「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The blood cell analysis device previously stores correlation information related to the correlation between the distribution data and the measuring data of the inflammation relevant marker, estimates the measuring data of the inflammation relevant marker based on the acquired distribution data of the white blood cells and the stored correlation information, and outputs the estimated measuring data of the inflammation relevant marker.例文帳に追加

分布データと炎症関連マーカの測定データとの相関関係に関する相関関係情報を記憶しておき、取得した白血球の分布データ及び記憶してある相関関係情報に基づいて、炎症関連マーカの測定データを推定し、推定された炎症関連マーカの測定データを出力する。 - 特許庁

In a cell library that is used for layout design of a semiconductor integrated circuit and is a library of design data of cells each achieving a unit function; each of the design data comprises an attribute value indicating whether the cell easily causes a defect in a cell adjacently placed across the edge and whether a defect is easily caused by a cell adjacently placed across the edge, and attribute information that is associated with the attribute value.例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト設計に用いられる、単位機能を実現するセル毎の設計データのライブラリであるセルライブラリにおいて、セル毎の設計データは、セルが備える端部と、該端部を介して隣接するセルに欠陥を生じせしめやすいか否か、および隣接するセルから欠陥を生じせしめられやすいか否か、を示す属性値と、の対応付けである属性情報を夫々含む。 - 特許庁

A ratio of a parity bit for user data written in a memory cell array 201 is reduced by making the number of bits of data input to the ECC circuit 205 exceed the number of bits of data input from the outside for writing.例文帳に追加

ＥＣＣ回路２０５に入力されるデータのビット数を、書き込みのため外部から入力されるデータのビット数よりも多くすることにより、メモリセルアレイ２０１に書き込まれるユーザデータに対するパリティビットの比率を低減させる。 - 特許庁

A memory cell array is divided into a plurality of blocks, data input/output path is selectively controlled through a predetermined data rate option and inputted addresses to perform data input/output at a x8 or x16 speed in one chip.例文帳に追加

複数のブロックにメモリセルアレイを分割し、指定された倍速オプション及び入力されるアドレスを通じてデータの入出力経路を選択的に制御して一つのチップで×８または×１６のデータ入出力を実行可能にする。 - 特許庁

When a data is written in a memory cell 1, the number of data being written actually is counted by means of a counter 3, a data at the address of maximum count is latched by an address latch circuit 9 and the latched address is counted by means of an address counter 10.例文帳に追加

メモリセル１へのデータ書込時に実際に書き込むデータ数をカウンタ３で計数し、その書き込める最大数のアドレスのデータをアドレスラッチ回路９でラッチし、ラッチした書き込むアドレスをアドレスカウンタ１０で計数する。 - 特許庁

The semiconductor memory has an input/output circuit 120 including a write path to supply write data and a read path to supply read data, and data lines WLINE and RLINE to connect the input/output circuit 120 and the memory cell array 103.例文帳に追加

ライトデータが供給されるライトパス及びリードデータが供給されるリードパスを有する入出力回路１２０と、入出力回路１２０とメモリセルアレイ１０３とを接続するデータラインＷＬＩＮＥ，ＲＬＩＮＥとを備える。 - 特許庁

The blood cell analysis device estimates the classifying data of culm-like leukocyte or segmented leukocyte based on the acquired distribution data of the white blood cells and the stored correlation information, and outputs the estimated classifying data of culm-like leukocyte or segmented leukocyte.例文帳に追加

取得した白血球の分布データ及び記憶してある相関関係情報に基づいて、稈状核球又は分葉核球の分類データを推定し、推定された稈状核球又は分葉核球の分類データを出力する。 - 特許庁

Subsequently, third output data obtained without applying a clock to a flip-flop 18 and the second output data are compared, and when they agree with the second input data, even if the internal cell is at its own lowest guaranteed operating voltage, normal operation is decided.例文帳に追加

次に、フリップフロップ１８へのクロックを印加しないで得た第３の出力データと第２の出力データを比較し、第２の入力データと一致するとき、内部セルが自身の最低保証動作電圧でも正常動作と判断する。 - 特許庁

Space-time block coding of data which is to be transmitted according to information is performed by the base station in the cell, mutually different cyclic delays are applied to the data, the data is transmitted to the mobile station through at least two transmitting antennas.例文帳に追加

セル内の基地局が情報に従って送信されるデータの時空間ブロック符号化を遂行し、相互に異なる循環遅延をデータに適用して、少なくとも２本の送信アンテナを介して移動端末機へデータを送信する。 - 特許庁

Based on vehicle data about a vehicle 40 that comes from an information terminal 44 connected to an in-vehicle LAN 42, monitoring data coming from cell phones 20A, 20B connected to the in-vehicle LAN 42 are transmitted from the cell phones 20A, 20B via mobile communication networks 10, 11 or the like to cell phones 20C, 20D previously registered by the user.例文帳に追加

車内ＬＡＮ４２に接続される情報端末４４からの車両４０に関する車両データに基づいて、車内ＬＡＮ４２に接続される携帯電話機２０Ａ，２０Ｂからの監視データを、携帯電話機２０Ａ，２０Ｂから移動体通信網など１０，１１を経由してユーザが予め登録している携帯電話機２０Ｃ，２０Ｄへ送信する。 - 特許庁

A CPU 1 performs floor planning by use of a simple net list 43 describing circuit information for only cells having cell sizes larger than a predetermined size of cells constituting a circuit of a design object on a gate level, and a cell list 44 including specification data for only the cells having cell sizes larger than the predetermined size to generate temporary floor planning data 47.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、設計対象の回路を構成するセルのうち、所定のサイズより大きいセルサイズを有するセルのみの回路情報をゲートレベルで記述した簡易ネットリスト４３と、所定のサイズより大きいセルサイズを有するセルのみの仕様データを含むセルリスト４４とを用いてフロアプランを行い、仮フロアプランデータ４７を生成する。 - 特許庁

The present invention permits safeguarding of private data entered into a memory chip of a cell phone by permitting the cell phone owner to erase the data in a lost or stolen phone, using a preset erase code and erase command in the cell phone or a network base station, and disabling or erasing circuitry on the memory chip, preferably an EEPROM chip.例文帳に追加

本発明は、セルフォンまたはネットワーク基地局内の予めセットされた消去コードおよび消去コマンドと、メモリチップ、好ましくはＥＥＰＲＯＭチップ上の禁止または消去回路とを用いて、セルフォンの所有者が、なくしたか盗まれた電話内のデータを消去可能にすることによって、セルフォンのメモリチップに入力された個人データの保護を可能にする。 - 特許庁

A control means 11 intervenes the voice type conversion means 13 in the communication channel to convert the AAL type of the ATM cell when the identification means 11 identifies that the AAL type of the ATM cell of the voice data from the caller differs from the AAL type of the ATM cell of the voice data to the called party.例文帳に追加

制御手段１１は、識別手段で、通信データが音声データであって、発呼側からの音声データのＡＴＭセルのＡＡＬタイプと、着呼側への音声データのＡＴＭセルのＡＡＬタイプとが異なることを識別した時に、音声タイプ変換手段１３を通信路中に介在させて、ＡＴＭセルのＡＡＬタイプの変換を行わせるようにする。 - 特許庁

A data path from a defect DQ line to a corresponding DQ buffer is switched to a data path to the DQ buffer from the spare DQ line and the memory cell where the defect occurs is replaced with the spare memory, so that even if the memory cell becomes defective owing to secular change after the memory cells are built in the system, the memory cell can be relieved without causing the system itself to become defective.例文帳に追加

不良ＤＱ線から対応するＤＱバッファへのデータパスを、スペアＤＱ線からＤＱバッファへのデータパスに切り替えて不良が発生したメモリセルをスペアメモリセルに置換することにより、システムに組み込んだ後で、経年変化等によってメモリセルに不良が発生した場合でもシステムそのものを不良にすることなく救済が可能となる。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a first memory cell area where data are written according to whether or not electrons 90 are injected into a floating gate 29 of a memory transistor 23 and a second memory cell area where data are written according to whether or not a p-type impurity area 55 functioning as a channel area is formed in a memory transistor 43.例文帳に追加

メモリセルアレイは、メモリトランジスタ２３のフローティングゲート２９に電子９０が注入されるか否かでデータの書き込みが行われる第１のメモリセル領域と、メモリトランジスタ４３にチャネル領域として機能するｐ型の不純物領域５５が形成されるか否かでデータが書き込まれる第２のメモリセル領域とを有している。 - 特許庁

To reduce power consumption for deciding a logic level of a data bus supplied with the memory cell read-out data in a synchronous DRAM output circuit and to generate an output of a nearly source voltage level by latching the memory cell read-out data, generating a boosted voltage based on the latched data and driving an n-channel field effect transistor.例文帳に追加

シンクロナスＤＲＡＭの出力回路において、メモリセル読み出しデータが供給されるデータバスの論理レベルを確定するための消費電力を低減するとともに、メモリセル読み出しデータをラッチし、ラッチしたデータに基づいて昇圧された電圧を発生させてｎチャネル電界効果トランジスタを駆動することでほぼ電源電圧レベルの出力を発生できるようにする。 - 特許庁

A terminal control part 11 of the client terminal 10 displays a tabulation result list table on the basis of the tabulation result data, and when a cell is selected, makes a retrieval request including the data ID of the data configuring the tabulation value of the cell, and acquires the task processing management record of the data ID, and executes the display processing of the detailed content of the tabulation value.例文帳に追加

クライアント端末１０の端末制御部１１は、集計結果データに基づいて集計結果一覧表を表示し、このうちセルが選択された場合には、このセルの集計値を構成するデータのデータＩＤを含む検索依頼を行ない、このデータＩＤの業務処理管理レコードを取得して、集計値の詳細内容の表示処理を実行する。 - 特許庁

For data erase from an electrically erasable and programmable non-volatile memory cell, the following operations are performed: (1) an erase operation to apply an erase pulse voltage to a memory cell for data erase; (2) an erase verify operation to verify whether data erase is completed; and (3) a step-up operation to increase the erase pulse voltage by a certain step-up voltage if data erase is not completed.例文帳に追加

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルのデータ消去のため、（１）メモリセルに対し消去パルス電圧を印加する消去動作、（２）データ消去が完了したか否かを確認する消去ベリファイ動作、及び（３）データ消去が完了しなかった場合に消去パルス電圧を所定のステップアップ電圧の分だけ上昇させるステップアップ動作が繰り返される。 - 特許庁

This flash memory device includes a write driver for driving a data line according to data to be written to a flash memory cell during a program period, a sense amplifier circuit for sensing and amplifying the data stored in the flash memory cell during a program verify period, and an isolation circuit for electrically isolating the sense amplifier circuit from the data line during an operation period of the write driver.例文帳に追加

ここに開示されるフラッシュメモリ装置は、プログラム区間の間、フラッシュメモリセルに書き込まれるデータに従ってデータラインを駆動する書き込みドライバと、プログラム検証区間の間、前記フラッシュメモリセルに貯蔵されたデータを感知増幅する感知増幅回路と、前記書き込みドライバの動作区間の間、前記データラインから前記感知増幅回路を電気的に絶縁させる絶縁回路とを含む。 - 特許庁

Stored data of the memory cell is set in accordance with combination of resistors set to the magnetoresistive elements TR101 and TR102.例文帳に追加

このメモリセルの記憶データは磁気抵抗素子ＴＲ１０１およびＴＲ１０２に設定される抵抗の組み合わせに応じて設定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage for enabling a speedy data-sensing operation and a speedy restoring operation while securing reliability on a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの信頼性を確保しながら、高速のデータセンス動作と高速のリストア動作を可能とした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Further, a bias magnetic field of a level not destroying stored data is applied to the selected memory cell by a current flowing through a write digit line.例文帳に追加

さらに、ライトディジット線を流れる電流によって選択メモリセルには、記憶データを破壊しないレベルのバイアス磁界が印加される。 - 特許庁

Since only the dummy memory cell of a selected array is activated upon data reading, a charge/discharge current is not generated in a bit line of a non-selected array.例文帳に追加

データ読出時には、選択列のダミーメモリセルのみが活性化されるので、非選択列のビット線には充放電電流が発生しない。 - 特許庁

A retention volume line 134 is disposed in parallel with the data line 131 and is connected to the pixel cells 54 and 141 of the pixel cell group 133.例文帳に追加

保持容量線１３４は、データ線１３１と平行に配置され、画素セル群１３３の画素セル５４および１４１に接続される。 - 特許庁

As a result, a space occupied by the signal line on a chip is minimized, and a data interference between the memory cell array and the signal line is prevented.例文帳に追加

その結果、チップ上で信号ラインが占める空間が最小化され、メモリセルアレイと信号ライン間のデータ干渉が防止される。 - 特許庁

Each inverter is connected to a power source through a transistor (S4 or S5), and these transistors are cut off when the data are written into the SRAM cell.例文帳に追加

各インバータは電源にトランジスタ（Ｓ４，Ｓ５）を通じて接続され，ＳＲＡＭセルにデータを書き込む時，上記トランジスタを遮断する。 - 特許庁

Any one memory cell out of memory cells connected to these word lines is selected by a selecting transistor, and only the data is read out on a bit line.例文帳に追加

これらワード線に接続されたメモリセルのうちの何れかを選択トランジスタで選択して、そのデータだけをビット線上に読み出す。 - 特許庁

When both coincide, the CELL is reproduced under shifting to the next PCG according to the selection content 'select' in the selection history data.例文帳に追加

一致すると、選択履歴データ中の選択内容ｓｅｌｅｃｔに従って次のＰＣＧへ移行しつつ、ＣＥＬＬが再生される。 - 特許庁

To provide a circuit and a method for reading data, equipped with a bias current supply part for the purpose of compensating for a current flowing in a unit cell.例文帳に追加

単位セルの内部に流れる電流を補償するためにバイアス電流供給部を備えたデータリード回路及びデータリード方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with which the read-out of data from a memory cell at a high speed can be carried out irrespective of the noise generated in a bit line.例文帳に追加

ビット線に発生するノイズに関係なく高速にメモリセルからのデータの読み出しが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

For data reading, a pair of bit lines (BL and BLX) is precharged to a GND level and a dummy cell (14) is charged with a voltage VDD.例文帳に追加

データ読み出しに当たって、ビット線対（ＢＬ，ＢＬＸ）をＧＮＤレベルにプリチャージし、ダミーセル（１４）を電圧ＶＤＤで充電する。 - 特許庁

To reduce the possibility of data read errors for a memory cell even if noise, charge share, etc., occurs in a nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、ノイズやチャージシェア等が発生しても、メモリセルのデータの誤読み出しの可能性を低減させる。 - 特許庁

Also, a cell loss priority control bit CLP is set according to the attribute of the transfer data in this the ATM device (ATM router) 1-11.例文帳に追加

また、ＡＴＭ装置（ＡＴＭルータ）１−１１は、セル損失優先制御ビットＣＬＰを転送データの属性に応じて設定する。 - 特許庁

After a threshold voltage Vth of a memory cell is adjusted within a threshold voltage distribution E, to be set to an erased state, a control circuit writes data.例文帳に追加

制御回路は、メモリセルの閾値電圧Ｖｔｈを閾値電圧分布Ｅ内に調整して消去状態とした後、データを書込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which shortens the time needed to read data out of a memory cell and whose power consumption is reduced.例文帳に追加

メモリセルからデータを読み出すために必要となる時間を短縮し、消費電力を低減した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory device in which the time margin for writing input data input from the outside of a chip in a memory cell is increased.例文帳に追加

チップの外部から入力される入力データをメモリセルに書込みできる時間的余裕を増やした同期式半導体メモリ装置。 - 特許庁

Based on the destination selecting screen, data transmission is executed to a destination corresponding to a cell selected on that destination selecting screen.例文帳に追加

そして、送信先選択画面に基づいて、該送信先選択画面で選択されたセルに対応する送信先へデータ送信を実行する。 - 特許庁

When data are written to the storage cell, low resistance status is produced, by satisfying specific relations with these parameters.例文帳に追加

記憶セルに対してデータの書き込みを行う際に、これらのパラメータが特定の関係を満たすようにして低抵抗状態を作り出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, with which a memory cell region can be made small and stored data can be exactly detected.例文帳に追加

メモリセル領域を小さくすると共に、記憶されているデータを正確に検出することを可能にした半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the PHS data communication terminal enters a zone of a cell station CS connecting to a PPP server, the CS assigns a link channel to the terminal.例文帳に追加

ＰＨＳデータ通信端末が、ＰＰＰサーバと接続されたＣＳの圏内に入ると、ＣＳによりリンクチャネルを割り当てられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which is capable of quickly reading out stored data from an on-chip nonvolatile memory cell transistor.例文帳に追加

オンチップの不揮発性のメモリセルトランジスタから記憶情報を高速に読み出すことができる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

In discriminating the chip, a hamming distance of the data of the memory cell array is measured, and the chip is discriminated to be identical if the hamming distance is within a prescribed threshold.例文帳に追加

チップの判別は、メモリセルアレイのデータのハミング距離を測定し、ハミング距離が所定閾値以内の場合に同一チップと判別する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a data set uptime can be made a fixed value independently of storage capacity of a memory cell array.例文帳に追加

データ・セットアップタイムをメモリセルアレイの記憶容量によらずに一定の値とすることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a data writing control method in a nonvolatile semiconductor memory cell which can reduce the voltage of program potential and the like.例文帳に追加

プログラム電位等の低電圧化を図ることができる不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み制御方法を提供する。 - 特許庁

To easily shift the state of a mobile unit located within the range of a macro cell into a state for transmitting/receiving data via a broadband line.例文帳に追加

マクロセルに在圏している移動機の状態を、ブロードバンド回線を介してデータの送受信を行う状態に移行させやすくする。 - 特許庁