「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

An MTJ memory cell is independently provided with a write word line WWL and a read word line RWL to be used for writing and reading data, respectively.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルに対しては、データ書込およびデータ読出にそれぞれ用いられるライトワード線ＷＷＬおよびリードワード線ＲＷＬが独立して設けられる。 - 特許庁

Before recording information on the nonvolatile magnetic thin film memory device, test information is written on the memory cell, and after checking the test information recorded, regular data is recorded.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置への情報の記録を行なう前に、メモリセルに情報の試し書きを行ない、試し書きの記録を確認した後、正規のデータを記録する。 - 特許庁

To provide a power source switch circuit, a nonvolatile storage device, an integrated circuit device, and an electronic apparatus for preventing data in a memory cell from being rewritten unintentionally.例文帳に追加

メモリーセルのデータが意図せずに書き換えられることを防止できる電源切換回路、不揮発性記憶装置、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。 - 特許庁

A memory cell driving circuit repeats a data verify write operation in units of memory cells corresponding to N bits until all the cells pass verification.例文帳に追加

メモリセルの駆動回路は、Ｎビットに対応するメモリセルを一つの書き込みセル単位としてデータのベリファイ書き込み動作のサイクルを、全セルが検証パスとなるまで繰り返す。 - 特許庁

In this device, common lines of this column direction are separated for each cell column so that the number of bits of data unit exchanged between memory devices can be set arbitrarily.例文帳に追加

本発明では、この列方向の共通線が、メモリ装置間でやり取りするデータ単位のビット数を任意に設定できるようにセル列ごとに分離されている。 - 特許庁

The stored value is compared with the value stored in the memory cell of the memory circuit 9 in the data comparison circuit 12 and when comparison value is different, an alarm signal is output.例文帳に追加

この記憶した値とメモリ部９のメモリセルに記憶している値とをデータ比較回路１２で比較し、比較の値が異なるときに警報信号を出力する。 - 特許庁

The standard action pattern extraction section extracts the standard action pattern of a user of the cell phone unit based on the action data stored in the second memory.例文帳に追加

標準的行動パターン抽出部は、第２のメモリに蓄積された行動データに基づいて、携帯電話装置のユーザの標準的行動パターンを抽出する。 - 特許庁

To reduce memory access latency by using address data corresponding to a main memory and loaded into the same cell as that of a request issuing source processor as a target to be preferentially swapped.例文帳に追加

リクエスト発行元のプロセッサと同じセルに搭載された主メモリに対応するアドレスデータを優先的のスワップ対象とするようにしてメモリアクセスレイテンシを小さくする。 - 特許庁

To increase speed for writing and reading data when the wiring capacitance of a subbit line is large and the capacitance of a memory cell connected to the subbit line is large.例文帳に追加

サブビットラインの配線容量が大きいときやサブビットラインに接続されているメモリセルの静電容量が大きいときのデータ書き込み速度や読み出し速度を向上すること。 - 特許庁

An electronic control unit 6 controls pressure and a flow rate of a reaction gas supplied to a fuel cell based on the data transmitted from the voltage monitor 4.例文帳に追加

一方、電子制御ユニット６は、電圧モニタ４から送信されたデータに基づいて、燃料電池に送られる反応ガスの圧力および流量を制御する。 - 特許庁

To provide a word line bootstrap circuit for realizing a high speed flash memory and a memory cell having excellent data holding capability.例文帳に追加

本発明は、高速のフラッシュメモリとデータ保存能力に優れたメモリセルを実現するためのワードラインブートストラップ回路を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which can perform the defective bit sensing of a memory cell which can store multi-value data in a chip, and its automatic test method.例文帳に追加

多値データを記憶可能なメモリセルの不良ビット検出をチップ内部で行うことが可能な不揮発性半導体記憶装置及びその自動テスト方法を提供する。 - 特許庁

The write-in part 5 writes again data of the memory cell provided with the floating gate in which the second sense amplifier 4 determines that the second threshold is larger than the voltage of the floating gate.例文帳に追加

書き込み部５は、第２のセンスアンプ４が、第２の閾値がフローティングゲートの電圧値より大きいと判定したフローティングゲートを備えるメモリセルのデータを再度書き込む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device and a control method of a nonvolatile storage device by which data can be read out from a memory cell in which a leak current exists.例文帳に追加

リーク電流が存在するメモリセルから正確にデータを読み出すことができる不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の制御方法を提供すること。 - 特許庁

To achieve a solid state image sensor capable of reading data sufficiently adaptive (small variations and linear or nonlinear) to an amount of received light from a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

受光量に十分に対応（ばらつきの少ない線形又は非線形）したデータを不揮発性メモリセルから読み出すことができる固体撮像装置を実現すること。 - 特許庁

To improve the reliability of a memory card by significantly reducing the stress of a memory cell of a nonvolatile semiconductor memory by updating of a deletion table which occurs in data writing.例文帳に追加

データ書き込みの際に発生する消去テーブルの更新による不揮発性半導体メモリのメモリセルへのストレスを大幅に低減し、メモリカードの信頼性を向上させる。 - 特許庁

In normal refresh-operation, as the refresh-address counter 17 increases successively the internal row address signal based on a trigger signal, data of all memory cell are refreshed.例文帳に追加

通常のリフレッシュ動作では、リフレッシュアドレスカウンタ１７は、トリガ信号に基づいて、内部ロウアドレス信号を、順次、インクリメントするため、全てのメモリセルのデータがリフレッシュされる。 - 特許庁

To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data.例文帳に追加

通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

To enable easy and precise read-out of data by setting specific qualification, when writing is carried out to a selected storage cell.例文帳に追加

選択された記憶セルに対する書き込みを行う際に特定の条件を設定することにより、データの読み出しを容易にかつ精確に行うことができるようにする。 - 特許庁

The processor includes a data processing element (10) formed on a semiconductor chip, on which an MRAM cell is formed to constitute one or all memories on the chip.例文帳に追加

処理装置は、半導体チップ上に作成されたデータ処理素子（１０）を含み、チップ上にＭＲＡＭセルを作成してチップ上の１つないし全てのメモリを形成する。 - 特許庁

The possibility of generating the dispersion of the result is moderated because the number of cells is reduced as a result thereof, and because the numeral data included in the each cell is very small.例文帳に追加

その結果、セルの数が削減されるとともに、それぞれのセルに含まれる数値データが微少であるために結果の分散が生じる可能性を緩和することができる。 - 特許庁

A plurality of base stations transmitting information containing data parts and pilot parts, at least one of which is allocated to each cell and which have mutually different frequency reusing coefficients, are installed.例文帳に追加

各セルに少なくとも１つ割り当てられ、互いに周波数再利用係数が異なるデータパートとパイロットパートを含む情報を送信する複数の基地局を設ける。 - 特許庁

To test an exchange by using data different for every line or for every test cell in the exchange to perform exchange processing between plural lines.例文帳に追加

複数回線の間で交換処理を行う交換機において、回線毎あるいは試験セル毎に異なったデータを用いて交換機の試験を行うことを可能とする。 - 特許庁

If no error is detected, on the other hand, the page data read out is copied as it is to the copy destination Pb of the memory cell array without transfer to the controller 12.例文帳に追加

これに対し、誤りが検出されない場合には、コントローラ１２に転送することなく、その読み出したページデータをメモリセルアレイのコピー先Ｐｂにそのままコピーする。 - 特許庁

To provide a boosted voltage control circuit in which wasteful current consumption can be prevented and the rewriting time of data for a memory cell can be shortened.例文帳に追加

無駄な消費電流をなくすことができるとともに、メモリセルに対するデータの書き換え時間を短縮することができる昇圧電圧制御回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which makes its data reliability improve, by reducing the stress on the memory cell gates due to a high voltage applied to the word lines at writing.例文帳に追加

書き込み動作時にワードラインへの高電圧印加によるメモリセルのゲートにかかるストレスを低減させ、データの信頼性を向上させる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit writing or reading data at high speed to/from a memory cell even in low voltage driving, without increasing the scale of a circuit.例文帳に追加

本発明は、回路規模を大きくすることなく、低電圧駆動してもメモリセルにデータを高速で書き込み又は読み出しすることができる半導体回路を提供する。 - 特許庁

A direct restoration control unit 162 controls to directly write back the data in a segment unit from the line buffer 121 to the memory cell array 111 based on a direct restoration command.例文帳に追加

直接リストア制御部１６２は、直接リストアコマンドに基づき、ラインバッファ１２１からメモリセルアレイ１１１に直接にセグメント単位のデータを書き戻す制御を行う。 - 特許庁

When the control signal is input, an input/output buffer 30 stops outputting data to the terminal DQ from a memory cell 10 or outputs specific logic.例文帳に追加

入出力バッファ３０はこの制御信号が入力されると、メモリセル１０から端子ＤＱへのデータの出力を停止、又は特定の論理を出力する。 - 特許庁

The data to be written stored in the buffer register from the outside is encoded and overwritten to the buffer register, together with the check bit and is subsequently transferred and written to the memory cell array.例文帳に追加

バッファレジスタに外部から格納された書き込みデータは、エンコードされてバッファレジスタにチェックビットと共に上書きされた後、メモリセルアレイに転送書き込みされる。 - 特許庁

The control circuit 20 discriminates whether the desired data is written in the memory cell 10 or not.例文帳に追加

制御回路２０は、書き込み制御の最中に、検出回路４０からの情報ＳＶに基づいて、所望のデータがメモリセル１０に書き込まれたかどうかの判定を行う。 - 特許庁

A trimming value is calculated inside the chip and stored in a nonvolatile memory, trimming data are taken out as necessary, and the Vt level of a reference cell and the frequency of an oscillator are adjusted.例文帳に追加

チップ内部でトリミング値を算出して不揮発性メモリに記憶し、必要に応じてトリミングデータを取り出して、リファレンスセルのＶｔレベルやオシレータの周波数を調整する。 - 特許庁

Two dummy cells D1, D3 one of which is set to an erase-state and the other is set to a program state to read the stored data of a memory cell M4 are provided.例文帳に追加

メモリセルＭ４の記憶データをリードするために、一方はイレーズ状態に、他方はプログラム状態にそれぞれ設定された２個のダミーセルＤ１，Ｄ３を設ける。 - 特許庁

A logie element and interconnection which are programmed depending on a state in which data is stored in a memory cell and which can be formed by a user are incorporated in a same and/or different tile.例文帳に追加

メモリセルの記憶された状態によりプログラムされる、ユーザが形態化可能なロジックエレメント及びインターコネクションは、同一及び／又は異なるタイル中に組み込まれる。 - 特許庁

Thereby, a spare column selection line SCSL and a normal column selection line CSL can be selected simultaneously, an inverse data pattern can be written in an adjacent memory cell.例文帳に追加

これにより、スペアコラム選択線ＳＣＳＬと同時に正規のコラム選択線ＣＳＬを選択することができ、隣接するメモリセルに逆データパターンを書込むことが可能となる。 - 特許庁

To prevent data in a unit sharing a cell in a semiconductor memory device where writing has been completed in the past from being destroyed by a sudden power disconnection or a write error.例文帳に追加

半導体記憶装置において、突然の電源断、書き込みエラーで過去に書き込みを完了していたセル共有部分のデータが破壊されないようにすること。 - 特許庁

To dispense with saving and resetting of register data at system waiting and recovery of a semiconductor integrated circuit with an input/output pad cell part and an internal logic part separated on a power supply basis.例文帳に追加

入出力パッドセル部と内部ロジック部が電源分離された半導体集積回路のシステム待機、復旧時のレジスタデータの退避と再設定を不要にする。 - 特許庁

To provide a data analysis support system capable of extracting a member assigned to a specific cell without any trouble in an analysis table consisting of a plurality of cells.例文帳に追加

複数のセルで構成された分析表において、特定のセルに割り当てられている会員を手間なく抽出することができるデータ分析支援システムを提供する。 - 特許庁

Most of a large number of memory cells provided in a memory cell array 11 form an ordinary data storage area 12 and a part of these memory cells forms a lock bit 13, on the other hand.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１に含まれる多数のメモリセルの内の大部分が通常データ記憶領域１２を形成する一方、一部がロックビット１３を形成する。 - 特許庁

As a different word line is selected for each write of defective address data, voltage for write is applied to a memory cell connected to the same word line only one time.例文帳に追加

不良アドレスデータの書き込みの度に、異なるワード線を選択するので、同じワード線につながるメモリセルには一度しか書き込み用の電圧は印加されない。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance storage device which comprises a structure capable of supplying a data write current stably and effectively without causing an increase in size of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device which enables the electric characteristics of a logic circuit part to be enhanced while favorably keeping the data-hold characteristics of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ保持特性を良好に維持しつつ、ロジック回路部の電気的特性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance memory element having a multiple-resistive state, a resistance memory cell and method of operating thereof, and a data processing system which applies the resistance memory element.例文帳に追加

多数抵抗状態を有する抵抗メモリ要素、抵抗メモリセル及びその動作方法、そして前記抵抗メモリ要素を適用したデータ処理システムを提供する。 - 特許庁

When the data are written into a memory cell MM00, a voltage of 8V level is applied to a memory gate line MG0, a voltage of 5V level is applied to a source line SL0, a voltage of 1.5V level is applied to a selection gate line CG0 respectively.例文帳に追加

メモリセルＭＭ００にデータを書き込む際、メモリゲート線ＭＧ０に８Ｖ程度、ソース線ＳＬ０に５Ｖ程度、選択ゲート線ＣＧ０に１．５Ｖ程度を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reading out data correctly even if variation in a characteristic of a memory cell is caused by an alignment error etc. of the pattern at the time of manufacture.例文帳に追加

製造時のパターンの合わせずれ等により、メモリセルの特性にばらつきが生じても、正しくデータを読み出すことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁