「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

An erase command is accepted for the erasing target memory cell in units of a plurality of word lines WL disposed in the sector 122, and all the data in the sector 122 including the erasing target memory cell are saved in a different memory 150.例文帳に追加

セクタ１２２内に配置された複数のワードラインＷＬ単位のイレーズ対象メモリセルについてイレーズ指令を受け入れ、イレーズ対象メモリセルを含むセクタ１２２内の全データを別メモリ１５０に待避する。 - 特許庁

The flash memory stores a write pulse applied to a flash memory cell at writing of data to the flash memory to a nonvolatile memory other than the flash memory cell so as to minimize the write time.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいてフラッシュメモリへのデータ書き込み時にフラッシュメモリセルに印加された書き込みパルスをフラッシュメモリセルとは別の不揮発性メモリに格納することにより、書き込み時間を最小限にすることができるようにする。 - 特許庁

A control circuit executes writing of the same data simultaneously for a first memory cell connected to a first bit line of the first block and a second memory cell connected to the first bit line of the second block.例文帳に追加

制御回路は、第１のブロックの第１のビット線に接続された第１のメモリセル、および、第２のブロックの第１のビット線に接続された第２のメモリセルに対して、同時に同じデータの書き込み動作を実行する。 - 特許庁

A magnetic disk device 10 periodically monitors abnormalities of a head 19, and transfers, when the head abnormalities are detected, data of each cell corresponding to the abnormality detected head, to an alternative cell corresponding to another head.例文帳に追加

磁気ディスク装置１０は、ヘッド１９の異常を定期的に監視し、ヘッドの異常を検出した場合には、異常が検出されたヘッドに対応する各セルのデータを他のヘッドに対応する交代用のセルに転写する。 - 特許庁

Each time the active radio unit moves to the outside of one cell (or sector), and enters a new cell (or sector), the radio unit is registered in the MSC which updates the position registration data base on the present position of the radio unit.例文帳に追加

活性な無線ユニットが一つのセル（またはセクタ）の外に移動し、新しいセル（またはセクタ）に入る度に、この無線ユニットは、その位置登録データベースを無線ユニットの現在の位置で更新するＭＳＣに登録する。 - 特許庁

Whereby the input work of the data can be immediately performed without troublesome operations such as searching the target cell by scrolling after the display of the list, and moving the cursor to the cell by a user himself.例文帳に追加

したがって、ユーザ自身が表表示後にスクロール操作により目的とするセルを探して、そこにカーソルを移動させるなどの面倒な操作を行わなくとも、直ぐにデータの入力作業を行うことができる。 - 特許庁

The MRAM includes a memory cell array having magnetic memory cells arranged in lines and columns at intersection of word, bit and digit lines, and a sense amplifier for sensing data stored in a selected magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、ワードライン、ビットライン、及びデジットラインの交差点に行及び列に配列されたマグネチックメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたマグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを感知する感知増幅器とを含む。 - 特許庁

The computer 60 determines whether the state of the fuel cell is abnormal or not depending on the data of the electrode potentials based on the measured inner face current, and if any, decides on the existence of abnormalities of the fuel cell.例文帳に追加

コンピュータ６０は測定された面内電流に基づく電極電位データに基づき、燃料電池セルの状態に異常がないかを判断し、異常があれば燃料電池が異常であると判定する。 - 特許庁

A target reflection signal of a radar pulse acquired by an adaptive array antenna 21 is received and detected by a reception part 22, and stored in a corresponding cell position along a reception timing to a processing range cell prepared in a data accumulation part 23.例文帳に追加

アダプティブアレーアンテナ２１で得られたレーダパルスの目標反射信号を受信部２２で受信検波し、データ蓄積部２３に用意される処理レンジセルに対して受信タイミングに沿った対応セル位置に記憶する。 - 特許庁

Data of the voltage Vbi=Vi-Vi-1 of each cell Bi are collected in time series from the terminal voltage Vi(i=1-n) of each cell Bi(i=1-n) of a battery B, while discharging a discharge current I from the battery B.例文帳に追加

蓄電池Ｂから放電電流Ｉを放電させながら、蓄電池Ｂの各セルＢi （ｉ＝１、２…ｎ）の端子電圧Ｖi （ｉ＝１、２…ｎ）から、各セルＢi の電圧Ｖbi＝Ｖi −Ｖi-1 のデータを時系列的に採取する。 - 特許庁

In the case of normal reading/writing, either one of the cell arrays S0, S1 is selected by address data for specifying a word line, one block of the selected cell array is selected and one word line in the block is further selected.例文帳に追加

通常の読出／書込時においては、ワード線を指定するアドレスデータによってセルアレイの一方が選択されると共に、選択されたセルアレイの１ブロックが選択され、さらにそのブロック内の１ワード線が選択される。 - 特許庁

A limited color cell 202 holding cells for (p) colors less than (n) is held in a color look-up table 201 and the full-color image data are color-reduced to (p) colors based on the limited color cell 202 and displayed.例文帳に追加

カラールックアップテーブル２０１には、ｎよりも小さいｐ色分のセルを保持した限定色セル２０２が保持されており、フルカラーイメージデータは限定色セル２０２に基づいてｐ色に減色されて表示される。 - 特許庁

Determining at least one cell state in the memory unit is performed by processing data so that the data may be stored in the memory unit and by storing data deformed in the memory unit by means of a data value distribution function for creating the deformed data having data values which conform to predetermined distributions.例文帳に追加

前記メモリのユニットで少なくとも１つのセル状態を決定することは、事前に決定された分布にしたがうデータ値を有する変形されたデータを生産するためのデータ値分布機能によって、前記メモリのユニットに格納されるようにデータを処理することとそして前記メモリの前記ユニットで前記変形されたデータを格納することによって、進行されることができる。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having memory cells storing data determined by threshold voltage in a nonvolatile manner, when write-in is performed sequentially in first and second memory cell disposed adjacent to each other, first data write-in in which data having lower threshold voltage than desired threshold voltage is written in a first memory cell MC0 is performed.例文帳に追加

しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第１及び第２のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、まず、第１のメモリセルＭＣ０に所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第１のデータ書き込みを行う。 - 特許庁

A congestion informing information transmission means 15 detects a quasi congestion state for almost reaching a congestion state for abandoning the next arriving data cell and a non-congestion state not reaching the quasi congestion state for each connection based on the number of the data cells buffered for each connection and transmits congestion informing information to the transmission side device of the data cell corresponding to a detected result.例文帳に追加

輻輳通知情報送信手段は、コネクション毎にバッファリングされているデータセル数に基づいて、次の到来データセルを廃棄する輻輳状態にもう少しで到達する準輻輳状態、準輻輳状態に至っていない非輻輳状態をコネクション毎に検知し、検知結果に応じて、データセルの送出側装置に輻輳通知情報を送信する。 - 特許庁

A precharge signal generation circuit 50 outputs precharge signals including pulses, in the first mode, for each cycle in which access is made to a data register 23; and generates precharge signals which mask signals including pulses, in the second mode, for each cycle in which access is made to the data register 23 in case that access is designated to a memory cell except a prescribed memory cell of the data register 23.例文帳に追加

プリチャージ信号生成回路５０は第１のモードにおいてデータレジスタ２３に対するアクセスサイクルごとにパルスを含むプリチャージ信号を出力し、第２のモードにおいてデータレジスタ２３の所定のメモリセル以外のメモリセルに対するアクセスが指定された場合にデータレジスタ２３にアクセスサイクルごとにパルスを含む信号をマスクしたプリチャージ信号を生成する。 - 特許庁

This device has plural selectors connected to plural data lines through which data read out respectively from plural cell array blocks are transmitted, selecting operation of a selector is controlled by a selector control circuit based on a control clock so that read out data are selected by a selector in order of earliness of read-out timing from cell array blocks being respectively correspondent and outputted.例文帳に追加

複数のセルアレイブロックからそれぞれ読み出されたデータが伝送される複数のデータ線に接続された複数のセレクタを有し、読み出されたデータをそれぞれ対応するセルアレイブロックからの読み出しタイミングが速い順にセレクタで選択して出力するように、制御クロックに基いてセレクタの選択動作をセレクタ制御回路で制御する。 - 特許庁

Since data can be sent in advance to the upstream section of a data path for writing at the time of performing late writing operation, the random cycle time at writing time can be shortened by making the writing speed of data in a memory cell faster in the next write cycle.例文帳に追加

レイトライト動作において、書き込みのデータパスにおける上流部側に予めデータを送り込むことができるので、次のライトサイクルにおいて、メモリセルにデータを書き込む動作を高速化して書き込み時のランダムサイクルタイムを短縮できる。 - 特許庁

Read-out of data is performed accurately by generating reference voltage based on detection voltage from a dummy memory cell in which data '1' is recorded by which output voltage is not changed when read-out operation of data is performed, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、データの読み出し動作を行ったときに出力電圧に変化が起こらないデータ“１”の記録されたダミーメモリセルからの検知電圧を基に基準電圧を発生させることにより、データの読み出しを正確に行う。 - 特許庁

The peripheral circuits (3 to 7) reads out the part of bits from the first data cell (11), reproduces the data symbol by adding the prescribed dummy bit to the part of bits, and performs error detection and error correction using the reproduced data symbol.例文帳に追加

周辺回路（３〜７）は、第１データセル（１１）から前記一部のビットを読み出し、前記一部のビットに所定のダミービットを付け加えることによってデータシンボルを再生し、再生されたデータシンボルを用いて誤り検出及び誤り訂正を行う。 - 特許庁

By this arrangement, data are correctly read out when the stored data are read out from a memory cell, even in the case a minute potential difference of input/output data line couple IO, /IO at the time when a sense amplifier is activated, becomes 20 mV or smaller by the influence of manufacturing variance.例文帳に追加

このため、メモリセルから記憶データを読出す際、センスアンプが活性化される時刻における入出力データ線対ＩＯ，／ＩＯの微小電位差が、製造ばらつきの影響を受けて２０ｍＶ以下になる場合でも、データが正しく読出される。 - 特許庁

A peripheral circuit 10 writes and reads input data DIN and output data DOUT of L bits (L:integer of 2 or more) inputted/outputted to/from a data node 10# for memory cell blocks 5a, 5b being selectively an object of access.例文帳に追加

選択的にアクセス対象となるメモリセルブロック５ａ，５ｂに対して、周辺回路１０は、データノード１０♯へ入出力されるＬビット（Ｌ：２以上の整数）の入力データＤＩＮおよび出力データＤＯＵＴを書込および読出する。 - 特許庁

To provide a memory system which improves the reliability of readout data by securing a margin between a threshold voltage distribution and a read level of a memory cell in reading out data and reduces the readout time of data, while mitigating the influence of adjacency interference effect.例文帳に追加

隣接干渉効果の影響を軽減しながら、データ読出し時におけるメモリセルの閾値電圧分布とリードレベルとのマージンを確保して読出しデータの信頼性を改善しかつデータの読出し時間を短縮したメモリシステムを提供する。 - 特許庁

The main amplifier 22 practices the differential amplification of the data of one side output parts (nodes (a) and (c)) of the preamplifiers 20 and 21 and the main amplifier 23 practices the differential amplification of the data of the other side output parts (nodes (b) and (d)) to detect and amplify data in the designated memory cell.例文帳に追加

メインアンプ２２はプリアンプ２０、２１の一方の出力部（ノードａ，ｃ）のデータを、メインアンプ２３はプリアンプ２０、２１の他方の出力部（ノードｂ，ｄ）のデータをそれぞれ差動増幅し、指定されたメモリセルにおけるデータの検出、増幅を行う。 - 特許庁

The flash memory includes a non-volatile memory cell array, an error correction circuit for correcting an error in first phase data stored in the non-volatile memory array and outputting second phase data, and a phase register for storing the second phase data.例文帳に追加

本発明はフラッシュメモリ装置に係り、非揮発性メモリセルアレイ、前記非揮発性メモリセルアレイに貯蔵された第１フューズデータをエラー訂正して、第２フューズデータで出力するエラー訂正回路と、前記第２フューズデータが貯蔵されるフューズレジスタを含む。 - 特許庁

In a data transfer device for transferring data reproduced from a recording medium such as an optical disk to an external device such as a cell phone, user's operation for the data transfer is guided by light emitting operation of first, second and third light emitting parts.例文帳に追加

携帯電話器等の外部機器に対して、光ディスク等の記録媒体から再生したデータを転送するデータ転送装置において、そのデータ転送のためのユーザー操作を、第１，第２，第３の発光部の発光動作により案内する。 - 特許庁

Adjusting circuits (10a-10c) are provided corresponding to each row of memory cells (MCA-MCC) at write-in of data, data-holding characteristic at write-in of data of the memory cell is made to be degraded, conforming to a row-selecting signal and a write-in indicating signal on a word line.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣＡ−ＭＣＣ）の各行に対応して調整回路（１０ａ−１０ｃ）を設け、データ書込時に、ワード線上の行選択信号および書込指示信号に従ってメモリセルのデータ書込時のデータ保持特性を低下させる。 - 特許庁

A required data buffer plane number monitor/calculation circuit 36 calculates the required number of planes (number of segments) of a data buffer from the lengths of packets included in head cell data, and a packet reception enable discriminating/buffer plane number reserving circuit 48 compares it with a remaining buffer quantity.例文帳に追加

必要データバッファ面数監視／算出回路３６において、先頭のセルデータに含まれるパケット長から必要なデータバッファの面数（セグメント数）を算出し、パケット受信可判定／バッファ面数確保回路３８において残バッファ量と比較する。 - 特許庁

After a bus charging transistor 3 is conducted based on a bus charging pulse P, and the data bus 2 is charged to an H level, when the memory cell read-out data Y are an L level, the charge of the data bus 2 is discharged through a bus discharging transistor 4.例文帳に追加

バス充電パルスＰに基づいてバス充電用トランジスタ３を導通させてデータバス２をＨレベルに充電した後に、メモリセル読み出しデータＹがＬレベルであればバス放電用トランジスタ４を介してデータバス２の電荷を放電させる。 - 特許庁

A data storage circuit is connected to the bit line, and when threshold voltage of 2^k pieces (k: natural number) are set to respective memory cells in the memory cell array, the data storage circuit has at least one static latch circuit storing write-in data and a plurality of dynamic latch circuits.例文帳に追加

データ記憶回路は、ビット線に接続され、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは自然数）の閾値電圧を設定する場合、書き込みデータを記憶する少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路とを有している。 - 特許庁

On the basis of layout data for which cell arrangement is completed, a timing margin for a clock signal for data transmission between flip-flops each having a data path is computed, and two flip-flops are combined in ascending order of the timing margin to generate a flip-flop pair.例文帳に追加

セル配置の終了したレイアウトデータにもとづいて、データパスを有するフリップフロップ間のデータ伝達のクロック信号に対するタイミングマージンを算出し、そのタイミングマージンの少ない順にフリップフロップを２個ずつ組み合わせてフリップフロップ対を生成する。 - 特許庁

Data is written to the floating gate 6a by turning the memory cell (a) on by controlling the potential of the floating gate 6c, and data is erased through the floating gate 6b by turning the data erasing section (b) on by controlling the potential of the floating gate 6c.例文帳に追加

フローティングゲート６ｃの電位を制御してメモリセルａをオンにすることにより、フローティングゲート６ａにデータを書き込み、フローティングゲート６ｃの電位を制御してデータ消去部ｂをオンにすることにより、フローティングゲート６ｂを通じてデータを消去する。 - 特許庁

A data read-out current Is flows in a current path passing through a selection memory cell formed through a data bus DB, a column selection gate CSG, a bit line BL and a reference voltage wiring SL installed between a data read- out circuit 52a and a read-out reference voltage Vss terminal.例文帳に追加

データ読出電流Ｉｓは、データ読出回路５２ａから読出基準電圧Ｖｓｓの間に、データバスＤＢ、コラム選択ゲートＣＳＧ、ビット線ＢＬ、基準電圧配線ＳＬを介して形成される、選択メモリセルを通過する電流経路を流れる。 - 特許庁

A difference between the predicted value and the actual reception power of the data symbol is obtained by a power comparison part 107, and it is defined that the data symbol at the hopping position collides with the data symbol of the other cell in the case that the difference is large by a colliding position detection part 108.例文帳に追加

電力比較部１０７によりこの予測値と実際のデータシンボルの受信電力との差を求め、衝突位置検出部１０８によりその差が大きい場合にそのホッピング位置のデータシンボルが他セルのデータシンボルと衝突しているとする。 - 特許庁

Such a free core system is realized that read-out of data can be performed for a memory cell in a core being not selected while write-in/erasion of data is performed for a selected core by a core selecting means.例文帳に追加

コア選択手段により選択されたコアに対してデータ書込み／消去を行っている間に、選択されていないコア内のメモリセルに対してデータ読出しを可能とするフリーコア方式を実現した。 - 特許庁

In the computer system, the cell boards are connected to each other by system fabric, memory data read by the first memory controller are compressed by a codec engine before the memory data are transmitted by the fabric agent chip.例文帳に追加

コンピュータシステムにおいて、セルボードは、システムファブリックにより相互接続され、第１のメモリコントローラによって読み出されるメモリデータは、ファブリックエージェントチップにより送信される前に、コーデックエンジンにより圧縮する。 - 特許庁

A band division processing section 105 prepares sub band image data by dividing LCC (Liquid Crystal Cell) image data converted into LCC color space by a first color conversion processing section 104 into a plurality of frequency bands.例文帳に追加

帯域分割処理部１０５は、第１色変換処理部１０４にてＬＣＣ色空間に変換されたＬＣＣ画像データを複数の周波数帯域に分割してサブバンド画像データを作成する。 - 特許庁

The data receiving apparatus 12 detects the received illumination light from an output change in a solar cell panel 13, demodulates the detected illumination light, and displays the demodulated data on a display section 14.例文帳に追加

データ受信装置１２は、受信された照明光を太陽電池パネル１３の出力変化で検出し、検出された照明光を復調し、復調されたデータを表示部１４に表示する。 - 特許庁

A conversion circuit 4-1 converts data comprising k bits (a natural number of 3 or more; k<=n) stored in the memory cell array to data comprising h bits (a natural number of 2 or more; k<=h), based on a conversion rule.例文帳に追加

変換回路４−１は、メモリセルアレイに記憶するｋビット（ｋ＜＝ｎで、３以上の自然数）からなるデータを、変換則に基づき、ｈビット（ｋ＜＝ｈで、２以上の自然数）のデータに変換する。 - 特許庁

A free core method which enables data read to the memory cell in the core which is not selected is realized, while data writing/erasing is performed to a selected core with a core selection means.例文帳に追加

コア選択手段により選択されたコアに対してデータ書込み／消去を行っている間に、選択されていないコア内のメモリセルに対してデータ読出しを可能とするフリーコア方式を実現した。 - 特許庁

For example, when a power on reset circuit 32 detects supply of a power source, a sense amplifier circuit 21 automatically reads the primary set data from in a primary set data area 12 on a memory cell array 11.例文帳に追加

たとえば、パワーオンリセット回路３２が電源の投入を検知すると、センスアンプ回路２１がメモリセルアレイ１１上の初期設定データ領域１２内より初期設定データを自動的に読み出す。 - 特許庁

The reference current generating circuit G5 outputs a second reference current for reading out second bit data from the memory cell MC in accordance with the first bit data outputted from the latch circuit G4.例文帳に追加

基準電流生成回路Ｇ５は、ラッチ回路Ｇ４から出力される第１のビットデータに応じて、メモリセルＭＣから第２のビットデータを読み出すための第２の基準電流を出力する。 - 特許庁

To improve operation speed and suppress a leak current by shortening the time from finish of pre-charge to the set cell data '0' and reducing a data setup time.例文帳に追加

プリチャージが切れてからセルデータ“０”に確定するまでの時間の大幅短縮とデータセットアップ時間の大幅削減を実現して、動作スピードを向上させることができると共に、リーク電流の抑制を行うこと。 - 特許庁

To provide a memory in which reverse bias retention can be prevented in which data is varied being caused by continuing of a reverse bias state at disturbance phenomenon in which data of a non-selection cell is disappeared and when on standby.例文帳に追加

非選択セルのデータが消えるディスターブ現象やスタンバイ時（待機時）に逆バイアス状態が続くことに起因してデータが変化する逆バイアスリテンションを防止することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

One strip-like range graph displaying each the range of range designation data is made to be displayed inside one cell designated by a user on the basis of the range designation data entered in each of a plurality of cells.例文帳に追加

複数のセル内の各々に記入されている範囲指定データに基づき、ユーザが指定する一つのセル内に、範囲指定データの各範囲を表示した一本の帯状の範囲グラフを表示させる。 - 特許庁