「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

The selected screen is displayed by the CELL in a PCG under reproduction and when the 'select' is selected by the user, a CPU 6 stores the top address of the CELL and the 'select' which is the selection content as the selection history data corresponding to the PCG into a memory 7.例文帳に追加

再生中のＰＣＧ内のＣＥＬＬによって選択画面が表示され、ｓｅｌｅｃｔがユーザによって選択されると、ＣＰＵ６は、ＣＥＬＬの先頭アドレスと選択内容であるｓｅｌｅｃｔを、そのＰＣＧに対応する選択履歴データとしてメモリ７に格納する。 - 特許庁

To provide a base station controller and a cell processing method that prevent flowing of unnecessary cells to an ATM SW by aborting cells at a pre-stage of the ATM SW when the SSSAR/SSTED(Service Specific Segmentation and Reassembly Sublayer/Service Specific Transmission Error Detection) cannot be assembled due to missing cell or wrongly processed data among nodes, etc.例文帳に追加

ノード間でのセル抜け、データ化け等でＳＳＳＡＲ／ＳＳＴＥＤの組立てができない場合、ＡＴＭＳＷの前段でセル廃棄を行うことにより、ＡＴＭＳＷへの不要なセルの流入を防止した基地局制御装置及びセル処理方法を提供する。 - 特許庁

By referring to the data showing correspondence relation between the temperatures of the fuel cell stack 12 and the target concentration of the methanol water solution S in the memory 78, the target concentration of the methanol water solution S is determined based on the temperatures of the fuel cell stack 12 detected by the temperature sensor 68.例文帳に追加

メモリ７８内の燃料電池セルスタック１２の温度とメタノール水溶液Ｓの目標濃度との対応関係を示すデータを参照して、温度センサ６８によって検出された燃料電池セルスタック１２の温度に基づいてメタノール水溶液Ｓの目標濃度を決定する。 - 特許庁

Lithography data having the identification display of the cell in which the unit lithography area is included, the size of the unit lithography area, the arrangement position of the cell in a coordinate system, the size of a pattern included in the unit lithography area, and the arrangement position of the unit lithography area in the coordinate system are created.例文帳に追加

単位描画領域が含まれるセルの識別表示と単位描画領域の大きさとセルの座標系に対する配置位置と単位描画領域に含まれるパターンの大きさと単位描画領域の座標系に対する配置位置を有する描画データを作成する。 - 特許庁

The spread sheet registration part does not associate, to reference information of the cell constituting the spread sheet, company information necessary for specification of the financial processing data to which the cell has to refer, associates the company information designated by a user to the spread sheet, and registers it into the storage area.例文帳に追加

前記表計算シート登録部は、前記表計算シートを構成するセルの参照情報に当該セルが参照すべき財務処理データの特定に必要な会社情報を関連づけず、且つ、前記表計算シートにユーザが指定する会社情報を関連づけて記憶領域に登録する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。 - 特許庁

In a 3Tr.NAND having a cell unit consisting of one memory cell and two select-gate transistors holding it between them, when rewriting of data of a byte unit is performed, at the time of erasing, a potential of a bit line or a source line can be set in byte units, and erasing in byte units can be performed.例文帳に追加

１個のメモリセルとこれを挟み込む２個のセレクトゲートトランジスタとからなるセルユニットを有する３Ｔｒ．ＮＡＮＤにおいて、バイト単位のデータ書き換えを行う場合に、消去時に、ビット線又はソース線の電位を、バイト単位で設定できるようにし、バイト単位の消去を可能にする。 - 特許庁

Information is stored by setting the leakage-current level of the semiconductor memory cell (300) by causing breakdown (a soft or hard breakdown) by stressing the ultrathin-film dielectric (312) by using the semiconductor memory cell (300) including a data storage element (115) configured around the ultrathin-film dielectric (312).例文帳に追加

超薄膜誘電体（３１２）の周りに構成されるデータ記憶素子（１１５）を有する半導体メモリセル（３００）を使用し、超薄膜誘電体（３１２）にストレスを与えてブレークダウン（ソフトまたはハードブレークダウン）させてメモリセル（３００）のリーク電流レベルを設定することにより情報を記憶する。 - 特許庁

When any transistor for a memory cell is selected for reading data, the application state of the voltage of metal wiring adjacent to the metal wiring being connected to a sense amplifier circuit is set equally, thus requiring that a direction flowing to a selected transistor for the memory cell should be controlled.例文帳に追加

メモリセル用トランジスタのいずれを選択して、データの読み出しを行う場合においても、センスアンプ回路に接続される金属配線に隣接する金属配線の電圧の印加状態を同様とするため、選択されたメモリセル用トランジスタに流れる向きを制御する必要がある。 - 特許庁

The method includes a step of programming data in a memory cell array included in the nonvolatile data storage device using a page buffer selected from among a plurality of page buffers included in the nonvolatile data storage device, and a step of performing a setup operation for loading data using another page buffer, which is different from the page buffer selected during the programming.例文帳に追加

不揮発性データ保存装置の内部に備えられた複数個のページバッファのうち選択された一つのページバッファを通じて、不揮発性データ保存装置の内部に備えられたメモリセルアレイにデータをプログラミングするステップと、プログラミングが行われる間に、選択されたページバッファではない他のページバッファを通じてデータをローディングさせるセットアップ動作を行うステップとを含む。 - 特許庁

In the case of read-out processing of a specific word, a defective bit replacement processing circuit 104 outputs READ DATA for x bits except data on the defective cells from RAW READ DATA for x+y bits of the specific word in the memory cell array 102 based on FAIL DATA which is position information of the defective cells of the specific word in the position information storage part 103.例文帳に追加

指定ワードの読み出し処理の場合、不良ビット代替回路１０４は、位置情報記憶部１０３内の指定ワードの不良セルの位置情報であるＦＡＩＬ ＤＡＴＡに基づいて、メモリセルアレイ１０２内の指定ワードのｘ＋ｙビット分のＲＡＷ ＲＥＡＤ ＤＡＴＡから不良セルのデータを除いたｘビット分のＲＥＡＤ ＤＡＴＡを出力する。 - 特許庁

Each of the memory blocks 11 are provided with: a common data bus line pair DB and /DB connected through a switch transistor 16; a read-and-write amplifier 14 which reads and writes data to each of the memory blocks 11 through the common data bus line pair; and an SRAM cell 19 electrically connected to each common data bus line pair through the switch transistor.例文帳に追加

各メモリブロック１１にはスイッチトランジスタ１６を介して接続される共通データバス線対ＤＢ，／ＤＢと、各メモリブロック１１に対して共通データバス線対を介してデータの読み出し動作及び書き込み動作を行なうリードライトアンプ１４が設けられ、各共通データバス線対とそれぞれスイッチトランジスタを介して電気的に接続されるＳＲＡＭセル１９が設けられている。 - 特許庁

A data code specifying the type of the time series data, and a set of functions functioning on spreadsheet software, capable of specifying a constant, a function, and cell reference as a parameter, and including at least a data reading function functioning to read one predetermined time series data from a database, and returning it to the spreadsheet software as a function value are prepared beforehand.例文帳に追加

表計算ソフト上で機能し、定数、関数、及びセル参照をパラメータとして指定できるようにされた関数の組であって、データベースから所定の時系列データの一つを読み出し、それを関数値として表計算ソフトへ返すよう機能するデータ読み出し関数を少なくとも含む関数の組と、時系列データの種類を特定するデータコードを予め用意する。 - 特許庁

The pattern area rate in the peripheral region around the correction cell including the respective pattern as the objective of correction is measured based on the design data for forming the real pattern (ST1 to ST3).例文帳に追加

実パターン形成用の設計データに基づき、補正対象となる各パターンを含む補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率を測定する（ＳＴ１〜ＳＴ３）。 - 特許庁

A non-volatile storage 1 comprises a data storage section 2, a reference memory cell section 3, a state detection section 4, and a control circuit section 5 and the configurations and functions of each section are as follows.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１を、データ記憶部２と、参照メモリセル部３と、状態検出部４と、制御回路部５とを備える構成とし、各部の構成及び機能を次のようにする。 - 特許庁

On the basis of image data stored in a memory, the size of a two-dimensional code in an image is found (S110) and by acquiring the number of located cells (S120), a cell size is calculated (S130).例文帳に追加

メモリに記憶された画像データに基づき、画像中の２次元コードの大きさを求め（Ｓ１１０）、セルの配列数を取得することによって（Ｓ１２０）、セルサイズを計算する（Ｓ１３０）。 - 特許庁

These potentials satisfy the relatton of 'a&ap;b&ap; c<e', as the potential (e) is a positive polarity, electrons is injected into FG 104 from the BG 105, and data are written in a memory cell 101.例文帳に追加

これらの電位は“ａ≒ｂ≒ｃ＜ｅ”なる関係を満足し、電位ｅが正極なので、ＢＧ１０５からＦＧ１０４に電子が注入されてメモリセル１０１がデータ書込される。 - 特許庁

To provide a system including replaceable fuel cell devices capable of storing diversified pieces of data in its information storing device before being connected with the main device and in the process of operation.例文帳に追加

主装置に接続される前及び動作の過程において、情報記憶装置に多種多様なデータを格納可能な、交換式燃料電池装置を含むシステムの提供を課題とする。 - 特許庁

To achieve a ferroelectric memory cell which allows polarization data of ternary or more multiple-value to be stored to attain a ferroelectric random access memory with high density and high integration.例文帳に追加

１つの強誘電体素子中に３値以上の多値の分極データを記憶可能な強誘電体メモリセルを実現し、強誘電体メモリの高密度化、高集積化を実現する。 - 特許庁

The current density is increased whereby a magnetic field, sufficient for rotating the variable magnetizing direction in the data layer of the memory cell, is produced by a current smaller than the current which flows through the conductors.例文帳に追加

電流密度が増大するため、メモリセルのデータ層内の可変磁化方向を回転させる十分な磁界を導体内を流れる一層小さな電流により生成できる。 - 特許庁

The magnetic memory cell (10) comprises a read-write conductor which is wholly clad with a high-permeability and soft magnetic material for a soft magnetic data layer pinned on the fly.例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかい強磁性データ層用の高透磁率の軟らかい磁性材料で完全にクラッディンク゛された読出し−書込み導体を有する磁気メモリセル(10)。 - 特許庁

Successively, residual word lines out of plural word lines WLy(n) are activated, the decided prescribed data are written en bloc in a memory cell selected by the activated word line.例文帳に追加

続いて、複数のワード線ＷＬｙ（ｎ）のうちの残りのワード線を活性化し、活性化されたワード線によって選択されたメモリセルに、確定された所定データを一括に書き込む。 - 特許庁

To reduce power consumption of a static RAM by reducing variation of potentials of bit lines 21a, 21b of a true side or a complementary side in write of data in a memory cell 55.例文帳に追加

メモリーセル５５においてデータ書込み時のトゥルー側又はコンプリメント側ビット線２１ａ，２１ｂの電位の変化分を減少させ、スタティック型ＲＡＭの消費電力を低減する。 - 特許庁

The decider when detecting the control stream in the transferred stream data does not decode a picture B at the head of the scene (CELL#(n+1)) following the detected control stream.例文帳に追加

デコーダは、転送されたストリームデータ内に制御ストリームを検知した場合、検知した制御ストリームの後続シーン（ＣＥＬＬ＃（ｎ＋１））の先頭がＢピクチャであれば、このＢピクチャのデコードを行わない。 - 特許庁

During a start of a data reading from a memory cell 1, a driving voltage is supplied to pull-down transistors T20 and T21 of a flip-flop type sense amplifier 2 to discharge electric charges on bit lines BL0 and BL1.例文帳に追加

メモリセル１からのデータ読み出し開始時に、フリップフロップ型センスアンプ２のプルダウン・トランジスタＴ２０，Ｔ２１に駆動電圧を供給し、ビット線ＢＬ０，ＢＬ１上の電荷を放電する。 - 特許庁

The memory further includes a means for changing the application time of a reading voltage applied to the word line according to the position of word line WL when data are read from the memory cell.例文帳に追加

また、前記メモリセルからデータの読み出しを行う際、ワード線ＷＬに印加される読み出し電圧の印加時間をワード線ＷＬの位置に応じて変更する手段を設ける。 - 特許庁

In the liquid crystal display device in which a pixel electrode and a signal wiring are superimposed to impart a high aperture ration to the display device, data charging time of the liquid crystal pixel cell is shortened by reducing signal delay.例文帳に追加

画素電極と信号配線を重畳する高開口率の液晶表示素子において信号遅延を減らすことで液晶画素セルのデータ充電時間を短くする。 - 特許庁

The cogeneration plant 1-1 is connected with a network 4, has a fuel cell 14 that generates heat and electric power, and a measurement instruments 6, and outputs plant data that the measurement instruments 6 has measured.例文帳に追加

コジェネレーションプラント１−ｉは、ネットワーク４に接続され、熱と電力を生成する燃料電池１４と、計測装置６とを有し、計測装置６の計測したプラントデータを出力する。 - 特許庁

To provide a flash memory element that can store and delete data comprising a number of bits in a single cell and hence has high-density/high-integration memory characteristics.例文帳に追加

本発明は、単一セルに多数のビットのデータを格納及び消去できることにより、高密度／高集積メモリ特性を有するフラッシュメモリ素子を提供するためのものである。 - 特許庁

When data are read out from memory cells (MC1, DMC1), first, read-out operation (HD1-HD4) of a direction, in which polarization inversion is performed for a reference memory cell DMC1 is repeated plural times.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ１，ＤＭＣ１）からデータを読み出す際に、まず、リファレンスメモリセルＤＭＣ１に対して分極反転を伴う方向の読み出し動作（ＨＤ１〜ＨＤ４）を複数回繰り返す。 - 特許庁

In a reading operation for reading data from the memory cell, the control circuit starts non-selected word lines adjacent to a selected word line among the word lines, and thereafter starts the selected word line.例文帳に追加

制御回路は、メモリセルからデータを読み出す読み出し動作時に、ワード線のうち選択されたワード線に隣接する非選択ワード線を立ち上げた後、選択ワード線を立ち上げる。 - 特許庁

A data line 131 is connected commonly to all pixel cells 54 and 141 of a pixel cell group, consisting of pixel cells 54 and 141 that adjoin each other in two horizontal directions.例文帳に追加

データ線１３１は、２つの水平方向に隣接する画素セル５４および１４１からなる画素セル群１３３の全ての画素セル５４および１４１に共通して接続される。 - 特許庁

To unnecessitate an instruction from a remote transmitter-receiver, to be economical without any increase in a circuit scale resulting from an ATM cell formation and also to control packet data transmission quantity with little errors.例文帳に追加

遠方の送受信器からの指示が不要で且つ、ＡＴＭセル化に伴う回路規模増大のない経済的で且つ、誤差の少ないパケットデータ送出量の制御を行うこと。 - 特許庁

Finally, an evaluating inner cell 405 and an evaluating circuit 406 are connected by an evaluating wiring 408 using a new layer, not using a proper wiring 404 according to the circuit connection data.例文帳に追加

回路接続情報を基に評価用内部セル４０５と評価用回路４０６を、本来配線４０４で用いていない新たなレイヤを用いた評価用配線４０８で接続する。 - 特許庁

A data I/O block leaf cell is generated continuously by placing Y control circuit leaf cells and I/O circuit leaf cells, using a second lower placement template (step ST2).例文帳に追加

第２の下位配置テンプレートを用いて制御回路リーフセル及び入出力回路リーフセルをＹ個連続して配置してデータ入出力ブロックリーフセルを生成する（ステップＳＴ２）。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing the increse of area, and securing a period of time required for writing data in a memory cell even when bit line length is short.例文帳に追加

面積が増加することを抑制しつつ、ビット線長が短い場合であっても、メモリセルにデータを書き込むために必要な時間を確保することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The EEPROM cell gate voltage generating circuit for memory brings the n EEPROM cells into rewritable state at the time of writing a new data of the flash type EEPROM.例文帳に追加

記憶用ＥＥＰＲＯＭセルゲート電圧生成回路は、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭのデータを新しく書込み時にｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルを書き込み可能な状態にする。 - 特許庁

A first circuit 9 is operated while being synchronized with a clock signal CK0 and outputs an output signal Cell Data delayed than the clock signal CK0 by a delay time T3.例文帳に追加

第１回路９がクロック信号ＣＫ０に同期して動作し、このクロック信号ＣＫ０から遅延時間Ｔ３を遅延させた出力信号Ｃｅｌｌ Ｄａｔａを出力する。 - 特許庁

To provide a method for correcting the change of data caused by tissue except an objective tissue and cells, in the measurement of a nucleic acid (DNA, mRNA and RNA) in the tissue and the cell.例文帳に追加

組織や、細胞中の核酸（ＤＮＡ、ｍＲＮＡ、ＲＮＡ）の測定において、対象となる組織以外の組織、細胞に起因するデータの変動を補正する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method that continuously confirms normality in ATM cell data transmitted between two common carrier leased line communication devices while sandwiching a common carrier leased line network.例文帳に追加

本発明の目的（課題）は、専用線網を挟んだ２専用線通信装置間で伝送したATMセルデータを他の装置を使用せずに常に正常性を確認する方法を提供することである。 - 特許庁

If imbalance in the computable number of items occurs among the MRP calculation parts, the article item cell data grouped by each computable article item is moved and the imbalance is solved.例文帳に追加

各ＭＲＰ計算部間で計算可能品目の数に不均衡が発生した際には、計算可能品目の品目ごとにまとめられた品目セルデータを移すことで不均衡を解消する。 - 特許庁

To provide a keyboard in which a processor reads input data at a moment a key cell is pressed and at a moment it is released in order to solve various problems in traditional arts.例文帳に追加

従来の技術による諸問題を解決するため、キー・セルが押される瞬間と外される瞬間にプロセッサーが入力データを読み取るようにするキーボードを提供する。 - 特許庁

The magnetic memory cell 40 further includes layers made of stabilization materials 55 and 56 which pin magnetization directions of a pair of edge regions 57 and 58 positioned close to opposite peripheries of the data storage layer 50.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、さらに、データ記憶層５０の両側の縁に近い一対の端領域５７および５８の磁化方向をピン留めする安定化材料５５および５６の層を有する。 - 特許庁

When plural memory cells in a memory cell array 1 are successively selected and write-in of data is performed in a NOR type flash memory, plural memory cells are divided into a first group and a second group.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイ１内の複数のメモリセルを順次選択してデータの書き込みを行う際、複数のメモリセルを第１のグループと第２のグループに分ける。 - 特許庁

To provide an ATM cell transmitter capable of preventing the quality of reproduced data from being degraded in the case of transmitting/receiving time-sequentially continued audio signals or the like by an ATM communication system.例文帳に追加

時系列的に連続した音声信号などをＡＴＭ通信方式に従って送受信する際に再生データの品質低下を防止し得るＡＴＭセル送信装置を提供する。 - 特許庁