「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore it is possible to implement an active type radio tag having a long fuel cell life or a passive type radio tag capable of writing data to the memory and having a wide communication range.例文帳に追加

さらに、このような不揮発性メモリにより電池の寿命が長いアクティブ型、あるいはメモリへの書き込み可能な通信範囲が広いパッシブ型の無線タグを実現することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a potential (bit line read-out potential) of a data signal of analog quantity read out on a bit line from a memory cell can be measured accurately.例文帳に追加

メモリセルからビット線上に読み出されたアナログ量のデータ信号の電位（ビット線読み出し電位）を精度良く測定することが可能な半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

As a characteristic, the mobile set requests service by a format related to a first cell in which the mobile set is located by using data modulated on one common RACH.例文帳に追加

特徴として、移動機は、サービスを、一つの共通のランダムアクセスチャネル（RACH）上に変調されたデータを用いて、その移動機が位置する第一のセルと関連するフォーマットにてリクエストする。 - 特許庁

A memory cell array 1 is configured by arranging in matrix a plurality of memory cells storing data of two or more bits, and includes a plurality of bit lines and word lines connected to the memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、２ビット以上のデータを記憶する複数のメモリセルがマトリクス状に配置され、複数のメモリセルに接続される複数のビット線、及び複数のワード線を有している。 - 特許庁

An anti-fuse memory cell array 7 is provided with a switch which is connected between VPP and a bit line and turned on or off in accordance with writing data DIN and the writing control signal WE.例文帳に追加

さらにアンチヒューズメモリセルアレイ７にはＶＰＰとビット線間に接続され、書き込みデータＤＩＮと書き込み制御信号ＷＥとに基づき、オン・オフされるスイッチを設ける。 - 特許庁

Thus, cell voltages of battery cells 11 are not detected sequentially, but the block voltage of the block 12 can be detected in a lump so that data at each block 12 can be acquired.例文帳に追加

これにより、電池セル１１のセル電圧を一つずつ検出するのではなくブロック１２のブロック電圧を一括で検出できるので、ブロック１２単位のデータを取得することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which secures time required for reading out data in a memory cell even if an operational frequency is high and restrains an increase in a layout area.例文帳に追加

動作周波数が高い場合でもメモリセルのデータを読み出す時間を確保することができ、レイアウト面積の増大を抑えることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Position data of a cell in which a mobile subscriber is currently located are passed through an IN (intelligent network) server 2 to a Web server 4 of the Internet, edited there, and presented on a Web page 5.例文帳に追加

移動体加入者の現在位置しているセルの位置データがＩＮ（インテリジェントネットワーク）サーバ２を通ってインターネットのＷｅｂサーバ４に送られ、そこで編集されＷｅｂページ５で提示される。 - 特許庁

To provide an operation method of a data storage device including a nonvolatile memory device having a memory cell array and a memory controller having a buffer memory and controlling the nonvolatile memory device.例文帳に追加

メモリセルアレイを有する不揮発性メモリ装置と、バッファメモリを有し、前記不揮発性メモリ装置を制御するメモリ制御器とを含むデータ格納装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

When a driving force margin of the keeper circuit 1 is determined, the PMOS transistor P12 is controlled to be non-conductive by the external terminal TST1, and readout of data '1' is performed from a memory cell MC1.例文帳に追加

キーパー回路１の駆動力マージンを判定するときは、外部端子ＴＳＴ１によりＰＭＯＳトランジスタＰ１２を非導通に制御し、メモリセルＭＣ１からデータ‘１’の読み出しを行う。 - 特許庁

The data charging time of the liquid crystal picture element cell is shortened by reducing a signal delay in the liquid crystal display element of the high opening ratio of superimposing the picture element electrode and the signal wiring.例文帳に追加

画素電極と信号配線を重畳する高開口率の液晶表示素子において信号遅延を減らすことで液晶画素セルのデータ充電時間を短くする。 - 特許庁

After repeating this operation one time or a plurality of times, attenuation of polarization quantity of a ferroelectric capacitor C0 is examined by reading out data of the memory cell C0.例文帳に追加

この動作を一回乃至複数回繰り返した後に、メモリセルＭ０のデータを読み出す事により、強誘電体キャパシタＣ０の分極量の減衰を調べる事を特徴としている。 - 特許庁

To surely control conduction and non-conduction states of a semiconductor device including a memory cell storing data in a floating body, without provision of an active element serving as a trigger element.例文帳に追加

フローティングボディにデータを記憶するメモリセルを備えた半導体装置において、トリガ素子となる能動素子を設けなくともメモリセルの導通、非導通状態を確実に制御する。 - 特許庁

The pixel data of the second frame (search frame) is stored in a unit B with multiple memory cells in a memory cell array unit 20b arranged in a complement form in the direction to which the bit line BL is extending.例文帳に追加

第２のフレーム（探索フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ｂの、ビット線ＢＬが延びる方向に並ぶ複数のメモリセルからなるユニットＢに２の補数の形式で記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device for changing sensing timing during a rewrite operation in accordance with a rewrite operation mode when data are rewritten to a memory cell.例文帳に追加

メモリセルへのデータ再書き込み動作で再書き込み動作の形態に合わせて再書き込み動作時のセンス動作タイミングを変更することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A charge recovery circuit 13 is connected to a power supply VDD2 of the output buffer circuit 10 to recover and reuse charge existing in the data electrode C0 after discharging the display cell.例文帳に追加

電荷回収回路１３は、出力バッファ回路１０の電源ＶＤＤ２に接続され、表示セルの放電後のデータ電極Ｃ０に残存する電荷を回収して再利用する。 - 特許庁

The pixel data of the first frame (reference frame) is stored in a unit A with multiple memory cells in a memory cell array unit 20a arranged in a straight binary form in a direction to which a bit line BL is extending.例文帳に追加

第１のフレーム（参照フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ａの、ビット線ＢＬが延びる方向に並ぶ複数のメモリセルからなるユニットＡに、ストレートバイナリの形式で記憶する。 - 特許庁

Therefore, so to speak the disturb-test which is performed by using a magnetic field generated by the first and the second data write current can be executed in parallel to a memory cell column.例文帳に追加

したがって、第１および第２のデータ書込電流により生じる磁界を用いて行なういわゆるディスターブ試験をメモリセル列に対して並列に実行することができる。 - 特許庁

In accordance with a position of a selected unit cell that becomes a target of data read, among the plurality of unit cells M0, ..., M7, timing to operate the sense amplifier SA and the block selector decoder 13 is changed.例文帳に追加

複数のユニットセルＭ０，・・・Ｍ７のうちデータリードの対象となる選択されたユニットセルの位置に応じて、センスアンプＳＡ及びブロックセレクタデコーダ１３を動作させるタイミングを変化させる。 - 特許庁

A received data accumulation state is monitored (step S1), and a covariance matrix R_i of the i-th range cell is calculated and preserved temporarily until i is changed from 1 to L (step S2-S5).例文帳に追加

受信データ蓄積状況を監視し（ステップＳ１）、ｉが１からＬになるまで、第ｉ番目のレンジセルの共分散行列Ｒ_i を算出して一時保存する（ステップＳ２〜Ｓ５）。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of changing the direction of a current of a variable resistive element, and executing erasing (resetting) in a memory cell string unit, and its data erasing method.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流の向きを変えることができ、メモリセル列単位で消去（リセット）することができる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory cores of dividing a plurality of bit data of the same address into a plurality of memory cell blocks and storing them, a control circuit controlling it.例文帳に追加

同一アドレスの複数のビットデータを複数のメモリセルブロックに分散して記憶するためのメモリコアと、それを制御する制御回路とを有する半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage for preventing erroneous write of data to a memory cell when write recovery time due to precharging is to be reduced to increase access time.例文帳に追加

アクセスの高速化を目的としてプリチャージによるライトリカバリ時間の短縮化を図った場合のメモリセルに対するデータの誤書込を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To arbitrarily designate a range, and to attain arithmetic processing to information included in the range even at the time of targeting document data without the concept of a cell in a spreadsheet application.例文帳に追加

表計算アプリケーションにおけるセルという概念がない帳票データを対象としても、範囲を任意に指定してその範囲内に含まれる情報に対する演算処理を可能とする。 - 特許庁

To enable the reliability of tip data stored in a semiconductor storage device having a nonvolatile memory cell to be improved and to enable the reliability of initializing operation of the device to be improved.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置に格納するチップデータの信頼性を向上すると共に、装置の初期化動作の信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

First data being either of '1' or '0' is written in each memory cell of a semiconductor memory having a ferroelectric memory by first prescribed voltage, and imprint is performed (S004).例文帳に追加

強誘電体メモリを有する半導体記憶装置の各々のメモリセルに“１”または“０”のいずれかである第１のデータを第１の所定電圧で書き込み、インプリントさせる（Ｓ００４）。 - 特許庁

A discrimination voltage supplying circuit 2 generates read- voltage under control of a control circuit 1, and supplies it to a memory cell array 7 through a word line Wi decided by address data Address.例文帳に追加

判定電圧供給回路２は、制御回路１の制御のもとでリード電圧を生成し、アドレスデータＡｄｄｒｅｓｓで決まるワード線Ｗｉを通じメモリセルアレイ７に供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which erroneous write-in can be suppressed effectively suppressing increment of a write-in time of data for a memory cell.例文帳に追加

本発明は、メモリセルに対するデータ書込み時間の増大を抑えながらも、誤書込みについても効果的に抑制することができる半導体記憶回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Inspection parts 6a, 6b reads out the image data from the cell kind memories 5a, 5b respectively, performs inspection in parallel by an adjacent pixel comparison method or the like, and extracts defects.例文帳に追加

検査部６ａおよび６ｂは、それぞれセル種メモリ５ａおよび５ｂから画像データを読み出し、隣接画素比較法等によって並列的に検査を行い、欠陥を抽出する。 - 特許庁

To stably read out data by driving a substrate voltage of a transistor of a memory cell in a static semiconductor memory device to a predetermined voltage level at a fast timing, thereby satisfactorily securing a static noise margin.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置のメモリセルのトランジスタの基板電圧を、早いタイミングで所定電圧レベルに駆動し、スタティック・ノイズ・マージンを十分に確保し、安定にデータの読出を行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a TAT required from obtaining data of memory information to shipping of a ROM can be shortened while attaining high memory density per memory cell.例文帳に追加

メモリセル当りの記憶密度を高めながら、記憶情報のデータ入手からＲＯＭ出荷までのＴＡＴを短縮することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A prescribed number of datum bits of data read to an internal datum bus 12 from a memory array 2 are transmitted to an internal address bus 8 through a transmitting circuit 16 and are given to a memory cell selecting circuit 10.例文帳に追加

メモリアレイ（２）から内部データバス（１２）に読出されたデータのうち所定数のデータビットを転送回路（１６）を介して内部アドレスバス（８）に転送してメモリセル選択回路（１０）へ与える。 - 特許庁

Where parallel operation is not very effective, data is transferred in entry-serial and bit-parallel mode to a group (82) of processors provided at a lower portion of the memory cell mat (30) and the arithmetic operation is executed.例文帳に追加

並列演算性が低い場合には、このメモリセルマット（３０）下部に設けられた演算器群（８２）に対して、エントリシリアルかつビットパラレル態様でデータを転送して演算処理を実行する。 - 特許庁

The value of the pressure loss in the oxidizing gas passage in the unit cell 20 which is a measuring target is ranked based on data it belongs to which rank of from the first rank to the n-th rank.例文帳に追加

今回測定対象となった単セル２０につき、酸化ガス通路２２の圧力損失の値が第１ランクから第ｎランクのいずれに属するかに応じてランク分けを行う。 - 特許庁

To provide a spread sheet web system which can generate, correct, or delete a table frame or cell data at a request sent from a client to a web server by HTTP through the Internet.例文帳に追加

ＨＴＴＰによりインターネットを介しクライアントからウェブサーバに送信した要求に応じ、表枠またはセルデータを作成、修正または削除可能な表計算ウェブシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance memory device capable of performing high speed and stable data read-out by designing a dummy cell in consideration of the dependency of a tunnel magneto-resistive element on a bias voltage.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子のバイアス電圧依存性を考慮したダミーセルを設計し、高速かつ安定したデータ読出を実行可能な薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In frame memories 22 and 23 composing of the time compressing part 20, image data for one picture are respectively divided and stored in memory cell arrays 22A, 22B, 23A and 23B while being partially overlapped.例文帳に追加

時間的圧縮部２０を構成するフレームメモリ２２、２３には、各々１画面分の画像データが一部重複するかたちでメモリセルアレイ２２Ａ，２２Ｂ、２３Ａ，２３Ｂに分割して蓄えられる。 - 特許庁

When a transmission delay time is long or a required delay time is short, as in a section (A), the data length of the short packet is reduced, and promptly stored into the ATM cell and transmitted.例文帳に追加

伝送遅延時間が長い又は要求される遅延時間が短い場合、区間（Ａ）のようにショートパケットのデータ長を短くし、素早くＡＴＭセルに格納して伝送する。 - 特許庁

The communication terminal controls the assignment of the number of fingers, the frequency of the multi-path search and the frequency of cell search on the basis of the control data specifying the reception performance received from the base station.例文帳に追加

通信端末装置は基地局から受信した受信性能を規定する制御データに基づいて、フィンガ数の割当てと、マルチパスサーチの頻度と、セルサーチ頻度とを制御する。 - 特許庁

To read out data written in a memory cell Mij (i=1, 2...m; j=1, 2...n; m, n: integer of 1 or more) at higher speed with less power consumption of a power source.例文帳に追加

メモリセルＭ_ij（ｉ＝１、２……ｍ；ｊ＝１、２……ｎ；ｍ、ｎは１以上の整数）に書き込まれているデータを、より少ない電源の消費電力で、より高速に読み出すことができるようにする。 - 特許庁

To provide a unit cell of a nonvolatile memory device in which operation reliability is improved by improving sense margin of data during read-out operation and a nonvolatile memory device having the same.例文帳に追加

読み出し動作時、データのセンスマージンを改善させて動作信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ素子の単位セル及びこれを備えた不揮発性メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the penetrative stamping plate comprises the step of transferring an electrostatic image of desired stamp impression data on the main surface of an open cell porous material having a higher malting point than a fixing temperature by using a developer containing a binder resin.例文帳に追加

所望の印影データを、定着温度より高い融点を有する連続気泡多孔質体の主面に、バインダ樹脂を含有する現像剤を用いて静電像転写する。 - 特許庁

The first memory section 111 and the second memory section 112 store the header of the ATM cell data and the third memory section 113 and the fourth memory section 114 store the information (payload).例文帳に追加

ＡＴＭセルデータのヘッダは、第１メモリ部１１１および第２メモリ部１１２に格納され、情報（ペイロード）は、第３メモリ部１１３および第４メモリ部１１４に格納される。 - 特許庁

To provide a technology capable of improving data holding characteristics in a nonvolatile semiconductor memory having a MONOS (Metal-oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type memory cell, in which an electric charge accumulating layer is formed of a nitride film.例文帳に追加

窒化膜を電荷蓄積層としたＭＯＮＯＳ型メモリセルを有する不揮発性半導体メモリにおいて、データ保持特性を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁

Three capacitors C11-C13 having the same value are prepared, an electric field having a negative direction is applied to a ferroelectric capacitor Ca of a memory cell, and data are read out to the first capacitor C11.例文帳に追加

同じ値の３個の静電容量Ｃ１１〜Ｃ１３を用意し、メモリセルの強誘電体コンデンサＣａに負方向の電界を印加してデータを第１の静電容量Ｃ１１に読み出す。 - 特許庁