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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3555件
To provide a nonvolatile semiconductor memory having an EEPROM cell in which excellent data storage characteristics can be maintained even at a high temperature.例文帳に追加
高温時でも優れたデータ保持特性が維持されるEEPROMセルを有する不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁
When a read command is received, read data stored in the memory cell is read based on the system clock signal and the read command.例文帳に追加
リードコマンドを受信したときには、システムクロック信号と該リードコマンドとに基づいてメモリセルに格納されたリードデータを読み込む。 - 特許庁
A second data amplifier is connected to a second memory cell specified by a delay selection signal obtained by delaying the selection signal and the X address signal.例文帳に追加
第2データアンプは、選択信号を遅延した遅延選択信号とXアドレス信号で特定される第2メモリセルと接続する。 - 特許庁
To independently enable writing of data in a main memory cell in amplifying operation of a sense amplifier, without being restricted by operation of the sense amplifier.例文帳に追加
センスアンプの動作に制限を受けず、センスアンプの増幅動作時に独立にメインメモリセルにデータを書き込みできるようにする。 - 特許庁
To improve the refresh characteristic and the manufacturing yield of a twin cell DRAM wherein one bit data are stored in two DRAM cells.例文帳に追加
1ビットのデータを2つのDRAMセルで記憶するツインセルDRAMのリフレッシュ特性改善および製造歩留り改善を図る。 - 特許庁
Thus, width of the gate oxide film 4 in the memory cell 9 in which data are written can be enlarged by arranging the tilt 8.例文帳に追加
この傾斜8を設けることにより、データが書き込まれるメモリセル9のゲート酸化膜4の幅を大きくすることができる。 - 特許庁
A first data amplifier is connected to a first memory cell specified by a selection signal obtained by pre-decoding the Y address signal and the X address signal.例文帳に追加
第1データアンプは、Yアドレス信号をプリデコードした選択信号とXアドレス信号で特定される第1メモリセルと接続する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which performs masking of data written in a part of an area of a memory cell array, and its masking method.例文帳に追加
メモリセルアレイの一部領域に書込まれるデータをマスキングする半導体メモリ装置及びそのマスキング方法を提供する。 - 特許庁
A substrate potential setting circuit 10, which controls substrate potential at least when data are written, is provided in row units of a memory cell array 1.例文帳に追加
メモリセルアレイ(1)の列単位で少なくともデータ書込時に基板電位を制御する基板電位設定回路(10)を設ける。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of high reliability by preventing the data holding characteristics of a memory cell having a trap film from deteriorating.例文帳に追加
トラップ膜を有するメモリセルのデータ保持特性の劣化を防止し、信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁
A memory cell (114) of a data storage device (110) comprises a first magneto resistive element (10) and a second magneto resistive element (20) which are connected in series.例文帳に追加
データ記憶装置(110)のメモリセル(114)は、第1の磁気抵抗素子(10)と第2の磁気抵抗素子(20)を直列接続させたものを含む。 - 特許庁
During the period, access for the memory cell array 51 is prohibited, when it reaches a normal block, reading data from the block is started again.例文帳に追加
その間、メモリセルアレイ51へのアクセスを禁止し、正常なブロックに達したら、そのブロックからのデータの読み出しを再開する。 - 特許庁
To provide a memory device which can match with data topology on repair of memory blocks having open bit line cell architecture.例文帳に追加
オープンビットラインセル構造を有するメモリブロック間のリペアーの際データトポロジーをマッチングすることができるメモリ装置を提供する。 - 特許庁
The third comparator receives the first and the second values, and outputs data stored in the memory cell in accordance with it.例文帳に追加
第3の比較器は、前記第1および第2の値を受信し、これに応じてメモリセルに記憶されているデータを出力する。 - 特許庁
A SRAM circuit of an initial-value setting type configured by the memory cell 100 is used as a program memory and also a data memory.例文帳に追加
メモリセル100により構成された初期値設定型のSRAM回路は、プログラムメモリ兼データメモリとして使用できる。 - 特許庁
The additional bit and the write expectation value are stored in a memory cell at an address while being supplied to the memory (16) as write data.例文帳に追加
この付加ビットと書き込み期待値とは、書き込みデータとしてメモリ(16)に供給されてアドレスのメモリセルに格納される。 - 特許庁
Stored data of a memory cell 10i,j connected to a word line WLi is outputted to bit lines BLj, /BLj.例文帳に追加
選択されたワード線WLiに接続されたメモリセル10_i,jの記憶データが、ビット線BLj,/BLjに出力される。 - 特許庁
A load device 201 measures voltage, current, and internal resistance of the fuel cell and transmits it to a data log device 209 and makes it stored.例文帳に追加
負荷装置201は、燃料電池の電圧、電流、内部抵抗を測定し、データログ装置209へ送信して記憶させる。 - 特許庁
To provide the constitution of a thin-film magnetic storage device combining the reliability security of an MTJ memory cell and reading of fast data.例文帳に追加
MTJメモリセルの信頼性確保と高速データ読出とを両立する薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory in which the volume of data recorded per memory cell of a nonvolatile semiconductor memory can be enhanced.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリのメモリセル当たりの記録データ量を向上させることができる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
Consequently current consumption required for writing data by power supply from a cell 12 can be reduced.例文帳に追加
このことにより、電池12からの電源供給によってデータの書き込みを行うときの消費電流を少なくすることができる。 - 特許庁
Four picture cell data are read from memories 10 to 13 according to the ratio of enlargement and contraction under control of an address selection control unit 16.例文帳に追加
アドレス選択制御部16の制御により、拡大縮小率に応じてメモリ10〜13より4つの画素データを読み出す。 - 特許庁
Accordingly, a first amplification stage becomes an enabled state, and the write data is transmitted to the cell concerned via the main bit line.例文帳に追加
したがって、第1増幅ステージが活性化状態となり、書き込むデータをメインビットラインを介して当該セルへ伝達する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of preventing the deterioration of cell disturbance characteristics caused by a data line capacity and being operated by a low voltage.例文帳に追加
データ線容量によるセルディスターブ特性悪化を防止し、低電圧で動作する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A data line is provided independently for each of the regular memory cell array, the row redundant circuit 70, and the column redundant circuit 80.例文帳に追加
正規メモリセルアレイ、ロウ冗長回路70およびコラム冗長回路80のそれぞれに対して独立にデータ線が設けられる。 - 特許庁
To provide a nonvolatile data storage device that prevents bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array.例文帳に追加
メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止する不揮発性データ貯蔵装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor memory device is composed of a plurality of memory cells storing data of (n) bits (n:natural number of 2 or more) in one cell.例文帳に追加
本半導体記憶装置は、1セルにnビット(nは2以上の自然数)のデータを記憶する複数のメモリセルから構成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which can store binary data by dynamic operation in a small cell area with a fewer signal lines.例文帳に追加
小さいセル面積で且つ少ない信号線で二値データのダイナミック記憶を可能とした半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
When stored data in the memory cell C is at a 'H' level, a capacitor is connected between the bit line BL and the word line LWL.例文帳に追加
メモリセルCにおける記憶データが「H」レベルであるとき、ビット線BL及びワード線LWL間にコンデンサが接続される。 - 特許庁
To predict the number or positions of membrane penetrating regions where amino acids penetrate cell membranes from given amino acid residue data.例文帳に追加
与えられたアミノ酸残基データから、そのアミノ酸が細胞膜を貫通する膜貫通領域の数または位置を予測する。 - 特許庁
The reference transistor RT generates the reference current Iref used for sensing data stored in the memory cell transistor MC.例文帳に追加
リファレンストランジスタRTは、メモリセルトランジスタMCに記憶されたデータのセンスに用いられる基準電流Irefを生成する。 - 特許庁
Four bit parallel data of the 0th to third bit are simultaneously delivered between a memory cell array and each I/O pin of DQ0-DQ7.例文帳に追加
DQ0〜DQ7の各I/Oピンについて、0〜3ビット目の4ビットパラレルデータがメモリセルアレイとの間で同時に受け渡される。 - 特許庁
To prevent effectively disturbance of data between adjacent memory cells in FeRAM elements sharing a cell plate between adjacent memory cells.例文帳に追加
隣接メモリセル間にセルプレートを共有するFeRAM素子における隣接メモリセル間のデータ攪乱を効果的に防止する。 - 特許庁
The operation controller continuously latches the data held in the memory cell of the partial area on a sensor amplifier in the power saving mode.例文帳に追加
動作制御回路は、低消費電力モード中に、パーシャル領域のメモリセルに保持されているデータをセンスアンプにラッチし続ける。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WHICH PERFORM MASKING OF DATA WRITTEN IN PART OF AREA OF MEMORY CELL ARRAY WHEN WRITE OPERATION, AND ITS MASKING METHOD例文帳に追加
書込み動作時にメモリセルアレイの一部領域に書込まれるデータをマスキングする半導体メモリ装置及びそのマスキング方法 - 特許庁
The node device 21 separates various headers from the received control cell to extract the control data and performs an operation corresponding to its content.例文帳に追加
ノード装置は、受信した制御セルから各種のヘッダを分離して制御データを取り出し、その内容に応じた動作を行なう。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device in which memory cells constituting a NOR memory cell array are usable by quaternary data.例文帳に追加
NOR型のメモリセルアレイを構成するメモリセルを4値データで使用し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Since the parity data is generated by a parity generation circuit 16, it is difficult to write a desired pattern to the parity cell array PCA.例文帳に追加
パリティデータは、パリティ生成回路16により生成されるため、所望のパターンをパリティセルアレイPCAに書き込むことは難しい。 - 特許庁
The cell phone 100 transmits the one-time ID , by the user's operation, to the web authentication server 120 via the data-communications network 110.例文帳に追加
携帯電話100はユーザ操作によりデータ通信網110経由でWeb認証サーバ120へワンタイムIDを送信する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of correctly reading memory cell data and reducing defective bits without any dependence on temperature.例文帳に追加
温度に依存せずに、メモリセルデータを正しく読み出すことができ、不良ビットを低減できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To automatically predict the design constraint of analog cell layout from circuit diagram data without depending on the skill of a designer.例文帳に追加
アナログセルレイアウトの設計制約を設計者の熟練度に依らずに回路図データから自動予測することができるようにすること。 - 特許庁
To shorten a test time by performing incorporated self-test in a semiconductor memory having a memory cell array storing parity data.例文帳に追加
パリティデータを記憶するメモリセルアレイを有する半導体メモリにおいて、組み込み自己検査を実施し、試験時間を短縮する。 - 特許庁
Each CM cell holds corresponding bit among the pieces of tag data and executes the coincidence comparison with the corresponding bit of the retrieval keyword.例文帳に追加
各CMセルは、タグデータのうちの対応するビットを保持し、検索キーワードの対応するビットとの間で一致比較を実行する。 - 特許庁
For the data flash memory cell, on the other hand, memory gate electrodes 22b, 22c are formed on sidewalls at both sides of the control gate electrode 14b.例文帳に追加
一方、データフラッシュメモリセルでは、コントロールゲート電極14bの両側の側壁にメモリゲート電極22b、22cを形成する。 - 特許庁
The data can be sorted and paged, and each cell of the table can have a custom look by using CSS for the HTML output. 例文帳に追加
データのソートやページ処理が可能で、HTML 出力時にはテーブルの各セルの見栄えを変えることもできます。 これにはCSS を使用します。 - PEAR
To provide a semiconductor memory device capable of suppressing the influence of dispersion of characteristics of a memory cell, thereby realizing stable data discrimination.例文帳に追加
メモリセルの特性バラツキの影響を抑制し、安定的なデータ判別を可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To enable detecting a memory cell of which characteristics are varied irregularly when writing-in and erasing data of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置へのデータ書き込み及び消去時にイレギュラーに変動するメモリセルを検出可能にする。 - 特許庁
The memory cell section (a) and the data erasing section (b) are composed of a MOS transistor, and the control gate section (c) is composed of a MOS capacitor.例文帳に追加
メモリセル部a及びデータ消去部bはMOSトランジスタで構成され、コントロールゲート部cは、MOSキャパシタで構成される。 - 特許庁
The control section 100 using the new function extracts cell information from received data reproduced by a signal processing section 17.例文帳に追加
この新たな機能において、制御部100は、信号処理部17にて再生された受信データからセル情報を取り出す。 - 特許庁
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