「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

When a program is executed in a nonvolatile data storage device, bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array is prevented, to improve reliability of data corresponding to the executed program.例文帳に追加

不揮発性データ貯蔵装置にプログラムが実行される場合、メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止して、プログラムが実行されたデータの信頼性を向上させる。 - 特許庁

A redundant area detection part 22 detects a redundant area in a cell arrangement area in reference to layout data after automatic arrangement and wiring stored in an automatic arrangement and wiring data storage part 21.例文帳に追加

冗長領域検出部２２は、自動配置配線データ格納部２１に格納される自動配置配線後のレイアウトデータを参照して、セル配置領域内の冗長領域を検出する。 - 特許庁

SYSTEM FOR PARTICIPATING AUCTION USING CELL PHONE, OPERATION-RESEARCHING BASED ON LARGE AMOUNT OF LATEST AUCTION DATA ON SITE, TO INSTANTLY RESPONDING SOLELY TO MATCHED DATA, AND NETWORK AUCTION SYSTEM例文帳に追加

オークションに携帯電話等を利用して参加し、各オークション会場の大量の最新オークションデータを基にオペレーションリサーチし、マッチングしたデータだけを瞬時にレスポンスするシステム及びネット競売システム - 特許庁

To provide a semiconductor storage device with a configuration of shared bit lines between adjacent memory cell columns that prevents data from being wrongly written and read with a delay when the data are written and read.例文帳に追加

隣接するメモリセル列間でビット線を共有する構成とした場合において、データ書込およびデータ読出時における誤書込およびデータ読出遅延を防止する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

One part of a memory cell array 1 consisting of nonvolatile memory cells being electrically rewritable is decided as a initial setting data region 3 for storing initial setting data prescribing memory operation conditions.例文帳に追加

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイ１の一部が、メモリ動作条件を規定する初期設定データを記憶するため初期設定データ領域３として予め定められている。 - 特許庁

When pixels on the left side of a cell 36 are displayed in red, a voltage (alternating voltage) for particle removal is applied to a data electrode 32A and particles are moved to the periphery to expose the data electrode 32A.例文帳に追加

セル３６の左側の画素を赤表示する場合、データ電極３２Ａに粒子除去用電圧（交番電圧）を印加し、粒子を周囲へ移動させてデータ電極３２Ａを露出させる。 - 特許庁

A burst transfer means 3 burst- transfers data inputted through the data input means 2 for a region of a cell 6 corresponding to an address through the address input means 1.例文帳に追加

バースト転送手段３は、アドレス入力手段１を介して入力されたアドレスに対応するセル６の領域に対して、データ入力手段２を介して入力されたデータをバースト転送する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a nonvolatile semiconductor memory system by which data can be prevented from being erroneously written when the data is written in a memory cell being close to a bit line in a NAND string.例文帳に追加

ＮＡＮＤストリング内のビット線に近いメモリセルにデータの書き込みを行う際に、誤書き込みを防止する不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶システムを提供する。 - 特許庁

A DDR memory is constituted of a data input circuit 9 for DDR only, a data input circuit 10 for SDR only, a word line control circuit 21, a bit line control circuit 22, and a memory cell array 23.例文帳に追加

ＤＤＲメモリは、ＤＤＲ専用データ入力回路９、ＳＤＲ専用データ入力回路１０、ワード線制御回路２１、ビット線制御回路２２、及び、メモリセルアレイ２３で構成される。 - 特許庁

A throttle opening and a learning correction amount corresponding to this opening are individually stored as one set of learning data (θ0, P0) to (θ3, P3) in a memory cell of a memory part, linear interpolation between each data is performed, to generate an approximate correction amount.例文帳に追加

スロットル開度と該開度に対応する学習補正量とを一組の学習データ（カ）〜（ケ）として個々にメモリ部のメモリセルに格納し、各データ間を直線補完して近似補正量を生成する。 - 特許庁

Thus, manual revision of station data is eliminated and human error in the station data is eliminated, then the cell/frame changeover processing unit can easily switch an existing network into a network employing the ATM for its backbone.例文帳に追加

従って、人為作業による局データの変更をなくし、局データ誤りなどの人為的ミスがなくなるので、既存のネットワークからＡＴＭをバックボーンとするネットワークに容易に切り替えることができる。 - 特許庁

To dispense with an identity determination of blood specimens having being dependent on only an identification ID by automatically determining whether or not enumeration data of a blood cell counter is identical with immunoassay data of an immunoassay device.例文帳に追加

血球計数装置の計数データと免疫測定装置の免疫測定データとを自動で同一か否か判断して、識別ＩＤのみに頼った検体血液の同一性判断を不要にする。 - 特許庁

When data is read from the memory cell M02 of a top array block to a bit line BL2, switch elements S1 and S101 are closed to store the data in the bit line BL102 of a bottom array block in the form of charges.例文帳に追加

トップアレイブロックのメモリセルＭ０２からビット線ＢＬ２にデータを読み出すとき、スイッチ素子Ｓ１とＳ１０１を閉じて、そのデータをボトムアレイブロックのビット線ＢＬ１０２に電荷の形で蓄えさせる。 - 特許庁

The retransmission request cell transmitted to a first communication terminal 103 is transmitted to a retransmission packet generating section 125 and data transmitted next to the data denoted by the information are searched by the packet storage queue 123.例文帳に追加

第１の通信端末１０３へ送信された再送要求セルは再送パケット生成部１２５へ送られ、その情報が示すデータの次に送出されたデータがパケット保存キュー１２３で検索される。 - 特許庁

Then, whether the input of the trigger is made by voice or a trigger switch is discriminated (S3), and when the trigger input is made by a trigger switch, the data in an area recorded in a large cell size among the read image data of the two-dimensional code are decoded (S8).例文帳に追加

次に、トリガーの入力が音声かトリガースイッチか判別し（Ｓ３）、スイッチならば読み取った二次元コードの画像データの内で大きなセルサイズで記録された領域のデータをデコードする（Ｓ８）。 - 特許庁

In writing operation, by the low data holding power supply control circuit 150, the voltage for the low data holding power supply for the memory cell in a selective column is also controlled to be higher in the degree of 0.1 V than the ground level.例文帳に追加

また、書き込み動作時には、ローデータ保持電源制御回路１５０により、選択カラムにおけるメモリセルのローデータ保持電源の電圧を接地レベルよりも０．１Ｖ程度高い電圧に制御する。 - 特許庁

Each magnetic memory cell (302) features at least one ferromagnetic data layer (304) of a first size, an intermediate layer (306) that contacts the data layer (304), and at least one ferromagnetic reference layer (308) of a second size.例文帳に追加

各磁気メモリセル(302)は、第１のサイズの少なくとも１つの強磁性データ層(304)と、データ層(304)に接触する中間層(306)と、第２のサイズの少なくとも１つの強磁性基準層(308)を提供する。 - 特許庁

A layout designing means 7 designs the layout data while using the same name as the instance name and net name of a function block in the circuit data for a cell arranged on the top hierarchy and a net connected between cells.例文帳に追加

レイアウト設計手段７はトップ階層に配置するセルおよびセル間に接続するネットに回路データの機能ブロックのインスタンス名およびネット名と同一の名前を使用してレイアウトデータを設計する。 - 特許庁

To uniquely identify specific data and to select identification information that is easy for a user to understand in a table in which the position of a cell for storing the specific data fluctuates.例文帳に追加

特定のデータを格納するセルの位置が変動するテーブルにおいて、特定のデータを一意に同定することができると共に、ユーザに判りやすい識別情報を選択することを可能とする。 - 特許庁

Since data can be written or readout without switching the potential of the cell plate line between the ground potential and the power supply potential, data can be protected without requiring any flash operation.例文帳に追加

セルプレート線ＰＬの電位を接地電池と電源電位との間で切り換えなくてもデータの書き込みや読み出しが可能となり、リフレッシュ動作を行なわなくてもデータの破壊を防止することができる。 - 特許庁

Thus, by securing the memory current required for reading at verifying, the reliability of data reading is improved even for the memory cell S deteriorated by rewriting of data.例文帳に追加

それにより、読み出しに必要なメモリ電流をベリファイ動作において確保することにより、データ書き換えにより劣化したメモリセルＳであってもデータ読み出しの信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

Furthermore, by a low data holding power supply control circuit 150, controlling voltage for low data holding power supply for a memory cell is made higher in a degree of 0.1 V than the ground level, so that a current potential for an access transistor is lowered.例文帳に追加

さらに、ローデータ保持電源制御回路１５０により、メモリセルのローデータ保持電源の電圧を接地レベルよりも０．１Ｖ程度高い電圧に制御してアクセストランジスタの電流能力を落とす。 - 特許庁

A leak compensating circuit 4 controls the power source (memory cell power source VDDM1) of the memory cells 1 of non-selection columns during write-in of data and all columns during read-out of data at the VDD level.例文帳に追加

リーク補償回路４は、データの書き込み時における非選択のカラム、およびデータの読み出し時における全てのカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、ＶＤＤレベルに制御する。 - 特許庁

The intial value V0 of data is stored in the memory cell group of arbitrary M bits in storage areas B0 to B10 having a capacity of (N+1) multiple, e.g., 11 times larger, of the bit number M necessary for data storage.例文帳に追加

データの格納に必要なビット数Ｍの（Ｎ＋１）倍、たとえば１１倍の容量を有する格納領域Ｂ０〜Ｂ１０内で任意のＭビットのメモリセル群にデータの初期値Ｖ０を格納する。 - 特許庁

In the data structure concerned with the impact accuracy of one or more droplets discharged from a discharge head, the data has one or more hierarchical structures of Dot, Line, Cell and Grid depending on a discharge step from the discharge head.例文帳に追加

吐出ヘッドから吐出した１つ以上の液滴の着弾精度に関するデータの構造であって、そのデータが吐出ヘッドからの吐出工程に合わせた１つ以上の階層構造Ｄｏｔ，Ｌｉｎｅ，Ｃｅｌｌ，Ｇｒｉｄを有する。 - 特許庁

The STM data from the STM network are transformed to the cell of ATM adaptation layer(AAL) type 1 by an IWF 63 and inputted to an ATM exchange 61.例文帳に追加

ＳＴＭ網からのＳＴＭデータは、ＩＷＦ６３にてＡＡＬタイプ１のセルに変換され、ＡＴＭ交換機６１に入力される。 - 特許庁

A clock is output to a data output device 200 from one of input/output cells 101 to 103 (for example, the input/output cell 102).例文帳に追加

入出力セル１０１〜１０３のうちの何れか１つ（例えば入出力セル１０２）からクロックをデータ出力装置２００に出力する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic storage device with high operation reliability by preventing data from being miswritten to a non-selection memory cell due to magnetic noise.例文帳に追加

磁気的ノイズによる非選択メモリセルへのデータ誤書込を防止した動作信頼性の高い薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

First of all, data read from a memory cell during refresh operation is not written back to a memory soon but is saved in a refreshing sense amplifier 9-2.例文帳に追加

まず、リフレッシュ動作時にメモリセルから読み出したデータをすぐにメモリセルに書き戻さずに、リフレッシュ用のセンスアンプ9-2内にデータを退避させておく。 - 特許庁

To provide an FET-type ferroelectric memory cell to and from which a plurality of bid data can be written and read, and an FET-type ferroelectric memory.例文帳に追加

複数ビットデータの書き込みと読み出しとが可能なＦＥＴ型強誘電体メモリセルおよびＦＥＴ型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The level correction or AGC is performed by providing a cell in which the multi-level is decreased to, not only fixed pattern area, but also a part of a data area.例文帳に追加

固定パターン領域ではなく、データ領域の一部に多値レベルを落としたセルを設けることでレベル補正或いはＡＧＣを行う。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic memory device that can read data at a high speed only by accessing a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルに対するアクセスのみでデータ読出動作を実行する薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。 - 特許庁

Data of 'H' is accumulated in a memory cell capacitor CM1, the word lines WL1, WL2 are set to the logical level 'L', and the dummy word line DWL1 is also set to 'L'.例文帳に追加

メモリセルキャパシタＣＭ１に「Ｈ」のデータが蓄積され、ワード線ＷＬ１，ＷＬ２は論理レベル「Ｌ」、ダミーワード線ＤＷＬ１も「Ｌ」である。 - 特許庁

The memory comprises a memory cell 1 connected to a bit line L for holding data, and a bipolar transistor 6 whose base is connected to the bit line.例文帳に追加

このメモリは、ビット線ＢＬに接続され、データを保持するメモリセル１と、ビット線ＢＬにベースが接続されたバイポーラトランジスタ６とを備えている。 - 特許庁

Thereby, erasure/write-in operation is performed only for data of the memory cell being an object of rewriting, and reliability of memory operation is enhanced.例文帳に追加

これにより、書き換え対象となるメモリセルのデータのみについて、消去／書き込み動作を実行し、メモリ動作の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

Consequently, deterioration in data reading accuracy due to variation of elements is prevented without lowering a cell occupancy rate of the first memory cells 101.例文帳に追加

それにより、第１のメモリセル１０１のセル占有率を落とさずに、素子ばらつきによるデータ読み出し精度の悪化を抑制することができる。 - 特許庁

When data of a memory cell MC1 connected to the bit line /BLL is read, the folded pair of bit lines BLL and /BLL are made a floating state.例文帳に追加

ビット線／ＢＬＬに接続されたメモリセルＭＣ１のデータを読出するとき、折返しビット線対ＢＬＬおよび／ＢＬＬはフローティング状態となる。 - 特許庁

To prevent a data destruction of a non-selecting memory cell in a ferroelectric memory by fixing plate lines of other than non-selecting address to low level.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、非選択アドレス以外のプレート線をローレベルに固定することにより非選択メモリセルのデータ破壊を防止する。 - 特許庁

METHOD OF SWITCHING MAGNETIZATION ORIENTATION OF FERROMAGNETIC FREE LAYER OF OUT-OF-PLANE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL, MAGNETIC MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF STORING DATA ELECTRONICALLY例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法、磁気メモリシステムおよびデータを電子的に記憶する方法 - 特許庁

To improve operability when an information processing device such as a complex device employs address data stored in an information terminal such as a cell phone.例文帳に追加

複合機等の情報処理装置が、携帯電話等の情報端末に保存されるアドレスデータを使用する際の操作性をより向上させる。 - 特許庁

To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage having a circuit for adjusting a data write voltage to be applied to a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに印加するデータ書込電圧の調整を行う回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a memory cell array, a plurality of work lines, a plurality of bit lines, a data line, a plurality of selector circuits, a precharge circuit, and a pull-down circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイと、複数のワード線と、複数のビット線と、データ線と、複数のセレクタ回路と、プリチャージ回路と、プルダウン回路とを備えている。 - 特許庁

To simultaneously make facilitation of reverse write-in of "H" data compatible with securing of noise margin and reduction in an area of a non-selection cell by preventing disturbance.例文帳に追加

“Ｈ”データ反転書き込みの容易化と、ディスターブの防止による非選択セルのノイズマージン確保ならびに面積削減を同時に両立させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which data can be stably written in a memory cell which does not need a capacitor and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

キャパシタの不要なメモリセルに安定的にデータを書き込むことが可能な半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁