「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The matrix shown at left is a state before performing merge in which pieces of applicable numerical data are registered in each cell.例文帳に追加

左に示したマトリックスは、それぞれのセルに該当する数値データが登録されたマージを行う前の状態である。 - 特許庁

As data in the memory cell section can be rewritten with a bit unit, bit processing can be performed by simple operation.例文帳に追加

メモリセル部内のデータをビット単位で書き換えることができるので、簡単な動作でビット処理を行うことが可能となる。 - 特許庁

At the time of write-in, data from the encoder 3 is written in an address of a memory cell array 5 specified by the column address decoder 30.例文帳に追加

書き込み時には、エンコーダ３からのデータを、列アドレスデコーダ５０で指定されるメモリセルアレイ５のアドレスへ書き込む。 - 特許庁

As a result, the memory cell array is accessed only when required by the access data, thus reducing power consumption.例文帳に追加

これにより、アクセスデータによって必要な場合にのみメモリセルアレイをアクセスするので電力消費を減らすことができる。 - 特許庁

A first bit FB of multi-bit data is programmed in one of the plurality of memory cells in the memory cell array from the storage unit.例文帳に追加

マルチ-ビットデータの第１ビットＦＢは、記憶ユニットからメモリーセルアレイ内の複数のメモリーセルの中に１つにプログラムされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which timing control is appropriately conducted to make access to the data in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータにアクセスするためのタイミング制御を適切に行うことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

After the layout data or the like of the cell is read (S31), a database to be shared that has been created in advance is read (S32).例文帳に追加

セルのレイアウトデータなどを読み込んだのち（Ｓ３１）、予め作成されている共有化データベースを読み込む（Ｓ３２）。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of accessing data in a memory cell array at a high speed in synchronization with an external system clock.例文帳に追加

外部システムクロックに同期して、メモリセルアレイ内のデータを高速にアクセスすることができる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a total cell thickness smaller than a thickness that can bring about an increased storage capacity in a data storage device.例文帳に追加

データ記憶装置における増加された記憶容量をもたらし得るより小さい全体セル厚さを提供する。 - 特許庁

Thus, at a cell change, smooth switching can be performed without data loss or transmission breakage in a mobile station 30.例文帳に追加

このことにより、移動局３０でのデータの欠落や送信切断なくセルチェンジの際の円滑な切り替えが可能となる。 - 特許庁

The process editor part 40 creates a process cell object displaying at least a part of the production control data for each process.例文帳に追加

プロセスエディタ部４０は、生産管理データの少なくとも一部が表示されたプロセスセルオブジェクトを工程毎に作成する。 - 特許庁

RNC events are identified in the captured data according to cell calls for each RNC according to analysis by signaling analyzers.例文帳に追加

ＲＮＣイベントは、各ＲＮＣのセル通話に従って取得データの中で、シグナリングアナライザの解析により識別される。 - 特許庁

To provide a technology capable of writing data in an MRAM memory cell with a smaller writing current.例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセルへのデータの書き込みを，より小さな書き込み電流で行うことを可能にする技術を提供する。 - 特許庁

When the next wrote-in command is received, the wrote-in holding data are written in a memory cell corresponding to the write-in holding address.例文帳に追加

次の書き込みコマンドを受けたとき、書き込み保持データは、書き込み保持アドレスに対応するメモリセルに書き込まれる。 - 特許庁

A current is allowed to flow in the memory cell MC11 to read a phase state of the phase-change thin film 4, for reading data.例文帳に追加

メモリセルＭＣ_11中に電流を流して相変化薄膜４の相の状態を読み取ることにより、データを読み出す。 - 特許庁

The main control unit continuously receives data for a fuel cell state which is sent from an energy management unit 205.例文帳に追加

主制御単元はエネルギー管理単元２０５より送り出す燃料電池状態のデータを継続的に受信する。 - 特許庁

A direction of arrangement, start date and time and a start cell position can be designated while the time series history data is displayed.例文帳に追加

時系列履歴データが表示された状態で、配列の方向と、開始日時と、開始セル位置が指定可能である。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 can hold data of (n) bits corresponding to a threshold value level of 2^n pieces.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００中のメモリセルの各々は、２^n個のしきい値レベルに対応してｎビットのデータを保持できる。 - 特許庁

To make a memory cell to be easily multi-valued by narrowing a distribution width of threshold after the write-in of data in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体装置のデータ書き込み後のしきい値の分布幅を狭くして、メモリセルの多値化を容易にする。 - 特許庁

To accelerate data read from an MRAM(Magnetic RAM) device formed of a magnetic substance memory cell having a magnetic tunnel junction section.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのデータ読出を高速化する。 - 特許庁

A data read terminal of a memory cell MS1, to which a power supply voltage VDD is supplied, is connected to or disconnected from a bit line and a cell selecting terminal is connected to a word line WL.例文帳に追加

電源電圧ＶDDを供給されるメモリセルＭＳ１のデータ読み出し端子がビット線に接続され又は分離されており、セル選択端子がワード線ＷＬに接続されている。 - 特許庁

The first and the second blocks of the physical memory cell and the additional block of the virtual memory cell can be independently read in order to provide whole of three blocks of read data.例文帳に追加

前記実際的メモリセルの第１および第２ブロック、そして仮想的メモリセルの追加的なブロックは、読み出しデータの３ブロック全体を提供するために独立に読み出すことができる。 - 特許庁

When an operation mode is a seamless reproduction mode and stream data are transferred to a decoder, a control stream is inserted following the end of one scene (CELL#n) and then a next scene (CELL#(n+1)) is transferred.例文帳に追加

動作モードがシームレス再生モードである場合、デコーダへのストリームデータ転送を行う際に、１つのシーン（ＣＥＬＬ＃ｎ）の終端に続いて、制御ストリームを挿入した後、次のシーン（ＣＥＬＬ＃（ｎ＋１））を転送する。 - 特許庁

To provide a method for analysis of cell cycle capable of acquiring data useful for the analysis of a cell cycle, even if cells are recognized as clusters without excluding the cluster.例文帳に追加

細胞が塊として認識されていても、それを除外することなく細胞周期解析に有用なデータを引き出すことが可能な細胞周期解析方法を提供する。 - 特許庁

A detrapping pulse supply circuit 19 in which after data are written in the memory cell, a detrapping pulse is supplied to the control gate of the memory cell, and electric charges are taken off from the second insulation film, is included.例文帳に追加

メモリセルにデータが書き込まれた後に、デトラップパルスをメモリセルの制御ゲートに供給して、第２絶縁膜から電荷を引き抜くデトラップパルス供給回路１９が設けられている。 - 特許庁

The database to be shared is created, based on the data obtained by separating into a region that can be shared with an adjacent cell and into a region that cannot be shared for each cell.例文帳に追加

共有化データベースは、各セルについて、隣接セルと共有化できる領域と共有化できない領域とに分離したデータを求め、これらのデータに基づいて作成されたものである。 - 特許庁

Measured results are plotted via the SOHs, and are approximated to one broken-line graph to obtain a correspondence correlation data between the open circuit voltage Ec per one cell and the discharge voltage VC per one cell.例文帳に追加

測定結果をＳＯＨを介してプロットし、１本の折れ線グラフに近似して１セル当たりの開回路電圧Ｅｃと１セル当たりの放電電圧Ｖｃとの対応データを得た。 - 特許庁

Also, in a selection row, the data is written only to the memory cell corresponding to the selected source line, therefore, the disturbance to the unselected memory cell column can be reduced.例文帳に追加

また、選択行において、選択ソース線に対応するメモリセルに対して、データの書込が行なわれるだけであり、非選択列のメモリセルに対するディスターバンスを低減することができる。 - 特許庁

Thereby in this nonvolatile semiconductor memory device, data of the memory cell to be selected can be stably read out even for the memory cell of the normal bit line adjoining the dummy bit line.例文帳に追加

よって、本発明の不揮発性半導体メモリ装置では、ダミービット線に隣接するノーマルビット線のメモリセルに対しても、選択されるメモリセルのデータは安定的に読み出され得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which no delay difference in reading timing of data is caused and a selection gate can be arranged in the pitch of a memory cell even when the size of the memory cell is micronized.例文帳に追加

データの読出しタイミングの遅延差を発生させず、メモリセルのサイズが微細化されたときにもメモリセルのピッチに選択ゲートを配置可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The first storage sections 28 correspond to the redundant cell arrays 41 and store the replacement confirmation data which indicate whether the redundant cell arrays 41 conduct replacement or not using two bit nonvolatile memory cells.例文帳に追加

第１格納部２８は、冗長セルアレイ４１に対応し、冗長セルアレイ４１が置換を行うか否かを示す置換確認データを２ビットの不揮発性メモリセルで格納する。 - 特許庁

Data on stand-by current values of each cell composing the chip circuit are calculated (step S201), and stored by each circuit state and each using condition of the cells in a cell library which is a database (step S202).例文帳に追加

データベースであるセル・ライブラリに、チップ回路を構成する各セルのスタンバイ電流値に関するデータ計算し（ステップＳ２０１）、セルの回路状態、使用条件ごとに格納する（ステップＳ２０２）。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of suppressing the influence of the leak current of a memory cell in a memory cell array, and improving the reliability of read data and the stability of the operation.例文帳に追加

メモリセルアレイにおけるメモリセルのリーク電流による影響を抑制でき、読み出しデータの信頼性及び動作の安定性を向上できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a luminous display static RAM core cell, a static RAM core cell and a semiconductor element that can be applied to the data drive section of an organic EL luminous display.例文帳に追加

有機ＥＬ発光表示装置のデータ駆動部に適用することが可能な発光表示装置用スタティックＲＡＭコアセル，スタティックＲＡＭコアセルおよび半導体素子を提供する。 - 特許庁

Complementary second global bit lines (GBL, /GBL) for transmitting the data of a memory cell MC, read out through complementary bit lines (BL, /BL), are disposed above a memory cell array (BLock).例文帳に追加

相補性ビット線（ＢＬ、／ＢＬ）を通じて読み出されたメモリセルＭＣのデータを伝達する相補性第２グローバルビット線（ＧＢＬ、／ＧＢＬ）をメモリセルアレイ（ＢＬｏｃｋ）の上部に配置する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device in which data stored in a memory cell is associated to whether or not the memory cell is switchable between a first state and a second state.例文帳に追加

メモリセルに記憶されたデータが、メモリセルが第１の状態と第２の状態との間で切り替え可能であるか否かに関連づけられる不揮発性メモリデバイスを提供すること。 - 特許庁

Thus, a time interval from reading of data from the memory cell to be tested to a bit line to the start of amplifying operation by a corresponding amplifier is made to be constant without depending on the position of the memory cell.例文帳に追加

これにより、試験するメモリセルからビット線にデータが読み出されてから、対応するセンスアンプが増幅動作を開始するまでの時間間隔をメモリセルの位置に依存せず一定になる。 - 特許庁

The main controller MC transmits processing history data regarding each substrate and specification rules for specifying what kind of conditions the substrate should have for inspection to the cell controller CC of an inspection cell.例文帳に追加

メインコントローラＭＣは、各基板についての処理履歴データと、どのような条件の基板を検査するかを指定するための指定ルールとを検査セルのセルコントローラＣＣに送信する。 - 特許庁

To provide a data erasing method for a nonvolatile semiconductor memory in which reliability of a memory cell can be improved by reducing stress applied to each memory cell before erasure.例文帳に追加

各メモリセルに対して消去前書き込みによるストレス印加を低減して、メモリセルの信頼性を改善できる不揮発性半導体メモリ装置のデータ消去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide particular performance data that are not generally obtained by a large-scale integrated testing method by evaluating the performance characteristic of each memory cell in particular about a random access memory cell.例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリ・セルに関し、特に、個々のメモリ・セルの性能特性を評価し、それによって、一般に大規模統合テスト方法では得られない特定の性能データを与える。 - 特許庁

A reading circuit 24 is commonly connected to the bit lines BLX of different cell arrays, and determines the logical value of data read to one of the bit lines BLX of the cell arrays ARY.例文帳に追加

読み出し回路２４は、異なるセルアレイＡＲＹのビット線ＢＬＸに共通に接続され、セルアレイＡＲＹのいずれかのビット線ＢＬＸ上に読み出されたデータの論理値を判定する。 - 特許庁

An electrostatic screening line SL is made on the sub bit line SB of the redundant memory cell array, and the data line DL to be connected to the ordinary memory cell array is made on the electrostatic screening line SL.例文帳に追加

冗長メモリセルアレイのサブビット線ＳＢ上に静電遮蔽線ＳＬを形成し、通常メモリセルアレイに接続されるデータ線ＤＬを静電遮蔽線ＳＬ上に形成する。 - 特許庁

This invention relates to a bus system to transfer the data between the processing unit (10) and the memory unit (19) having a memory cell (17) in which a plurality of logical addresses can be used by every memory cell (17).例文帳に追加

本発明は、処理ユニット（１０）と複数の論理アドレスがメモリセル（１７）ごとに使用できるメモリセル（１７）を備えるメモリユニット（１９）の間でデータを伝送するためのバスシステムに関する。 - 特許庁

Data transfer lines extending in a column direction of the matrix of the two memory cell arrays of different types are shared by the two memory cell arrays.例文帳に追加

また、互いに異なる種類の２つのメモリセルアレイにおける上記マトリックスの列方向に延設されたデータ転送線は、互いに異なる種類の２つのメモリセルアレイにおいて共用されている。 - 特許庁

The phase data is repeatedly programmed into the cell array, and an error correction operation is executed, thereby making it possible to improve the reliability of the relief of a defective cell and the trimming of an internal voltage.例文帳に追加

本発明によると、フューズデータをセルアレイに反復的にプログラムし、エラー訂正演算を実行して欠陥セルの救済と内部電圧のトリミングに信頼性を改善することができる。 - 特許庁