「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

When the read-out operation is carried out with respect to an error address stored in the cell information storage part, the data read out from an error memory cell are masked, and a logic value corresponding to the cell information stored in the cell information storage part is forcedly outputted to an outside terminal.例文帳に追加

セル情報記憶部に記憶されているエラーアドレスに対する読み出し動作が実行されるとき、エラーメモリセルから読み出されるデータはマスクされ、セル情報記憶部に記憶されたセル情報に応じた論理値が、外部端子に強制的に出力される。 - 特許庁

A radio controller 30 comprises a cell selector 31 configured to select a cell to use by the mobile station after data reception, and a mobile station controller 32 configured to control the mobile station to communicate by radio using the cell selected by the cell selector 31.例文帳に追加

無線制御装置３０は、移動局にデータ受信後に使用させるセルを選択するセル選択部３１と、セル選択部３１により選択されたセルを使用して無線通信を行うように移動局を制御する移動局制御部３２とを備える。 - 特許庁

At the time of operation of writing data in a memory cell, a data transition detecting circuit 40 detects variation of a level of input data Din, when a level of the input data Din is varied, an equalizing circuit 41 equalizes data bus lines 38-1, 38-2, after that complementary data corresponding to input data are transferred to the data bus line.例文帳に追加

メモリセルへのデータの書き込み動作時に、データ遷移検出回路４０で入力データＤｉｎのレベル変化を検出し、入力データＤｉｎのレベルが変化した時にイコライズ回路４１でデータバス線３８−１，３８−２をイコライズし、その後、データバス線に入力データに対応する相補データを転送することを特徴としている。 - 特許庁

A network data switching includes receiving a cell, making the cell related to a destination port, selecting an exit link of soft configuration so as to make related to the destination port, and switching the cell to the selected exit link.例文帳に追加

ネットワークデータ交換は、セルを受け取り、セルを宛先ポートに関連づけ、宛先ポートに関連づけられるようにソフト構成されている出口リンクを選択し、および、セルを選択された出口リンクに交換することを含む。 - 特許庁

The cell controller CC of the inspection cell determines whether an inspection is performed for each substrate conveyed to the inspection cell according to the treatment history data and the specification rules, and decides the conveyance destination of the substrate according to the determination.例文帳に追加

検査セルのセルコントローラＣＣは、処理履歴データと指定ルールとに応じて、検査セルに搬送された基板ごとに検査するか否かの判定を行い、判定結果に応じて基板の搬送先を決定する。 - 特許庁

The source side detecting circuit is provided with a constant current source connected for obtaining a core cell current, and a cascade circuit connected to the constant current source and converting a core cell current to output voltage indicating core cell data.例文帳に追加

ソース側検出回路は、コアセル電流を取得するため接続された定電流源と、定電流源に接続され、コアセル電流を、コアセルデータを表わす出力電圧に変換するカスコード回路と、を具備する。 - 特許庁

The ferroelectric storage device has a first memory cell MCO which includes a ferroelectric capacitor and a first reference cell RMCO which includes a ferroelectric capacitor for holding the reference potential of the data held by the first memory cell MCO.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを含む第１のメモリセルＭＣ０と、該第１のメモリセルＭＣ０が保持するデータの参照電位を保持する強誘電体キャパシタを含む第１のリファレンスセルＲＭＣ０とを有している。 - 特許庁

The memory element has a memory cell (202) electrically-communicating with a node (A), when first voltage is applied to the memory cell, the memory element is operated so as to indicate a binary value concerning data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリ素子は、ノード（Ａ）と電気通信するメモリセル（２０２）を有し、第１の電圧がメモリセルに印加されたとき、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すように動作する。 - 特許庁

To provide a flash memory cell that stores high-density 2-bit or 3-bit data using existent process technique directly, a production method of the memory cell, and a programming/deletion/reading method of the memory cell.例文帳に追加

既存の工程技術をそのまま使用して高密度の２ビット又は３ビットのデータを格納することが可能なフラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム／消去／読出方法を提供する。 - 特許庁

When the number of the transmissions of the AAL1 cell which complemented all the payloads with the fill bit is odd, the data bit of the AAL2 cell data at a receiving time is shifted relatively by 4Bits in a range of 1oct as compared with the time of the transmission.例文帳に追加

そのペイロード全部をフィルビットで補完したＡＡＬ１セルの送信数が奇数であった場合、送信時に比べて受信時のＡＡＬ２セルデータのデータビットが１ｏｃｔの範囲で相対的に４Ｂｉｔシフトする。 - 特許庁

To prevent a write-in voltage from being output to a memory cell array in which a write-in operation is finished by discriminating verify-read data for every array when the data to be batch written straddle over a plurality of memory cell arrays.例文帳に追加

一括で書き込むデータが複数のメモリセルアレイにまたがっている場合に、アレイ毎にベリファイ読み出しデータを判定し、書き込みが終了したメモリセルアレイに対して書き込み電圧を出力しないようにする。 - 特許庁

This symbol is composed of a plurality of cutting marks for each indicating a reference coordinate position, one or more data cell groups for each indicating data, and one or more function cell groups for each indicating control information.例文帳に追加

このシンボルは、基準座標位置を表す複数の切り出しマークと、データを表す１個又はそれ以上のデータセル群と、制御情報を表す１個は又はそれ以上のファンクションセル群と、から構成されている。 - 特許庁

A column decoder 20 simultaneously selects a bit line BLtj to which a memory cell Mtj in which the positive data is written is connected and a bit line BLrj to which a memory cell MTj in which the reverse data is written is connected.例文帳に追加

カラムデコーダ２０は、正データが書き込まれたメモリセルＭｔｊが接続されたビット線ＢＬｔｊとその反転データが書き込まれたメモリセルＭｔｊが接続されたビット線ＢＬｒｊとを同時に選択する。 - 特許庁

To provide such a technology that can improve data writing speed and data erasing speed of a nonvolatile memory cell without increasing the area of the nonvolatile memory cell and changing the production process.例文帳に追加

不揮発性メモリセルの面積を増大することなく、かつ、製造プロセスを変更することなく、不揮発性メモリセルのデータ書き込み速度およびデータ消去速度の向上を図ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device wherein, with a matrix array comprising a memory cell of less elements, the destruction or disturbance of data is eliminated at reading or erasing/writing of the data of memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータの読み出しまたは消去・書き込みにおけるデータの破壊およびディスターブを皆無とし、かつ少ない素子からなるメモリセルでマトリクスアレイを構成した半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The input data in the layout are stored in the spreadsheet operation cell address after the conversion in the layout converting part 6, so that a relation based on a formula is maintained between the cell addresses irrespective of the definition data.例文帳に追加

レイアウトされた入力データはレイアウト変換処理部６で変換して表計算処理上のセル番地に格納されるため、計算式にもとづくセル番地相互の関係性は定義データに関係なく保持される。 - 特許庁

To provide a data printing system for a cell phone using a printer for printing images received from the cell phone and data for electronic mails directly, not via peripheral equipment including a personal computer and a mobile computer.例文帳に追加

携帯電話で受信した画像及び電子メールなどのデータをパーソナルコンピュータ或いはモバイルコンピュータなどの周辺機器を介さず直接プリンタで印刷することができる携帯電話のデータ印刷システムを提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration of an access speed to a memory cell in a normal access mode in adding a forced access mode for a redundant cell test to a data line shift circuit in a semiconductor memory having a data line shift redundant circuit system.例文帳に追加

データ線シフト冗長回路方式を有する半導体メモリにおいて、データ線シフト回路に冗長セルテスト用の強制アクセスモードを付加する際、通常アクセスモード時のメモリセルへのアクセス速度の劣化を抑制する。 - 特許庁

To compensate data held in a memory cell without rewriting data constantly, in a ferroelectric memory device using ferroelectric substance for a capacitor of a memory cell.例文帳に追加

本発明は、メモリセルのキャパシタに強誘電体を用いる強誘電体メモリデバイスにおいて、定常的にデータの再書き込みを行わずに、メモリセルで保持されているデータを補償できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a cell phone unit capable of displaying specified opposite party data relating to a specified opposite party at a display part when the residual amount of a battery part becomes a prescribed amount or less, and a data display method of the cell phone unit.例文帳に追加

バッテリー部の残量が所定以下になると、特定相手先に関する特定相手先データを表示部に表示させることができる携帯電話装置及び携帯電話装置のデータ表示方法を提供する。 - 特許庁

The data written on the RAM 20 are successively read out, to be suitable for the payload of an ATM cell by the control of a processor 24, and transferred via the data bus 36 and the I/O port 16 to an ATM cell header generating/imparting part 26 after parity check.例文帳に追加

RAM20 に書き込まれたデータは、プロセッサ24の制御によりATM セルのペイロードに適合するように順次読み出され、パリティチェックの後データ・バス36およびI/O ポート16を介してATM セル・ヘッダ生成・付与部26に転送される。 - 特許庁

An OAM processing section 47 reads the cell class and the connection number from the 1st FIFO 44 for each OAM processing to the ATM cell and reads payload data from a 2nd FIFO 45, when the payload data are required.例文帳に追加

ＯＡＭ処理部４７は、ＡＴＭセルに対するＯＡＭ処理毎に第一ＦＩＦＯ４４からセル種別とコネクション番号を読み出すと共に、ペイロードデータが必要な場合には、第二ＦＩＦＯ４５からペイロードデータを読み出す。 - 特許庁

To provide a cell instance generation method which can uniquely give an instance showing a hierarchical structure to a cell which is newly inserted as the result of the optimization of flat layout pattern data to layout pattern data having the hierarchical structure.例文帳に追加

階層構造を有するレイアウトパターンデータに対して、フラットなレイアウトパターンデータの最適化の結果、新たに挿入されたセルに、階層構造を示すインスタンスを一義的に付与できるセルインスタンス生成方法を提供する。 - 特許庁

The control circuit 20 outputs a charge control signal CHL_ and an address AD during reading/writing of data from/to a memory cell MC, and a precharge signal RPC only during reading of data from the memory cell MC.例文帳に追加

制御回路２０は、メモリセルMCに対するデータの読み出し時及び書き込み時にチャージ制御信号CHL_及びアドレスADを出力すると共に、メモリセルMCからのデータの読み出し時のみプリチャージ信号RPCを出力する。 - 特許庁

This associative memory is furnished with a plurality of words including a CAM cell for holding a data bit objective for retrieval and a CAM cell objective for retrieval while holding an empty bit showing the effective/ineffective of the data bit.例文帳に追加

本発明の連想メモリは、検索の対象となるデータビットを保持するＣＡＭセルと、データビットの有効無効を表すエンプティビットを保持し、かつ検索の対象となるＣＡＭセルとを含むワードを複数備える。 - 特許庁

This device includes: a memory cell array; a plurality of data input/output terminals; a plurality of signal paths for writing data supplied to the data input/output terminals to the memory cell array in parallel; a plurality of latch circuits for temporarily holding the data on the signal paths respectively; and a selector for selectively supplying the data to the latch circuits from a test data terminal during a test operation.例文帳に追加

メモリセルアレイと、複数のデータ入出力端子と、データ入出力端子に供給されたデータをメモリセルアレイに対して並列に書き込むための複数の信号経路と、複数の信号経路上のデータをそれぞれ一時的に保持するラッチ回路と、テスト動作時においてテストデータ端子からラッチ回路へデータを選択的に供給するセレクタとを備える。 - 特許庁

A memory cell array 21 has a plurality of pages, multi-level data is stored in a first region of each page, and binary data is stored in predetermined second region.例文帳に追加

メモリセルアレイ２１は、複数のページを有し、各ページの第１の領域に多値データが記憶され、予め定められた第２の領域に２値データが記憶される。 - 特許庁

Measurement data of an instrument, such as a load cell 18, is acquired by statistical test work for evaluating the grade of the testing machine and is stored in a data storage device 29.例文帳に追加

試験機の等級を評価するための検定作業によりロードセル１８等の計測器の計測データを取得し、データ記憶装置２９に記憶する。 - 特許庁

When the CS signal is set, a DTE #1 starts transmission of data SD and gives the data SD to the cell assembly section, which outputs cells to an ATM network.例文帳に追加

ＣＳ信号がＯＮになると、ＤＴＥ＃１は、データＳＤの送信を開始し、セル組立部には、ＳＤのデータが入力され、セルとして、ＡＴＭ網に出力される。 - 特許庁

This is executed by transferring data including status information related to an actual data flow in the first cell between the first and second cells.例文帳に追加

これは、第１のセルと第２のセルとの間で、第１のセル内の実際のデータフローに関するステータス情報を含むデータを転送することによって行われる。 - 特許庁

On each of the MTJ memory cell arrays 10a-10f, a bit line BL for flowing two-way data writing current corresponding to writing data is arranged.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆの各々には、書込データに応じて双方向のデータ書込電流を流すためのビット線ＢＬが配置される。 - 特許庁

To perform the data write and data and read using a nonvolatile memory cell at high speed and also sufficiently increase the processing speed even in a larger scale.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを用いた場合のデータ書込み及びデータ読出しを高速に行い、且つ大規模化した場合にも十分な高速化をはかる。 - 特許庁

To achieve high-speed data read operation in a magnetic thin-film memory device which stores data using a memory cell comprising a magnetic tunnel junction unit (MTJ).例文帳に追加

磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。 - 特許庁

The CAD device recognizes the correspondence between a rectangular area on the CAD data and a cell on the table data, based on the correspondence between a line element and the ruled line.例文帳に追加

ＣＡＤ装置は、線要素と罫線との対応からＣＡＤデータ上の表の矩形領域と表データ上のセルの対応を認識する。 - 特許庁

To increase operation speed of reading out data in a magnetic storage device storing data using a memory cell having a magnetic tunnel junction section (MTJ).例文帳に追加

磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。 - 特許庁

To shorten a required time for a whole write sequence by enabling input operation of write data in parallel with data write operation, in a NAND cell type EEPROM.例文帳に追加

NANDセル型EEPROMにおいて、データ書込み動作中に並行して書き込みデータの入力動作を可能とし、書き込みシーケンス全体の所要時間を短縮する。 - 特許庁

A control circuit controls potentials of the word line and bit line in accordance with input data and writes the data with respect to the memory cell to control the reading and erasing operation.例文帳に追加

制御回路は、入力データに応じてワード線、ビット線の電位を制御し、メモリセルに対するデータを書き込み、読み出し及び消去動作を制御する。 - 特許庁

One of these memory cell units is selected as erase unit and flash erase of data in erase unit or data write in page unit is effected.例文帳に追加

これらのメモリセルユニットの一つを選択して消去単位として、消去単位でのデータの一括消去と、ページ単位のデータ書き込みが行われる。 - 特許庁

The 8-bit data are written in the cell in a prescribed order so that the arrangement in the data table 11 is equal to the result of shift row processing.例文帳に追加

８ビットのデータは、データテーブル１１における配置がＳｈｉｆｔＲｏｗ処理の結果と同等になるように、所定の順序でセルに書き込まれる。 - 特許庁

The values of the writing current can be updated with the data from the reference memory cell 160 or the data from writing current values stored in a lookup table.例文帳に追加

書き込み電流の値は、基準メモリセル(160)からのデータ、または、ルックアップテーブルに格納されている書き込み電流値からのデータで更新することができる。 - 特許庁

The semiconductor memory device writes input data in a selected memory cell, and rewrites data stored therein in nonselected cells.例文帳に追加

そして、半導体記憶装置は、データ書き込み時、選択されたメモリセルには入力データを書き込み、非選択のメモリセルにはそれに記憶されたデータを再書き込みする。 - 特許庁

The converted cell data are fed to a parity check section 56, where the horizontal parity bit is checked and outputted through a data bus 12b via an output section 38.例文帳に追加

変換されたセルデータはパリティチェック部５６に送られて水平パリティビットがチェックされた後、出力部３８を経てデータバス１２ｂにより伝送される。 - 特許庁

A first initial setting data area 20 and a second initial setting data area 21 are set in a memory cell array 1 according to different operating conditions.例文帳に追加

メモリセルアレイ１には、異なる動作条件に応じて２つの第１初期設定データ領域２０及び第２初期設定データ領域２１が設定されている。 - 特許庁

To enable data write in only one selected memory cell even if a low voltage power source is used while data of non-selected memory cells are satisfactorily held.例文帳に追加

非選択メモリセルのデータを良好に保持しながら、低電源電圧であっても、１つの選択メモリセルのみについてデータ書き込みを可能にする。 - 特許庁

During data reading, a bias magnetic field of a level that will not destroy stored data is applied to a selection memory cell.例文帳に追加

データ読出時において、ライトディジット線ＷＤＬを流れる電流によって、選択メモリセルには、記憶データを破壊しないレベルのバイアス磁界が印加される。 - 特許庁