「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor memory (DRAM) is constituted by providing a memory cell array section 10, an address specifying section 20, an input/output section 30 of memory data, a sense amplifier 40, a signal generating circuit 50, and the like.例文帳に追加

半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）は、大きくは、メモリセルアレイ部１０、アドレス指定部２０、メモリデータの入出力部３０、センスアンプ４０、信号発生回路５０等を備えて構成される。 - 特許庁

The charge storing circuit 18 thus generates a read voltage sufficient for a read circuit 22 to operate with, in accordance with the logical value of the data stored in the memory cell MC.例文帳に追加

このため、電荷蓄積回路１８は、メモリセルＭＣに記憶されているデータの論理値に応じて、読み出し回路２２が動作するために十分な読み出し電圧を生成できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of adjusting a timing between data and a clock related to each FF cell so as to prevent the power consumption from being increased to the utmost and to provide a design method thereof.例文帳に追加

消費電力が極力増加しないように、個々のＦＦセルに係るデータとクロックとのタイミング調整が可能な半導体集積回路およびその設計方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory in the embodiment has a controller for determining whether data erasure to a plurality of memory cells in a memory cell array is conducted per block or per page.例文帳に追加

実施形態の不揮発性半導体メモリは、メモリセルアレイ内の複数のメモリセルに対するデータ消去をブロック消去とするか又はページ消去とするかを決定するコントローラを備える。 - 特許庁

Column address data of a defective memory cell in the semiconductor memory device decided as a defective product by the No-Go flag 20 is stored by corresponding column address counters 31, 32,..., 3n.例文帳に追加

Ｎｏ−Ｇｏフラッグ２０により不良であると判定された半導体メモリデバイス内の不良メモリセルのカラムアドレスデータを、対応するカラムアドレス対応カウンタ３１，３２，…３ｎにより記憶する。 - 特許庁

To provide a method for partitioning and allocating available system resources among cells in a wireless communication system and for allocating resources in each cell for data transmission via an uplink to terminals.例文帳に追加

通信システム内のセル間で利用可能なシステムリソースを分割し、割当て、およびアップリンクを介したデータ送信のために各セル内のリソースを端末に割当てるための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base station for partitioning and allocating available system resources among cells in a communication system and for allocating resources in each cell for data transmission via an uplink to terminals.例文帳に追加

通信システム内のセル間で利用可能なシステムリソースを分割し、割当て、およびアップリンクを介したデータ送信のために各セル内のリソースを端末に割当てるための基地局を提供する。 - 特許庁

To analyze a structure of a table image, even when the table image included in read image data has the structure such that the table image includes a cell except a square shape, and to express it by a structured document.例文帳に追加

読み取られた画像データに含まれる表画像が四角形状以外のセルを含むような構造の場合でも、その表画像の構造を解析して構造化文書により現す。 - 特許庁

To provide an optical information reader suitably focusing reflection light from a two-dimensional code having two data areas different in cell sizes on a light reception means through a condenser lens.例文帳に追加

セルサイズの異なる２つのデータ領域を有する二次元コードからの反射光を集光レンズを介して受光手段に好適に合焦させ得る光学的情報読取装置を提供する。 - 特許庁

The second selection circuit inputs an output signal outputted from the internal circuit to the external circuit and a calculation signal calculated on the basis of a result data signal stored in the storage cell.例文帳に追加

第２選択回路は、内部回路から外部回路に出力される出力信号と、記憶素子に記憶される結果データ信号に基づいて演算される演算信号とを入力する。 - 特許庁

The maximum voltage value at which storage data of the SRAM cell is not reversed during the sleep mode out of voltage values which can be output from a power source circuit 5 using a monitor circuit 8 is measured.例文帳に追加

モニター回路８を使用して電源回路５から出力させることができる電圧値のうち、スリープモード時にＳＲＡＭセルの記憶データを反転させない最大電圧値を測定する。 - 特許庁

A business information arrangement part 24 analyzes the information input from the input screen, and arranges business information in a data format including the attribute of the business, the process, and a cell.例文帳に追加

業務情報整理部２４は、上記入力画面から入力された情報を解析し、業務の属性、工程及びセルを含むデータ形式に業務情報を整理する。 - 特許庁

When data of logical state "1" are stored in a memory cell, the threshold voltage of the memory transistor MQ is set to the threshold voltage Ve or lower, which are lower than a read-out voltage Vr.例文帳に追加

メモリセルに論理状態“１”のデータを記憶する場合には、メモリトランジスタＭＱのしきい値電圧は、読み出し電圧Ｖｒよりも低いしきい値電圧Ｖｅ以下に設定される。 - 特許庁

A memory cell has: a latch having I/O nodes of data; and a ferroelectric capacitor whose one end is connected respectively to the I/O nodes and the other end of which is connected to a plate wire.例文帳に追加

メモリセルは、データの入出力ノードを有するラッチと、一端が入出力ノードにそれぞれ接続され他端がプレート線に接続される強誘電体キャパシタとを有する。 - 特許庁

When data stored in a memory cell transistor CTR having the second gate electrode CG is read out, the first gate control circuit 30 applies a first potential to the first gate electrode WG.例文帳に追加

第２ゲート電極ＣＧを有するメモリセルトランジスタＣＴＲに記憶されたデータの読み出し時、第１ゲート制御回路３０は、第１ゲート電極ＷＧに第１電位を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for easily using a multi-valued NAND flash memory(non-volatile memory in which a plurality of data can be recorded in one memory cell).例文帳に追加

容易に多値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な不揮発性メモリ）を使用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A dummy capacitor driving potential VDC is given to one electrode of a dummy capacitor and a reference potential as a standard for judging a data value of a memory cell is generated on the other electrode.例文帳に追加

ダミーキャパシタ駆動電位ＶＤＣは、ダミーキャパシタの一方の電極に与えられ、他方の電極には、メモリセルのデータの値を判定する基準となる参照電位が発生する。 - 特許庁

At the writing operation, the first and second power control circuits 11, 12 control the power to be supplied to the first and second inverters in a selected memory cell in accordance with writing data.例文帳に追加

第１、第２の電源制御回路１１，１２は、書き込み動作において、選択されたメモリセル内の第１、第２のインバータに供給する電源を、書き込みデータに応じて制御する。 - 特許庁

In a receiving node 2, the packet is rolled in a conversion table cache 241 by a prefetch packet roll-in mechanism 242 before arrival of a following data cell to prevent a mishit of the conversion table cache 241.例文帳に追加

受信側ノード２では後続データセルの到着前に、プリフェッチパケットロールイン機構２４２によって変換テーブルキャッシュ２４１にロールインさせ、変換テーブルキャッシュ２４１のミスヒットを防止する。 - 特許庁

Based on each cell of a vertical timing pattern TP, the position coordinates of data cells located in the horizontal direction of the cells of the timing pattern are determined on the secondary curve and decoding is performed.例文帳に追加

そして、垂直方向のタイミングパターンＴＰの各セルから当該二次曲線上に、当該タイミングパターンのセルの水平方向に位置するデータセルの位置座標を決定してデコードを行う。 - 特許庁

An address selection circuit selects a static type memory cell in the memory array and a signal transmission path between the memory array and the data I/O circuit.例文帳に追加

アドレス選択回路は、上記メモリアレイにおける上記スタティック型メモリセルの選択及び上記メモリアレイと上記データ入出力回路との間の信号伝達経路の選択を行う。 - 特許庁

A memory core has a plurality of memory cells and sequentially outputs data read from the memory cell corresponding to the internal address in response to activation of a column selection signal at the burst read operation.例文帳に追加

メモリコアは、複数のメモリセルを有し、バースト読み出し動作時に、コラム選択信号の活性化に応答して内部アドレスに対応するメモリセルから読み出されたデータを順次出力する。 - 特許庁

Having provided the above cell constitution, the refresh operation is realized by reading information stored in the accumulation node to the match line one at a time and writing the information from the rewrite data line.例文帳に追加

このセル構成により、蓄積ノードに記憶された情報を一つずつマッチ線に読み出し、再書き込みデータ線から情報を書き込むことにより、リフレッシュ動作を実現する。 - 特許庁

For document data or the like, each individual cell corresponding to a classification on a self-organizing map tends to have components (corresponding to appearing words) actually of large values only in parts.例文帳に追加

文書データ等の場合、自己組織化マップでの各分類にあたる個々のセルについて、実際に大きな値を持つ成分（出現単語に対応する）は、一部だけになる可能性が高い。 - 特許庁

The node B can acquire reliable downlink channel quality information at real time, and thus schedule the users within the cell more reasonably, select the data transport format and control the power more accurately.例文帳に追加

ノードＢは、信頼できるダウンリンクチャネル品質情報をリアルタイムで取得し、セル内のユーザのスケジュール調整を合理的に行い、データ伝送形式を選択して、電力を正確に制御する。 - 特許庁

The circuit part data defining the functional block as a primitive cell can define the attribute (e.g. a pattern size and a driving capability) of the functional block according to the preset value of the parameter.例文帳に追加

プリミティブセルとしての機能ブロックを定義する回路部品データは、そのパラメータの設定値に応じて機能ブロックの属性（例えばパターンサイズや駆動能力等）を定義することができる。 - 特許庁

The bit line potential control circuit 7 controls the reference bit line /RBL to a voltage level different from the voltage level of the bit line /BLi during the operation of reading data from the memory cell 21.例文帳に追加

ビット線電位制御回路７は、メモリセル２１からデータを読み出す読み出し動作時に、リファレンスビット線／ＲＢＬをビット線／ＢＬｉの電圧レベルと異なる電圧レベルに制御する。 - 特許庁

To improve the reception at a receiving side by reducing the influence of interference caused by a neighboring cell in a radio communication system wherein data communication is performed in an FH scheme.例文帳に追加

ＦＨ方式によりデータ通信を行う無線通信システムにおいて、隣接セルが原因で発生する干渉の影響を軽減し、受信側の受信性能を向上させること。 - 特許庁

Also, by a specific combination of signals among address signals to be supplied to the memory, a memory block including a memory cell to be the object of data reading or writing is uniquely specified.例文帳に追加

また、メモリに供給されるアドレス信号のうち、特定の信号の組み合わせにより、データ読み出しまたは書き込みの対象となるメモリセルを含むメモリブロックを一意に特定する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which noise interference between signal lines transmitting data to a memory cell can be examined by an I/O degeneration test mode and a test method for a semiconductor memory.例文帳に追加

メモリセルにデータを伝送する信号線間のノイズ干渉をＩ／Ｏ縮退テストモードで調べることができる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のテスト方法を得る。 - 特許庁

In this control method, data words formed by plural byte are stored in the same clock cycle by programming the number previously decided of the adjacent memory cell 11.例文帳に追加

この管理方法は、隣接するメモリセル１１の予め決められた数をプログラムすることにより、複数のバイトによって形成されたデータワードを同じクロックサイクル内で記憶することを含む。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device which can read out stably data from its ferroelectric memory even if there occurs deterioration of a ferroelectric substance constituting a memory cell.例文帳に追加

メモリセルを構成する強誘電体の劣化が起こった場合でも、その強誘電体メモリセルから安定してデータを読み出すことができる強誘電体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can perform efficiently the write-in of respective redundant cell address data and can reduce the product cost by shortening the process as a whole.例文帳に追加

それぞれの冗長セルアドレスデータの書き込みを効率よく実行することができ、全体として工程を短縮して製品コストを低減することができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

In this plasma addressed display device, an amount of crosstalk of a display cell unit is detected from voltages of data electrodes and potentials of virtual electrodes of adjacent three display cells by a micro crosstalk detecting circuit 202.例文帳に追加

ミクロクロストーク検出回路２０２によって、隣接する３つの表示セルにおけるデータ電極の電圧と仮想電極の電位とから、表示セル単位のミクロクロストーク量を検出する。 - 特許庁

In that case, the minimum cell voltage is decided based on a voltage corresponding to a load current obtained from the map data and an IR loss calculated from the IR resistance and the load current.例文帳に追加

その場合は、マップデータから得られる負荷電流に対応する電圧と、ＩＲ抵抗及び負荷電流から計算されるＩＲ損とに基づいて最低セル電圧を決定する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage element having a sectional structure having a polysilicon layer as a single layer contains mutually insulated and isolated memory cell section (a), data erasing section (b) and control gate section (c).例文帳に追加

単層のポリシリコン層を有する断面構造を有する不揮発性半導体記憶素子は、互いに絶縁分離されるメモリセル部ａ、データ消去部ｂ、及びコントロールゲート部ｃを含む。 - 特許庁

The logic synthesis for estimating circuit performance is performed by a first logic synthesizing part 24 while using only a logic description circuit information 21, clock limit data 22 and mapping cell library 23.例文帳に追加

回路性能の見積もりをするための論理合成を、論理記述回路情報２１、クロック制約データ２２およびマッピングセルライブラリ２３のみを用いて第１の論理合成部２４で行う。 - 特許庁

An address storage circuit is constituted so as to store the column address information of data programmed in a memory cell array, and the column address information includes an initial column address and a final column address.例文帳に追加

アドレス貯蔵回路はメモリセルアレイにプログラムされるデータの列アドレス情報を貯蔵するように構成され、列アドレス情報は初期列アドレス及び最終列アドレスを含む。 - 特許庁

To prevent wrong discharge from occurring between a scanning electrode and a common electrode, and the scanning electrode and a data electrode, and then to prevent a display cell from being erroneously lit.例文帳に追加

走査電極と共通電極との間及び走査電極とデータ電極との間における誤放電の発生を防止し、ひいては、表示セルの誤点灯の発生を防止する。 - 特許庁

A threshold voltage (Vth) of a transistor (N1) included in a latch portion in a memory cell is dynamically controlled to dynamically control operational characteristics of the transistor, thereby improving data write characteristics.例文帳に追加

メモリセル内のラッチ部に含まれるトランジスタ（Ｎ１）のしきい値電圧（Ｖth）を動的に制御して、そのトランジスタの動作特性を動的に制御し、データの書き込み特性を向上させる。 - 特許庁

To provide data for diagnosing the transplantation accomplishments, especially the taking and relapse of stem cell transplantation, umbilical cord blood transplantation in particular, thereby enabling even better post-transplantation diagnosis.例文帳に追加

幹細胞、特に臍帯血移植において、移植の成績、特にその生着および再発について診断するためのデータを提供し、それにより、よりよい移植後診断を可能にすること - 特許庁

・Classification should be performed on the basis of data derived from appropriate information sources, but (germ cell) mutagenicity classifications established by the EU and the German MAK committee should also be helpful.例文帳に追加

・分類は適切な情報源のデータに基づき実施するが、（生殖細胞）変異原性分類について評価を行ってきたEU の分類やドイツのMAK 委員会の分類は参考になろう。 - 経済産業省

In the main arithmetic circuit (20), a memory cell mat (30) is divided into entries each of which stores a plurality of bit data, and arithmetic and logic units(ALU) are arranged in accordance with respective entries.例文帳に追加

主演算回路（２０）においてはメモリセルマット（３０）が、それぞれが複数ビットのデータを格納するエントリに分割され、各エントリに対応して演算器（ＡＬＵ）が配置される。 - 特許庁

An address and a write command of a memory cell in which error data is stored by an address/command generator are generated based on the error detection signal, and the address is held in a fail address register 40.例文帳に追加

誤り検出信号に基づいて、アドレス／コマンドジェネレータ２２により誤りデータが記憶されたメモリセルのアドレスとライトコマンドが生成され、前記アドレスはフェイルアドレスレジスタ４０に保持される。 - 特許庁

The EW cell comprises at least two electrodes connected to a data line and a row line of the driving circuit through at least one transistor.例文帳に追加

課題はデータ駆動回路及び選択駆動回路を有するアクティブマトリクスに関し、アクティブマトリクスは駆動回路に電気的に接続され、行列状に配置されたエレクトロウエッティングセル（ＥＷセル）を備える。 - 特許庁