向上することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The action pattern recording section creates action data of a user of the cell phone unit, and stores it in a second memory 193.例文帳に追加

行動パターン記録部は、携帯電話装置のユーザの行動データを作成し、第２のメモリ１９３に蓄積する。 - 特許庁

The authentication data depends on a secret key available to the wireless device and the source base station and on an identity of the target cell.例文帳に追加

認証データは、無線機器とソース基地局で利用可能な秘密キーとターゲットセルのアイデンティティに依存する。 - 特許庁

A memory cell MC stores data by the first to n-th threshold voltage (n is a natural number of two or more).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、第１閾値電圧乃至第ｎ閾値電圧（ｎは２以上の自然数）により、データを記憶する。 - 特許庁

Rewriting for a memory cell 5 is performed with arbitrary timing after data is transferred to the logic section 3 from the DRAM array section 1.例文帳に追加

メモリセル5への書き戻しは、ＤＲＡＭアレイ部1からロジック部にデータを転送した後に、任意のタイミングで行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having an SRAM cell which has a small area and where data can be read at high speed.例文帳に追加

小面積かつ高速なデータ読出が可能なＳＲＡＭセルを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which is long in refreshing cycle and can exactly amplify the read-out data from a memory cell.例文帳に追加

リフレッシュサイクルが長く、かつ、メモリセルからの読出データを正確に増幅可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The ATM cell 110 inputted from the side of ATM is similarly converted into the STM frame data 100 and outputted to the side of STM as well.例文帳に追加

ATM 側から入力されたATM セル110 も、同様にしてSTM フレーム・データ100 に変換されSTM 側に出力される。 - 特許庁

To increase readout margin by suppressing the generation of a fringe current in the readout of data from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルからのデータの読み出しにおいて、フリンジ電流の発生を抑制し、読み出しマージンを大きくすること。 - 特許庁

The self-reference sense circuit 21 generates read data of the test object cell based on the first and the second values.例文帳に追加

そしてセルフリファレンスセンス回路２１は、第１および第２の値に基づいてテスト対象セルの読出データを生成する。 - 特許庁

By inputting the chromaticity data in f1(x, y), cell gaps for the panel full surface are calculated collectively.例文帳に追加

この色度データがｆ1（ｘ，ｙ）に入力されることにより、パネル全面分のセルギャップが一括して計算される。 - 特許庁

To provide a memory device having a memory cell including a constitution of a high data storage density and a relatively low cost.例文帳に追加

高いデータ記憶密度の構成と比較的低コストとを可能にするメモリセルを有するメモリデバイスの提供。 - 特許庁

Arrays of a memory cell are arranged so as to generate sequences of data bits corresponding to the sequences of the address signals.例文帳に追加

メモリ・セルのアレイは、アドレス信号のシーケンスに対応するデータ・ビットのシーケンスを生成するように配列される。 - 特許庁

While data writing is not performed to the memory cell MC0A, the voltage of the local bit line LBL0 becomes 0V.例文帳に追加

メモリセルＭＣ０Ａにデータ書込が行なわれていない期間にはローカルビット線ＬＢＬ０の電圧は０Ｖになる。 - 特許庁

A memory array 101 of the memory circuit 100 includes at least one memory cell 101a for storing data.例文帳に追加

メモリ回路１００のメモリアレイ１００ａは、データを記憶する少なくとも一つのメモリセル１０１ａを含む。 - 特許庁

A request for reading data stored in a first memory cell connected to a first word line is received (S100).例文帳に追加

第１ワードラインと接続する第１メモリセルに格納されたデータを読み出すための要請を受信する（Ｓ１００）。 - 特許庁

To reduce the area of a pre-sense amplifier for reading data from a memory cell and to increase read access speed.例文帳に追加

メモリセルからのデータ読み出しのためのプリセンスアンプの面積を縮小し、また読み出しアクセスを高速化する。 - 特許庁

The erasure of data of the memory cell transistor 100 is counted to be stored by a erasure counting circuit 107.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ１００のデータの消去回数を消去回数カウント回路１０７がカウントして記憶する。 - 特許庁

The input-output circuits are constituted for receiving respective data bits written in the memory cell array from the respective data input-output pins during writing operation, and are constituted for providing the respective data bits read from the memory cell array to the respective data input-output pins during reading operation.例文帳に追加

入出力回路は、書き込み動作の間に、それぞれのデータ入出力ピンからメモリセルアレイに書き込まれるそれぞれのデータビットを受信するように構成され、読み取り動作の間に、メモリセルアレイからそれぞれのデータ入出力ピンに読み取られるそれぞれのデータビットを提供するように構成される。 - 特許庁

Among all the bit data of variable length communication cells, the bit data for the integer multiple of a first bit length are stored in a main cell storage memory 1 accessible for the first bit length, and bit data of no longer of the first bit length except for the bit data to be stored in the main cell storage memory 1 are stored in a fraction memory 2.例文帳に追加

この発明は、可変長通信セルの全ビットデータの内、第１のビット長の整数倍のビットデータを第１のビット長でアクセス可能な主セル格納メモリ１に蓄積し、主セル格納メモリ１に格納されるビットデータを除く第１のビット長未満のビットデータを端数メモリ２に蓄積して構成される。 - 特許庁