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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3555件
To provide a method and apparatus for producing a resistance variable memory cell or resistance variable material with improved data retention characteristics and higher switching speeds.例文帳に追加
高いデータ保持特性および高い切替速度を有する可変抵抗メモリセルや可変抵抗材料を製造するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device, in which increment of layout area can be suppressed for a CAM cell, in which data is written in a plurality of memory cells, at the same time.例文帳に追加
複数メモリセルに同時にデータを書込むCAMセルに対して、レイアウト面積の増大を抑制可能な半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
At a normal operation time, read/write of data to a desired cell can be made by activation of two lines simultaneously from word lines WL1 to WL6.例文帳に追加
通常動作時においては、ワード線WL1〜WL6を同時に2本活性化することにより所望のセルへのデータの読み書きを可能にする。 - 特許庁
To provide a technology by which reliability of discriminating data stored in a memory cell of a MRAM can be improved by eliminating the influence of the sneak pass current.例文帳に追加
スニークパス電流の影響を排除して,MRAMのメモリセルに記憶されているデータ判別の信頼性を向上する技術を提供する。 - 特許庁
This memory is provided with a block constituted of a plurality of memory cells in which memory cell units for storing data are connected to the same bit lines and different word lines.例文帳に追加
データを格納するメモリセルユニットが同一ビット線に接続され且つ異なるワード線に接続された複数のメモリセルで構成されるブロックを設ける。 - 特許庁
As a designing means, for example, transistor 37 for reading, which is provided in the SRAM cell CELL1 to protect data, is also provided in the sense amplifier SA of the DRAM.例文帳に追加
設計手段として、例えば、データを保護するためにSRAMセルCELL1に設けた読み出し用トランジスタ37をDRAMのセンスアンプSAにも設ける。 - 特許庁
The method for analyzing cell types includes carrying out statistical processing of digital data detected by the method according to a method for cluster analysis, and depending on classes with the resultant dendrogram.例文帳に追加
細胞種の解析方法は上記の方法で検出した数値データをクラスタ解析法で統計処理し、得られたデンドログラムによる区分による。 - 特許庁
To provide a map address management method in which data can be reliably read or written even by a memory element having a large number of bits per a unit cell.例文帳に追加
単位セル当たりのビット数が大きいメモリ素子であってもデータの確実な読み込み・書き込みを可能にしたマップアドレス管理方法を提供する。 - 特許庁
To increase data reading speed and to reduce manufacturing cost by decreasing the number of wiring layers, in an MRAM device having an MTJ memory cell.例文帳に追加
MTJメモリセルを有するMRAMデバイスにおいて、データ読出動作の高速化および、配線層数の減少による製造コスト低減を図る。 - 特許庁
Interfering conditions of electric waves which can cause electric wave interference and/or EMI are expressed as digital cell mapping data to visualize the interfering conditions of electric waves.例文帳に追加
電波及び/または電磁波障害の原因となる電波の干渉状態をデジタル・セル・マッピングデータにして可視化したことを特徴とする電波マッピングとした。 - 特許庁
This semiconductor device uses structure in which an output terminal 40c of a switching element 40 is connected to a terminal 20b by which write-in of data of a memory element 20 is performed, as a memory cell.例文帳に追加
記憶素子20のデータ書き込みを行う端子20bにスイッチング素子40の出力端子40cを接続した構造をメモリセルとして用いる。 - 特許庁
In writing data in a memory cell 18i, a transistor M1i for selecting a first column and a transistor M2i for selecting a second column are activated simultaneously.例文帳に追加
メモリセル18iへのデータの書き込みにおいて、第1のカラム選択用トランジスタM1iと第2のカラム選択用トランジスタM2iとを同時に活性化する。 - 特許庁
If the average number of figures is found to be the threshold value of two or less, the figure data within the cell are all read (S19) while the pixels corresponding to the figures are filled in (S20).例文帳に追加
平均図形数が閾値2よりも小さい場合、セル内にある図形データを全て読み込み(S19)、図形に対応するピクセルを塗りつぶす(S20)。 - 特許庁
A cell becomes the cross points between all X electrodes and a Y electrode (2m-1 points) and n data electrodes and (2m-1)×n symbol of product pixels exist.例文帳に追加
1セルは、全てのX電極とY電極の間(2m−1箇所)とデータ電極(n本)の交点となり、(2m−1)×n個の画素が存在する。 - 特許庁
The amount of the water molecules can be quantitatively grasped on the basis of an absorption peak of the absorption spectrum data, and the internal state of the fuel cell can be analyzed.例文帳に追加
吸収スペクトルデータの吸収ピークから水分子の量を定量的に把握でき、これによって内部状態を解析することができる。 - 特許庁
In entering, data on a map of the shopping center is transmitted to the cell phone 30 from a shopping center server 15 via a gate base station 20.例文帳に追加
入場時には、当該ショッピングセンター内の地図のデータが、ゲート基地局20を介してショッピングセンターサーバ15から携帯電話30に対して送信される。 - 特許庁
Further, unnecessary stress application to the ferroelectric memory cell 10 when the power is on is prevented and the data holding characteristic after power off is improved.例文帳に追加
また、電源オン状態での強誘電体メモリセル10への不必要なストレス印加を防止できると共に、電源オフ後のデータ保持特性が向上する。 - 特許庁
The semiconductor memory device has a pair of the read data buses (RDB, /RDB) for transmitting the output of a memory cell detected by a latch sense amplifier (1) by each of respective ports.例文帳に追加
半導体記憶装置は、ラッチセンスアンプ(1)で検知したメモリセルの出力を伝える1対のリードデータバス(RDB,/RDB)を各ポート毎に有する。 - 特許庁
Then, the game server rearranges the collected values and transmits expression data indicating a ranking of the pieces of the game history information related to the event to the cell phone (S756).例文帳に追加
そして、収集した値を並べ替えて、そのイベントに関連する遊技履歴情報のランキングを示す表情データを携帯電話機に送信する(S756)。 - 特許庁
This write conductor layout structure for a magnetic memory cell contains a data storage layer having a first width in a first direction and a second width in a second direction.例文帳に追加
磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造は第1の方向の第1の幅と第2の方向の第2の幅とを有するデータ記憶層を含む。 - 特許庁
A spread sheet auxiliary means 40 makes the spread sheet program 31 generate the table frame and cell data as an HTML file at a request from a browser 11.例文帳に追加
表計算補助手段40は、ブラウザ11からの要求に応じ、表計算プログラム31に表枠およびセルデータをHTMLファイルとして生成させる。 - 特許庁
Setting up a normal operation mode by using mode signals MOD, "H" data are written by sequentially specifying the whole address of a memory cell block 1 using row address signals RADR.例文帳に追加
モード信号MODで通常動作モードを設定し、ロウアドレス信号RADRでメモリセルブロック1の全アドレスを順次指定して“H”のデータを書き込む。 - 特許庁
To read out surely data held in a memory cell of a non-volatile semiconductor memory having a plurality of word lines of which wiring width are different.例文帳に追加
配線幅の異なる複数のワード線を有する不揮発性半導体メモリのメモリセルに保持されているデータを確実に読み出すことを目的とする。 - 特許庁
Consequently, the voltages of two storage nodes 140 which store mutually complementary data in a single twin cell are varied in the same way by capacitive coupling.例文帳に追加
これにより、同一ツインセル内の互いに相補データを記憶する2つのストレージノード140の電圧は、容量結合によって同様に変動する。 - 特許庁
A radio base station device wirelessly connects with a radio terminal in a cell constituted by the radio base station, and relays data communication performed by the radio terminal through a bearer on a wireless network.例文帳に追加
無線基地局装置は、各々の構成するセル内の無線端末と無線で接続し、無線上のベアラで無線端末によるデータ通信を中継する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory in which data for relieving a defective cell can be obtained without performing facility investment for a memory tester.例文帳に追加
メモリテスタに対する設備投資を伴うことなく、不良セルを救済するためのデータを取得することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device which accurately executes substitution control by surely reading the data of a redundant memory cell without errors.例文帳に追加
冗長メモリセルのデータを誤り無く確実に読出し、置換制御を正確に行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A semiconductor storage device includes a memory cell having a switching transistor connected to a source, and a storage capacitor for storing data with one electrode connected to the source.例文帳に追加
ソースに接続されたスイッチングトランジスタと、一方の電極が前記ソースと接続されたデータ蓄積用のストレージキャパシタとを具備したメモリセルを有する。 - 特許庁
To provide a page buffer circuit capable of reducing its occupied area by using a data verification circuit to execute the program operation of a multilevel cell.例文帳に追加
データ検証回路を用いて、マルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、その占有面積を減らすことが可能なページバッファ回路の提供。 - 特許庁
When the path is not present, the path is set on the ATM network and time slot data of the STM call is mapped to the payload of the ATM cell of the path.例文帳に追加
パスが張られていなかったら、当該パスをATM網上に張ってそのパスのATMセルのペイロードに当該STM呼のタイムスロット・データをマッピングする。 - 特許庁
To provide an information terminal device capable of easily confirming a target cell in a list and then smoothly performing the data input work and the like.例文帳に追加
表の中で目的とするセルを簡単に確認でき、その後のデータ入力作業などを円滑に行うことのできる情報端末装置を提供する。 - 特許庁
One or more multicast copy modules 110 and 130 are coupled with the first set of output ports to copy a data cell requiring multicast processing.例文帳に追加
1つ以上のマルチキャスト複製モジュール110、130が第1組の出力ポートに結合され、マルチキャスト処理を必要とするデータ・セルを複製する。 - 特許庁
A layer definition part 26 defines different layer numbers to an oblique wiring pattern and a via cell pattern included in layout data of a semiconductor integrated circuit design, respectively.例文帳に追加
レイヤ定義部26は、半導体集積回路設計のレイアウトデータに含まれる斜め配線図形とビアセル図形に対し各々異なったレイヤ番号を定義する。 - 特許庁
To improve the bus occupancy ration of data independently of a frequency of a clock signal in a semiconductor integrated circuit provided with a memory cell.例文帳に追加
本発明は、メモリセルを備えた半導体集積回路に関し、クロック信号の周波数にかかわりなくデータのバス占有率を向上することを目的とする。 - 特許庁
The semiconductor memory device having a self-refresh function is provided with a circuit means in which data write-in operation for a memory cell can be performed during self-refresh.例文帳に追加
セルフリフレッシュ機能を有する半導体記憶装置に、セルフリフレッシュ時にメモリセルへのデータ書き込み動作を可能にさせる回路手段を備えた。 - 特許庁
A format conversion part 80 maps the cell assembly information (frame data effective byte length, error detection information, etc.), to redundant bits before the position at the time of the celling process.例文帳に追加
フォーマット変換部80が、セル組立情報(フレームデータ有効バイト長、エラー検出情報等)を、セル化した時の位置より前方の冗長ビットにマッピングする。 - 特許庁
In another aspect, a cell sends a paging indicator on a shared control channel to UE (612) and sends a page message on a shared data channel to the UE (614).例文帳に追加
別の態様では、セルは、共用制御チャンネル上でページング指標をUEに送り(612)、共用データチャンネル上でページメッセージをUEに送る(614)。 - 特許庁
To accurately write and read data at a low voltage even during parallel execution of read access and write access in a multiport SRAM cell.例文帳に追加
マルチポートSRAMセルにおいてリードアクセスとライトアクセスの並行実行時においても、低電圧のもとで正確にデータの書込および読出を実行する。 - 特許庁
To reduce an electric charge required for precharge in a NAND type flash memory capable of reading data from a negative threshold cell.例文帳に追加
本発明は、負のしきい値セルからのデータの読み出しが可能なNAND型フラッシュメモリにおいて、プリチャージに必要な電荷を削減できるようにする。 - 特許庁
The battery controller 6 discriminates the kind of battery by using correlation data of cell voltages and charging level which are previously stored in a memory 7, and the kind of battery.例文帳に追加
バッテリコントローラ6は、メモリ7に予め記憶されたセル電圧および充電レベルとバッテリの種類の相関データを用いて、バッテリの種類を識別する。 - 特許庁
Threshold voltage Vt of all memory cell transistors is boosted to the highest voltage V1H in a voltage range corresponding to a data write-in state (b).例文帳に追加
全てのメモリセルトランジスタのスレショルド電圧Vtを,データ書き込み状態に対応する電圧範囲のなかで最も高い電圧V1_Hまで上昇させる(b)。 - 特許庁
A read gate RG of a selected memory cell array drives the voltage of read data buses RDB and /RDB depending on the voltage of the bit lines BL and /BL.例文帳に追加
選択されたメモリセル列において、リードゲートRGは、ビット線BLおよび/BLの電圧に応じて、読出データバスRDBおよび/RDBの電圧を駆動する。 - 特許庁
A shift cell detecting circuit 6 is provided between a circuit 3 for latching a write data and a latch control circuit 4 of an NAND type flash memory.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリにおいて、書き込みデータを保持するラッチ回路3と、ラッチ制御回路4との間にシフトセル検出回路6を設ける。 - 特許庁
To provide an EEPROM for determining if writing data (charge) into a transistor for storage of a memory cell is normal or abnormal by detecting a threshold.例文帳に追加
メモリセルの記憶用トランジスタへのデータ(電荷)の書き込みが正常か、否かを、しきい値の検出によって判別可能なEEPROMを提供する。 - 特許庁
The image memory 44 has a function to specify the address of a memory cell being one storage place per one pixel of a color monitor 7 and read and write data.例文帳に追加
画像メモリ44は、前記カラーモニタ7の1画素につき1つの格納場所であるメモリセルの番地を指定し、データを読み書きする機能を持つ。 - 特許庁
To provide a cell analyzer capable of finding the desired number of cells by once data acquisition and allowing highly precise analysis in a short time.例文帳に追加
1回のデータ取得で所望の細胞数を求めることができ、短時間で高精度に分析する細胞分析装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To increase operation speed of reading out data and to reduce a manufacturing cost by decreasing the number of wirings, in a MRAM device having a MTJ memory cell.例文帳に追加
MTJメモリセルを有するMRAMデバイスにおいて、データ読出動作の高速化および、配線層数の減少による製造コスト低減を図る。 - 特許庁
The printer C receives the inspection report data transmitted from the information center device 6 via the cell-phone A and outputs printing of the inspection report D.例文帳に追加
プリンタCは、携帯電話Aを介して情報センタ装置6から送信された点検報告書データを受信し、点検報告書Dを印字出力する。 - 特許庁
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