「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a ferroelectric storage device in which a cell plate line of an adjacent ferroelectric memory cell can be made common without destructing data held in a ferroelectric capacitor in an adjacent non-selection ferroelectric memory cell.例文帳に追加

隣接非選択強誘電体メモリセル内の強誘電体キャパシタに保持されているデータを破壊することなく、隣接する強誘電体メモリセルのセルプレート線を共通にすることができる強誘電体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Also, a control circuit 12 has a pointer 17 designating an address of a memory cell, and performs processing in which it is decided whether data in the memory cell satisfies retrieving conditions or not in a flash memory device when data inside a flash memory device is retrieved.例文帳に追加

また、制御回路１２はメモリセルのアドレスを指定するポインタ１７を有し、フラッシュメモリ装置内部のデータの検索に際しメモリセル内のデータが検索條件を満すかどうかを判断する処理をフラッシュメモリ装置内で実行する。 - 特許庁

Data of which the kind and bit capacity are different respectively are stored in the first and the second memory cell blocks 21, 22, and the first and the second memory cell blocks 21, 22 each have different memory capacity in accordance with bit capacity of stored data.例文帳に追加

第１及び第２のメモリセルブロック２１，２２には、種別とビット容量とがそれぞれ異なるデータが記憶され、第１及び第２のメモリセルブロック２１，２２は、記憶されるデータのビット容量に応じてメモリ容量が異なっている。 - 特許庁

Error information stored in reception cell data is checked after acquisition of an empty buffer; and if error information is ineffective, it is discriminated whether the destination information stored in reception cell data is matched with self destination information or not.例文帳に追加

空バッファを取得した後、受信セルデータ内に格納されているエラー情報をチェックし、エラー情報が無効である場合には受信セルデータ内に格納されている宛先情報と自己宛先情報との一致、不一致を判定する。 - 特許庁

In normal data reading, one of word lines WL0, WL1,... is selected and one of dummy word lines DWL0, DWL1 is selected, and data is read by a selected normal memory cell 20 and access to a reference cell 21.例文帳に追加

通常のデータ読出では、ワード線ＷＬ０、ＷＬ１，…のうちの１本とダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１の一方とが選択されて、選択された正規メモリセル２０およびリファレンスセル２１へのアクセスによってデータを読出す。 - 特許庁

This prevents the influence of capacity coupling by the flag cell 15 adjoining in the direction of the word line WL, and the reliability of the data (the flag data), stored in the flag cell 15, can be enhanced.例文帳に追加

このようにすることで、前記ワード線ＷＬ方向に隣接するフラグセル１５から容量カップリングの影響を受けることがなくなり、前記フラグセル１５に記憶されるデータ（フラグデータ）の信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

At a first operation mode (PROM), the data are written into a non-volatile memory cell with a non-destructively rewritable mode, and at a second operation mode (OTP), the data are written into the non-volatile memory cell with destructively un-rewritable mode.例文帳に追加

第１の動作モード（ＰＲＯＭ）時には、不揮発性メモリセルに対し非破壊的に書換え可能な態様でデータを書込み、第２の動作モード（ＯＴＰ）時には不揮発性メモリセルに対し、破壊的に書換え不可能な態様でデータを書込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device that accurately discriminates information in a memory cell even if a space in distributions between data 0 and data 1 of a cell current value is extremely narrow or the distributions overlap.例文帳に追加

セル電流値のデータ０とデータ１の分布の隙間が極端に狭かったり、あるいは、重なってしまうようなことがあっても、メモリセルの情報を高精度に判別することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The estimated value of the sectional area of the visceral fat is calculated personally based on the personal data of the total quantity of fat personally indicating the total quantity of fat and the personal data of the concentration of the cell components indicating the concentration of the cell components in the blood.例文帳に追加

個人の総脂肪量を表す個人総脂肪量データと血液中の細胞成分の濃度を表す個人細胞成分濃度データとに基づいて、前記個人の内臓脂肪断面積の推定値を算出する。 - 特許庁

A spread sheet program 31 is a program which displays cell data in a table frame where cells are arranged in at least one of the row and column directions and has a function of generating the table frame and cell data in HTML.例文帳に追加

表計算プログラム３１は、行方向または列方向の少なくとも一方向にセルを配置した表枠にセルデータを表示するプログラムであり、表枠およびセルデータをＨＴＭＬとして生成する機能を有している。 - 特許庁

The nonserving cell has a section 132, which directs the serving cell to decrease transmission rate of user data in the uplink direction, when the power of user data in the uplink direction received from the wireless terminal 10 exceeds a predetermined threshold.例文帳に追加

非サービングセルは、無線端末１０から受信する上り方向ユーザデータの受信電力が所定干渉閾値を超えた場合に、上り方向ユーザデータの伝送速度の減少をサービングセルに指示する指示部１３２を有する。 - 特許庁

When the folder is carried into the warehouse, folder ID of the folder and cell ID of the cell at storage destination of the folder are read and registered in the data base 13, and the contents of the data base 13 are rewritten to show that the file is being carried into the warehouse.例文帳に追加

フォルダ入庫時は、フォルダのフォルダＩＤ及びそのフォルダの格納先のセルのセルＩＤが読み取られ、データベース１３に登録され、データベース１３の内容が、そのファイルが入庫中であることを表すように書き換えられる。 - 特許庁

A data read means detects whether an address signal inputted from the outside coincides with the address stored in the first PROM cell array, and reads a corresponding data group from the second PROM cell array when the address signal coincides with the address.例文帳に追加

データ読み出し手段は、外部より入力されたアドレス信号が、第１のＰＲＯＭセルアレイに記憶されるアドレスと一致するか否かを検出し、一致した場合には第２のＰＲＯＭセルアレイより対応するデータ群を読み出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device constituted so that data are neither written to nor read out of unselected memory cell transistors adjacent to a memory cell transistor, which is selected by mistake when the data are written or read.例文帳に追加

データの書き込み、読みだし時に選択されたメモリセルトランジスタに隣接する非選択のメモリセルトランジスタに誤って書き込みまたは読みだしが行われないように構成した半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the data read terminal of the memory cell MS1 and the bit line BL are conducted, a potential difference between the cell selecting terminal connected to the high-level word line WL and the data read terminal connected to the bit line BL to be increased is decreased.例文帳に追加

メモリセルＭＳ１のデータ読み出し端子とビット線ＢＬとが導通すると、ハイレベルのワード線ＷＬに接続されたセル選択端子と、上昇するビット線ＢＬに接続されたデータ読み出し端子の電位差が減少する。 - 特許庁

Next, the drawing pattern multiplexing apparatus 1 determines a grid angle for each pixel based on the converted normal information and creates artwork data expressing the irregularities of the cell groups included in all of the cell groups by an artwork data creation means 29.例文帳に追加

次に、図柄多重化装置１は、版下データ作成手段２９によって、変換法線情報に基づいて画素ごとに格子角度を決定し、全てのセルグループに含まれるセル群の凹凸を表現する版下データを作成する。 - 特許庁

Then each dark color cell included in the image data is contracted based on a first expansion contraction coefficient and a second expansion contraction coefficient to be set according to the ratio in the image data in which each dark color cell is expanded.例文帳に追加

そして、上記比率に応じて設定される第１膨縮係数および第２膨縮係数に基づいて、各暗色セルを膨張させた画像データにおいて当該画像データに含まれる各暗色セルが収縮される。 - 特許庁

To provide a non-voltage semiconductor memory unit, which can read data of a spare memory cell array with priority to a main memory array in which a physical address of a memory cell array comprising NAND structure, is precedent and to provide data reading method used for the unit.例文帳に追加

ＮＡＮＤ構造からなるメモリセルアレイの物理的アドレスが先にあるメインメモリアレイより先にスペアメモリアレイのデータを優先的にリードできる不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法を提供する。 - 特許庁

The circuit has two sense circuits that execute an interleave operation in which operations are repeated to generate inter- code interference components of the cell data at a certain period, and delete the components from the signal components of the cell data in a next period to conduct a positive negative discrimination.例文帳に追加

データ線センス回路は、ある周期でセルデータの余波成分を生成し、次の周期でセルデータの信号成分からこれを除去して正負判定を行う動作を繰り返すインターリーブ動作する二つのセンス回路を持つ。 - 特許庁

To increase processing speed by reducing a surplus waiting time at boosting operation and drop operation of internal voltage with sufficient pulse width secured in order to uniformly keep a data write characteristic for a memory cell and a data erasing characteristic of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルへのデータ書き込み特性およびメモリセルのデータ消去特性を均一に保つために十分なパルス幅を確保しつつ、内部電圧の昇圧・降圧動作時に余分な待ち時間を減らして処理の高速化を図る。 - 特許庁

The nonserving cell has an RG control section 133, which directs the serving cell to decrease transmission rate of user data in the uplink direction, when the power of user data in the uplink direction received from the wireless terminal 10 exceeds a predetermined threshold.例文帳に追加

非サービングセルは、無線端末１０から受信する上り方向ユーザデータの受信電力が所定干渉閾値を超えた場合に、上り方向ユーザデータの伝送速度の減少をサービングセルに指示するＲＧ制御部１３３を有する。 - 特許庁

A control method of the SRAM by which data is written in an antiparallel storage circuit of an SRAM memory cell via a true bit line (BLT) and a complementary bit line (BLC) or data is read from it and a SRAM cell are provided.例文帳に追加

真ビットライン（ＢＬＴ）および相補ビットライン（ＢＬＣ）を介して、ＳＲＡＭメモリセルのアンチパラレル記憶回路にデータを書き込み、またはそれからデータを読み出すＳＲＡＭの制御方法およびＳＲＡＭセルが提供される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory device which stores multibit data in one cell and reduces a cell layout area to ensure price-competitive chips, and to provide a multibit data-writing-and-reading method using the memory device.例文帳に追加

一つのセルにマルチビットデータを格納して、セルレイアウト面積を減らして、チップの価格競争力を確保することができる不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの書込み及び読出し方法を提供する。 - 特許庁

In the refresh mode, a read-out and rewriting circuit 60 reads out respective stored data of a memory cell 10 conforming to an output of an address counter 22, and performs refresh operation in which data of a logical value being inverse to a logical value of the read out data is rewritten in the memory cell 10.例文帳に追加

リフレッシュモードでは、読み出し再書き込み回路６０が、アドレスカウンタ２２の出力に従ってメモリセル１０の各々の記憶データを読み出し、かつ該読み出したデータの論理値とは逆の論理値のデータを当該メモリセル１０に書き戻すリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁

The memory cell array 1 is provided with a core selecting means selecting cores of arbitrary numbers to perform write-in/erasion of data, data is written in a selected memory cell in a selected core based on a write-in command, and data erasion of a selected block in a selected core is performed based on an erasion command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

The programming method includes a step of programming data in a memory cell of a certain pattern within a memory array, and a step of preventing programming of a fixed pattern by periodically scrambling the data so that the data are stored in a memory cell of different pattern within the memory array.例文帳に追加

本発明に係るプログラミング方法は、データをメモリアレイ内の或るパターンのメモリセルにプログラムする段階と、データがメモリアレイ内の異なるパターンのメモリセルに記憶されるように、データを定期的にスクランブルすることによって、固定パターンのプログラミングを防止する段階と、を含んでいる方法。 - 特許庁

Then a decoding process is performed for the reading object code based on a comparison result between each dark color cell included in the image data which is the result of this contraction and each dark color cell included in the image data produced by an image data generation process when the reading object code is extracted.例文帳に追加

そして、この収縮結果である画像データに含まれる各暗色セルと画像データ生成処理により生成された画像データに含まれる各暗色セルとの比較結果に基づいて、読取対象コードが抽出されるとき、この読取対象コードに対してデコード処理を行う。 - 特許庁

In order to rectify this 4Bit shift, the transmission side MGW 4Bit inserts the fill bit to the head of the data bit of the initially received AAL2 cell data, processes to convert to the AAL1 cell data, and sends out to a Core Network side.例文帳に追加

この４Ｂｉｔシフトを補正するために、送信側ＭＧＷは、データ遅延後に最初に受信したＡＡＬ２セルデータのデータビットの先頭にフィルビットを４Ｂｉｔ挿入してＡＡＬ１セルデータへの変換処理を行い、Ｃｏｒｅ Ｎｅｔｗｏｒｋ側へ送出する。 - 特許庁

After that, the prescribed data are written in a memory cell selected by the activated word line, after data before a value of the prescribed data is decided are read out to each sense amplifier SA00-SA33 from a selected memory cell through a bit line BL(m), the sense amplifiers SA00-SA33 are activated.例文帳に追加

その後、活性化したワード線により選択されたメモリセルに所定データを書き込み、所定データの値が確定する前の確定前データを、選択されたメモリセルからビット線ＢＬ（ｍ）を通して各センスアンプＳＡ００〜ＳＡ３３に読み出した後、該センスアンプＳＡ００〜ＳＡ３３を活性化する。 - 特許庁

This device is provided with a first serial access memory performing delivery and receipt of data with the memory cell array and a second serial access memory performing delivery and receipt of data with the plurality of arithmetic circuit 40 in addition to a memory cell array 10 holding data and a plurality of arithmetic circuit 40 performing receiving operation.例文帳に追加

データを保持しておくメモリセルアレイ１０とデータを受取り演算を行う複数の演算回路４０に加え、メモリセルアレイ１０との間でデータ授受を行う、第１のシリアルアクセスメモリと、複数の演算回路４０との間でデータ授受を行う、第２のシリアルアクセスメモリとを備える。 - 特許庁

To provide a data transmission processing method by which a transfer error is smoothly recovered and debugging processing or the like is smoothly performed even when cell data having different destination information or cell data having information that an error has occurred are received.例文帳に追加

宛先情報が異なるセルデータを受信したり、予めエラーが発生しているという情報を持っているセルデータを受信した場合においても、転送エラーからの回復やデバッグ処理等において円滑に行うことができるデータ伝送処理方法を提供することである。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a core selecting means selecting the arbitrary number of cores to perform write-in/erasion of data, thereby the data are written in the selected memory cell in a core selected based on a write-in command, and data erasion of a selected block in a selected core is performed based on an erasion command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

When calculating the Exclusive-OR of the data written in the data storage section 7 of the memory cell 2 of an Exclusive-OR function memory and the data for match retrieval, the data written in the data storage section 7 are read as either one data of the positive logic and the negative logic when the data for match retrieval are true, or as the other data when the data are false.例文帳に追加

Exclusive-OR型機能メモリのメモリセル２のデータ蓄積部７に書き込まれたデータと一致検索用のデータとの排他的論理和を演算するに当たり、一致検索用のデータが真の値である場合、データ蓄積部７に書き込まれたデータを、正論理と負論理のうちの一方のデータとして読み出し、一致検索用のデータが偽の値である場合、データ蓄積部７に書き込まれたデータを、その他方のデータとして読み出す。 - 特許庁

When an address indicated by upper four bits of an address signal supplied from the external coincides with a redundant address, an output correction circuit 320 outputs output data excluding data value doubtful output data and data to be outputted instead of the data value doubtful output data out of data D0 to D15 outputted from main cell arrays 3100 to 31015 to the external.例文帳に追加

出力訂正回路３２０は、外部から供給されるアドレス信号の上位４ビットが示すアドレスが冗長アドレスと一致した場合、メイン・セルアレイ３１０_0〜３１０_15から出力されたデータＤ０〜Ｄ１５のうち、データ値疑義出力データを除く出力データと、データ値疑義出力データに代えて出力させるべきデータとを外部に出力する。 - 特許庁

The semiconductor memory device 1 has a memory cell array in which nonvolatile memory cells electrically re-writable are arranged, a data holding circuit holding read data or write data of a batch processing unit of the memory cell array to be simultaneously read and written, and a data state discriminating circuit discriminating successively the state of the data in the batch processing unit held by the data holding circuit for each of a plurality of area.例文帳に追加

半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの同時に読み出し或いは書き込みされる一括処理単位の読み出しデータ或いは書き込みデータを保持するデータ保持回路と、前記データ保持回路が保持する一括処理単位のデータ状態を、複数領域に分けて順次判定するデータ状態判定回路とを有する。 - 特許庁

A program sequence control circuit 10 makes each data contained in a data set which comprises data of a plurality of values correspond to any one of threshold voltage distribution out of above three or more threshold voltage distributions to store in the memory cell, and performs rewriting of data by shifting the threshold voltage distribution to be used for data storage in one direction when rewriting the data which is stored in the above memory cell.例文帳に追加

プログラムシーケンス制御回路１０によって、複数の値のデータで構成されたデータセットに含まれるそれぞれのデータを、前記３つ以上のしきい値電圧分布のうちの何れかのしきい値電圧分布に対応させて、前記メモリセルに記憶させる一方、前記メモリセルに記憶させたデータを書き換える際に、データの記憶に使用するしきい値電圧分布を１方向にシフトさせて、データの書き換えを行う。 - 特許庁

Those data fields include a field indicating the service to which the data relates, a field indicating the state of signal scrambling, a field identifying the one of several alternative formats in which the cell payload is arranged, a continuity count for determining data continuity, and a field indicating the compressed video data or the payload of auxiliary data belonging to the compressed video data.例文帳に追加

これらのデータフィールドは、そのデータが関係するサービス、スクランブリングの信号状態、セル・ペイロードが配置されているいくつかの代替（alternative）フォーマットの１つを識別するフィールド、データの連続を決定するための連続カウント、そして圧縮ビデオデータかあるいは圧縮ビデオデータに属する補助データのペイロード、を指示するフィールドを含む。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes a memory section comprising a memory cell array in which nonvolatile memory cells are disposed in matrix and having a binary data storage region for storing binary data with single threshold for data identification and a multi-valued data storage region for storing multi-valued data with multiple thresholds for data identification, and a memory controller controlling the memory section.例文帳に追加

不揮発性メモリセルをマトリクス状に配列してなるメモリセルアレイからなり、データ識別のしきい値が１つの２値データを記憶する２値データ記憶領域とデータ識別のしきい値が複数の多値データを記憶する多値データ記憶領域とを有するメモリ部と、このメモリ部を制御するメモリコントローラとを備える。 - 特許庁

This device is provided with an input/output sense amplifier 130 amplifying and transmitting data read from a memory cell and loaded on a pair of input/output lines to a data output line at the time of reading data, and a write driver 230 transmitting write data inputted to a pair of data input lines at the time of writing data.例文帳に追加

デ−タ読み出し時、メモリセルから読み出されて入出力ライン対に載せたデ−タをデ−タ出力ラインへ増幅伝送する入出力センスアンプ１３０と、デ−タ書き込み時、デ−タ入力ライン対へ入力される書き込みデ−タを前記入出力ライン対へ伝送する書き込みドライバ２３０を備える。 - 特許庁

Each of memory devices 21 to 24 is provided with: a data output circuit 120 for outputting read data Data read from a memory cell array 100 to the data terminal 20d in response to a read command; and an output timing adjustment circuit 130 for adjusting the output timing of read data DQ by the data output circuit 120.例文帳に追加

メモリデバイス２１〜２４のそれぞれは、リードコマンドに応答してメモリセルアレイ１００から読み出されたリードデータＤａｔａをデータ端子２０ｄに出力するデータ出力回路１２０と、データ出力回路１２０によるリードデータＤＱの出力タイミングを調整する出力タイミング調整回路１３０とを備える。 - 特許庁

Even when a non-regular user scans the addresses of a memory cell array 12 in the case of trying to illegally read out data, it is difficult to reproduce correct data or a correct program from obtained data because the error data are mixed in the read data in each prescribed period.例文帳に追加

こうして、非正規ユーザが不正読み出しを試みるに際してメモリセルアレイ１２のアドレスをスキャンさせた場合に、上記読み出しデータ中に所定の周期で上記誤データを混在させることによって、得られたデータから正しいデータや正しいプログラムを再現することを困難にする。 - 特許庁

When the ECC circuit 40 detects an error of two-bit data, a reading characteristic during reading data from a memory cell 310 by the data reading part 32 is changed, errors of data of one-bit or below are corrected, and data whose error becomes one bit is corrected by using an error correction code.例文帳に追加

ＥＣＣ回路４０が２ビットのデータの誤りを検出した場合に、データ読出部３２がメモリセル３１０からデータを読出すときの読出特性を変更して、１ビット以下のデータの誤りに訂正し、誤りが１ビットとなったデータを、誤り訂正符号を用いて訂正する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array including nonvolatile memory cells, a sense amplifier for verifying discriminating data of the memory cell array at program operation, a data input buffer receiving data from the outside, and a coincidence/noncoincidence determination circuit determining whether an input password inputted to the data input buffer from the outside coincides with a readout password read from the memory cell array and determined by the sense amplifier for verifying or not.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、プログラム動作時にメモリセルアレイのデータを判定するベリファイ用センスアンプと、外部からのデータを受け取るデータ入力バッファと、外部からデータ入力バッファに入力される入力パスワードとメモリセルアレイから読み出されベリファイ用センスアンプでデータ判定される読み出しパスワードとが一致するか否かを判定する一致／不一致判定回路を含む。 - 特許庁

Data supplied to a bit line from the outside at the time of write-in operation is amplified by the sense amplifier, and written in the memory cell.例文帳に追加

書き込み動作時に、外部からビット線に供給されたデータは、センスアンプで増幅され、メモリセルに書き込まれる。 - 特許庁

A memory cell array includes a plurality of sense amplifiers, and is sectioned in a plurality of memory regions being input/output unit of data.例文帳に追加

メモリセルアレイは、複数のセンスアンプを含み、データの入出力単位である複数のメモリ領域に区画されている。 - 特許庁