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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3557件
A data management section 106 compares the data held by the nonvolatile memory cell 103 and volatile memory cells 104, 105 to determine whether matching is obtained or not.例文帳に追加
データ管理部106は、不揮発性メモリセル103、揮発性メモリセル104、105が保持するデータを比較し、整合が取れているか否かを判断する。 - 特許庁
To provide a write-in method, by which multi-level data can be written at high speed, in a nonvolatile semiconductor memory device, in which a memory cell can store data of ternary level or higher.例文帳に追加
メモリセルが3値以上のデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置において、多値データを高速に書き込める書き込み方法を提供する。 - 特許庁
Then second layout data 600 are generated by arranging the modules 1 as modules 2 and diverting the cell arrangement in the first layout data 107.例文帳に追加
そして、モジュール1をモジュール2として配置することで第1のレイアウトデータ107内のセル配置を流用して第2のレイアウトデータ600を生成する。 - 特許庁
A flash memory is provided with an address bus, a data bus, a control line, and an address specifiable non-volatile memory cell carry 64 connected to the address bus and the data bus.例文帳に追加
フラッシュメモリは、アドレスバスと、データバスと、制御線と、前記アドレスバスおよびデータバスに接続したアドレス指定可能不揮発性メモリセルアレイとを備える。 - 特許庁
To provide a programmable ROM system having high operation speed, its memory cell structure, and a method for writing data on/reading data from the programmable ROM.例文帳に追加
高速のプログラマブルROMシステム及びそのためのメモリセル構造と前記プログラマブルROMでのデータ書込み及び読出し方法を提供する。 - 特許庁
Thereby, a voltage is applied to a non-selection cell at some frequency in the electric field direction in which the storage data are not reversed, and the deterioration of data is suppressed.例文帳に追加
これにより、非選択セルに対してある程度の頻度で、その記憶データを反転させない電界方向に電圧が印加され、データの劣化が抑えられる。 - 特許庁
Data of a plurality of bits read out from a memory cell in response to the reading command of one time are sequentially transmitted to a common data bus line through a column switch.例文帳に追加
1回の読み出しコマンドに応答してメモリセルから読み出させる複数ビットのデータは、コラムスイッチを介して順次共通のデータバス線に伝達される。 - 特許庁
To rewrite data of one part of data read of one page portion read from a memory cell array and to write the result in a different page.例文帳に追加
本発明は、メモリセルアレイから読み出された1ページ分の読み出しデータの一部のデータの書き換えを行なって、異なるページに書き込むことを特徴とする。 - 特許庁
To improve the data transmission speed and communication quality compared with the case of executing data transmission through a motor coil, in an electronic watch having a solar cell.例文帳に追加
太陽電池を有する電子時計において、モータコイルを介してデータ伝送を行う場合と比較して、データ伝送スピードおよび通信品質を向上させる。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory for outputting information containing reliability of bit data while outputting the bit data read out from a memory cell.例文帳に追加
メモリセルから読み出されたビットデータを出力しつつ、該ビットデータの信頼性を含む情報を出力することが可能な不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁
When data of the reference cell 3 for read-verify is erased, as the non-volatile memory cannot accomplisch its role, consequently, alternation of data can be prevented.例文帳に追加
リード/ベリファイ用リファレンスセル3を消去するとその不揮発性メモリはメモリとしての役割を果たせなくなるため、結果としてデータの改竄を防ぐ。 - 特許庁
Thereby, in the orthogonal memory cell array (110), the effective data can be stored in different entries according to the bit width of the effective data.例文帳に追加
これにより、直交メモリセルアレイ(110)においては、有効データのビット幅に応じて異なるエントリに有効データをそれぞれ格納することができる。 - 特許庁
Further, a specific expression of visible data or audible data of a user, suitable for a specific display device (television, cell phone or the like), can be generated and exhibited.例文帳に追加
さらに、特定の表示装置(テレビ、セル電話など)に適したユーザの可聴データまたは可視データの特定の表現を生成し、提示することができる。 - 特許庁
An input/output control circuit 20 is formed along one side of a memory cell array 17 disposed between a data input pad 11 and a data output pad 14.例文帳に追加
データ入力パッド11とデータ出力パッド14との間に配置されたメモリセルアレイ17の一方の側に、入出力制御回路20を形成している。 - 特許庁
Data is read out by judging relatively higher or lower of threshold voltage of the MOS transistors 10-13 at the read-out of data from the cell C1-C4.例文帳に追加
セルC1〜C4からのデータの読み出し時には、MOSトランジスタ10〜13のしきい値電圧の高低を相対的に判断することによりデータを読み出す。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, reducing a test time for outputting a result of comparing a data pattern for testing with a data read out from a memory cell array.例文帳に追加
テスト用のデータパターンとメモリセルアレイから読み出したデータとの比較結果を出力するテスト時間を短縮する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A data receiver 106 receives a signal using a frequency f1 allocated to its own cell, generates receive data, and outputs it to a controller 110.例文帳に追加
データ受信部106は、自セルに割り当てられた周波数f1を用いて信号を受信し、受信データを生成して制御部110へ出力する。 - 特許庁
To reduce operational voltage of data writing/erasing of a MONOS type nonvolatile memory cell, and to make operational speed of the data writing/erasing higher.例文帳に追加
MONOS型不揮発性メモリセルのデータ書込み/データ消去の動作電圧を低減し、または、データ書込み/データ消去の動作速度を高速化する。 - 特許庁
To hold the data, the data holding is performed by changing over the power source line 2 of the memory cell 1 from the adiabatic charging voltage PCK to a constant power source voltage VDD.例文帳に追加
データ保持時には、メモリセル1の電源線2を断熱充電電圧PCKから定電源電圧VDDに切り替えてデータ保持を行う。 - 特許庁
A MTJ memory cell is provided with a magnetic tunnel junction section MTJ of which a resistance value is varied in accordance with a data level of storage data, and an access transistor ATR.例文帳に追加
MTJメモリセルは、記憶データのデータレベルに応じて抵抗値が変化する磁気トンネル接合部MTJと、アクセストランジスタATRとを備える。 - 特許庁
To provide a non-volatile memory cell of which the output logic reading data dose not become indefinite while the data are not written (the state right after manufacturing).例文帳に追加
データが書き込まれていない状態(製造直後の状態)で、データ読み出し時の出力論理が不定とならない不揮発性メモリセルを提供する。 - 特許庁
A plurality of first data buses DB11-DB14 arranged between two cell arrays, and have a plurality of pairs of first data lines arranged in the row direction.例文帳に追加
複数の第1のデータバスDB11‐DB14は、2個のセルアレイ3の相互間に配置され、行方向に配置された複数の第1のデータ線対を有している。 - 特許庁
The storage controller which executes a switch command for access to a storage cell for reading and writing data receives a control command assigned to the data.例文帳に追加
データの読み書きのための記憶セルへのアクセスに対するスイッチコマンドを実行する記憶制御装置は、データに割り当てられた制御コマンドを受信する。 - 特許庁
To improve the erasure characteristic of a memory cell of a rewritable non-volatile semiconductor memory in which data erasure, data write or the like is possible.例文帳に追加
データの消去、書き込みなどの書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの消去特性を向上させることを目的とする。 - 特許庁
The memory cell of the correction data hold circuit 4 consists of a first inverter INV1 and a second inverter INV2, and the two inverters form a data hold loop.例文帳に追加
補正データ保持回路4のメモリセルは、第1のインバータINV1と第2のインバータINV2からなり、2つのインバータがデータ保持ループを形成する。 - 特許庁
Furthermore, the manufacturing-selling method of medicinal toxicity evaluating hepatic cell chip system includes respective steps such as registration of toxicity data and an inquiry of the toxicity data.例文帳に追加
さらには毒性データ登録、毒性データ照会等の各ステップを含む薬物毒性評価用肝細胞チップシステムの製造・販売方法である。 - 特許庁
Then, the data are transmitted to the memory cell from the register 150 and next external data are simultaneously stored in the register 170 through the Y-gating circuit.例文帳に追加
その後、第2レジスタ150からメモリセルにデータが伝達され、同時に次の外部データがY−ゲーティング回路を通じて第1レジスタ170に貯蔵される。 - 特許庁
In an applicant terminal, the input data or the like input to a cell are transmitted to the data management server about the document prepared by developing the template to the spreadsheet.例文帳に追加
申請者端末では、テンプレートをスプレッドシートに展開して作成した文書について、セルに入力された入力データ等をデータ管理サーバに送信する。 - 特許庁
A second bit SB of the multi-bit data is programmed in one of the plurality of memory cells in the memory cell array by utilizing data inversion, from the storage unit.例文帳に追加
マルチ-ビットデータの第2ビットSBは、記憶ユニットからデータ反転を利用してメモリーセルアレイ内の複数のメモリーセルの中に1つにプログラムされる。 - 特許庁
A reading margin of data held in the ferroelectric holding circuit is larger than a reading margin of data held in a ferroelectric memory cell in a memory array.例文帳に追加
強誘電体保持回路に保持されているデータの読み出しマージンは、メモリアレイ内の強誘電体メモリセルに保持されているデータの読み出しマージンより大きい。 - 特許庁
Since the mask data are not programmed into a memory cell, only the first program data supplied from the system is programmed in a page of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加
マスクデータは、メモリセルにプログラムされないため、不揮発性半導体メモリのページには、システムから供給された第1プログラムデータのみがプログラムされる。 - 特許庁
Consequently, any one of transfer gate 221/223 become conducive to select data cell groups 201a to 201c for writing/reading data.例文帳に追加
そこで、何れかのトランスファゲート221・223が導通状態になって、データの書き込みや読み出しの行われるデータビットセル群201a〜201cが選択される。 - 特許庁
To perform data writing and data reading in the case of using a nonvolatile memory cell at a high speed and to enable sufficient acceleration even in the case of enlarging the scale.例文帳に追加
不揮発性メモリセルを用いた場合のデータ書込み及びデータ読出しを高速に行い、且つ大規模化した場合にも十分な高速化をはかる。 - 特許庁
The memory cell 1-2 and the word line WL0 are activated and data 1 is read out, after that, the data 0 of the memory cell 1-2 is read out, thus output data is varied from 1 to 0, a read-out test after burn-in including an access time of all bits can be performed as a result.例文帳に追加
メモリセル1−2も、ワード線WL0を立ち上げてデータ1を読み出してから、メモリセル1−2のデータ0を読み出すことにより、出力データが1から0に変化するため、全ビットのアクセスタイムを含むバーイン後の読み出しの検査をすることができる。 - 特許庁
The data inversion processing section 1300 judges the continuity of the plurality of data read from the memory cell array 1100 over the plurality of cycles, and inverts and outputs data read from the memory cell array at, for example, a current cycle when there is no continuity.例文帳に追加
このデータ反転処理部(1300)は、メモリセルアレイ(1100)から複数のサイクルにわたって読み出された複数のデータの連続性を判定し、連続性がない場合には、例えば現在のサイクルでメモリセルアレイから読み出されたデータを反転して出力する。 - 特許庁
This circuit 5 stores a check bit showing normality/abnormality in the semiconductor memory cell 2 corresponding to the relevant data and an ECC generating circuit 4 stores these data in the disk region of the semiconductor memory cell 2 without adding the error detecting code to these data.例文帳に追加
この回路5は、正常/異常を示すチェックビットを当該データ対応に半導体記憶素子2に格納すると共に、ECC生成回路4は、該データに誤り検出符号を付加せずに該データを半導体記憶素子2のディスク領域に格納するようにした。 - 特許庁
A pre-fetch selector 26 is provided for receiving a first data DATAE read out from a first memory cell corresponding to even addresses and a second data DATAO read out from a second memory cell corresponding to odd addresses to output them at a data input/output terminal.例文帳に追加
偶数アドレスに対応する第1のメモリセルから読出された第1のデータDATAEと、奇数アドレスに対応する第2のメモリセルから読出された第2のデータDATAOとを受けてデータ入出力端子に出力するプリフェッチセレクタ26を備える。 - 特許庁
A semiconductor memory device is provided with a cell array in which memory cells storing resistance values set reversibly as data are arranged, a sense amplifying circuit performing red-out/write-in of data of selection memory cells of a cell array, and a driving circuit generating voltage pulse for writing data.例文帳に追加
半導体記憶装置は、可逆的に設定される抵抗値をデータとして記憶するメモリセルが配列されたセルアレイと、セルアレイの選択メモリセルのデータを読み出し/書き込みを行うセンスアンプ回路と、データ書き込み用の電圧パルスを発生する駆動回路を備える。 - 特許庁
After down link data frame time offset is determined, a mobile station 101 is informed about the down link data frame time offset, by transmitting the down link data frame time offset through an active set renewal message, which is transmitted from a cell 102 or a cell 103 to the mobile station 101.例文帳に追加
ダウンリンクデータフレーム時間オフセットを決定し、セル102または103から移動局101へ送信されるアクティブセット更新メッセージを通してダウンリンクデータフレーム時間オフセットを送信することにより、ダウンリンクデータフレーム時間オフセットを移動局101に知らせる。 - 特許庁
Also, when data verification is performed in data rewriting processing, reference voltage generated by a reference voltage generating section 15 is compared with voltage of bit lines BL1-BLn and a read-out reference line RL, data of the memory cell and the dummy cell are read out.例文帳に追加
また、データ書き換え処理においてデータ照合を行なう場合には、参照電圧生成部15が生成する参照電圧と、ビット線BL1〜ビット線BLnおよび読み出し参照線RLの電圧が比較されて、メモリセルおよびダミーセルのデータが読み出される。 - 特許庁
To provide a blood cell analysis device, blood cell analysis method, and computer program for acquiring distribution data of normal white blood cells in a blood analyte and accurately estimating classifying data of culm-like leukocyte or segmented leukocyte based on the acquired distribution data.例文帳に追加
血液検体中の正常な白血球の分布データを取得し、取得した分布データに基づいて稈状核球又は分葉核球の分類データを精度良く推定することができる血球分析装置、血球分析方法及びコンピュータプログラムを提供する。 - 特許庁
A maximum current flows from a lithium cell 16 during a transmission mode for transmitting data and a large current flows from the lithium cell 16 to a transmitter 14, when a controller 13 outputs data via a data line 17 to the transmitter 14.例文帳に追加
リチウム電池16から最も大きな電流が流れるのは、データを送信する送信モードの時であり、制御部13がデータライン17を介してトランスミッタ14にデータを出力している間、リチウム電池16からトランスミッタ14に大きな電流が流れる。 - 特許庁
In a semiconductor memory provided with a memory cell, a read-amplifier 4a amplifying data transferred to a data bus when data from a memory cell is read out, and an output buffer for outputting output data amplified by the read-amplifier 4a to an output terminal, starting a read- amplifier is controlled by responding to a clock edge prescribing a data output of an external clock signal.例文帳に追加
メモリセルと、メモリセルからのデータを読み出す際にデータバスに転送されたデータを増幅するリードアンプと、リードアンプによって増幅された出力データを、出力端子に出力するための出力バッファを備えた半導体記憶装置において、リードアンプの起動を、外部クロック信号のデータ出力を規定するクロックエッジに応答して制御する。 - 特許庁
The memory device is provided with a multilevel cell array including a plurality of multilevel cells, a programming unit for programming a first data page in the plurality of multilevel cells and a second data page in the multilevel cell where the first data page is programmed, and a program level stabilization unit for stabilizing a program level of the first data page or the second data page.例文帳に追加
本発明の実施形態に係るメモリ装置は、複数のマルチレベルセルを含むマルチレベルセルアレイと、複数のマルチレベルセルに第1データページをプログラムし、第1データページがプログラムされたマルチレベルセルに第2データページをプログラムするプログラミング部と、第1データページまたは第2データページに対するプログラムレベルを安定化するプログラムレベル安定化部とを備えることができる。 - 特許庁
The method includes: issuing a transfer command from the remote device to request transferring a set of data to the second memory space; temporarily storing the set of data in a first memory cell pending a transfer to the second memory space; and appending the set of data to other sequential data in the first memory cell to obtain a transfer data block of a predetermined size for transfer to the second memory space.例文帳に追加
この方法は一組のデータの第2のメモリスペースへの転送を要求する転送コマンドを遠隔装置から出し、データセットを第1のメモリセル内に一時的に格納して第2のメモリスペースへの転送を待ち、データセットを第1のメモリセル内の他の逐次データに付与して第2のメモリスペースへ転送する適切なサイズの転送データブロックを得るステップを含む。 - 特許庁
In the case wherein the threshold values for the sizes of the cell's X direction and Y direction are equal to one or less, no acquisition of figure data within the cell is performed, but pixels corresponding to the cell are filled in (S15).例文帳に追加
セルのX方向及びY方向のサイズが閾値1以下である場合、セル内の図形データの読み込みを行わず、セルに対応するピクセルを塗りつぶす(S15)。 - 特許庁
To provide a memory cell which is free of excessive erasure, has a large cell current for reading operation to easily read accurate data, has no variance in characteristics, and can be made fine.例文帳に追加
過剰消去の問題がなく、読出動作時のセル電流が大きくて正確なデータ読出が容易であり、特性にバラツキがなく、微細化が可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁
When data of a memory cell MC are read to a bit line (a selecting bit line) BL1, a reference potential is supplied to a bit line (a reference bit line) BL2 from the cell DC.例文帳に追加
メモリセルMCのデータがビット線(選択ビット線)BL1に読み出されるとき、ビット線(参照ビット線)BL2には、ダミーセルDCから参照電位が供給される。 - 特許庁
In the twin cell mode, two sub-word lines are driven simultaneously to a selection state, storage data of a memory cell is read out with bit lines being a pair, and sense-operation is performed.例文帳に追加
ツインセルモードにおいては2本のサブワード線を同時に選択状態へ駆動して対をなすビット線にともにメモリセルの記憶データを読出してセンス動作を実行する。 - 特許庁
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