「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

At read-out operation, read-out/write-in of the data of one memory cell are conducted for one word line, and read-out/write-in of data of a plurality of memory cells indicated in a region 12 are performed, by selecting a plurality of word lines.例文帳に追加

読み出し動作時、１本のワード線に対して１個のメモリセルのデータの読出し／書き込みが行われ、複数のワード線を選択することにより、領域１２で示されるような複数のメモリセルのデータの読出し／書き込みが行われるように構成する。 - 特許庁

Write-in data TD of a memory block is compared with read-out data RDB by a comparing circuit provided in a self-test circuit, discrimination of a normal/defective state of the memory cell array is performed by a discriminating circuit based on compared results SG0-SGN of the comparing circuit 13.例文帳に追加

自己テスト回路に設けた比較回路１３で、メモリブロックの書き込みデータＴＤと、読み出しデータＲＤＢとを比較し、比較回路１３の比較結果ＳＧ０〜ＳＧＮに基づいて当該メモリセルアレイの良否判定を判定回路で行う。 - 特許庁

To prevent deletion of data and destroy of a memory cell, even when effective primary setting data cannot be set in an EEPROM which uses a ROM Fuse for primary setting operation.例文帳に追加

本発明は、初期設定動作にＲＯＭ Ｆｕｓｅを用いるＥＥＰＲＯＭにおいて、有効な初期設定データを設定できなかった場合にもセルデータの消失やメモリセルの破壊を防止できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

When the current action pattern of a user deviates from the standard action pattern of a user, the control section 190 of a cell phone unit 100 erases all data including the data stored in the second memory 193 forcibly.例文帳に追加

携帯電話装置１００の制御部１９０は、ユーザの現在の行動パターンがユーザの標準的行動パターンから外れている場合には、第２のメモリ１９３に記憶されているデータを含む全ての記憶データを強制的に消去する。 - 特許庁

When recording a moving picture on an optical disk, text data are recorded and further a recording start date and time, a recording end date and time, a source name or a channel number are recorded as primary text data alphanumerically by each program or cell as the unit of video recording.例文帳に追加

光ディスクに動画を記録する際に、テキストデータを記録するとともに、必須（プライマリ）テキストデータとして録画開始日時、録画終了日時、ソース名あるいはチャンネル番号を録画の単位のプログラムあるいはセルごとに英数字で記録する。 - 特許庁

A web authentication server 120 registers a user ID, a telephone number and voice information on key words uttered by a user as user data 126, and on receiving an access request from the cell phone 100 via a data-communications network 110, generates a one-time ID.例文帳に追加

Ｗｅｂ認証サーバ１２０は、ユーザＩＤと電話番号とユーザが発話したキーワードの音声情報をユーザデータ１２６として登録し、データ通信網１１０経由で携帯電話１００からアクセス要求を受けるとワンタイムＩＤを生成する。 - 特許庁

On the objects, attribute data representing data of the appliances constituting the air conditioning system, and an arithmetic expression representing characteristics of the appliances are written on a mass of cell groups on the sheet, and the collection of cells is treated as the model to be simulated.例文帳に追加

このオブジェクトは、シート上の一塊のセル群に空調システムの構成する機器の諸元を表す属性データ、機器の特性を示す演算式などを書き込み、このセルの集合を機器を模擬するモデルとして扱うようにしたものである。 - 特許庁

In the verification circuit 14, a function which allows an expected-value comparison of the memory cell data MD to be performed is added, and the expected-value comparison which has to be conventionally performed with a tester from the outside can be simultaneously completed inside the device during data readout.例文帳に追加

ベリファイ回路１４内にはメモリセルデータＭＤの期待値比較を行なえる機能が追加されており、従来なら外部からテスターで行なわなければならなかった期待値比較を、内部でデータ読出し中に同時に完了させることができる。 - 特許庁

A data signal appearing on one side of a pair of bit lines (e.g. bit lines BLNk, BLTk) in a memory cell array 110 and a reference signal appearing on the other side are differential-amplified by a sensing system circuit block 140, and data is read out.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１０内の１対のビット線（例えばビット線ＢＬＮｋ，ＢＬＴｋ）の一方に現れるデータ信号と他方に現れる参照信号とがセンス系回路ブロック１４０により差動増幅され、データの読み出しが行われる。 - 特許庁

In the data registration processing part 17, the inputted variable and the outputted variable to be connected to each other are displayed by arranging them in the same line of the list and data input in each cell of the list by an operation of an operation part 14 is enabled.例文帳に追加

データ登録処理部１７では互いに接続される入力変数と出力変数とを一覧表の同じ行に並べて表示するとともに操作部１４の操作による一覧表の各セルへのデータの入力を可能とする。 - 特許庁

A pixel group generation part 22b selects pixels from the converted object image data until the total of gradation values by pixels exceeds a specified threshold to generate a pixel group, and a data imparting part 22d imparts specified gradation data for forming dots at specified pixels in a cell determined by a reference point determination part 22c.例文帳に追加

そして変換した対象画像データについて、画素群生成部２２ｂは画素ごとの階調値の総和が所定の閾値以上となるまで画素を選択して画素群を生成し、データ付与部２２ｄは、基準点決定部２２ｃが決定したセル内の所定の画素にドットを形成するための所定の階調データを付与する。 - 特許庁

To evaluate cell characteristics after depolarization in a short time and at the same time to screen faulty cells whose coercive voltage are small without reading out data right after the data is written in ferroelectric memory cells but by reading out the data after applying electric potential which weakens polarization to the memory cells.例文帳に追加

強誘電体メモリセルにデータを書き込み、直ちに読み出しを行うのではなく、書き込んだデータに対応する分極を弱めるような電位差を加えた後、読み出しを行うことにより、短時間でデポラリゼーションした後のセル特性を評価でき、合わせて抗電圧が小さい不良セルをスクリーニングすることが可能となる。 - 特許庁

At a write request, write data are written to the standby area for data writing from outside through a register 12 as to an area to be rewritten and from the data area of the cell array 11 after being transferred through the register 12 as to the area which will not be rewritten.例文帳に追加

書き込み要求があったときは、書替の発生する領域についてはレジスタ１２を介して外部から書込データをデータ書き込み用予備領域に書き込み、書替の発生しない領域についてはセルアレー１１のデータ領域からデータをレジスタ１２を介して転送してデータ書き込み用予備領域に書き込む。 - 特許庁

In order to store a result to which an address of a defective part is pre-decoded as fuse data corresponding to a result to which an address signal externally inputted is pre-decoded, the fuse data storing section 4 can not only replace a defective part by a spare cell, but can set a state in which a defect does not exist in fuse data.例文帳に追加

ヒューズデータ記憶部４は、外部から入力されたアドレス信号をプリデコードした結果に対応させて、不良個所のアドレスをプリデコードした結果をヒューズデータとして記憶するため、不良個所をスペアセルに置き換えることができるだけでなく、不良が存在しないという状態もヒューズデータにより設定することができる。 - 特許庁

The data of a plurality of memory cells on the same word line connected to the plurality of bit lines of a memory circuit 10 are read to a stored data inversion circuit 20 via the plurality of bit lines, and the read data are logically inverted to be written to the same memory cell of the memory circuit 10 via the plurality of bit lines.例文帳に追加

メモリ回路１０の複数のビット線に接続された同一のワード線上の複数のメモリセルのデータを当該複数のビット線を介して記憶データ反転回路２０に読み出し、該読み出したデータを論理的に反転して、当該複数のビット線を介してメモリ回路１０の同一のメモリセルに書き込む。 - 特許庁

Subfield data indicating to which state of a lighting state and a lights-out state display cell is set in the subfield is generated by every subfield based on motion compensation pixel data obtained by performing motion compensation processing to pixel data representing luminance levels indicated by an input video signal by every pixel.例文帳に追加

入力映像信号によって示される輝度レベルを各画素毎に表す画素データに対して動き補償処理を施して得られた動き補償画素データに基づき、各サブフィールド毎にそのサブフィールドで表示セルを点灯状態及び消灯状態の内のいずれの状態に設定するのかを示すサブフィールドデータを生成する。 - 特許庁

At the time of rewriting, the interface circuit IF1 selectively outputs a light enable signal in an active state to either of the flash memories FC1 and FC2, and the flash memory FC1 or FC2 into which the light enable signal in an active state has been inputted rewrites the data in the memory cell specified by the address information into data of input data groups.例文帳に追加

書き換え時には、インターフェース回路ＩＦ１が、フラッシュメモリＦＣ１〜ＦＣ２のいずれかに選択的にアクティブ状態のライトイネーブル信号を出力し、アクティブ状態のライトイネーブル信号が入力されたフラッシュメモリＦＣ１又はＦＣ２が、アドレス情報で特定されたメモリセルのデータを入力データ群のデータに書き換える。 - 特許庁

A processor element 101 includes: a logic cell 300 for carrying out prescribed logic arithmetic processing to generate data; a cross connect switch 301 for carrying out arrangement, copying and inversion processing of the data from the logic arithmetic means on the basis of second setting information to generate data, and a selection unit 302.例文帳に追加

プロセッサセレメント１０１は、所定の論理演算処理を行ってデータを生成するロジックセル３００と、第２の設定情報に基づいて前記論理演算手段からの前記データの整列と複製と反転処理を行ってデータを生成するクロスコネクトスイッチ３０１と、選択ユニット３０２と、を有している。 - 特許庁

Data on the stand-by current value required for calculating the stand-by current value of the chip circuit are extracted from among the data on the stand-by current values stored in the cell library, and the stand-by current value of the chip circuit is calculated based on the data on the extracted stand-by current value (step S203, 204).例文帳に追加

そして、セル・ライブラリに格納されたスタンバイ電流値に関するデータの中から、チップ回路のスタンバイ電流値を算出するために必要なスタンバイ電流値に関するデータを抽出し、抽出されたスタンバイ電流値に関するデータに基づいて、チップ回路のスタンバイ電流値を算出する（ステップＳ２０３，２０４）。 - 特許庁

A memory read circuit is provided with a data-bus buffer control circuit controlling a data bus buffer 2 so that variation of a signal on a data bus 7 is prevented depending on an operation clock and the contents of a register until a sense amplifier 1 outputs the same value as a value of a memory cell and it is decided to either of a High level or a Low level.例文帳に追加

センスアンプ１の出力がメモリセルの値と同じ値を出力し、ＨｉｇｈレベルまたはＬｏｗレベルどちらかに確定するまでの間、動作クロックやレジスタ内容により、データバス７上の信号の変化をなくすようにデータバスバッファ２を制御するデータバスバッファ制御回路を備える。 - 特許庁

A storage section of even data in which data of a bit read out first are included such as the memory cell array SAe and the like is arranged to a side closing to an input/output pad PA, at the time of read-out, the first read-out data are transmitted always to the multiplexer MUX through a shorter wiring from a parallel-serial conversion circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイＳＡｅ等、一番最初に読み出すビットのデータが含まれるｅｖｅｎデータの記憶部を入出力パッドＰＡに近い側に配置し、読出時には一番最初の読出データを常にパラレル−シリアル変換回路からの配線が短い方を介してマルチプレクサＭＵＸへ伝達する。 - 特許庁

The semiconductor memory apparatus includes a storage unit that stores write data or read data output from a memory cell block and outputs read data according to an output control signal, and a control unit that generates the output control signal at different timings according to whether a write training signal is activated.例文帳に追加

本発明は、ライトデータ又はメモリセルブロックから出力されるリードデータを保存した後、出力制御信号によって出力する保存手段と、ライトトレーニング信号が活性化したか否かにより、前記出力制御信号を互いに異なるタイミングで発生させる制御手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method is equipped with a step for making a first and a second transistors in an OFF state by inactivating a word line and a step for sequentially shifting the scan data inputted from a scan data input terminal to a memory cell arranged at a scan data output terminal side via a first and a second shift bit lines.例文帳に追加

ワード線を不活性化することにより、第１及び第２のトランジスタをオフ状態にするステップと、スキャンデータ入力端子から入力されるスキャンデータを、第１及び第２のシフトビット線を介して、スキャンデータ出力端子側に位置するメモリセルに順次シフトするステップとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A CTI processing part 124 of the web authentication server 120 searches for the user data 126 corresponding to a cell phone number and access data 128 corresponding to the one-time ID, collates the voice information on the key words uttered by the user with the registered voice information, and writes the collation result and the registered user ID into the access data 128.例文帳に追加

Ｗｅｂ認証サーバ１２０のＣＴＩ処理部１２４は、携帯電話番号に対応するユーザデータ１２６と、ワンタイムＩＤに対応するアクセスデータ１２８とを検索し、ユーザが発話した音声情報と登録音声情報を照合し、照合結果と登録されているユーザＩＤをアクセスデータ１２８に書き込む。 - 特許庁

The semiconductor memory includes bit lines transmitting data of a memory cell, a sense amplifier circuit connected to the bit lines and amplifying data appearing in the bit line by access from the outside, and a latch circuit connected to the bit lines together with the sense amplifier circuit and amplifying and latching data to be refreshed appearing in the bit line.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルのデータを伝播するビット線と、該ビット線に接続され外部からのアクセスにより該ビット線に現れるデータを増幅するセンスアンプ回路と、該ビット線に該センスアンプ回路と共に接続され該ビット線に現れるリフレッシュ対象のデータを増幅してラッチするラッチ回路を含む。 - 特許庁

The present invention relates to a semiconductor cell which is provided to a semiconductor chip having a semiconductor integrated circuit, and displays a reversion number of photomask data obtained by arithmetically processing the layout layer data representing a layout of the semiconductor integrated circuit, the semiconductor cell being characterized in displaying information associated with individual revision numbers of the plurality of layout layer data constituting the photomask, and further in being electrically isolated from the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

本発明は、半導体集積回路を有する半導体チップに設けられ、前記半導体集積回路のレイアウトを表現するレイアウトレイヤデータを演算処理して得られたフォトマスクデータの改版数を表示する半導体セルであって、フォトマスクを構成する複数のレイアウトレイヤデータにおける個々の改定数に係る情報を表示し、更に、前記半導体集積回路と電気的に分離されたことを特徴とする半導体セルである。 - 特許庁

Among respective memory cells 10, with respect to the memory cell 10 to be a data writing object of a first logic level, a high-voltage source voltage is applied to a source region thereof and a low voltage is applied to a drain region thereof so that a write current flows in the memory cell 10.例文帳に追加

メモリセル１０各々の内で第１論理レベルのデータ書き込み対象となるメモリセル１０に対しては、そのソース領域に高電圧のソース電圧を印加すると共に、そのドレイン領域には低電圧を印加することによりこのメモリセル１０内に書込電流を流す。 - 特許庁

A data reproducer is provided with circuits 24, 26 and 28 which correct the times of cross points between the read and slice signals and a circuit 20 which produces a gray bit that shows a time cell including an uncorrected cross point and another time cell adjacent to the correcting direction of the uncorrected cross point.例文帳に追加

リード信号とスライス信号の交差点の時刻を補正する回路２４，２６，２８と、補正前の交差点が含まれるタイム・セルとこのタイム・セルの交差点の補正方向に隣接するタイム・セルとを示すグレイ・ビットを生成する回路２０とを備えてデータ再生装置を構成する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device including a cell array or a word line driver constituted to suit high integration, and a word line driving method and a driving method for reading/writing data in a semiconductor memory device constituted of the cell array.例文帳に追加

高集積化に適合するように構成されたセルアレイまたはワードラインドライバを備えた強誘電体メモリ装置と、前記セルアレイから構成された半導体メモリ装置においてワードラインドライバ駆動方法及びデータのリード/ライトを行うための駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

A control circuit applies a first voltage Vread_1 lower than a reading voltage Vread to be applied to the control gate of other non selected memory cells to the control gate CG (k-1) and CG (k+1) of the non selected memory cell adjacent to the selected memory cell in the NAND column when reading data.例文帳に追加

制御回路は、データの読み出し時に、ＮＡＮＤ列の選択されたメモリセルに隣接する非選択メモリセルの制御ゲートＣＧ（ｋ−１）、ＣＧ（ｋ＋１）に、その他の非選択メモリセルの制御ゲートに印加される読み出し電圧Ｖｒｅａｄより低い第１の電圧Ｖｒｅａｄ＿１を印加する。 - 特許庁

If an ATM cell 70 from a first ATM 51 to a second ATM 52 is received via an ATM interface, a first communication device 11 transmits a data frame FRD containing the ATM cell 70 to the second ATM 52 via a broadband Ethernet(R) 4.例文帳に追加

第一の通信装置１１は、第一のＡＴＭ装置５１から第二のＡＴＭ装置５２へのＡＴＭセル７０をＡＴＭインタフェースを介して受信すると、そのＡＴＭセル７０を包含したデータフレームＦＲＤを第二のＡＴＭ装置５２に広域イーサネット４を介して送信する。 - 特許庁

The memory 1 is also provided with a program information correction/ECC data generation circuit 12 which writes correction information CD in a memory cell determined to be corrected by the ECC detecting circuit 19 at the same time of writing the program information PD to the memory cell to be written.例文帳に追加

また、書込み対象メモリセルへのプログラム情報ＰＤの書込みと同時期に、ＥＣＣ検出回路１９により訂正が必要と判断された訂正対象メモリセルへ訂正情報ＣＤを書き込むプログラム情報修正／ＥＣＣデータ作成回路１２を備える。 - 特許庁

The image of the emitted light from the cell 16 taken by the digital camera 23 is displayed in the display 22, and also the image data is transmitted to the analytical device 13 through a radio communication line, and then analyzed by the analytical device to calculate the absorbance of a sample solution in the cell 16.例文帳に追加

デジタルカメラ23によって撮影されたセル16からの出射光の画像は表示画面22に表示されると共にその画像データは無線通信回線を介して解析装置13に送信された後、解析装置によって解析されセル16内の試料溶液の吸光度が算出される。 - 特許庁

In a data section where there is interference from the second cell, the first base station transmits a first desired signal to the terminal in a directivity of a reception signal at a relay station becoming null, and the relay station receives an interference signal from the second cell.例文帳に追加

第２のセルからの干渉のあるデータ区間において、第１の基地局から端末に対し、中継局での受信信号がゼロになるような指向性で第１の所望信号を送信するとともに、中継局において、第２のセルからの干渉信号を受信する。 - 特許庁

The present invention permits the cell phone owner to erase the data in a lost or stolen phone, using a preset erase code and erase command in the cell phone or the network base station, and disabling or erasing circuitry on the memory chip, preferably an EEPROM chip.例文帳に追加

セルフォンまたはネットワーク基地局における予め定められた消去コード及び消去指令を用いて、並びにメモリ・チップ、好ましくはＥＥＰＲＯＭチップ上の不能化または消去回路を用いて、紛失または盗難された電話におけるデータをセルフォンの所有者が消去するのを許容する。 - 特許庁

Boundary cell groups 40 to 43 and 44 to 47 showing cells in an initial stage and a final stage and boundary path groups 53 and 54 connecting cells 71 and 72 of an upper hierarchy macro-block 60 with boundary cell groups 40 to 43 and 44 to 47 are extracted from circuit diagram data corresponding to a hierarchy macro-block 30 (S3).例文帳に追加

階層マクロブロック３０に対する回路図データから、初段、最終段のセルを表す境界セル群４０〜４３、４４〜４７と、上位の階層マクロブロック６０のセル７１、７２及び境界セル群４０〜４３、４４〜４７を接続する境界パス群５３、５４とを抽出する（Ｓ３）。 - 特許庁

The SRAM cell has NMOS drive transistors MDB and MDT and PMOS load transistors MLB and MLT as with a conventional 6 transistor SRAM cell, configures two CMOS inverters connected to a power line VDD and a ground line VSS, and holds data of one bit by positive feedback of cross-couple connection of the inverter pair.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルは、従来の6トランジスタＳＲＡＭセルと同様に、ＮＭＯＳのドライブトランジスタMDB,MDT及びＰＭＯＳのロードトランジスタMLB,MLTを備え、電源線VDDとグランド線VSSに接続される２個のＣＭＯＳインバータを構成し、そのインバータ対のクロスカップル接続での正帰還により１ビットのデータを保持する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit including a user logic circuit is such that a circuit part that constitutes data shift comprises a register other than a scan cell, excluding a part immediately after a combination circuit, and a register constituent part other than the scan cell is utilized as a scan path.例文帳に追加

本発明は、ユーザロジック回路を含む半導体集積回路であって、データシフトをなす回路部分が、組み合わせ回路の直後を除いて、スキャンセル以外のレジスタで構成され、上記のスキャンセル以外のレジスタ構成部分がスキャンパスとして利用されることを特徴とする。 - 特許庁

The control unit calculates an adhered cell concentration based on the image data, determines timings for performing culture medium replacement and subculture operation and outputs execution-instructing signals to each part of the cell cultivation device 11 for execution.例文帳に追加

制御装置は前記画像データに基づいて接着細胞濃度を算出し、その算出結果に基づいて培地交換操作及び継代培養操作を実行するタイミングを決定し、その操作の実行を指示する出力信号を細胞培養装置１１各部に出力して実行させる。 - 特許庁

Cells 22 each having a fixed area are continuously formed in a track 21 of an optical information recording medium 20 such as an optical disk, an uneven multi-valued data pattern 10 is formed at a center part of each cell 22 and uneven patterns 11 for tracking are formed at four corners of each cell 22.例文帳に追加

光ディスクなどの光情報記録媒体２０におけるトラック２１に一定面積で連続してセル２２を設け、各セル２２の中央部に凹凸状の多値データパターン１０を形成し、さらに、各セル２２の四隅にトラッキング用の凹凸状のパターン１１を形成する。 - 特許庁

The cell-phone device is given to a hardware configuration corresponding to a processing of facsimile signals of a FAX modem processor 14, a facsimile correspondence processor 100, or the like on the cell-phone device 1, and a transmitting and receiving function of the facsimile by implementing a program for creating facsimile data, or a program for a display control of the facsimile, or the like.例文帳に追加

携帯電話装置１に対して、ＦＡＸモデム処理部１４、ファクシミリ対応処理部１００などの、ファクシミリ信号の処理に対応するハードウェア構成と、ファクシミリデータの作成、ファクシミリの表示制御などのためのプログラムを実装し、ファクシミリの送受信機能を与えるようにする。 - 特許庁

In a scheduling operation, a congestion state in a cell is estimated based on the number or ratio of the mobile stations whose average transmission data rates have been initialized, and call admission control is performed, thereby appropriately performing the call admission control regardless of the occurrence of traffic or a mode of a cell.例文帳に追加

スケジューリングにおいて、平均伝送速度が初期化された無線端末の数やその割合に基づいてセル内の輻輳状態を推定し、呼受付制御を行うことにより、トラヒックの発生の仕方やセルの形態に関係無く、適切に呼受付制御を行うことができる。 - 特許庁

When data are read out, a bit line potential VBL is larger than a source line potential VSL, and a word line potential VWL_s of a selection cell MC_s is larger than the bit line potential VBL, and a word line potential VWL_us of a non-selection cell MC_us is smaller than the source line potential VSL.例文帳に追加

データの読み出し時、ビット線電位ＶＢＬはソース線電位ＶＳＬより大きく、選択セルＭＣ＿ｓのワード線電位ＶＷＬ＿ｓは、ビット線電位ＶＢＬより大きく、非選択セルＭＣ＿ｕｓのワード線電位ＶＷＬ＿ｕｓは、ソース線電位ＶＳＬより小さい。 - 特許庁

The computer-executable program estimates whether or not a wireless terminal is indoors based on empirical data reported by the terminal, and on a location estimate for the terminal that might be crude or inaccurate (e.g., based on Cell Identifier [Cell-ID], GPS, etc.).例文帳に追加

コンピュータ実行可能プログラムは、無線端末から報告される経験データと、おおよそ或いは不正確である可能性のあるその端末の位置の推定（例えばセル識別子（Ｃｅｌｌ−ＩＤ）、ＧＰＳ等に基づく）とに基づいて、無線端末が屋内にあるか否かを推定する。 - 特許庁

During an analysis of recorded data, conductivity measured relative to a reference well 16 holding only a cell proliferation medium is subtracted from conductivity measured relative to another well 16, thereby improving the display of test results obtained by monitoring and recording cell culture.例文帳に追加

記録されたデータの分析の間に細胞増殖培地のみを保持する基準ウェル（１６）に対して測定された導電率を他のウェル（１６）に対して測定された導電率から減算することによって、細胞培養を監視および記録することによって得られるテスト結果の表示を改良する。 - 特許庁