「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A nonvolatile memory NVMEM included in the microcomputer sets a first memory cell area ARY1 of which the data storage life-time becomes 10 years or longer in the memory array NVARY and a second memory cell area ARY2 of which the data storage life-time becomes 1-365 days.例文帳に追加

例えば、マイクロコンピュータに含まれる不揮発性メモリＮＶＭＥＭにおいて、そのメモリアレイＮＶＡＲＹ内にデータ保持寿命が１０年以上となる第１メモリセル領域ＡＲＹ１と、データ保持寿命が１〜３６５日となる第２メモリセル領域ＡＲＹ２を設ける。 - 特許庁

To provide a technology for storing nonvolatile data in a ferroelectric capacitor and accessing cell data stored in the latch circuit of a sense amplifier in a read operation irrespective of the ferroelectric capacitor regarding a ferroelectric memory cell and a memory device using the same.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリセル及びこれを利用したメモリ装置に関し、非揮発性データを強誘電体キャパシタに格納してリード動作時に強誘電体キャパシタと関係なくセンスアンプのラッチ回路に格納されたセルデータをアクセスする技術を開示する。 - 特許庁

In the compression processor 1, a data storage part 2 manages the addresses of pixels so that they continue in the same direction in respective rows formed of the cells of image data and the cell (pixel) at the end of one row is continued to the leading cell of the other row in the respective two adjacent rows.例文帳に追加

圧縮処理装置１では、データ格納部２は、画像データのセルが成す各行では同一方向に連続し、かつ、隣接する各２行では一方の行の末尾のセル（画素）が他方の行の先頭のセルと連続するよう画素のアドレスを管理する。 - 特許庁

By giving an ID for a redactable signature to a cell to be processed in processed data by a spreadsheet program, which part in the file corresponds to the cell to be processed can be easily determined when the data is outputted as a file.例文帳に追加

表計算プログラムが処理データ中の処理対象となるセルに，墨塗り署名用のIDを付与しておくことにより，当該データがファイルとして出力された際に，当該ファイル中のどの部分が，処理対象のセルに相当するかが，容易に判定可能となる。 - 特許庁

As current values (I1+I2) and (I3+I4) flowing from respective data line to a load element are the same at any time, potential difference between data lines is amplified by time accumulation of difference of a current value of a selection memory cell and a current value of a memory cell for reference.例文帳に追加

それぞれのデータ線から負荷素子へ流れる電流値（Ｉ１＋Ｉ２）と（Ｉ３＋Ｉ４）は、どの時点でも同じになるので、データ線対間の電位差は選択メモリセルの電流値と参照用メモリセルの電流値の差分の時間累積によって増幅される。 - 特許庁

In this case, when the 1st main word line is driven, a sub-word line belonging to the 2nd main word line and having a memory cell with a bad data holding characteristic is driven in place of a sub-word line belonging to the 1st main word line and having only a memory cell with good data holding characteristic.例文帳に追加

その場合、第１のメインワード線の駆動時に、第１のメインワード線に属し且つデータ保持特性が良いメモリセルのみを有するサブワード線に代えて、第２のメインワード線に属し且つデータ保持特性が悪いメモリセルを有するサブワード線が駆動される。 - 特許庁

To provide a designing method capable of preventing the read of wrong data by reducing the apparent shift quantity of a threshold value concerning a non-volatile semiconductor memory circuit provided with a non-volatile memory cell (memory cell) for storing data corresponding to the level of a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧の高低によりデータを記憶する不揮発性記憶素子（メモリセル）を含む不揮発性半導体記憶回路において、見かけ上のしきい値のシフト量を小さくして誤ったデータの読み出しを防止できる設計方法を提供する。 - 特許庁

A dual port memory 1 is provided with a memory space of 53+X bytes or over per cell so as to reserve a nonuse area of n bytes (n≥X) to which data are not written in advance so that respective data are written in a fixed address of each ATM cell at all times.例文帳に追加

デュアルポートメモリ１に、１セル当たり５３＋Ｘバイト以上のメモリ空間を用意して予めデータを書き込まないｎバイト（ｎ≧Ｘ）の未使用領域を確保しておき、ＡＴＭセルの個々のデータが常に固定のアドレスに書き込まれるように構成する。 - 特許庁

This device has a memory cell array 11 having at least three memory cells A, B and C for storing data and a majority decision circuit for selecting data in the memory cell, which is not affected by a software error, according to a majority decision concerning the stored contents of the respective memory cells A, B and C.例文帳に追加

データを格納する少なくとも３つ以上のメモリセルＡ，Ｂ，Ｃを備えたメモリセルアレイ１１と、メモリセルＡ，Ｂ，Ｃの各々の記憶内容について多数決をとってソフトエラーを被っていないメモリセルのデータを選択する多数決回路とを有する。 - 特許庁

By processing time order reference data cells, a stop start-time reference mark and a stop end-time reference mark for the data cell stream are determined.例文帳に追加

時間順参照データセルを処理して、データセルストリームについての停止開始時間順基準標識とそのデータセルストリームについての停止終了時間順基準標識を決定する。 - 特許庁

Thereby, Each block performs write-in of data for a selected memory cell by the data write-in current from the current supply part connected to the independent power source voltage and the ground voltage.例文帳に追加

これにより、各ブロックは独立した電源電圧および接地電圧と接続される電流供給部からのデータ書込電流により選択メモリセルへのデータ書込を実行する。 - 特許庁

This integrated-circuit memory device is provided with a memory cell array, a plurality of data input-output pins, and a plurality of input-output circuits coupled to respective data input-output pins.例文帳に追加

メモリセルアレイ、複数のデータ入出力ピン、及びそれぞれのデータ入出力ピンとそれぞれ結合された複数の入出力回路を備える集積回路メモリ装置である。 - 特許庁

The set consisting of the R-bits is used for cell routing and also for transmission of information data such as transmission of user data, control or command signals in combination with a 2nd set consisting of D-bits.例文帳に追加

Ｒビットのセットは、セルのルーティングに使用するほか、Ｄビットの第２のセットと組み合わせて、ユーザデータ、制御またはコマンド送信などの情報データの送信に使用できる。 - 特許庁

Then a pattern setting section imbeds data to the binary image by replacing an arrangement pattern of '1' corresponding to n-sets of the numerals calculated as above with a pattern of each cell of the imbedded data.例文帳に追加

次に、パターン設定部により、前記算出されたｎ個の数値に対応する「１」値の配置パターンを被埋め込みデータの各セルのパターンに置きかえることでデータを埋め込む。 - 特許庁

On the other hand, write data line pairs WDL and /WDL are arranged by each of the eight memory cell arrays and the column selection in data writing is performed by eight sub-write activation lines SWRL.例文帳に追加

一方、ライトデータ線対ＷＤＬ，／ＷＤＬは、８個のメモリセル列ごとに配置され、データ書込におけるコラム選択は、８本のサブライト活性化線ＳＷＲＬによって行なわれる。 - 特許庁

A bit deleting part 15 compresses the pixel data of each area so that the data can be expressed with only the necessary number of bits, and a cell integrating part 16 assembles the cells for each area on each horizontal scanning line.例文帳に追加

ビット削減部１５は、各領域の画素のデータを必要なビット数のみで表すように圧縮し、セル化部１６は、各水平走査線上の領域毎にセルを組み立てる。 - 特許庁

Cell assembly and disassembly(CLAD) circuits 21-1 to 21-n of subordinate parts 2-1 to 2-n have a function for conversion between data and cells and impart traffic information into ATM cells when data are assembled into cells.例文帳に追加

従属部２−１〜２−ｎのＣＬＡＤ回路２１−１〜２１−ｎはデータとセルとの変換機能を有し、データをセル化する際にＡＴＭセル内にトラヒック情報を付与する。 - 特許庁

In such a matched line structure, only when all data bits stored in a CAM cell of one row coincide with corresponding comparison data bits, the matched line is discharged/charged.例文帳に追加

このようなマッチライン構造は一つの行のＣＡＭセルに貯蔵されたすべてのデータビットが対応する比較データビットと一致する時のみマッチラインが放電／充電されるようにする。 - 特許庁

To reproduce the color faithfully with holding color correction data on a screen display for which the color correction data cannot be applied to the color correction of a screen color such as a cell phone.例文帳に追加

携帯電話機のように、色補正データを保持して、この色補正データを、画面カラーの色補正に適用することのできない画面表示機器で、色を忠実に再現すること。 - 特許庁

The write module 42 receives write control data Z to save predetermined bit data in the nonprogrammed OTP memory cell of the OTP memory line 431 corresponding to the enabled bit.例文帳に追加

書き込みモジュール４２は書き込み制御データＺを受信し、イネーブルとされたビットに対応するＯＴＰメモリ行４３１のプログラムされていないＯＴＰメモリセルに所定のビットデータを保存する。 - 特許庁

A data memory cell block 1 is provided with 4,000 strings having memory cells M1 to M4 in which 4 threshold values are written, and data bit lines BL1 to BL4000 connected to the strings.例文帳に追加

データメモリセルブロック１には、４値のしきい値が書き込まれるメモリセルＭ１〜Ｍ４をもつ４０００本のストリングと、該各ストリングに接続されたデータビット線ＢＬ１〜ＢＬ４０００を設ける。 - 特許庁

An AND computation result or a NOT computation result of the storage data in the unit operator cell can be obtained by this manner, and the computation processing can be carried out only by writing and reading the data.例文帳に追加

これにより、ユニット演算子セルの記憶データのＡＮＤ演算結果またはＮＯＴ演算結果を得ることができ、データの書込／読出だけで演算処理を行なうことができる。 - 特許庁

A memory cell array 1 includes an area having first memory cells holding N bit data, and an area having second memory cells holding M bit (M is a natural number below N) data.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、Ｎビットのデータを保持する第１のメモリセルを有する領域と、Ｍビット（ＭはＮ未満の自然数）のデータを保持する第２のメモリセルを有する領域を含む。 - 特許庁

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of hard magnetization to a selected memory cell is supplied to a write word line WWWLi corresponding to a selected row.例文帳に追加

選択行に対応するライトワード線ＷＷＬｉには、磁化困難軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

A cell division unit 406 divides one of the image data of the first unit divided by the block division unit 402 into image data of the second unit each smaller than the first unit.例文帳に追加

また、セル分割部４０６は、ブロック分割部４０２で分割した１つの第１単位の画像データを、当該第１単位よりも小さいサイズの第２の単位の画像データに分割する。 - 特許庁

This device is provided with a parallel/series converter converting parallel data read out from a memory cell into series data, and a switch control circuit receiving a controlling signal and controlling the parallel/series converter.例文帳に追加

メモリセルから読み出される並列データを直列データに変換する並列直列変換器と、制御信号を受け、並列直列変換器を制御するスイッチ制御回路とを備えている。 - 特許庁

At each intersection between the data input path and the data output path, a crossbar cell is provided that comprises a configuration storage circuit programmable to store a routing value, and a transmission circuit.例文帳に追加

データ入力経路とデータ出力経路との間の各交差点には、ルーティング値を記憶するようにプログラムできる記憶回路と、伝送回路と、を備える、クロスバーセルが提供される。 - 特許庁

The EL display device is equipped with an EL display panel 60 including an EL cell 70, a scan driver 62 for driving a scan electrode line SL, and a data driver 64 driving a data electrode line DL.例文帳に追加

ＥＬ表示装置は、ＥＬセル７０を含むＥＬ表示パネル６０、スキャン電極ラインＳＬを駆動するスキャン・ドライバ６２、データ電極ラインＤＬを駆動するデータ・ドライバ６４を備える。 - 特許庁

A first pattern fusing part 28 fetches pattern data including the oblique wiring pattern and via cell pattern from the layout data to compose the patterns of every same layer number followed by fusing in different parts.例文帳に追加

第１図形融合部２８は、レイアウトデータから斜め配線図形及びビアセル図形を含む図形データを取込んで同一レイヤ番号毎に図形を合成して重なる部分で融合する。 - 特許庁

These registers are interconnected through internal data bus lines (GIO0-GIOn;GIO0-GIO127;SGIO0-SGIOn) to be used for internal data transfer of the memory cell array.例文帳に追加

これらのレジスタは、メモリセルアレイの内部データ転送に用いられる内部データバス線（ＧＩＯ０−ＧＩＯｎ；ＧＩＯ０−ＧＩＯ１２７；ＳＧＩＯ０−ＳＧＩＯｎ）を介して相互接続される。 - 特許庁

Write voltage pulses necessary for the memory cells 10 are applied for a plurality of times in a data write operation period in which data are written in the selected memory cell out of the plurality of memory cells 10.例文帳に追加

前記複数のメモリセル１０のいずれかの選択メモリセルにデータを書き込むデータ書き込み動作期間内に、前記メモリセル１０に必要な書き込み電圧パルスが複数回印加される。 - 特許庁

To prevent malfunction of a shift register, etc. caused by the noise of a power supply line when eliminating the data of the memory cell of a correction data hold circuit after powering up in a printing drive integrated circuit.例文帳に追加

印字駆動集積回路において、電源投入後に、補正データ保持回路のメモリセルのデータを消去する時に、電源線のノイズによるシフトレジスタ等の誤動作を防止する。 - 特許庁

As a charge/ discharge current is not caused in bit lines BL corresponding to the non-selection memory cell columns which does not contribute directly to read-out of data, power consumption at the time of read-out of data can be reduced.例文帳に追加

データ読出に直接寄与しない、非選択のメモリセル列に対応するビット線ＢＬに充放電電流が生じないので、データ読出時の消費電力を低減できる。 - 特許庁

To provide a base station, a control station, and a radio communication control method which can prevent occurrence of breakage of data sending toward a mobile station or data loss at a cell change.例文帳に追加

セルチェンジの際に移動局へのデータ送信の切断やデータの欠落が発生するのを防ぐことが可能な基地局、制御局、及び、無線通信制御方法を提供する。 - 特許庁

When a mobile terminal 1-1 detects an error in received data, the mobile terminal 1-1 transmits negative acknowledge including identification information of a cell from which data are received to a wireless base station 2-1.例文帳に追加

移動端末１−１は受信データに誤りを検出した時、無線基地局２−１に対して、データを受信しているセルの識別情報を含む否定応答を送信する。 - 特許庁

The data signal connection terminal of a display region 12 developing green in an organic EL cell 10 is connected to the output terminal of a data electrode driver 30 in 1 to 1 relationship.例文帳に追加

有機ＥＬセル１０における緑を発色する表示領域１２のデータ信号接続端子は、データ電極ドライバ３０の出力端子と１対１で接続されている。 - 特許庁

An illustrative unit cell of a nonvolatile memory, such as a phase change random access memory (PRAM), is linked to an address line, and a data line and includes a MOS transistor that receives application of a voltage from the data line.例文帳に追加

相変化ランドムアクセスメモリ（ＰＲＡＭ）のような不揮発性メモリの例示的な単位セルはアドレスラインとデータラインに連結され、データラインから電圧の印加を受けるＭＯＳトランジスタを含む。 - 特許庁

Succeedingly, area data IPCH and a paging area number included in a paging channel PCH of each control signal in cells A2, A3, A4, B1, B2, are monitored in the cell A1 and it is reported to a center when any fault exists in the monitored data.例文帳に追加

続いて、セルＡ１において、セルＡ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ１，Ｂ２の各制御信号のＰＣＨ内に含まれるＩ_PCHおよび一斉呼出しエリア番号をモニタし、異常があればセンタに通知する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage system capable of suppressing the overhead of the system resulting from mismatch between the data management unit of a host device and the data management unit of a memory cell array.例文帳に追加

ホスト装置のデータ管理単位とメモリセルアレイのデータ管理単位との間のミスマッチに起因するシステムのオーバーヘッドを抑制することを可能にした半導体記憶システムを提供する。 - 特許庁

A transfer switch row 7 where a transfer switch 6 being connected to one end of each data bus GDB is formed with a layout pitch, namely the interval of the data buses GDB, is formed at each of the cell array groups A1 and A2.例文帳に追加

各セルアレイ群A1，A2には、各データバスGDB の一端と接続されたトランスファ・スイッチ６をデータバスGDB の間隔であるレイアウトピッチで形成してなるトランスファ・スイッチ列７が形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which destruction of data of a memory cell or causing erroneous read-out of data can be prevented without increasing current consumption with simple circuit constitution.例文帳に追加

簡単な回路構成で消費電流を増加させることなく、メモリセルのデータ破壊又はデータの誤った読み出しの発生を防止することができる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

Thereby, the plurality of timing control signals (Si) are outputted simultaneously from a plurality of data input/output terminals I/Oi used for input/output of cell data (Di).例文帳に追加

これにより、複数のタイミング制御信号（Ｓｉ）が、セルデータ（Ｄｉ）の入出力に用いられる複数のデータ入出力端子Ｉ／Ｏｉから同時に出力される構成となっている。 - 特許庁

The data read from the memory cell array is stored in the buffer register, together with the check bit and is then decoded overwritten to the buffer register as correctly read data for outputting to the outside.例文帳に追加

メモリセルアレイから読み出されたデータはチェックビットと共にバッファレジスタに格納され、その後デコードされて正しい読み出しデータとしてバッファレジスタに上書きされた後、外部に出力される。 - 特許庁

Data buffers 157, 177 selectively capture a plurality of pixel data of a prescribed pixel block read from the memory cell arrays 152, 172 via sense amplifiers 155, 175 and switches 156, 176.例文帳に追加

メモリセルアレイ１５２，１７２より読み出される所定画素ブロックの複数の画素データを、夫々センスアンプ１５５，１７５及びスイッチ１５６，１７６を介して、データバッファ１５７，１７７に選択的に取り込む。 - 特許庁

To output data at high speed in a semiconductor integrated circuit outputting data signals read out from a memory cell plural times for one period of a clock signal.例文帳に追加

本発明は、メモリセルから読み出したデータ信号をクロック信号の１周期の間に複数回出力する半導体集積回路に関し、データを高速に出力することを目的とする。 - 特許庁