「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

In the memory cell /C, the relation between connection of a capacitor between the bit line /BL and the word line RWL and stored data is set oppositely to the relation in the memory cell C.例文帳に追加

メモリセル／Ｃにおいては、ビット線／ＢＬ及びワード線ＲＷＬ間のコンデンサの接続の有無と記憶データとの関係が上記メモリセルＣにおけるものと逆に設定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of properly storing inverted data so as to effectively reduce a memory cell current without an increases in area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積の増加を伴うことなく、メモリセル電流が有効に低減するように反転データを適切に記憶することが可能な半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A control circuit 11 applies erasure voltage for making the threshold voltage smaller to the memory cell in the case where the threshold voltage of the memory cell is not first verification voltage or less in erasing data.例文帳に追加

制御回路１１は、データ消去時、メモリセルの閾値電圧が第１ベリファイ電圧以下でない場合にはメモリセルに閾値電圧を小さくするための消去電圧を印加する。 - 特許庁

The switch is configured to switch a connection between connecting the memory cell array to the active power supply line and connecting the memory cell array to the data-retention power supply line.例文帳に追加

スイッチは、メモリセルアレイをアクティブ電力供給線に接続することと、メモリセルアレイをデータ保持電力供給線に接続することとの間で、接続を切り換えるように構成される。 - 特許庁

To provide a cell data processor which can reduce power consumption and improve circuit life by preventing unnecessary scrambling operation for the payload of a free cell.例文帳に追加

空きセルのペイロードに対する不要なデスクランブル動作を行うことを防止して電力消費を低減させると共に回路寿命の改善を図ることができるセルデータ処理装置を提供する。 - 特許庁

The sense amplifier 30 compares a reading signal Icell outputted from the memory cell with the one referring signal group Iref to thereby detect a data value written in the memory cell.例文帳に追加

センスアンプ３０は、メモリセルから出力される読み出し信号Ｉｃｅｌｌと、上記一の参照信号群Ｉｒｅｆとを比較することによって、メモリセルに書き込まれたデータ値を検出する。 - 特許庁

Access to each memory cell of the specified defective unit is switched to access to each memory cell of the redundancy unit 42_i or of the other data unit connected to the word line WLi.例文帳に追加

この特定された欠陥ユニットの各メモリセルへのアクセスが、該ワード線ＷＬｉに接続される冗長用ユニット４２＿ｉもしくは他のデータ用ユニットの各メモリセルへのアクセスに切り替えられる。 - 特許庁

During processing, the multicast routing code is deleted, and the copy cell is coupled with input ports IP2 or IP128, and the copy data cell is transmitted to the second set of output ports OP1.例文帳に追加

処理の間、マルチキャスト・ルーティング・コードは削除され、複製セルは入力ポートＩＰ２又はＩＰ１２８に結合され、複製データ・セルが第２組の出力ポートＯＰ１に送信される。 - 特許庁

To make it possible to store data without using a cell of large capacity in a navigation device provided with a function capable of writing data in a backup memory even when a battery is detached from the device.例文帳に追加

バッテリが外されたときにバックアップメモリにデータを書き込む機能を備えたナビゲーション装置において、容量の大きな電池を用いずに、データの保存ができるようにする。 - 特許庁

Thus, the read-out data are correctable on real time at the time point where the threshold voltage of the memory cell is deviated, and the read-out of erroneous data caused by the fluctuation of the threshold voltage is prevented.例文帳に追加

このため、メモリセルの閾値電圧がずれた時点で、読み出しデータをリアルタイムで補正でき、閾値電圧の変動により誤ったデータが読み出されることが防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which is equipped with a cell transistor that is capable of controlling the electric charges on a floating gate and storing multi-valued data exceeding the quaternary data.例文帳に追加

フローティングゲートの電荷蓄積状態を制御し、４値を超える多値データを記憶することが可能なセルトランジスタを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A data input buffer 13 and block B1 inverters TF1, TF2 of the block B1 are functioned as a buffer for write-in in a memory cell S of a block B2 of a block B2 and data is written.例文帳に追加

ブロックＢ２のメモリセルＳにはデータ入力バッファ１３とブロックＢ１のインバータＴＦ１，ＴＦ２とが書き込み用バッファとして機能してデータが書き込まれる。 - 特許庁

To a cell abort controller 30, in the case of call origination from a transmission terminal 31, a maximum data velocity for transmission per unit time and an average data velocity are declared.例文帳に追加

セル廃棄制御装置３０は、送信端末３１から発呼の際に、単位時間当たりに送信する最大データ速度および平均データ速度が申告される。 - 特許庁

And after error correction processing by the ECC circuit 16, only when it is required that "1" data is written, rewriting of "1" data is performed for the unit cell UC.例文帳に追加

そして、ＥＣＣ回路１６での誤り訂正処理後、“１”データを書き込む必要がある場合にのみ、ユニットセルＵＣに“１”データの再書き込みを行う構成となっている。 - 特許庁

The floating of a source line potential is prevented, a memory cell current is accurately generated according to stored data, and data are read at a high speed.例文帳に追加

ソース線電位の浮き上がりを防止することができ、正確に記憶データに応じたメモリセル電流を生じさせることができ、高速でデータの読出を行うことができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory having an excellent data retention characteristic; and to provide an ID card using a ferroelectric memory cell having an excellent data retention characteristic.例文帳に追加

データ保持特性の良い不揮発性強誘電体メモリを提供するとともに、データ保持特性の良い強誘電体メモリセルを用いたＩＤカードを提供する。 - 特許庁

The switching transistors 16, 18 are formed in parallel along both sides of the memory cell contact part 95 and when writing data, both transistors are turned on and a data write current is made to pass.例文帳に追加

スイッチングトランジスタ１６，１８は、メモリセルコンタクト部９５の両側に沿って並列に形成され、データ書込時には両方がオンしてデータ書込電流を通過させる。 - 特許庁

In the transmission side HEC generating circuit 1, the generation/ insertion of HEC is executed to the sent cell data and these data are sent to a reception side HEC generating circuit 2.例文帳に追加

送信側ＨＥＣ生成回路１では、送られてきたセルデータに対してＨＥＣの生成／挿入を実行して受信側ＨＥＣ生成回路２に送出する。 - 特許庁

A lot of mobile terminals in a cell area to be occupied by a base station are divided into a plurality of groups to receive the same packet data so as to multicast-transmit the packet data.例文帳に追加

パケットデータのマルチキャスト伝送のために、基地局により占有されるセル領域内にある多数の移動端末を同じパケットデータを受信すべき複数のグループに分ける。 - 特許庁

A rewrite data line, which is arranged in parallel with a match line, is arranged and a rewrite transistor is inserted between the rewrite data line and an accumulation node within a dynamic CAM cell.例文帳に追加

マッチ線に平行な再書き込みデータ線を設け、再書き込みデータ線とダイナミックＣＡＭセル内の蓄積ノードとの間に再書き込み用のトランジスタを挿入する。 - 特許庁

A test I/O data control circuit 1-2 is synchronized with a clock signal and performs writing and reading of test data to/from a memory cell included in a memory core 1-1.例文帳に追加

テスト入出力データ制御回路１−２は、クロック信号に同期してメモリコア１−１が有するメモリセルに対しテストデータの書き込み及び読み出しを行う。 - 特許庁

At an additional write-in operation, the second area SP2 is selected as the data writing end, and the reference cell 13 for spare memory is selected as the reference data writing end.例文帳に追加

追加の書込み動作時には、データ書込み先として第２領域ＳＰ２が選択され、リファレンスデータの書込み先としてスペアメモリ用リファレンスセル１３が選択される。 - 特許庁

To realize a variable resistance value storage device capable of exactly writing data and exactly reading the data irrespective of variation in memory cell characteristics.例文帳に追加

メモリセル特性のばらつきにかかわらず、正確にデータの書込を行ない、また正確にデータの読出を行なうことのできる抵抗値可変型記憶装置を実現する。 - 特許庁

Read-out data RD indicating stored data of the selection memory cell is generated in accordance with comparison between voltages of nodes N1-N3 held by voltage holding capacitors 111-113.例文帳に追加

電圧保持キャパシタ１１１〜１１３によって保持されたノードＮ１〜Ｎ３の電圧間の比較に応じて、選択メモリセルの記憶データを示す読出データＲＤが生成される。 - 特許庁

The control unit 3 generates a fine linear groove pattern of each cell 41 by use of vector field data 34, and forms printing plate data 36.例文帳に追加

異方性反射媒体作成装置１の制御部３は、ベクトル場データ３４を用いて各セル４１の微細条溝パターンを生成し、版下データ３６を作成する。 - 特許庁

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of easy magnetization to the selected memory cell is supplied to bit lines BLj and /BLj corresponding to a selected column.例文帳に追加

選択列に対応するビット線ＢＬｊ，／ＢＬｊには、磁化容易軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

A control unit 3 inputs various parameters relating to a cell 41 to generate, on the basis of rendering data 31, vector field data 34 where distribution of inclinations of the fine striation pattern is recorded.例文帳に追加

制御部３は、セル４１に関する各種パラメータを入力し、レンダリングデータ３１から微細条溝パターンの傾きの分布を記録したベクトル場データ３４を生成する。 - 特許庁

In a first function processing step, a lock-up table consisting of a plurality of relational expressions d=fn (x, y) of cell gaps d and chromaticity data (x, y) is formed in the data processing part 6.例文帳に追加

第一関数処理工程では、セルギャップｄと色度（ｘ，ｙ）との関係式d=ｆn（ｘ，ｙ）複数個からなるルックアップテーブルをデータ処理部６で作成する。 - 特許庁

To provide memory cell array structure of a non-volatile semiconductor memory unit, which can read data more quickly in the case of high-speed random access and accessing data of a small number.例文帳に追加

高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。 - 特許庁

A program pulse is applied to the memory mat 5A (step S2), and data readout is executed to a memory cell that is a data writing target bit of the memory mat 5A (step S3).例文帳に追加

そして、メモリマット５Ａに対してプログラムパルスを印加（ステップＳ２）し、メモリマット５Ａのデータ書込対象ビットであるメモリセルに対してデータ読出を実行する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A bit error map for testing a semiconductor memory is formed, the prescribed data value A is written in a memory cell, successively read out, and compared with a written data value.例文帳に追加

半導体メモリのテストのため、ビットエラーマップが形成され、その際、所定のデータ値がメモリセル内に書き込まれ、続いて、読み出され、書き込まれたデータ値と比較される。 - 特許庁

Thereby, voltage is impressed to unselected cell 18b at a certain level of frequency in the electric field direction not to invert the memory data, and the deterioration of data can be suppressed.例文帳に追加

これにより、非選択セル１８ｂに対してある程度の頻度で、その記憶データを反転させない電界方向に電圧が印加され、データの劣化が抑えられる。 - 特許庁

To provide a data storage device having high reliability and low power consumption regarding a data storage device having a memory cell connected between a plate line and a bit line.例文帳に追加

プレート線とビット線との間に接続されたメモリセルを有するデータ記憶装置に関し、信頼性が高く消費電力が低減されたデータ記憶装置を提供する。 - 特許庁

Try-state buffers 104-1 to 104-n are provided, as a buffer section 104, between data input/output terminals D0-D15 of a memory cell section 101 and a data bus 71.例文帳に追加

メモリセル部１０１のデータ入出力端子Ｄ_0 〜Ｄ_15と、データバス７１との間に、バッファ部１０４として、トライステートバッファ１０４−１〜１０４−ｎが設けられる。 - 特許庁

Read data line pair RDL and /RDL are arranged by each of four memory cell arrays and the column selection in data reading out is performed by four sub-read source lines SRGL.例文帳に追加

リードデータ線対ＲＤＬ，／ＲＤＬは、４個のメモリセル列ごとに配置され、データ読出におけるコラム選択は、４本のサブリードソース線ＳＲＧＬによって行なわれる。 - 特許庁

The control part 2 assumes the driver shape value based on the conversion data from the obtained actual use value, and transfers the data to a portable nonvolatile memory 7 or a cell phone 8.例文帳に追加

制御部２は、取得した実使用値から変換データに基づいてドライバ体形値を推測し、持ち運び可能な不揮発性メモリ７や携帯電話８へデータ転送する。 - 特許庁

A control circuit 22 determines whether "one piece of change data" which changes a state of a memory cell from a write-in state to an erasure state is included in a write data train WDT.例文帳に追加

制御回路２２は、メモリセルの状態を書き込み状態から消去状態に変更する「１変更データ」がライトデータ列ＷＤＴに含まれるか否かを判定する。 - 特許庁

The mask pattern data for representing the shapes of the signal input terminal and the signal output terminal of the spare cell is made to be the mask pattern data of a second or a further wiring layer.例文帳に追加

スペアセルの信号入力端子および信号出力端子の形状を表現するマスクパターンデータを、第2配線層以上の配線層のマスクパターンデータとする。 - 特許庁

To achieve a setting method of a redundancy cell (it is also called as a margin pattern) provided between data patterns showing data, and various methods and devices relevant to the setting method.例文帳に追加

データを表すデータパターンの間に設ける冗長セル（マージンパターンとも呼ぶ）の設定方法、及び、それに関連する種々の方法・装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

To register one or a plurality of data in each cell constituting a table, and to conduct a predetermined processing based on the registered data.例文帳に追加

表を構成するセルに１つあるいは複数のデータを登録し、登録したデータに基づいて所与の処理を行うことができる表処理装置を提供すること。 - 特許庁

The main control section 14 uses a code whose number of occurrence times is a prescribed value or over as valid data and utilizes only the code of the valid data for code of a prediction cell.例文帳に追加

主制御部１４はこれらのコードのうち、回数が一定の値以上のものを有効なデータとし、有効なデータのコードのみを予測セルのコードとして使用する。 - 特許庁

A decision circuit 26 holds the write prohibition data read from the storing part in an initial anode and controls an access to the memory cell array in accordance with the write prohibition data.例文帳に追加

判定回路２６は、初期化モード時に記憶部から読み出された書き込み禁止データを保持し、この書き込み禁止データに応じて、メモリセルアレイに対するアクセスを制御する。 - 特許庁

In a memory cell S of a block B3, the data input buffer 13 and inverters TF1, TF2 of the block B1, B2 are functioned as a buffer for write-in and data are written.例文帳に追加

ブロックＢ３のメモリセルＳには、データ入力バッファ１３、ブロックＢ１，Ｂ２のインバータＴＦ１，ＴＦ２がデータ書き込み用バッファとして機能してデータが書き込まれる。 - 特許庁

The error detection code is written with the data in the memory cell of the same memory address Addr01, and both errors in the data and the memory address, can be detected.例文帳に追加

この誤り検出符号はデータと共に同じメモリアドレスAddr01のメモリセルに書き込まれ、データだけでなくメモリアドレスに誤りが発生した場合も誤りを検出可能とする。 - 特許庁

The switching part of the first pipeline stage inputs even-number and odd-number data read in parallel from a memory cell to even-number and odd-number data latches.例文帳に追加

第１パイプライン段のスイッチング部は、メモリセルから並列に読出される偶数データ及び奇数データを第１パイプライン段の偶数データラッチ及び奇数データラッチに入力する。 - 特許庁