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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > cell dataに関連した英語例文

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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3557



例文

A control circuit 13 erases en bloc data of a non-volatile memory cell selected by a page address signal, successively, performs control that data of one page loaded in the page buffer 2 is written in bloc.例文帳に追加

制御回路13は書き換えモードにおいて、ページアドレス信号により選択された不揮発性メモリセルについて、一括してデータ消去し、引き続きページバッファ2にロードされた1ページ分のデータを一括してデータ書き込みする制御を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of smoothly performing write/read operation of data complying with an instruction from a CPU while using a one-port memory cell and read operation of the data for displaying an image to a display panel.例文帳に追加

1ポートメモリセルを使用しながら、CPUからの命令に従うデータの書込み/読出し動作と、表示パネルに画像を表示するためのデータの読出し動作とをスムーズに行うことができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To define setup time and hold time of input data in relation to the input clock and I/O path delay time of output data in relation to the input clock when the clock of a built-in PLL is used in a macro cell.例文帳に追加

マクロセルにおいて内蔵PLLのクロックを使用するとき、入力クロックに対する入力データのセットアップ時間及びホールド時間、並びに入力クロックに対する出力データのI/Oパス遅延時間を定義できるようにする。 - 特許庁

In a read test mode, the precharge circuit 20 supplies a power supply voltage VDD to one of node pairs ND11 and ND12, which holds at least low-level data, between writing and reading the data to and from the memory cell 10.例文帳に追加

リードテストモード時、プリチャージ回路20は、メモリセル10へのデータの書き込みと読み出しの間において、ノード対ND11、ND12のうち、少なくともローレベルのデータを保持するノードに対し、電源電圧VDDを供給する。 - 特許庁

例文

Temporary master data obtained by picking up the image of a real printed wiring board are divided into pieces, a majority decision is made for cells positioned inside the same piece in the respective pieces, cell kinds turned to the majority are gathered and reference piece data are prepared.例文帳に追加

プリント配線板の実物を撮像して得た仮マスタデータをピースに分割し,各ピースにおける同一のピース内位置のセルについて多数決をとり,多数派となったセル種を集成して基準ピースデータを作成する。 - 特許庁


例文

The semiconductor integrated circuit includes a plurality of input/output terminals for transmitting input/output data and a plurality of memory cell array areas to which bits of different in number among the input/output data are assigned, and addresses different from one another are assigned.例文帳に追加

入出力データを伝達する複数の入出力端子と、入出力データのうち互いに異なる番号のビットが割り当てられ、互いに異なるアドレスが割り当てられた複数のメモリセルアレイ領域とを備えている。 - 特許庁

Therefore, even if difference of current values in an erasion state and a write-in state in individual memory cells is small, difference of current values flowing in a node 104 of a second memory cell part 101 can be made large by data 0 and data 1.例文帳に追加

このため、個々のメモリセルでの消去状態と書き込み状態での電流値の差が小さくても、データ0とデータ1とでメモリブロックの第2のメモリセル部101のノード104に流れる電流値の差を大きくすることができる。 - 特許庁

When a negative pulse voltage is used for the discharge of each discharge channel, the exposed electrode is made to discharge when a data potential to be applied to the signal electrode of a display cell is positive, while the coated electrode is made to discharge when the data potential is negative.例文帳に追加

各放電チャンネルの放電に負のパルス電圧を用いた場合、表示セルの信号電極に印加されるデータ電位が正の時には露出電極による放電とし、負の時には被覆電極による放電とする。 - 特許庁

The second buffer is composed of a nonvolatile memory that retain recorded data within a memory cell even when power is turned off, since segmental data to be stored in the disk is stored, it is provided to the disk at once.例文帳に追加

第2のバッファは、電源が遮断されてもメモリセルに記録されたデータが消滅されない不揮発性メモリ装置から構成され、ディスクに貯蔵される断片のデータを貯蔵して置いたからこれを一度にディスクに提供する。 - 特許庁

例文

The magnetic memory cell has a magnetic substance memory layer for storing data by the magnetization state, and a spin control layer for supplying spin electrons to the magnetic substance memory layer by the same control principle regardless of the data being written, based on the writing current.例文帳に追加

磁気メモリセルは、磁化状態によりデータを記憶する磁性体記憶層と、書き込み電流に基づいて書き込むデータに依らず同一の制御原理で磁性体記憶層にスピン電子を供給するスピン制御層とを備える。 - 特許庁

例文

The system 11 periodically analyzes the utilization detail data in the utilization detail data management DB 9, classifies each customer by using the table 15 for customer classification and attaches a cell ID to each customer in accordance with the classification results.例文帳に追加

サプライヤ支援システム11は、定期的に、利用明細データ管理DB9内の利用明細データを解析し、顧客分類用テーブル15を用いて各顧客を分類し、その分類の結果に応じて各顧客にセルIDを付与する。 - 特許庁

And data read out with a word line potential being that at the time of program verifying are compared with data read out with a refresh verifying potential, write-in is performed by a write-in circuit 16 for a memory cell in accordance with this compared result.例文帳に追加

そして、プログラムベリファイ時と同じワード線電位にて読み出されたデータと、リフレッシュベリファイ電位にて読み出されたデータとを比較し、この比較結果に応じてメモリセルに対して書き込み回路16により書き込みを行う。 - 特許庁

In data writing, data write currents ±Iw to be supplied to a bit line pair BLP are supplied as reciprocating currents flowing in different directions in bit lines BL and /BL, respectively in a selected memory cell column.例文帳に追加

データ書込時において、ビット線対BLPに供給されるデータ書込電流±Iwは、選択されたメモリセル列において、ビット線BLおよび/BLをそれぞれ異なる方向に流れる往復電流として供給される。 - 特許庁

The device comprises an electroluminescence display panel in which each pixel is connected to at least one scan electrode line, including a pixel cell formed at each crossing of a plurality of data electrode lines and a plurality of scan electrode lines, and a multiplexer for selectively providing data signals to at least two data electrode lines of the plurality of data electrode lines.例文帳に追加

複数のデータ電極ラインと複数のスキャン電極ラインの交差部毎に形成された画素セルを含めて、各画素が少なくとも一つのスキャン電極ラインに接続されるエレクトロルミネセンス表示パネルと、前記複数のデータ電極ラインの中の少なくとも二つのデータ電極ラインに選択的にデータ信号を供給するためのマルチプレクサとを具備する。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a data access path for a memory cell, a signal driving circuit driving a signal line on the data access path, a dummy path simulating the data access path, and a dummy driving circuit simulating the driving circuit, load of the dummy path is less than that of the data access path, driving capability of the dummy driving circuit is less than that of the signal driving circuit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルに対するデータアクセス経路と、データアクセス系路上の信号線を駆動する信号駆動回路と、データアクセス経路を模擬するダミー経路と、駆動回路を模擬するダミー駆動回路を含み、ダミー経路はデータアクセス経路より負荷が小さく、ダミー駆動回路は信号駆動回路より駆動能力が小さい - 特許庁

The transmission rate control method includes: a step where the mobile station receives an acknowledgement signal with respect to the uplink user data from a serving cell; and a step where the mobile station increases the transmission rate of the uplink user data to be transmitted at a prescribed point of time on the basis of a transmission data block size of the uplink user data the acknowledgement signal of which the mobile station receives.例文帳に追加

かかる伝送速度制御方法は、移動局が、サービングセルから上りユーザデータに対する肯定的な送達確認信号を受信する工程と、移動局が、肯定的な送達確認信号を受信した上りユーザデータの送信データブロックサイズに基づいて、所定の時点に送信する上りユーザデータの伝送速度を増加させる工程とを有する。 - 特許庁

Charges of an 'H' level are prevented from being supplied to the bit lines 2 and 3 at the retention test time, and a memory cell connected defectively is prevented from temporarily holding data of the 'H' level.例文帳に追加

それによって、リテンションテスト時に、ビット線2,3に「H」レベルの電荷が供給されないようにし、接続不良のメモリセルが一時的に「H」レベルのデータを保持するのを防ぐ。 - 特許庁

To solve a problem wherein cross talk is generated to a discharge cell positioned obliquely next in a data electrode extension direction, in a plasma display panel with auxiliary barrier ribs formed perpendicularly to main barrier ribs.例文帳に追加

主隔壁に補助隔壁を直交して設けたプラズマディスプレイパネルにおいて、データ電極延伸方向の斜め隣に位置する放電セルに対して、クロストークが発生する。 - 特許庁

Pieces of information regarding a circuit block and a signal input/output cell are extracted from the circuit data S1 and displayed on a display part which is not illustrated in a circuit information extracting part 203.例文帳に追加

回路情報抽出部203において、回路ブロックや信号入出力セルの情報が回路データS1から抽出されて、図示しない表示部に表示される。 - 特許庁

Test specification data 110 in which expected value information are written on a Web screen JSP 1 shows that expected value information is written in a cell in a region 1400.例文帳に追加

Web画面JSP1の期待値情報書き込み後のテスト仕様書データ110において、領域1400内のセルに期待値情報が書き込まれていることがわかる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which difference of write characteristics by write data at write is reduced and rewriting stress for a memory cell can be uniformalized.例文帳に追加

書込みを実施する際に書込みデータによる書込み特性差を低減し、メモリセルへの書き換えストレスを均一化できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

At this time, in the two-dimensional picture image memory 321, a reception intensity signal Sb is stored as a two-dimensional picture image data in a memory cell designated by the XY coordinate values.例文帳に追加

このとき、二次元画像メモリ321には、前記XY座標値で指定されるメモリセルに受信強度信号Sbが二次元画像データとして記憶される。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic memory device having a configuration capable of stably and efficiently supplying a data writing current without causing an increase in memory cell size.例文帳に追加

メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a drive circuit for a non-volatile ferroclectric memory in which destruction of cell data caused by variation of system voltage is prevented and a drive method for the memory device.例文帳に追加

システム電圧変動によるセルデータの破壊を防止する不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路並びにそのメモリ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the write time by applying an ideal voltage suited to write data to the channel of a memory cell to be written.例文帳に追加

セルフブーストまたはローカルセルフブーストを採用しながらも、書き込みデータに対応した理想的な電圧を書き込み対象のメモリセルのチャネルに印加し、書き込み時間を短縮する。 - 特許庁

Since data can be dividedly outputted, the defective cell, to which write or erasure is not sufficiently performed, can be specified by investigating the range of 1/N.例文帳に追加

データを分割して出力できるため、書き込みや消去が十分に行われなかった不良セルの特定をN分の1の範囲の調査で行うことができる。 - 特許庁

The ATM switch 1 and the PHYs 2-4 are connected side by side by using loop transmission lines 7-11 to transmit cells and control data for cell transmission reception control.例文帳に追加

ATMスイッチ1とPHY2〜4とを、ループ状の一つの伝送路7〜11で連接してセル及びセルの送受信制御のための制御データを伝送する。 - 特許庁

To provide a secondary battery device for accurately estimating a capacitance while considering an actual deterioration state of a secondary battery cell, and a data creation method used for the estimation.例文帳に追加

二次電池セルの実際の劣化状態を考慮した容量推定を精度良く行なう二次電池装置および推定に用いるデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

In the corresponding line interface in the rooter device 701, the dummy cell is intentionally combined with unnecessary data accumulated inside, and then it is discarded through CRC (Cyclic Redundancy Check).例文帳に追加

ルータ装置701内の該当する回線インタフェース部内では、内部に滞留している不要データにダミーセルが意図的に結合させられ、CRCチェックにて破棄される。 - 特許庁

Thus, it is made possible to read out a data from a memory cell 10 in the state in which the output node N2 of the flip-flop circuit is separated from the 2nd bit line BL_R.例文帳に追加

これにより、フリップフロップ回路の出力節点N2が第2ビット線BL_Rから分離された状態でメモリセル10からデータを読み出せるようにする。 - 特許庁

In the main arithmetic circuit (20), a memory cell mat (30) is divided into entries each storing a plurality of bits of data, and arithmetic and logic units (ALUs) are arranged corresponding to the respective entries.例文帳に追加

主演算回路(20)においてはメモリセルマット(30)が、それぞれが複数ビットのデータを格納するエントリに分割され、各エントリに対応して演算器(ALU)が配置される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device from which data can be stably read out even for a memory cell of a normal bit line adjoining a dummy bit line.例文帳に追加

ダミービット線に隣接するノーマルビット線のメモリセルに対しても、安定的にデータを読み出すことが可能な不揮発性半導体メモリ装置を提供することにある。 - 特許庁

The position of the media cell 90 is selected using a first media switching part 30 by a selecting part 40, thereby performing data communication with the contactless media 95 placed there.例文帳に追加

選択部40により、第1メディア切替え部30を用いてメディアセル90の位置が選択され、そこに置かれたコンタクトレスメディア95とデータの交信が行われる。 - 特許庁

Memory cell arrays 152, 172 store a plurality of pixel data of each pixel block of first and second rows being a searching range in the arrangement of the memory cells corresponding to each word line.例文帳に追加

メモリセルアレイ152,172には、各ワード線に対応したメモリセルの並びに、夫々探索範囲の第1、第2の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納する。 - 特許庁

In the data readout, the two cell units CU0, CU1 are connected in parallel between the bit line BL and ground voltage Vss for transmitting a readout reference voltage Vref.例文帳に追加

データ読出時において、2個のセルユニットCU0,CU1が、読出参照電圧Vrefを伝達するためのビット線BLと接地電圧Vssとの間に並列に接続される。 - 特許庁

Refreshing is performed periodically for a high speed nonvolatile memory cell having spontaneous data preserving capability at the time of non-use of a device by a refresh-control means.例文帳に追加

リフレッシュ制御手段によって、自発的データ保存能力のある高速不揮発性メモリセルに対して、機器不使用時(又はメモリ待機時)に定期的にリフレッシュを施す。 - 特許庁

In any segmenting symbol or data area, no marking is formed in a white cell CEW and the surface of the object to be worked is exposed in the original state.例文帳に追加

切出しシンボルおよびデータ領域のいづれにおいても、白セルCEW内は、何のマーキングも形成されず、被加工物の表面が元のまゝの状態で露出している。 - 特許庁

The detection signal is applied to row and column address buffers 100 and 300 to generate initial row and column addresses for specifying a memory cell for storing bootup data.例文帳に追加

検出信号はブートアップデータを貯えるメモリセルを指定するための初期ロー及びカラムアドレスを発生するようにロー及びカラムアドレスバッファ100,300に印加される。 - 特許庁

The leakage controlling circuit 14 prevents charge transfer between the charge storing circuit 18 and the bit line BL before data is read from the memory cell MC.例文帳に追加

リーク抑制回路14により、メモリセルMCからのデータの読み出し前に、電荷蓄積回路18とビット線BLとの間で電荷が転送されることを防止できる。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell outputting a data signal to a bit line (BL or ZBL) by activating a word line (WL) while specifying a row address (ZRAS).例文帳に追加

行アドレス(ZRAS)の指定に伴ってワード線(WL)が活性化されることにより、ビット線(BLまたはZBL)に対してデータ信号を出力するメモリセルを設ける。 - 特許庁

A wireless base station apparatus 15 is connected wirelessly with a wireless terminal 16 in a cell configured thereby, and relays a data communication by means of the wireless terminal by a bearer over the wireless.例文帳に追加

無線基地局装置15は、各々の構成するセル内の無線端末16と無線で接続し、無線上のベアラで無線端末によるデータ通信を中継する。 - 特許庁

The local sense amplifier is a single-ended sense amplifier including a single MOS transistor which detects a potential of the local bit line which varies when data of the memory cell is read and written.例文帳に追加

ローカルセンスアンプは、メモリセルのデータの読出・書込時に変動するローカルビット線の電位を検出する単一のMOSトランジスタを含むシングルエンド型センスアンプである。 - 特許庁

To control so that data stored in a page buffer circuit and needless for writing is not written in a memory cell without complicating the writing control by a WSM circuit.例文帳に追加

WSM回路による書き込み制御を複雑にすることなく、ページバッファ回路に格納された書き込み不要なデータがメモリセルに書き込まれないように制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a capacitorless dynamic memory cell is included and it is not necessary to apply negative voltage to a bit line during data writing, and an operation method therefor.例文帳に追加

データ書き込み時にビットラインにネガティブ電圧を印加する必要のないキャパシタなしの動的メモリセルを具備した半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

A protective circuit 200 for protecting data in the nonselected memory cell is provided halfway on a nonselected bit voltage feeding line 110 and a nonselected word voltage feeding line 130.例文帳に追加

非選択メモリセルのデータを保護するための保護回路250を、非選択ビット電圧供給線110と非選択ワード電圧供給線130との途中に設けた。 - 特許庁

When data indicating a high logic level is written in a memory cell, electric charges stored consequently are fewer than stored electric charges under normal operation of a dynamic memory.例文帳に追加

高論理レベルを表わすデータがメモリセル内に書込まれる場合には、その結果格納される電荷はダイナミックメモリの通常動作の下における格納電荷よりも小さい。 - 特許庁

To increase a degree of freedom in a data setting of a reference element while suppressing increase of an occupied area of a cell array, and to suppress the occurrence of read disturbance in the reference element.例文帳に追加

セルアレイの占有面積の増大を抑制しつつ、参照素子のデータ設定の自由度を高め、かつ参照素子における読み出しディスターブの発生を抑制する。 - 特許庁

In order to write data in the memory cell connected to the word line WL3, 20V is applied to the word line WL3, and 0V is applied to the word lines WL1, 5 of two adjacent word lines.例文帳に追加

ワード線WL3に接続されたメモリセルにデータを書込むために、ワード線WL3に20V、二つ隣のワード線であるワード線WL1,5に0Vが印加される。 - 特許庁

When acquiring image data for the two-dimensional code 5, the cell phone 7 recognizes the order information and the URL, and it is connected to the electronic money server 2 to transmit the order information.例文帳に追加

携帯電話7は、2次元コード5の画像データを取得すると注文情報とURLを認識して電子マネーサーバ2に接続し、注文情報を送信する。 - 特許庁

例文

Data is written according to a source side injection method using charged charge of capacitance elements (Cda, Cdb) connected to nodes (DLa, DLc) at a drain side of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのドレイン側ノード(DLa,DLc)に接続される容量素子(Cda,Cdb)の充電電荷を用いてソースサイドインジェクション方式に従ってデータの書込を行なう。 - 特許庁




  
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