「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a security device that makes difficult to identify a memory cell at which malfunction that provides a clue for decoding confidential data may occur.例文帳に追加

機密データの解読の足掛かりとなる誤動作が生じるメモリセルを特定することが困難になるセキュリティデバイスを提供する。 - 特許庁

Since the data of the computer can be utilized, the original creation of a cell image is not required, and the period for the development can be shortened.例文帳に追加

コンピュータのデータを利用できるので、独自にセル画の創作をする必要がなくなり、開発期間を短縮することが可能になる。 - 特許庁

To reduce dispersion of an amplifying time of a sense amplifier caused in accordance with kinds and arrangement patterns of data stored in each memory cell.例文帳に追加

各メモリセルに格納されているデータの種類や配列パターンに応じて生じていたセンスアンプの増幅時間のばらつきを小さくする。 - 特許庁

The data updating circuit performs erasure operation varying threshold voltage of a memory cell of an object of data update so as to coincide with the prescribed reset reference voltage being one of plural reference voltage and being not any of the maximum value or the minimum value out of plural reference voltage, after that, threshold voltage of the memory cell is varied so as to coincide with reference voltage corresponding to data after update of the memory cell.例文帳に追加

データ更新回路はデータ更新対象のメモリセルの閾電圧を複数の参照電圧の１つであり、上記複数の参照電圧の中の最大値または最小値のいずれでもない所定のリセット参照電圧と一致するように変化させる消去動作を実施し、その後、該メモリセルの閾電圧を該メモリセルの更新後データに対応する参照電圧と一致するように変化させる。 - 特許庁

The IAD receives voice data from a user device and excludes RTP/ UDP(real-time transport protocol/user datagram protocol) header information to generate an AAL2CPS cell.例文帳に追加

ＩＡＤは使用者装置から音声データを受信し、ＲＴＰ／ＵＤＰヘッダ情報を除去して、ＡＡＬ２ＣＰＳセルを生成する。 - 特許庁

After a CPU 102 writes data to a memory cell in a memory cell array 103, the data are read and verified and when the data are discrepant, the CPU supplies a phase program signal FP to a phase program part 109, which programs a defective address in a phase part and substitutes a spare memory for the memory cell where the defect occurs according to the address programmed in the phase part.例文帳に追加

ＣＰＵ１０２からメモリセルアレイ１０３中のメモリセルにデータを書き込んだ後、このデータを読み出してベリファイを行い、不一致のときに上記ＣＰＵからフューズプログラム部１０９にフューズプログラム信号ＦＰを供給し、上記フューズプログラム部でフューズ部に不良アドレスをプログラムし、上記フューズ部にプログラムされたアドレスに基づいて、不良が発生したメモリセルをスペアメモリセルに置換することを特徴としている。 - 特許庁

Even when the memory cell array 100 is put in the busy state, necessary data can be input to the first memory device 10 by the first to third buffers 14 to 16.例文帳に追加

第１〜第３バッファ１４〜１６により、ビジー状態であっても第１メモリ装置１０に必要なデータを入力可能になる。 - 特許庁

To reduce occurrence of current consumption when a holding current of a memory cell exceeds a reference current (namely, data error is not caused).例文帳に追加

メモリセルの保持電流が基準電流以上（データの誤りが発生しない）の場合において、消費電流の発生を削減する。 - 特許庁

Data is erased by making a voltage applied to the memory cell 3 different in polarity from a voltage having been previously applied and imparting a certain intensity.例文帳に追加

データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。 - 特許庁

CDMA MOBILE COMMUNICATION SYSTEM, WIRELESS BASE STATION DEVICE USED FOR IT, AND SELECTION METHOD FOR UP RECEIVING DATA DURING RE-SYNCHRONIZATION IN ITS CELL例文帳に追加

ＣＤＭＡ移動通信システム、及びそれに用いる無線基地局装置とそのセル内再同期時の上り受信データ選択方法 - 特許庁

The driving circuit makes the selection memory cell an initial state temporarily, and then, gives a voltage pulse in accordance with the write-in data.例文帳に追加

駆動回路は、選択メモリセルを一旦初期状態にし、その後、書き込みデータに応じた電圧パルスを与えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein a cell leakage current at the write-in is reduced without impairing an erase property or a data holding property.例文帳に追加

消去特性やデータ保持特性を損なうことなく書き込み時のセルリーク電流を低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of appropriately correcting map data showing the correlation between AC impedance and water content.例文帳に追加

交流インピーダンスと水分量との相関関係を示すマップデータを適正に補正することのできる燃料電池システムを提案する。 - 特許庁

Read data read from a memory cell array 15 by a read command in a normal operation mode are readable from an external terminal 10.例文帳に追加

通常動作モードにおいてリードコマンドによってメモリセルアレイ１５から読み出されたリードデータが外部端子１０から読み出し可能とされる。 - 特許庁

Each memory cell includes a semiconductor column 9, and a conductive film and an insulation film 5 around the semiconductor column 9, and stores data in a nonvolatile manner.例文帳に追加

メモリセルは、半導体柱9と前記半導体柱の周囲の導電膜および絶縁膜5を含み、不揮発にデータを記憶する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of accurately writing data by alleviating influences imposed on a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルに与えられる影響を緩和し、正確にデータを書き込むことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When verification operation is performed at a potential Vbi', data of a cell are preliminarily read at a potential Vai+1, and this state is stored in a latching circuit.例文帳に追加

電位Ｖｂｉ’でベリファイ動作をする場合、電位Ｖａｉ＋１でセルのデータを予備リードし、この状態をラッチ回路に記憶する。 - 特許庁

To reduce the latency and potentially to prevent loss of packet data unit transmission during the serving HS-DSCH cell change procedure.例文帳に追加

サービス側ＨＳ−ＤＳＣＨセル変更手順の間に、待ち時間を低減し、潜在的にはパケットデータユニット伝送の喪失を防止する。 - 特許庁

Low order layout information constituted of coordinate data, layout order and mirror information is inputted to each primitive cell 1 by a circuit graphic editor.例文帳に追加

回路図エディタで各々のプリミティブセル１に座標データ、配置順序、およびミラー情報からなる下位レイアウト情報を入力する。 - 特許庁

A memory cell MC comprises nMOS transistors 11a, 11b for transfer gate constituting a paired transistor, and one data storing capacitor 12 connected to the nMOS transistor 11a.例文帳に追加

メモリセルMCは、ペアトランジスタを構成するトランスファゲート用のnMOSトランジスタ11a、11bと、nMOSトランジスタ11aに接続されたデータ記憶用の１個のキャパシタ12を含む。 - 特許庁

When the cell congestion level drops below a second threshold, the network monitoring system sends a second alert indicating that the data rate can be increased.例文帳に追加

セル過剰レベルが第２の閾値以下に降下した場合、ネットワークモニタリングシステムは、データ速度が増やせることを示す第２の警告を送る。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having high reliability, which can eliminate data as a bit unit from an excessively written memory cell.例文帳に追加

過書き込みメモリセルをビット単位で消去し、信頼性の向上した不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of driving a plasma display device capable of reliably lighting a cell to be lighted based on display data.例文帳に追加

表示データに基づいて点灯させるべきセルを確実に点灯させることができるプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The model data mapping space MSP is partitioned into a unit cell HCB, which is the hyper rectangular parallelepiped whose vertices are the source coordinate points.例文帳に追加

モデルデータ配置空間ＭＳＰは、モーフィング元座標点を頂点とする超直方体からなる単位セルＨＣＢに区画される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device by which an erroneous write can be suppressed when reading data, in a memory cell of a spin injection system.例文帳に追加

スピン注入方式のメモリセルにおいてデータ読出時に誤書込を抑制することが可能な不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

A pre-charge level of a data line is VDD, a part of the dummy cells DMC may be used as a memory cell for generating a reference level.例文帳に追加

また、データ線のプリチャージレベルはＶＤＤとし、ダミーセルＤＭＣの一部を参照レベル発生用のメモリセルとして利用しても良い。 - 特許庁

Also, the sense amplifier 40 is provided with a data latch circuit A 45 and a data latch circuit B 46 holding respectively and independently data of a memory cell MC amplified by the amplifier 40 and connected to two different word line WL or returning held data to the sense amplifier 40 again.例文帳に追加

また、センスアンプ４０には、同アンプ４０によって増幅された異なる２本のワード線ＷＬに接続されたメモリセルＭＣのデータを各々独立に保持し、あるいはそれら保持したデータをセンスアンプ４０に再び戻すデータラッチ回路（Ａ）４５及びデータラッチ回路（Ｂ）４６が備えられている。 - 特許庁

A switching circuit 11 for writing data '1' in the same memory cell by swapping bit line data after reading data '0' is provided between the pair of bit lines BL, BBL and the sense nodes BLSA, BBLSA to write test data if all '1'.例文帳に追加

対をなすビット線ＢＬ，ＢＢＬと第１及び第２のセンスノードＢＬＳＡ，ＢＢＬＳＡとの間には、オール“１”のテストデータを書き込むために、“０”データ読み出しを行った後のビット線データをスワッピングして同じメモリセルに“１”データを書き込むための切り換え回路１１が設けられている。 - 特許庁

When accepting designation for carrying out the file-output of print data stored in a print buffer for storing print data when a program is operated, the print data are file-output so as to correspond to the cell of the spreadsheet software on the basis of the line of the print data and the position of a column.例文帳に追加

プログラムを動作させたときに印字データを格納する印字バッファに格納された印字データをファイル出力するための指定を受付けると、印字データのライン及びカラムの位置に基づいて表計算ソフトウェアのセルに対応させるように印字データをファイル出力する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory suppressing data stored in other electric charge accumulating sections in the same memory cell from being changed caused by storing data to the charge accumulating section, and to provide a data writing method, a method of manufacturingthe nonvolatile semiconductor memory, and a data writing program.例文帳に追加

電荷蓄積部へのデータの記憶動作によって同一メモリセル内の他の電荷蓄積部に記憶されているデータが変化することを抑制することができる半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラムを提供する。 - 特許庁

When an instruction for dividing text data displayed in a cell of the eleventh item of a text input area 172 is inputted, the information processor divides the text data before and after a cursor 401 and respectively displays the first half text data and the latter half text data after division in different cells.例文帳に追加

テキスト入力エリア１７２の１１項目目のセル内に表示されたテキストデータを分割する指示が入力された場合、情報処理装置は、テキストデータをカーソル４０１の前後で分割し、分割後の前半と後半のテキストデータを、それぞれ別のセルに表示させる。 - 特許庁

A path setting circuit (122) changing over a data transfer path according to the effective transfer data bit width is provided between a data bus (96) and an orthogonal memory cell array (110), and a writing area is set by read/write circuits (113a-113d) according to the bit width of the data transferred through the bus.例文帳に追加

データバス（９６）を直交メモリセルアレイ（１１０）の間に、有効転送データビット幅に応じてデータ転送経路を切換える経路設定回路（１２２）を設け、バスを転送されるデータのビット幅に応じて書込領域をリード／ライト回路（１１３ａ−１１３ｄ）により設定する。 - 特許庁

Input serial data including data of one bit at the points of respective time of rise and fall of a basic clock are divided into even data at the time of rise of an external basic clock and odd data at the time of fall by a demultiplexer DE-MUX, and they are written in memory cell arrays SAe, SAo respectively.例文帳に追加

基本クロックの立上りと立下りのそれぞれの時点で１ビットずつのデータを含む入力シリアルデータをデマルチプレクサＤＥ−ＭＵＸで外部基本クロック立上り時のｅｖｅｎデータと立下り時のｏｄｄデータに分け、それぞれメモリセルアレイＳＡｅ、ＳＡｏに書き込む。 - 特許庁

The memory cell blocks 11-14 have tip data storage areas 11b-14b for storing tip data including operation parameters and path flag storage areas 11c to 14c which are provided to every tip data storage area and indicate the effect of the stored tip data.例文帳に追加

各メモリセルブロック１１〜１４は、半導体記憶装置の動作パラメータを含むチップデータを格納するチップデータ格納領域１１ｂ〜１４ｂと、該チップデータ格納領域ごとに設けられ、格納されたチップデータの有効性を示すパスフラグ格納領域１１ｃ〜１４ｃとを有している。 - 特許庁

At the time of reading-out, the flash memories FC1 to FC2 each read out data in a memory cell specified by inputted address information, output the read-out data to the interface circuit IF1 as output data groups DO1 to DO2, and selectively output the data herein.例文帳に追加

読み出し時には、フラッシュメモリＦＣ１〜ＦＣ２のぞれぞれが入力されたアドレス情報で特定されたメモリセルのデータを読み出し、読み出されたデータを出力データ群とＤＯ１〜ＤＯ２してインターフェース回路ＩＦ１に出力し、ここで選択的に外部に出力する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a plurality of data inputting circuits 100-115 for inputting data DQ0-DQ15 from the outside and a plurality of data writing circuits 200-215 for writing the data inputted by means of the circuits 100-115 in a memory cell array 300.例文帳に追加

外部からデータＤＱ０〜ＤＱ１５を入力するための複数のデータ入力回路１００〜１１５と、前記複数のデータ入力回路１００〜１１５により入力されたデータをメモリセルアレイ３００に書き込むための複数のデータ書込回路２００〜２１５を備える。 - 特許庁

As the D flip-flop cell which is one kind of cells needing the timing adjustment of the data D, a D flip-flop cell which can select, from the outside, one delay path out of four delay paths different in delay time by using signals SA, SB for delay adjustment is used as a unit cell.例文帳に追加

データＤのタイミング調整が必要なセルの一種であるＤフリップフロップセルとして、遅延時間の異なる４つの遅延経路から一の遅延経路を外部からの遅延調整用信号ＳＡ、ＳＢによって選択可能とされたＤフリップフロップセルをユニットセルとして使用する。 - 特許庁

Polarization quantity of three level or more is accumulated in one memory cell by making a maximum 2×n pieces of information correspond to memory cell potentials of (n) kinds and varying voltage between a plate electrode of a memory cell capacitor and a storage node when data is written by a hysteresis curve being peculiar to anti-ferroelectric substance.例文帳に追加

反強誘電体特有のヒステリシス曲線により、ｎ通りのメモリセル電位に対し、最大で２×ｎ個の情報を対応させ、データの書き込みの際に、メモリセルキャパシタのプレート電極とストレージノードの間の電圧を変えることにより、１メモリセルに３値以上の分極量を蓄積させる。 - 特許庁

A secondary cell device includes: a first storage unit 16a for storing measured data from a voltage measuring unit 13 and a current measuring unit 14; a second storage unit 16b for storing voltage-vs-remaining-capacity characteristics of the cell; and a third storage unit 16c for storing parameters of an equivalent circuit model of the cell.例文帳に追加

電圧測定部１３及び電流測定部１４からの測定データを記憶する第１の記憶部１６aと、電池の電圧対残量特性を記憶する第２の記憶部１６bと、電池の等価回路モデルのパラメータを記憶する第３の記憶部１６cを有する。 - 特許庁

To enable cell re-selection by a mobile station from a serving GERAN cell supported by a GSM(R)/EDGE (global system for mobile communications/enhanced data rates for GSM(R) evolution) radio access network (GERAN) to a UTRAN cell supported by a universal terrestrial radio access network (UTRAN).例文帳に追加

ＧＳＭ／ＥＤＧＥ（世界移動体通信システム／ＧＳＭ革新のための強化データレート)無線接続ネットワーク（ＧＥＲＡＮ）がサポートするサービス提供ＧＥＲＡＮセルから，世界地上無線接続ネットワーク（ＵＴＲＡＮ）がサポートするＵＴＲＡＮセルへ，移動機がセル再選択すること。 - 特許庁

The pipeline calculating means reads data from a storage area of the particle storing means to execute a numerical calculation by the first address and the number of particles or the last address read from the cell index storing means while corresponded to a cell number from the cell number generating means.例文帳に追加

パイプライン計算手段は、セル番号生成手段からのセル番号に対応させてセルインデックス記憶手段から読み出される先頭アドレスと粒子数または最終アドレスとによって、粒子記憶手段の記憶領域からデータを読み込んで数値計算を実行する。 - 特許庁

Althrough NOMS 1 and DMOS (depression-type NMOS) 2 being connected to a data cell row 30A in series as a memory cell allow a cell current Icell to flow, the NMOS 1 and DMOS 2 are alternately connected to current paths 30-1 and 30-2 for generating a reference current Iref.例文帳に追加

データセル列３０Ａに直列にメモリセルとして接続されたＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ（デプレッション型のＮＭ０Ｓ）２は、セル電流Ｉcellを流すが、参照電流Ｉref を生成する電流パス３０−１及び３０−２には、ＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ２が交互に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory cell MC that stores data as a result of a state of a variable resistance included in the memory cell becoming either a first high resistance state or a first low resistance state, and has two storage modes of a first mode and a second mode depending on a level of a resistance value of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる可変抵抗の状態が第１の高抵抗状態及び第１の低抵抗状態のいずれかになることによりデータを記憶するメモリセルＭＣを含み、メモリセルの抵抗値の大きさにより第１モードと第２モードとの２つの記憶モードをもつ半導体装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

At start-up of a fuel cell system, the voltage monitoring device 2 measures voltages of n pieces of cells of the fuel cell stack 1 using n (m>n) pieces of voltage measuring channels out of the m channels, and sends n pieces of cell voltage measured data to a system control device 3.例文帳に追加

電圧モニタ装置２は、燃料電池システムの起動時には、ｍ本の電圧測定チャンネルのうち、一部の電圧測定チャンネルであるｎ本（ｍ＞ｎ）を使用して燃料電池スタック１のｎ個のセルのセル電圧を測定し、ｎ個のセル電圧測定データをシステム制御装置３へ送信する。 - 特許庁