「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

In a test mode, the timing adjustment part 40 adjusts the timing so that the read data read from the memory cell array 15 by the read command can be compared with expectation data input from the external terminal 10.例文帳に追加

タイミング調整部４０は、テストモードにおいて、リードコマンドによってメモリセルアレイ１５から読み出したリードデータと外部端子１０から入力される期待値データとを比較可能とするようにタイミング調整を行う。 - 特許庁

To provide switchover between active/standby without occurrence of missing cells or duplicate cells and without increasing transfer delay, in a data transmission apparatus which assembles received user data into an ATM cell and sends it onto a transmission path.例文帳に追加

受信したユーザデータをＡＴＭセルに組み立てて伝送路へ送出するデータ伝送装置において、セルの欠落や重複なくかつ転送遅延を増加させることなく現用／予備の切り替えを行うこと。 - 特許庁

The modifying FF circuit unit 12 is equipped with delay circuits 13, which are each positioned before a data input terminal and after a data output terminal, previously turned to a unit type, minimized in cell area, and registered in a library.例文帳に追加

修正用ＦＦ回路ユニット１２は、データ入力端子前とデータ出力端子後とにそれぞれ遅延回路１３を備えており、予めユニット化されると共にセル面積が最小化されてライブラリに登録しておく。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a memory mat including memory cells for storing data, a sense amplifier 203 for detecting data stored in a memory cell 212, and a potential generation part 25 connected to the sense amplifier 203 by a bit line pair.例文帳に追加

半導体記憶装置は、データを記憶するメモリセルからなるメモリマットと、メモリセル２１２が記憶するデータを検出するセンスアンプ２０３と、センスアンプ２０３とビット線対で接続された電位生成部２５を備える。 - 特許庁

Also, it includes an X-decoder 430 selecting a word line and a Y-decoder 440 providing a path for input/output data in the selected memory cell, and the selected memory cell is programmed by using a program voltage corresponding to the applicable program verifying voltage in accordance with the control signal from the cell characteristic inspection circuit 450.例文帳に追加

そして、ワード線を選択するXデコーダ４３０と、選択したメモリセルのデータを入出力するための経路を提供するYデコーダ４４０を有し、セル特性検査回路４５０からの制御信号で選択したメモリセルを該当プログラム検証電圧に対応するプログラム電圧を用いてプログラムする。 - 特許庁

A PHS handset performs a handover processing so as to preferentially hand over to a base station 101 of a large cell in the base station 101 of the large cell and the base stations 102 to 104 of small cells when a data communication is performed and performs a handover regardless of a cell size of the base station when a voice communication is performed.例文帳に追加

ＰＨＳ子機は、データ通信を行う場合には、大セルの基地局１０１と小セルの基地局１０２〜１０４のうち、大セルの基地局１０１に優先的にハンドオーバするようにハンドオーバ処理を行い、音声通信を行う場合は、基地局のセルの大きさに関係なくハンドオーバする。 - 特許庁

After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加

その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁

This system is also provided with an image data processing means 10 for displaying the images of the interior materials corresponding to the item numbers or designations stored in an interior material database 2 as images at an image display cell 8 based on the item numbers or designation information inputted to the input cell 6 of each unit cell group 5.例文帳に追加

各単位セル群５の入力用セル６に入力された品番又は名称情報に基いて内装材画像データベース２に蓄積された該当品番又は名称に対応する内装材の画像を画像表示用セル８に画像として表示する画像データ処理手段１０を設ける。 - 特許庁

An apparatus for measuring a dynamical characteristic of the blood cell includes a light receiving section (40), a data analysis processing section (50) and an irradiating light source section (30) for measuring the deformability of the blood cell in such the state that the shear stress load is applied to the blood cell in the sample in a shear stress loading mechanism section (10).例文帳に追加

血液細胞の力学的特性測定装置としては、せん断応力負荷機構部（１０）において試料中の血液細胞にせん断負荷応力が加えられている状態で血液細胞の変形能を測定するための照射光源部（３０）、受光部（４０）、データ解析処理部（５０）を備えている。 - 特許庁

In each memory cell unit, a memory cell array consisting of a series connection in the array direction of a predetermined number of memory cell transistors MC capable of electrical writing and erasure of data has one end connected with a bit line BL through a first select gate transistor and the other end connected with a source line SL through a second select gate transistor SGS.例文帳に追加

各メモリセルユニットは、電気的なデータの書き込みおよび消去が可能な所定個のメモリセルトランジスタＭＣを列方向に直列に接続したメモリセル列の、その一端が第１の選択ゲートトランジスタを介してビット線ＢＬに接続され、他端が第２の選択ゲートトランジスタＳＧＳを介してソース線ＳＬに接続されている。 - 特許庁

The latch structure of the CMOS latch cell 22 is canceled by an NMOS (N-channel MOS) switch Qn 24 within the CMOS latch cell 22 when sampling data is written by an NMOS switch NMOS Qn 21 for sampling, by which the change in the state of the CMOS latch cell 22 is speeded up and the operation speed (operation margin) of the sampling latch circuit is increased.例文帳に追加

サンプリング用ＮＭＯＳスイッチＮＭＯＳＱｎ２１によるサンプリングデータの書き込み時に、ＣＭＯＳラッチセル２２内のＮＭＯＳスイッチＱｎ２４によってＣＭＯＳラッチセル２２のラッチ構造を解除することで、ＣＭＯＳラッチセル２２の状態の変化を速くし、サンプリングラッチ回路の動作スピード（動作マージン）を上げる。 - 特許庁

In audio contents which have cells for defining a reproduction unit of audio titles and in which reproducing orders are defined by defining a reproducing order of the cells, three types of an audio cell, a silent cell and a still picture cell are defined, an arrangement order of the cells are restricted, and an audio gap time (time for interrupting trim transfer) is defined to prepare record data.例文帳に追加

オーディオタイトルの再生単位を定義するセルを有し, そのセルの再生順を定義することで再生順が定義されるオーディオコンテンツにおいて、３種類のオーディオセル、サイレントセル、スチルピクチャセル、その配置順番の限定、およびオーディオギャップ時間( トリーム転送が中断する時間) の定義を行い記録データを作成する。 - 特許庁

A phenomenon that the quantity of output electric charge of a cell capacitor 18 storing logical 0 is larger than that of a cell capacitor 17 storing logical 1 in a transitional state before a steady state of quantities of output electric charge from cell capacitors at the time of data read is utilized, and this state is sensed to immediately perform rewrite.例文帳に追加

データ読み出し時、セルキャパシタからの出力電荷量が定常状態となる前の遷移状態では、論理１を記憶するセルキャパシタ１７の出力電荷量よりも論理０を記憶するセルキャパシタ１８の出力電荷量の方が多くなる現象を利用し、この状態をセンシングし、直ちに再書き込みを行う。 - 特許庁

The data writing method for writing the data into a memory cell of the nonvolatile semiconductor storage device, and in this method, an external power source voltage to be used for an operation of a plurality of peripheral circuit sections is applied as a drain voltage when writing to the memory cell without being subjected to voltage conversion.例文帳に追加

本発明の一形態のデータ書き込み方法は、不揮発性半導体記憶装置のメモリセルにデータを書き込むためのデータ書き込み方法であり、複数の周辺回路部の動作に使用される外部電源電圧を、電圧変換すること無しに前記メモリセルへの書き込み時のドレイン電圧として印加する。 - 特許庁

Second analysis means analyzes a state of a boundary cell on the side of the solid model located on the interface between the solid model and the fluid model on the basis of the first analysis data using transient analysis, and calculates a heat transfer coefficient of the boundary cell on the side of the solid model, ambient temperature and a heat flux as second analysis data.例文帳に追加

第２の解析手段は、第１の解析データに基づいて固体モデルと流体モデルとの境界面に位置する固体モデル側の境界セルの状態を非定常解析によって解析し固体モデル側の境界セルの熱伝達係数、雰囲気温度、熱流束を第２の解析データとして算出する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device 10 is provided with a memory cell array 20; a shift value storing region 25 which stores a shift value SET; a control circuit 50 which controls data reading and writing for the memory cell array 20 and the shift value storing region 25; and a data processing circuit 100 which is connected to the control circuit 50.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１０は、メモリセルアレイ２０と、シフト値ＳＦＴを格納するシフト値格納領域２５と、メモリセルアレイ２０及びシフト値格納領域２５に対するデータの読み書きを制御する制御回路５０と、制御回路５０に接続されたデータ処理回路１００とを備える。 - 特許庁

Picture compression sections 20-1-20-3 convert a plurality of picture signals into compressed picture data, a cell assembly section 30 assembles the picture data into cells, and a switching section 40 switches cells from the cell assembly section 30.例文帳に追加

複数の画像信号の各々を画像圧縮部で圧縮した画像データに変換し、該画像データをセル組立部でセル化し、該セル組立部からのセルをスイッチング部でスイッチングするとき、帯域制御部が、伝送路の帯域が該画像データの各々を同時に伝送するために必要な帯域の総和より低い値になるように、該セル組立部を制御する。 - 特許庁

The outside of these memory cell blocks is provided with a row decoder 3, a redundant address program fuse circuit 10 in which the column address of a defective memory cell is programmed and a selecting means 22 to select and output either of a regular data line 14 or a redundant data line 15 according to the output of the redundant address program fuse circuit 10.例文帳に追加

これらメモリセルブロックの外部にはローデコーダ３と、前記不良メモリセルのカラムアドレスがプログラムされる冗長アドレスプログラムフューズ回路１０と、前記冗長アドレスプログラムフューズ回路の出力に応じて、レギュラーデータライン１４と冗長データライン１５の一方を選択して出力する選択手段２２とが設けられる。 - 特許庁

In the shift cell detecting circuit 6, a memory cell transistor where a low threshold voltage is distributed between the word line voltage during verify operation and the word line voltage during normal read operation is detected and a resultant data sequence identical to the write data sequence is stored in the latch circuit 3.例文帳に追加

シフトセル検出回路６において、ベリファイ動作時のワード線電圧と、通常読み出し時のワード線電圧との間にしきい値電圧が分布するメモリセルトランジスタの検出を行い、検出結果として書き込みデータと同一のデータ列を形成し、シフトセル検出回路６の検出結果をラッチ回路３に格納する。 - 特許庁

This method for indexing the data space of the feature vectors includes a step (a) for discriminating whether a cell where feature vectors are concentrated exists and a step (b) for hierarchically indexing the data spaces of features vectors when the cell where the feature vectors are concentrated exists in the step (a).例文帳に追加

特徴ベクトルのデータ空間のインデクシング方法は、（ａ）特徴ベクトルが集中したセルが存在しているかを判別する段階及び（ｂ）前記（ａ）段階において特徴ベクトルが集中したセルが存在すると判別されれば特徴ベクトルのデータ空間を階層的にインデクシングする段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A radio control device 30 includes: a selection execution judgement unit 31 for judging whether the selection of a cell to be used by the mobile station after receiving data is to be executed; and a mobile station control unit 32 for instructing the mobile station to select a cell to be used after data reception according to the judgement result of the selection execution judgement unit 31.例文帳に追加

無線制御装置３０は、移動局がデータ受信後に使用するセルの選択を実行するか否かを判断する選択実行判断部３１と、選択実行判断部３１による判断結果に応じて、データ受信後に使用するセルの選択を移動局に指示する移動局制御部３２とを備える。 - 特許庁

In a module 1, a first metal gate space information is obtained from a virtual metal gate space information and a metal gate space information retrieved from the layout data of the macro cell, a breach of the metal gate antenna standard for an upper level layout data of the macro cell is determined by using the first metal gate space information.例文帳に追加

モジュール１において、仮想的なメタル・ゲート面積情報と、マクロセルのレイアウトデータから抽出されたメタル・ゲート面積情報とから第１のメタル・ゲート面積情報を求め、第１のメタル・ゲート面積情報を用いて、マクロセルの上位レベルレイアウトデータでのメタル・ゲートアンテナ基準違反の判定を行う。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory including a memory cell in which data are stored in a plurality of pages included in the prescribed block by voltage applied to the prescribed memory cell, and an apparatus and a method which can judge surely validity of imperfect data being causable by interruption of power source supply during write-in/erasion operation by the nonvolatile memory.例文帳に追加

所定メモリセルに印加される電圧によって所定ブロックに含まれた複数のページにデータを格納するメモリセルを含む不揮発性メモリ、その不揮発性メモリで書き込み／削除動作中に電源供給の中断により発生しうる不完全なデータの有効性を正確に判断できる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

An access control circuit 130 controls read-out operation and write-in operation of data among the memory cell array, the register circuit, and the input/output port depending on a result of comparison for coincidence between a register storage address and an input address signal and whether write-in operation of data stored in a register for the memory cell array is finished or not.例文帳に追加

アクセス制御回路１３０は、レジスタ格納アドレスと入力アドレス信号との一致比較結果およびレジスタ格納データのメモリセルアレイへの書込動作完了の有無に応じて、メモリセルアレイとレジスタ回路と入出力ポートとの間におけるデータの読出動作および書込動作を制御する。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory 45, voltage applied to a drain from a drain/source voltage setting circuit 41 when data is written in a memory cell 34 and voltage applied to a source from a drain/source voltage setting circuit 41 when data of a memory cell 34 is erased are switched to the prescribed value and applied.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置４５では、メモリセル３４にデータを書き込む際にドレイン・ソース電圧設定回路４１からドレインに印加する電圧、及びメモリセル３４のデータを消去する際にドレイン・ソース電圧設定回路４１からソースに印加する電圧を所定の値に切り替えて印加する構成にする。 - 特許庁

The slave base station, when data symbols, in cooperative MIMO transmission, are arranged following the same mapping rule as in the master base station, moves a data symbol equivalent to an RE which should be set for cell-specific reference signal transmission or null at the local station to the same RE as the one in which a cell-specific reference signal is inserted at the master base station before transmitting it.例文帳に追加

スレーブ基地局は、協調MIMO送信においてマスター基地局と同じマッピングルールでデータシンボルを配置させたときに、自局においてセル固有参照信号の送信又はヌルとすべきREに当たるデータシンボルを、マスター基地局においてセル固有信号が挿入されるREと同じREに移動させて送信する。 - 特許庁

The cell management station 50 performs radio communication with a communication terminal 1 having the dynamic address in the information request data existing in a cell managed by a base station which manages an area corresponding to the dynamic address in the information request data and received from the communication terminal 1 via the base station and transmits the information request data to the communication terminal 1.例文帳に追加

セル管理局５０は、情報要求データ中の動的アドレスに対応する領域を管理する基地局を介して、当該基地局が管理するセル内に存在し且つ通信端末１から受け取った情報要求データ中の動的アドレスを有する通信端末１との間で無線通信を行い、その通信端末１に対して情報要求データを送信する。 - 特許庁

Driving for sequentially scanning scanning lines and writing display data to a liquid crystal cell is performed while flickering a backlight mechanism, and display data written to the liquid crystal cell in a prescribed period before and after turning-off of the backlight mechanism is predictive data used when turning on the backlight mechanism which is generated by motion compensation in the unit of an area of segmented pixels.例文帳に追加

バックライト機構を点滅させながら、走査線を順次に走査して表示データを液晶セルに書き込む駆動を行い、バックライト機構が消灯する前後における所定の期間に液晶セルに書き込まれる表示データは、区画された画素の領域を単位とする動き補償を行うことで生成された該バックライト機構が点灯する際の予測データであることを特徴とする。 - 特許庁

Offset depending on voltage difference between offset control voltage Vofd and Vofr from a voltage generating circuit 55 and 56 is given to through current of the data line LIO and LIOr, a reference current Iref passing through the dummy cell is set at an intermediate level of levels of two kinds corresponding to stored data of a data read current Idat passing through the selection memory cell.例文帳に追加

電圧発生回路５５および５６からのオフセット制御電圧ＶｏｆｄおよびＶｏｆｒの電圧差に応じたオフセットがデータ線ＬＩＯおよびＬＩＯｒの通過電流間に与えられて、ダミーセルを通過する基準電流Ｉｒｅｆは、選択メモリセルを通過するデータ読出電流Ｉｄａｔの記憶データに応じた２種類のレベルの中間レベルに設定される。 - 特許庁

In the semiconductor memory constituted so that a data signal from a memory cell and a reference signal from a reference cell are compared by a differential sense amplifier 150A-0 and data is read out, the memory provided with a feedback circuit 200A-0 having a function limiting relative variation between a reference signal VREF and a data signal VDA-0 inputted to the differential sense amplifier 150A-0.例文帳に追加

メモリセルからのデータ信号とリファレンスセルからの参照信号とを差動型センスアンプ１５０Ａ−０で比較してデータを読み出すように構成された半導体記憶装置において、差動型センスアンプ１５０Ａ−０に入力される参照信号ＶＲＥＦとデータ信号ＶＤＡ−０との間の相対的変化を制限する機能を有する帰還回路２００Ａ−０を備える。 - 特許庁

Also, the control circuit 729 causes the internal address generating circuit 727 to generate an address of transfer source based on a data transfer command, while causing the internal address generating circuit 726 to generate an address of transfer destination, and inputs successively data output by burst-read from a memory cell array 716 as a transfer source to a memory cell array 705 as a transfer destination through an internal data bus.例文帳に追加

また、制御回路７２９は、データ転送コマンドに従い、内部アドレス生成回路７２７に転送元のアドレスを生成させ、内部アドレス生成回路７２６に転送先のアドレスを生成させ、転送元のメモリセルアレイ７１６からバースト読み出しで出力されるデータを、内部データバスを経由して順次当該データを転送先のメモリセルアレイ７０５へ入力させる。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device 100, data contained in an ECC frame are allocated to a first data group stored in a first memory cell group which is composed of a plurality of first memory cells selected by a first word line, and a second data group stored in a second memory cell group which is composed of a plurality of second memory cells selected by a second word line.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、ＥＣＣフレームに含まれるデータを、第１のワード線により選択される複数の第１のメモリセルで構成される第１のメモリセル群に格納される第１のデータ群と、第２のワード線により選択される複数の第２のメモリセルで構成される第２のメモリセル群に格納される第２のデータ群とに割り付ける。 - 特許庁

The video recorder is constituted so that a prescribed chapter is specified to the recorded video data, the additional sound data are additionally recorded in a recording medium only for a time corresponding to the chapter, and additional sound management information for linking a cell for managing the video data corresponding to the additionally recorded additional sound data with the additional sound data recorded in the recording medium is recorded in the recording medium.例文帳に追加

記録済みの映像データに対して所定のチャプタを指定し、このチャプタに対応する時間だけ付加音声データを記録媒体に追加記録し、この追加記録された付加音声データに対応する映像データを管理するセルと、記録媒体に記録された付加音声データとをリンクさせる付加音声管理情報を記録媒体に記録するようにしている。 - 特許庁

Document data formed as a list is generated automatically by inputting three kinds of data files such as first text data of arranged cell character strings, document data of formed text parts with a final appearance by using editing layout software and text data composed of flag characters meaning combination specifications or background color specifications of cells.例文帳に追加

また、セル文字列を並べた第１のテキストデータと、第１のテキストデータを編集レイアウトソフトを用いてテキスト部分に関して仕上がり体裁で組版したドキュメントデータと、セルの結合指定または背景色指定を意味するフラグ文字で構成したテキストデータの３種類のデータファイルを入力して、表として組版されたドキュメントデータを自動作成する表組み作成プログラムにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The present invention provides a method for operating the nonvolatile memory device which includes a plurality of memory cells, including a step of stabilizing data recorded by inducing a boosting voltage on a channel of a memory cell where the data are recorded, and which is selected from a plurality of memory cells, through a channel of at least one memory cell connected to the selected memory cell.例文帳に追加

本発明は、複数のメモリセルを含む不揮発性メモリ素子において、複数のメモリセルのうち、データが記録された選択されたメモリセルに隣接するように連結された少なくとも一つのメモリセルのチャンネルを通じて、選択されたメモリセルのチャンネルにブースト電圧を誘導して記録されたデータを安定化させるステップを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の動作方法を提供する。 - 特許庁

It is equipped with a core selection means for selection of arbitrary number of cores to perform data writing/erasing, performs writing data to a selected memory cell in a selected core based on a write command, and performs data erase of the selected block in the selected core based on an erase command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

The method includes the steps of obtaining the data quantity as to cells of each layer of graphic data, and expanding cell data of each layer the quantity of which is minimum to a higher-layer.例文帳に追加

電子線描画装置の描画データ作成方法であって、図形データの各階層のセルについて、データ量を求めるステップと、 前記データ量が最小である階層のセルデータを上位階層に展開するステップと、を備えたことを特徴とする電子線描画装置の描画データの作成方法を提供する。 - 特許庁

An ID comparator 203 decides whether or not ID data transmitted from a host computer are made coincident with identification data stored in a memory cell 201, and at the time of deciding that those data are made coincident with each other, the ID comparator 203 transmits an access permission signal EN to an operation code decoder 204.例文帳に追加

ＩＤコンパレータ２０３は、ホストコンピュータから送出されたＩＤデータとメモリセル２０１に格納されている識別データが一致するか否かを判定し、一致すると判定した場合には、オペレーションコードデコーダ２０４に対してアクセス許可信号ＥＮを送出する。 - 特許庁

The possibility of the occurrence of a defect is discriminated conforming to a defective mode indicating signal (TFMS) indicating a defective mode to detect TFMS the expected value of stored data in a cell level, a coincidence/noncoincidence discrimination result of internally read data and read expected data is made selectively valid/invalid conforming to the discriminated result.例文帳に追加

このセルレベルでの記憶データの期待値を検出すべき不良モードを指示する不良モード指示信号（ＴＦＭＳ）に従って不良発生の可能性を識別し、その識別結果に従って内部読出データと読出期待値データとの一致／不一致判定結果を選択的に有効／無効化する。 - 特許庁

A control circuit 6 controls the read operations so that one of data and threshold information having been completely read is output from the data latch DLX, and the other one being read is read from the memory cell array and stored into the data latches DL0-DL2.例文帳に追加

制御回路６は、データとしきい値電圧情報とのうち先に読み出し動作が終了した一方をデータラッチＤＬＸから出力するとともに、読み出し動作が終了していない他方をメモリセルアレイから読み出してデータラッチＤＬ０〜ＤＬ２に保持するよう読み出し動作を制御する。 - 特許庁

The sense amplifier circuit 30 senses the data DS stored in the memory cell array 10 by using reference levels REF1 and REF2, and outputs the read data DR1, DR2 corresponding to the reference levels REF1 and REF2 for the stored data DS.例文帳に追加

センスアンプ回路３０は、メモリセルアレイ１０に格納されている格納データＤＳを複数のリファレンスレベルＲＥＦ１，ＲＥＦ２を用いてセンスし、その格納データＤＳに関して複数のリファレンスレベルＲＥＦ１，ＲＥＦ２のそれぞれに対応する複数のリードデータＤＲ１，ＤＲ２を出力する。 - 特許庁

The driver cell DRC includes a multiplexer MUX which receives image data of at least one pixel and multiplexes and outputs image data of subpixels on a time-division basis and a D/A converter DAC which applies D/A conversion to the image data of the subpixels multiplexed on the time-division basis.例文帳に追加

ドライバセルＤＲＣは、少なくとも１画素分の画像データを受け、サブピクセルの画像データを時分割に多重化して出力するマルチプレクサＭＵＸと、時分割に多重化されたサブピクセルの画像データのＤ／Ａ変換を行うＤ／Ａ変換器ＤＡＣを含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory and its control method are characterized by that the readout frequencies of data stored in memory cells at respective addresses are limited to a preset specific readout frequency and data in a memory cell at an address where data are read out at the specific readout frequency are erased.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法は、各アドレスのメモリセルに記憶されたデータの読出回数を、予め設定される所定の読出回数に制限し、上記所定の読出回数のデータ読出が終了したアドレスのメモリセルのデータを消去するものである。 - 特許庁

Concerning the respective data of a former version drawing fetched by load processing parts 51 and 52 and an edited drawing prepared by that former version drawing, the element data of the same cell number are extracted from two pieces of drawing data by a differential extracting processing part 53 and differential information is found while including non- displayed contents as well.例文帳に追加

ロード処理部５１、５２により取り込まれた旧版図面とそれを変更して作成した編集図面の各データについて、差分抽出処理部５３はセル番号が同一の素子データを２つの図面データから取り出し、表示されない内容も含めて差分情報を求める。 - 特許庁

A logic structure (cell) in prescribed one unit is provided to compression coding data obtained resulting from encoding watermark imbedded data by an MPEG encoder 14 formed by mixing copyright information and an address with a jump as electronic watermark information to contents input data by an electronic watermark inserting device 11.例文帳に追加

電子透かし混入器１１により著作権情報とジャンプ付きアドレスとが電子透かし情報としてコンテンツ入力データに混入された透かし埋め込みデータをＭＰＥＧエンコーダ１４で符号化して得られた圧縮符号化データに、所定の１単位の論理構造（セル）をもたせる。 - 特許庁