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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3555件
To provide a W (double) cell system EEPROM capable of surely writing identical data in two memory transistors.例文帳に追加
2つのメモリトランジスタに同一のデータを確実に書き込むことができる、W(ダブル)セル方式のEEPROMを提供する。 - 特許庁
Shading correction data for making the light quantity of each cell constant is calculated based on the light quantity distribution (A) under the ordinary temperature.例文帳に追加
この常温下光量分布(A)に基づき、各セルの光量を一定にするシェーディング補正データを算出する。 - 特許庁
The memory circuit has a memory cell array in which a plurality of memory cells where "0" and "1" of binary data can be written are arranged.例文帳に追加
メモリ回路は、2値データ”0”及び”1”を書き込み可能なメモリセルが複数配置されたメモリセルアレイを含む構成とする。 - 特許庁
The estimation formula of the IV characteristics of the fuel cell is found with the stored each (I, V) data (S160-S180).例文帳に追加
そして、格納している各(I,V)データを用いて燃料電池のIV特性の推定式を求める(S160〜S180)。 - 特許庁
The electricity accumulation means is also charged in writing or reading data to the SRAM cell.例文帳に追加
また、蓄電手段の充電は、SRAMセルにデータの書き込み又は読み込みの際に行われることを特徴としている。 - 特許庁
To provide a memory cell which has excellent data retention stability, and operates at a low current, and to provide a magnetic random access memory using the same.例文帳に追加
データ保持安定に優れ、かつ低電流で動作するメモリセル及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
Thus, corruption of data in a memory cell to be stored and not to be written in the write operation is prevented.例文帳に追加
これにより、ライト動作時においてリストアされる書き込み対象外のメモリセルのデータが破壊されることがなくなる。 - 特許庁
Each of the memory cell circuits 300-1,300-2 includes memory cells 311-314, a data transfer means and a control circuit.例文帳に追加
各メモリセル回路300−1,300−2は、メモリセル311〜314と、データ伝達手段と、制御回路とを備えている。 - 特許庁
To provide an electrode and electrochemical cell as well as an electrochemical analyzer for improving long-term stability of analytical data.例文帳に追加
分析データの長期安定性を向上させる電極,電気化学セルおよび電気化学的分析装置を実現する。 - 特許庁
Further, the increase amount of pumped-out oxygen is set according to the data related to oxygen adsorbed on the electrode of a detection cell 5.例文帳に追加
また、検出セル5の電極に吸着している酸素に関する情報に応じて嵩上げ量を設定する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which data can be written in a memory cell with lower power consumption as compared with the conventional one.例文帳に追加
データを従来よりも低消費電力でメモリセルへ書き込むことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A circuit emulation data is stored in a variable-length short packet, and the above short packet is stored and transmitted in an ATM cell.例文帳に追加
サーキットエミュレーションデータを該可変長のショートパケットに格納し、該ショートパケットをATMセルに格納して伝送する。 - 特許庁
Meanwhile, when the received data is '1', the inter-cell control parts 122 to 124 finish the synchronous processing of the definer signals.例文帳に追加
一方、受信したデータが”1”である場合、セル間制御部122〜124はデファイナ信号の同期処理を終了する。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device into which data can be written effectively and which has a small memory cell size.例文帳に追加
効率的にデータを書き込むことが可能であり、かつ、メモリセルのサイズが小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which circuit area is comparatively small and a holding characteristic of data of a memory cell is improved.例文帳に追加
回路面積が比較的小さく、メモリセルのデータの保持特性を向上させた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
If a memory cell in a page cannot store new data, a full condition is registered in a counter in the page.例文帳に追加
あるページのメモリセルが新しいデータを格納することができなければ、そのページのカウンタには、フル状態を登録する。 - 特許庁
Data read to a bit line from a memory cell at the time of reading operation is amplified by a sense amplifier, and outputted to the outside.例文帳に追加
読み出し動作時に、メモリセルからビット線に読み出されたデータは、センスアンプで増幅され、外部に出力される。 - 特許庁
To provide a supply system of a data writing current for stably magnetizing a tunnel magneto-resistance element of a magnetic memory cell.例文帳に追加
磁気メモリセルのトンネル磁気抵抗素子を安定的に磁化するためのデータ書込電流の供給方式を提供する。 - 特許庁
The system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加
本発明に従うフラッシュメモリ(セルアレイ)と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor device formed on an SeOI (Semiconductor-On-Insulator) substrate on the basis of a fundamental data-path cell.例文帳に追加
基本データパスセルに基づいてSeOI(絶縁体上半導体)基板上に製造された半導体デバイスに関する。 - 特許庁
A control circuit 7 writes the first to n-th threshold voltage in the memory cell according to input data.例文帳に追加
制御回路7は、入力データに応じて前記メモリセルに前記第1乃至第n閾値電圧のいずれかを書き込む。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device wherein the worst data pattern of a memory cell array can be written even in a contracted/parallel test.例文帳に追加
縮約・パラレルテストにおいてもメモリセルアレイのワーストデータパターンを書き込むことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a battery voltage monitoring apparatus capable of reducing an amount of handled data regarding a voltage of a battery cell.例文帳に追加
電池セルの電圧に関して、取り扱うデータ量を少なくすることができる電池電圧監視装置を提供する。 - 特許庁
To improve the data read rate of a non-volatile semiconductor memory device using a floating gate electrode MOS transistor as a memory cell.例文帳に追加
浮遊ゲート電極型MOSトランジスタをメモリセルとする不揮発性半導体記憶装置の読み出し速度を速くする。 - 特許庁
To provide a memory array write-in port which can write data in an array of a memory cell two times in each clock cycle.例文帳に追加
各クロックサイクルにおいて、メモリセルのアレイにデータを2回書き込むことができるメモリアレイ書き込みポートを提供する。 - 特許庁
The memory cell array is divided into a plurality of segments SG, and four main data lines MDL are extended from respective segments SG.例文帳に追加
メモリセルアレイは複数のセグメントSGに分割され、各セグメントSGからは4本のメインデータ線MDLが延びている。 - 特許庁
An internal address signal WADD corresponding to data written in a memory cell 51 is held by latch circuits 13, 14, 15.例文帳に追加
メモリセル51に書込むデータに対応する内部アドレス信号WADDがラッチ回路13,14,15に保持される。 - 特許庁
To provide a cell type ice making machine and a writing device capable of easily changing ice making time setting data.例文帳に追加
製氷時間設定データを簡単に変更することができるセルタイプ製氷機および書き込み装置を提供する。 - 特許庁
Source data 20 to be a source of an encryption key 22 are read from a memory cell array 7 and stored in a buffer area 51.例文帳に追加
暗号化キー22の元となる元データ20が、メモリセルアレイ7から読み出されて、バッファ領域51に格納されている。 - 特許庁
The voltage generating circuit can generate erasing voltage in erasing operation of data stored in the nonvolatile memory cell.例文帳に追加
不揮発性メモリセルに格納されたデータの消去動作において、電圧発生回路は消去電圧を発生可能である。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory provided with a data sense circuit being preferable when a memory cell of a current readout type is used.例文帳に追加
電流読み出し型のメモリセルを用いた場合の好ましいデータセンス回路を備えた半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
After that, the word WL0 is not activated and the word line WL1 is activated, data 0 of the memory cell 1-1 is read out.例文帳に追加
その後、ワード線WL0を立ち下げ、ワード線WL1を立ち上げてメモリセル1−1のデータ0を読み出す。 - 特許庁
A server 12 transmits operation instruction data to a road heating device 11 according to the instructions from a cell phone 14.例文帳に追加
携帯電話14からの指示に従って、サーバ12は、ロードヒーティング装置11に対して運転指示データを送信する。 - 特許庁
Existence of a read error of data of one read unit is examined from each row X1-X16 of a memory cell array 6 (A).例文帳に追加
メモリセルアレイ61の各行X1−X16から1つの読み出し単位のデータを読み出しエラーの有無を調べる(A)。 - 特許庁
An ECC circuit 12A has an error correction function of N (N:natural number) bits for output data of a memory cell array 11.例文帳に追加
ECC回路12Aは、メモリセルアレイ11の出力データに対してN(Nは自然数)ビットのエラー訂正機能を有する。 - 特許庁
A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加
スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ(STRAM)メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁
To secure a long refresh cycle time by securing long data maintain period even when there is certain current leakage from a memory cell.例文帳に追加
メモリセルから少々の電流洩れがあっても、データ保持時間を長く確保して、長いリフレッシュサイクル期間を得る。 - 特許庁
This system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加
本発明に従うフラッシュメモリ(セルアレイ)と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁
A cell-phone handset comprising; means for receiving TV broadcasts and a means for recording that can compress and record received TV broadcast data 例文帳に追加
TV放送受信手段と、受信TV放送データを圧縮して記録する記録手段を有する携帯電話機 - 特許庁
To comparutively simply retain multivalued and multibit data by an FeRAM cell, which uses a ferroelectric film as the gate insulating film of a MISFET.例文帳に追加
MISFETのゲート絶縁膜に強誘電体膜を使用したFeRAM セルにより、比較的簡単に多値、多ビットのデータを保持する。 - 特許庁
Each bit of 8-bit data is stored in eight memory cells ML of each unit UN of a memory cell array 110 in advance.例文帳に追加
メモリセルアレイ110の各ユニットUNの8個のメモリセルMLに、予め、それぞれ8ビットのデータの各ビットを記憶する。 - 特許庁
On the other hand, when stored data in the memory cell C is at a 'L' level, a capacitor is not connected between the bit line BL and the word line LWL.例文帳に追加
一方、記憶データが「L」レベルであるとき、ビット線BL及びワード線LWL間にコンデンサは接続されない。 - 特許庁
In this state, even if contents of the memory cell D0 are read out again, a value of the output data Do0 are made logic '1' also.例文帳に追加
この状態で、再びメモリセルD0の内容を読み出しても、出力データDo0の値は、やはり論理「1」である。 - 特許庁
A mobile station D determines that it is within a cell of the transmitting EchoLink node station B when receiving the APRS data.例文帳に追加
移動局Dは、APRSデータを受信すると、送信元のEchoLinkノード局Bの圏内と判断する。 - 特許庁
A second circuit 10 is operated corresponding to the output signal Cell Data synchronously with the clock delay signal CKd.例文帳に追加
第2回路10は、クロック遅延信号CKdに同期して、出力信号Cell Dataに応じて動作する。 - 特許庁
The device also includes a write driver to write or program the data in the cell array including the OTP register and the OTP lock register.例文帳に追加
OTPレジスタ及び上記OTPロックレジスタを含むセルアレイにデータを書き込むか、プログラムするための書込みドライバをさらに含む。 - 特許庁
To write desired information at high speed into a memory cell which stores data in nonvolatile manner while preventing the increase of the chip area.例文帳に追加
チップ面積の増大を防止しつつ、不揮発的にデータを記憶するメモリセルに所望の情報を高速に書き込む。 - 特許庁
This structure enables one rectangular cell of a two-dimensional data code to be constituted of one dot 102.例文帳に追加
以上の構成により,2次元データコードの矩形状の1つのセルを1つのドット102で構成することが可能になる。 - 特許庁
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