「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic memory cell comprises a data layer (110), the soft reference layer (130) having lower magnetic energy than the data layer (110) has, and a spacer layer (120) disposed between the data layer (110) and reference layer (130).例文帳に追加

データ層（１１０）と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層（１３０）と、前記データ層（１１０）と前記軟らかい基準層（１３０）の間に配置されたスペーサ層（１２０）とを含む磁気メモリセル。 - 特許庁

A normal writing data selection circuit 10 operates in a normal operating mode and outputs data received by an external data terminal DQ to either of regular cell arrays CA 1-4 selected according to an address AD.例文帳に追加

通常書き込みデータ選択回路１０は、通常動作モード中に動作し、外部データ端子ＤＱで受けるデータをアドレスＡＤに応じて選択されるレギュラーセルアレイＣＡ１−４のいずれかに出力する。 - 特許庁

An I/O circuit 41 reads the corrected data for each word processed by this ECC circuit 21, and the sense amplifier 12 rewrites the data in the prescribed data cell MCa.例文帳に追加

そして、このＥＣＣ回路２１によって処理されたワードごとの訂正データは、Ｉ／Ｏ回路４１を介して読み出されるとともに、センスアンプ１２によって、所定のデータセルＭＣａに再書き込みされるように構成されている。 - 特許庁

The control means, when a program is operating, activates the data latch corresponding to the predetermined memory cell which stores this unit data for each unit data input into the column control means.例文帳に追加

前記制御手段は、プログラム動作時、前記カラム制御手段に入力される単位データ毎に、この単位データを格納する所定の前記メモリセルに対応する前記データラッチを活性化させることを特徴とする。 - 特許庁

A comparator 25, at the time of reading out the data, compares the data read out from each memory cell with expected value data obtained by using a signal issued from the counter 22, and outputs the comparison result.例文帳に追加

コンパレータ２５は、そのデータ読み出しの際に、各メモリセルから読み出したデータと当該読み出し動作の際にカウンタ２２から発せられた信号を利用して得られる期待値データとを比較し、その比較結果を出力する。 - 特許庁

The input/output test circuit 150 transmits the data of the write data lines WDA to WDd directly to the read data line RDA to RDd without through memory cell arrays in response to an input/output circuit test signal TST.例文帳に追加

入出力テスト回路１５０は、入出力回路テスト信号ＴＳＴに応答して、ライトデータ線ＷＤａ〜ＷＤｄのデータを、メモリセルアレイを介さずにリードデータ線ＲＤａ〜ＲＤｄに直接転送する。 - 特許庁

In this data processor, memory cells from and to which bit data having (a) bits are read and written are selected in a cell selecting circuit according to address data, but, a number of pieces changeover circuit changes over and sets the number of pieces of memory cells according to a selection signal.例文帳に追加

ａビットのビットデータがデータ読書されるメモリセルがアドレスデータに対応してセル選択回路で選択されるが、この選択されるメモリセルの個数を個数切換回路がセレクト信号に対応して切換設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a data storage apparatus in which data can be transferred at high speed and with small current consumption when a large amount of data on a cell array is basically read or written serially.例文帳に追加

セルアレイ上の大量のデータを基本的に、シリアルに読み出し、若しくは書き込みを行うときに、高速かつ、少ない消費電流でデータの転送を行える半導体装置およびデータ記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a data register (10) latching data of a selected memory cell in a memory array (MAR, MAL), when defect of the latch circuit included in this data register exists, a means for performing defect relieving is provided.例文帳に追加

メモリアレイ（ＭＡＲ，ＭＡＬ）において選択メモリセルのデータをラッチするデータレジスタ（１０）において、このデータレジスタに含まれるラッチ回路の不良が存在する場合その不良救済を行なうための手段を設ける。 - 特許庁

If two or more coinciding addresses are stored in the first PROM cell array, the data read means selects and reads a data group with the highest priority from one corresponding data group or more.例文帳に追加

データ読み出し手段は、第１のＰＲＯＭセルアレイに一致するアドレスが２以上記憶されていた場合に、対応する１つ以上のデータ群の中から優先順位が最も高いデータ群を選択して読み出す。 - 特許庁

Before a microdroplet ejected from a droplet ejection nozzle reaches a data cell, a control part controls a heater 24 as a heating means, so that an actual substrate temperature of a substrate 2 (code forming area Z) can be kept at a temperature which prevents the microdroplet reaching the data cell from protruding to the adjacent data cell and which does not cause bumping, that is, a target substrate temperature.例文帳に追加

液滴吐出ノズルから吐出した微小液滴がデータセルに着弾する前に、制御部が加熱手段としての加熱ヒータ２４を制御し、基板２（コード形成領域Ｚ）の実基板温度を、着弾した微小液滴が隣接するデータセルに食み出さない温度であって、かつ突沸を起こさない温度、すなわち目標基板温度に維持するようにした。 - 特許庁

A memory chip 10 has a plurality of memory cell arrays 11a-11d for storing data, a plurality of address registers 12a-12d corresponding respectively to the memory cell arrays 11a-11d for temporarily storing addresses, and a plurality of data registers 13a-13d corresponding respectively to the memory cell arrays 11a-11b for temporarily storing data.例文帳に追加

メモリチップ１０は、データを記憶する複数のメモリセルアレイ１１ａ乃至メモリセルアレイ１１ｄと、メモリセルアレイ１１ａ乃至メモリセルアレイ１１ｄと１対１で対応してアドレスを一時記憶する複数のアドレスレジスタ１２ａ乃至アドレスレジスタ１２ｄと、メモリセルアレイ１１ａ乃至メモリセルアレイ１１ｄと１対１で対応してデータを一時記憶する複数のデータレジスタ１３ａ乃至データレジスタ１３ｄとを備える。 - 特許庁

The multiprocessor system is provided with plural cell processors 20 for managing at least one of plural objects distributed in a predetermined virtual space and generating position data, to indicate a position of the object in the virtual space, and a BCMC 10 which can acquire the object position data from all of the cell processors 20 and broadcasts each acquired position data to all of the cell processors 20.例文帳に追加

所定の仮想空間内に分布する複数のオブジェクトの少なくとも一つを管理して、当該オブジェクトについて、仮想空間内における位置を表す位置データを生成する複数のセルプロセッサ２０と、すべてのセルプロセッサからオブジェクトの位置データを取得可能であり、取得した位置データを一つずつすべてのセルプロセッサにブロードキャストするＢＣＭＣ１０と、を備えたマルチプロセッサシステムである。 - 特許庁

The fuel cell system 1 contains the fuel cell 2 equipped with an electrolyte membrane comprising a solid polymer electrolyte, a photomultiplier 5 for detecting chemiluminescence of materials exhausted from the fuel cell 2, and a controller 6 controlling the operation of the fuel cell 2 based on the data sent from the photomultiplier 5.例文帳に追加

燃料電池システム１は、固体高分子電解質からなる電解質膜を備えた燃料電池２と、燃料電池２から排出される物質の化学発光を検出する光電子倍増管５と、光電子倍増管５から送信されたデータに基づいて、燃料電池２の運転を制御する制御装置６とを有する。 - 特許庁

Such technology is disclosed that a failed cell correcting circuit is included in a memory in the RFID system, and yield of the RFID system is improved by correcting effectively cell data distributed randomly concerning the RFID system including a memory which can correct a failed cell and its failed cell correcting method.例文帳に追加

本発明は不良セル補正が可能なメモリを含むＲＦＩＤ装置及びその不良セル補正方法に関し、ＲＦＩＤ装置内のメモリで不良セル補正回路を含み、ランダムに分布されたセルデータを有効に補正することによりＲＦＩＤ装置の収率を向上させる技術を開示する。 - 特許庁

A data processor comprises a QoS selector 50A for setting an order flag to an ATM cell inputted from respective paths P1-P5 for storing at buffers 41-44 for each QoS class, and a read section 60 for disposing a cell when the replacement of cell order is detected at that time when the cell is read from the buffer in a QoS order.例文帳に追加

各方路Ｐ１〜Ｐ５から入力したＡＴＭセルに順序フラグを付してＱｏＳクラス毎にバッファ４１〜４４に格納するＱｏＳ選択部５０Ａと、バッファからＱｏＳ順にセルを読出し、その際、セル順序の入れ替えが検出された場合にはセルを廃棄する読出部６０とよりなる構成である。 - 特許庁

During memory cell data read operation, the selected memory cell and the current reference circuit including the ReRAM reference cell are activated simultaneously, and the current reference circuit is configured to provide a current from the selected memory cell and the reference current from the current reference circuit to a sense amplifying circuit of ReRAM.例文帳に追加

メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ＲｅＲＡＭ基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ＲｅＲＡＭのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。 - 特許庁

In the magnetic tape library 1, a backup control section 307 converts the logical cell address during the backup request into a physical cell address based upon the actual number of volumes of each magazine, the magnetic tape cartridge stored in the cell having the physical cell address is loaded in a drive 2, and backup data from the host device 100 is written to the magnetic tape cartridge.例文帳に追加

磁気テープライブラリ1では、バックアップ制御部307が、各マガジンの実際の収納巻数に基づいて、バックアップ要求中の論理セルアドレスを物理セルアドレスに変換し、更に、この物理セルアドレスのセルに収納されている磁気テープカートリッジをドライブ2に装着し、上位装置100からのバックアップデータを上記磁気テープカートリッジに書き込む。 - 特許庁

Moreover, the transmitter 4 judges whether data with a header from the coexisting network 3 are the fixed length cell or the variable length packet, transmits the fixed length cell to the fixed length cell network 1 by replacing the header of the coexisting network with the cell header, and transmits the variable length packet to the packet network 2, by removing the header of the coexisting network.例文帳に追加

更に、混在網３から到来するヘッダ付きデータであれば、該データが固定長セルであるか可変長パケットであるか判別し、固定長セルでれば混在網のヘッダをセルヘッダに置き換えて固定長のセル網１に送出し、可変長パケットであれば混在網のヘッダを削除してパケット網２へ送出する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a memory cell array having a plurality of cell array blocks each constituted of a plurality of memory cells, and a memory plane setting part for dynamically dividing the memory cell array into a plurality of memory planes each having one or more cell array block and having independent data access operation modes.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、複数のメモリセルからなるセルアレイブロックを複数個有するメモリセルアレイと、印加される命令に応じて前記メモリセルアレイを、それぞれ一つ以上のセルアレイブロックからなりそれぞれ独立的なデータアクセス動作モードを有する複数のメモリプレーンに動作的に分割するためのメモリプレーン設定部と、を備える。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has a memory cell array in which electrically re-writable nonvolatile memory cells are arranged, a first register group 9-1 holding control data used for operation control, an adjusting data storing region storing adjusting data for finely adjusting the control data set in the memory cell array, and a second register group 9-2 holding the adjusting data read from the adjusting data storage region.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、動作制御に用いられる制御データを保持する第１のレジスタ群９−１と、前記メモリセルアレイ内に設定された、前記制御データを微調整するための調整データを記憶する調整データ記憶領域と、前記調整データ記憶領域から読み出された調整データを保持する第２のレジスタ群９−２と、を有する。 - 特許庁

When the read data are "0", it progresses to a step S6 and a current is applied to a memory cell to write "1".例文帳に追加

読出データが“０”であった場合にはステップＳ６に進み、メモリセルに対して“１”を書込むために電流の印加が行なわれる。 - 特許庁

The memory chip reads data, and outputs status information indicating the status of a memory cell relating to a writing operation or an erasing operation.例文帳に追加

メモリチップは、データ読み出し、書き込み又は消去の動作に関するメモリセルのステータスを示すステータス情報を出力する。 - 特許庁

Each sub-bit line SBL0 and the like are provided with a sub-bit line potential control section 70 holding data written in a memory cell 31.例文帳に追加

各サブビット線ＳＢＬ０等には、メモリセル３１に書き込むデータを保持するサブビット線電位制御部７０が設けられている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory capable of improving a signal margin for cell data reading, and to provide a method for controlling the same.例文帳に追加

セルデータ読み出しのシグナルマージンを向上させることができる強誘電体メモリおよびその制御方法を実現する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which sense speed of a next cycle is increased by preventing reduction of a write-in level of data for a cell.例文帳に追加

データのセルへの書き込みレベルの低下を防止し、次サイクルのセンススピードを速くする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An ATM cell for communication data is switched by the ATM board 31 according to the communication route determined by the CPU 21.例文帳に追加

通信データ用のＡＴＭセルは、ＡＴＭボード３１で、ＣＰＵ２１により定められた通信ルートに基づき、スイッチングされる。 - 特許庁

To provide a method for reading memory data from a resistive memory cell including a selection register addressable via a control value.例文帳に追加

制御値を介してアドレス可能な選択トランジスタを備えた抵抗メモリセルからメモリデータを読み出すための方法を提供する。 - 特許庁

Laser is irradiated on the entire circumference of a data code 2 with the same width as that of a black cell so as to obtain a frame-shaped auxiliary background part 3.例文帳に追加

データコード２の全周に黒色セルと同じ幅でレーザ照射を行って、枠状の補助背景部３を設ける。 - 特許庁

A client sets an OAM cell with rate information denoting an available transmission reception rate by the client written therein to the head of a series of data cells.例文帳に追加

クライアントは、一連のデータセルの先頭に自身が送受信可能なレート情報を書き込んだＯＡＭセルを付与する。 - 特許庁

To provide a power consumption reducing circuit which can read out data from a memory cell continuously and at high rate with low power consumption.例文帳に追加

メモリセルからのデータを低消費電力で連続して高速に読出し可能な消費電力低減回路を提供する。 - 特許庁

To make reliability of read-out data high and to make life time of elements long without increasing the number of memory cells for reference (reference cell).例文帳に追加

参照用メモリセル（リファレンスセル）数を増大させることなしに、読み出しデータの信頼性が高く且つ素子寿命を長くする。 - 特許庁

The table data are described in an HTML display format by use of the HTML tags and a type ('department') in each cell.例文帳に追加

そして、これらＨＴＭＬタグと各セル中の活字（「部門」）とを用いて、表データがＨＴＭＬ表示形式で記述される。 - 特許庁

When a depression Tr(transistor) due to excess erase exists on respective bit lines of the memory cell array, only '1' is outputted from the output data.例文帳に追加

メモリセルアレイの各ビット線に過消去によるディプレッションＴｒがあると、出力データからは"１"しか出力されない。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR LAYOUT GENERATION, MEDIUM WITH LAYOUT GENERATION PROGRAM STORED THEREIN AND MEDIUM WITH BASIC CELL DATA STORED THEREIN例文帳に追加

レイアウト生成装置、レイアウト生成方法、レイアウト生成プログラムを記録した媒体、および基本セルのデータを記録した媒体 - 特許庁

The write state determination section (32) reads storage data held by the memory cell at the designated address to determine a write state.例文帳に追加

書き込み状態判定部（３２）は、指定されたアドレスのメモリセルが保持する格納データを読み出して、書き込み状態を判定する。 - 特許庁

In this case, the address FIFO 25 sequentially stores the address of write data and then outputs the address to the memory cell array 21 after the end of read operation.例文帳に追加

このときアドレスFIFOは、書込データのアドレスを順次貯蔵し、読出動作完了後に順次メモリセルアレーに出力する。 - 特許庁

A usual access area corresponding to the field memory and a data temporary area corresponding to the line memory are arranged in a memory cell array 10.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０にフィールドメモリに相当する通常アクセス領域とラインメモリに相当するデータ一時保存領域を設ける。 - 特許庁

To transmit/receive data such as a message between specific users under such circumstances that a cell-phone is out of cellular phone range.例文帳に追加

携帯電話が使用不可能な状況下で、特定の利用者の間でメッセージなどのデータの送受信を可能とすること。 - 特許庁

METHOD FOR CHECKING DATA CELL TRANSFER IN ASYNCHRONOUS EXCHANGE SYSTEM, BASIC EXCHANGE DEVICE USED THERFOR AND NETWORK例文帳に追加

非同期交換系統におけるデータセルの転送をチェックする方法、およびそのような方法に用いる基本交換装置およびネットワーク - 特許庁

If the read data are "0", the processing proceeds to step S6, and applies a current in order to write "1" in a memory cell.例文帳に追加

読出データが“０”であった場合にはステップＳ６に進み、メモリセルに対して“１”を書込むために電流の印加が行なわれる。 - 特許庁

To provide a memory capable of suppressing an erroneous discrimination of data at a readout operation while suppressing an increase of a memory cell size.例文帳に追加

メモリセルサイズの増大を抑制しながら、読み出し動作時のデータの誤判別を抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

Then, relating to the display of the specified area, the full-color cell 203 is referred to and color development exactly as the image data is performed.例文帳に追加

そして指定された領域の表示に関してはフルカラーセル２０３を参照して画像データ通りの発色を行わせる。 - 特許庁

A sense amplifier SA connected to a bit line BL to which data of the memory cell MC are read out is constituted by using an operation amplifier OP.例文帳に追加

メモリセルＭＣのデータが読み出されるビット線ＢＬに接続されるセンスアンプＳＡは、オペアンプＯＰを用いて構成される。 - 特許庁

A data storage circuit DSC of each memory cell MC is connected to a 1st power source line VDDA and a 2nd power source line VSSA.例文帳に追加

各メモリセルＭＣのデータ記憶回路ＤＳＣは、第１電源線ＶＤＤＡおよび第２電源線ＶＳＳＡに接続される。 - 特許庁