「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a data processor and method for testing stability of a cell using a reliable, effective and practical (in connection with test time period) mechanism for detecting a defective memory cell that may malfunction in normal use due to unstableness of the cell caused by a hysteresis effect in a body region of transistors configuring the memory cell in a memory device.例文帳に追加

メモリ・デバイス内のメモリ・セルを構成するトランジスタのボディ領域の履歴効果が引き起こすセルの不安定性により通常の使用中に誤動作するかもしれない欠陥メモリ・セルの検出のための信頼できる効果的で現実的な（テスト時間に関して）メカニズムを用いて、セルの安定性をテストするデータ処理装置と方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

The read circuit 30 has a sense amplifier circuit 40 to detect a data value stored in a memory cell transistor 10 based on a current Icell flowing in the memory cell transistor 10 and a reference current Iref flowing in a dummy cell transistor 20, and a voltage control circuit 60 to supply a 1st voltage V1 to the gate of the dummy cell transistor 20.例文帳に追加

読み出し回路３０は、メモリセルトランジスタ１０に流れる電流Ｉｃｅｌｌとダミーセルトランジスタ２０に流れる基準電流Ｉｒｅｆとに基づいて、メモリセルトランジスタ１０に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路４０と、ダミーセルトランジスタ２０のゲートに第１電圧Ｖ１を供給する電圧制御回路６０とを備える。 - 特許庁

A semiconductor memory in the present invention comprises: a memory cell array 100 including multiple memory cells which are arranged in a form of matrix and are capable of accumulating an electric charge; row selection means for selecting a memory cell in a row direction of the memory cell array; and write control means for writing data by applying a write pulse to the memory cell selected by the row selection means.例文帳に追加

本発明の半導体メモリは、行列状に配列され、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイ１００と、メモリセルアレイの行方向のメモリセルを選択する行選択手段と、行選択手段によって選択されたメモリセルに書込みパルスを印加することによってデータの書込みを行う書込み制御手段とを有する。 - 特許庁

This electromagnetic wave simulation device has a dividing means 1 dividing a space wherein three-dimensional model data are present into a plurality of cells; and a transmission means 2 generating transmission information 6 on electromagnetic wave energy between the corresponding cell and another cell adjacent to the corresponding cell according to electromagnetic wave energy transmission conditions about the corresponding cell, in each of the plurality of cells.例文帳に追加

電磁波シミュレーション装置は、３次元モデルデータの存在する空間を複数のセルに分割する分割手段１と、複数のセルの各々について、当該セルについての電磁波のエネルギ伝達条件に従って、当該セルと隣接する他のセルとの間の電磁波のエネルギの伝達情報６を生成する伝達手段２とを備える。 - 特許庁

A data reading means 1-4 reads, starting at a cell found out by the cell searching means 1-3 in the table, data arranged in the cells arranged in such a direction as shown by the information acquired by the direction information acquisition means 1-2.例文帳に追加

データ読出手段１−４は、その表において、セル探索手段１−３によって発見されたセルを起点とし、方向情報取得手段１−２によって取得された情報で示されている並びの方向に並べられている各セルに配置されているデータを読出する。 - 特許庁

In one embodiment of this invention, the nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of memory blocks connecting a plurality of memory cells thereto, and is equipped with the memory cell array for storing the test data in a predetermined memory block and an operation testing section for executing the operation test of the memory cell array by using the test data.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを接続したメモリブロックを複数含み、所定のメモリブロック内にテストデータを記憶するメモリセルアレイと、前記テストデータを用いて前記メモリセルアレイの動作テストを実行する動作テスト部と、を備える。 - 特許庁

The insloation at the estimated site for estimating the production of a solar cell is calculated on the basis of the horizontal-plane-insolation data read out from the data base 6, and the production of the solar cell is estimated on the basis of the calculated insolation at the estimation site.例文帳に追加

また、太陽電池の発電量を推定しようとする推定地点の日射量は、推定水平面日射量データベース６から読み出された水平面日射量データに基づいて算出され、太陽電池の発電量は、算出された推定地点の日射量に基づいて推定される。 - 特許庁

Data entered from an input data line DIN is written via write selectors WSLC1... and a write bit line WBITI into a memory cell where column select signals CA1.. are at H levels among memory cells CELL (1, n)... of a row selected by write word lines WWL1... .例文帳に追加

ライトワードラインＷＷＬ１…によって選択された行のメモリセルＣＥＬＬ（１，ｎ）…のうち、カラムセレクト信号ＣＡ１…がＨレベルのメモリセルには、入力データラインＤＩＮから入力されたデータがライトセレクタＷＳＬＣ１…およびライトビットラインＷＢＩＴ１を介して書き込まれる。 - 特許庁

Since the light emission period (light emission length) of the cell (color) in the margin pattern differs thus from the light emission period of the cell (each color) in the data pattern, a receiving side can get to know whether it is the margin pattern or the data pattern by detecting difference of the light emission length.例文帳に追加

このように、マージンパターン中のセル（色彩）の発光期間（発光長）が、データパターン中のセル（各色彩）の発光期間とは異なっているので、受信側では、発光長の相違を検出することによって、マージンンパターンであるのか、データパターンであるのかを知ることが可能である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell 10 having a first TMR element 13, and the reference cell 30 having at least one or more of second TMR element 31a for storing first data and a third TMR element 32a for storing second data.例文帳に追加

半導体装置は、第１のＴＭＲ素子１３を有するメモリセル部１０と、第１のデータを記憶する第２のＴＭＲ素子３１ａと第２のデータを記憶する第３のＴＭＲ素子３２ａとをそれぞれ少なくとも１つ以上有するリファレンスセル部３０とを具備する。 - 特許庁

This NAND flash memory device includes a cell array connected to a plurality of bitlines, a page buffer for storing data to be programmed in the cell array, and a bitline setup circuit for successively setting up the plurality of bitlines with a specified unit in accordance with the data stored in the page buffer.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。 - 特許庁

Next, a scanning pulse is applied to one column electrode of a pair of column electrodes and also a pixel data pulse according to pixel data based on video signals is applied to row electrodes, and thereby address discharge is made to occur selectively in each display cell and wall charge is made to form in the display cell.例文帳に追加

次に、行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に映像信号に基づく画素データに応じた画素データパルスを列電極に印加することにより表示セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて表示セル内に壁電荷を形成させる。 - 特許庁

The device is provided with a read-out/write-in circuit 6a for echo signal and a data register 7a for echo signal which are arranged respectively in parallel to the read-out/ write-in circuit 6 and the data register 6 of the normal cell array 1 side and has the same constitution at the memory cell array 1a for echo signal side.例文帳に追加

ノーマルセルアレイ１側の読み出し／書き込み回路６及びデータレジスタ６とそれぞれ併設されて、エコー信号用メモリセルアレイ１ａ側にも同様の構成のエコー信号用読み出し／書き込み回路６ａおよびエコー信号用データレジスタ７ａが設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that can reduce a voltage noise caused at a potential of a plate which is a counter electrode of an information storage capacitor when data is read from a memory cell to a bit line or when data is written or re-written in the memory cell.例文帳に追加

メモリセルからビット線にデータを読み出す際、あるいはメモリセルにデータを書き込み・再書き込みする場合に、情報記憶用キャパシタの対向電極であるプレートの電位に発生する電圧ノイズを低減させることを可能とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Since '1' is input in a second measurement mode, when the third output data in a third measurement mode are '1', the internal cell is determined to be normally operated at the lowest guaranteed operating voltage even if the data output I/O cell are influenced by static electricity or the like.例文帳に追加

第２の測定モードでは、「１」を入力したので、第３の測定モードでの第３の出力データが「１」であれば、データ出力用Ｉ／Ｏセルが静電気などによる影響を受けていたとしても、内部セルは最低保証動作電圧で正しく動作していると判断できる。 - 特許庁

Thereby, during self-refresh, it can be tested whether a self-refresh period is within the standard or not by performing write-in of data for a memory cell on a row address decided by a refresh counter in a state in which write-in of data for the memory cell can be performed by the circuit means.例文帳に追加

これにより、セルフリフレッシュ時に、前記回路手段によって前記メモリセルへのデータ書き込みを可能にさせた状態にてリフレッシュカウンタにより決められるロウアドレス上のメモリセルにデータ書き込みを行なうことにより、セルフリフレッシュ周期が規格内であるかをテスト可能にした。 - 特許庁

The margin coefficients of the delay fluctuation of a data path are decided according to the wideness of an arrangement region on the chip of each cell in the path of a data path, and the margin coefficients of the delay fluctuation of a clock path are decided according to the wideness of an arrangement area on the chip of each cell in the path of the clock path.例文帳に追加

データパスの経路中の各セルのチップ上の配置領域の広さに応じてそのデータパスの遅延バラツキのマージン係数を決定し、且つクロックパスの経路中の各セルのチップ上の配置領域の広さに応じてそのクロックパスの遅延バラツキのマージン係数を決定する。 - 特許庁

A server sets a transmission rate to transfer the cells to the client without causing congestion according to band information and data size information from the OAM cell, gives up transmission of data when the setting is disabled or transmits the OAM cell to which the setting disabled state is written.例文帳に追加

サーバは、ＯＡＭセルから帯域の情報、データのサイズ情報にしたがって輻輳を発生させずにクライアントにセルを転送するための送信レートを設定するが、設定不可能な場合にはデータの送出を断念するか、あるいは、その旨を書き込んだＯＡＭセルを送出する。 - 特許庁

A source data gathering part 3 gathers measurement data from a packet network and an ATM network corresponding to contents stipulated by the API#0 and performs the management of a state to be managed over plural cells (for instance, the detection of an n-th cell from the head and the n-th cell from the rear) or the like.例文帳に追加

原始データ収集部３は、ＡＰＩ＃０で規定された内容に従ってパケット網やＡＴＭ網から測定データを収集するとともに、複数セルにまたがって管理すべき状態の管理（例えば、先頭からｎ番目セル，後からｎ番目セルの検出）などを行う。 - 特許庁

Then, video data other than the partial video data referred to by the cell information UD-CI is deleted from the VOB88 referred to by the cell information ORG-CI of the original title management information PGI of the processing target (S116), and the original management table ORG-PGCI is updated (S118).例文帳に追加

そして、処理対象のオリジナルタイトル管理情報ＰＧＩのセル情報ＯＲＧ−ＣＩが参照するＶＯＢ８８のうち、セル情報ＵＤ−ＣＩが参照する部分映像データ以外の映像データを削除（ステップＳ１１６）し、オリジナル管理テーブルＯＲＧ−ＰＧＣＩを更新する（ステップＳ１１８）。 - 特許庁

A DRAM or ferroelectric memory in a hierarchical bit line configuration is added with a function of data-copying the data of a memory cell connected to a work line designated by a word line activating command (act) through a global bit line to a memory cell connected to the word line designated by a following copy command.例文帳に追加

階層型ビット線構成のDRAMあるいは強誘電体メモリに対して、ワード線活性化コマンド(act)で指定されたワード線に接続するメモリセルのデータを、これに引き続くコピーコマンドで指定されたワード線に接続するメモリセルへ、グローバルビット線を介してデータコピーする機能を付加する。 - 特許庁

A detection part 1 containing a transmission part is stuck on at least one unit cell 5j of the battery system 5 comprising plural unit cells 5n, and detected data are transmitted to a data analyzing part 6 installed in a part different from the detection part to determine the state of the unit cell 5j.例文帳に追加

複数の単電池５ｎからなる集合電池５の中の少なくとも１つの単電池５ｊに送信部を含む検出部１を貼り付けて、検出部とは異なる場所にあるデータ解析部６に検出データを伝送することにより各単電池５ｊの状態の判定を行なう。 - 特許庁

A memory cell of (n) bits in which an address is specified for each plurality of (n) bits unit is sectioned for each n/k (k:2 or more), selected successively every n/k bits, output data of the selected memory cell of the n/k are discriminated by sense amplifiers of n/k pieces, and outputted in serial as read-out data.例文帳に追加

複数ｎビット単位でアドレス指定されたｎビットのメモリセルを、ｎ／ｋ（但し、ｋは２以上）ずつに区分して、ｎ／ｋビットずつ順次選択し、選択された前記ｎ／ｋのメモリセルの出力データをｎ／ｋ個のセンスアンプで判定し、読み出しデータとしてシリアルに出力する。 - 特許庁

In a semiconductor memory having a dummy memory circuit simulating read-out from a memory cell, it is characterized by that immediately before read-out is performed by a sense amplifier, a fixed potential corresponding to data being inverse to data previously given by a dummy memory cell is generated between dummy bit lines.例文帳に追加

メモリセルからの読み出しを模擬するダミーメモリ回路を有する半導体記憶装置において、ダミーセンスアンプで読み出しを行う直前には、ダミービットライン間に、ダミーメモリセルがあらかじめ与えられたデータと逆のデータに対応した一定の電位差を生じさせることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes the steps of programming the first reference cell to a first voltage threshold level that is centered within a data bit '1' distribution of the core cells, and programming the second reference cell to a second voltage threshold level that is centered within a data bit '0' distribution of the core cells.例文帳に追加

本方法は、前記第１基準セルを、前記コアセルのデータビット“１”分布にて中央にある第１電圧閾値レベルにプログラミングするステップ、及び前記第２基準セルを、前記コアセルのデータビット“０”分布にて中央にある第２電圧閾値レベルにプログラミングするステップより成る。 - 特許庁

The CAD device couples the cells when the plurality of cells corresponds to the single rectangular area, or allocates or likely the cell when the plurality of character data is set in the single cell, and the ruled line is regulated therein to bring the table data into a proper form.例文帳に追加

また、ＣＡＤ装置は、単一の矩形領域に複数のセルが対応する場合にセルを結合したり、あるいは、単一のセルに複数の文字データが設定されている場合にセルを分割したり等して、表データが適切な形態になるように罫線を調節する。 - 特許庁

In its operation, in order to detect a failure and/or poor work of the cells, the battery centralized monitoring system can poll each cell monitoring device in order and analyze data received from the cell monitoring device polled.例文帳に追加

動作において、バッテリ集中監視システムは、セルの故障および／または低い働きを検出するために、各セル監視装置を順次ポーリングして、ポーリングされたセル監視装置から受信したデータを分析できる。 - 特許庁

Based on the characteristic data, the controller 30 sends signals to the valve 26 so that compressed air is directly supplied to the fuel cell 12 by by-passing a heat exchanger 18, thereby the fuel cell 12 is heated.例文帳に追加

特性データに基き、制御器３０は、弁２６へ信号を送り、圧縮空気が熱交換器１８をバイパスして直接燃料電池１２へ供給されるようにし、それによって燃料電池１２を加熱する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which quick access can be performed at the time of read-out and write-in preventing that data is disturbed in a cell of a non-selection sector at the time of programming in a selection cell or the time of erasure.例文帳に追加

選択セルでのプログラム又は消去時に非選択セクタのセルにてデータがディスターブされることを回避しながら、読み出し・書き込み時に高速アクセス可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In transistors for memory cell in the dummy cell region DS, all the thresholds are controlled to be high, formed in a state in which data is written, and controlled so as not to become an on-state by read-out voltage applied to a gate.例文帳に追加

ダミーセル領域DSにおけるメモリセル用トランジスタは、全て、しきい値が高く制御され、データが書き込まれている状態に形成され、ゲートヘ印加される読み出し電圧ではオン状態とならない偵に制御されている。 - 特許庁

A target reflection signal of a radar pulse obtained by an adaptive array radar antenna 21 is signal-detected by a reception part 22 to be stored in a corresponding cell position along reception timing in a processing range cell prepared in a data accumulation part 23.例文帳に追加

アダプティブアレーアンテナ２１で得られたレーダパルスの目標反射信号を受信部２２で受信検波し、データ蓄積部２３に用意される処理レンジセルに対して受信タイミングに沿った対応セル位置に記憶する。 - 特許庁

Next, an encoding cell 122 is mapped on the basis of the binary data in the code part 112 to be specified by the guide part 111 and the corner cell 121 which have been binarized on the basis of a second threshold value larger than the first threshold value.例文帳に追加

次に、第１の閾値より大きい値の第２の閾値に基づいて２値化された、ガイド部１１１およびコーナセル１２１によって特定されるコード部１１２の２値化データに基づいて、コード化セル１２２がマッピングされる。 - 特許庁

A normal decoder 28 decodes an address that is output from the control circuit 24, and selects at least one normal memory cell in a data field and at least one memory cell in the control field on the basis of the decoding result.例文帳に追加

正規デコーダ２８は、制御回路２４から出力されるアドレスをデコードし、デコード結果に基づいて、データフィールドの少なくとも１つの正規メモリセルと、制御フィールドの少なくとも１つのメモリセルを選択する。 - 特許庁

A shift information latch circuit 6 is provided with a plurality of latch parts LTU provided corresponding respectively to the memory cell rows, and a fuse circuit 20 transmitting the fuse data FD generated in accordance with the address of a defective memory cell row.例文帳に追加

シフト情報ラッチ回路６は、メモリセル行にそれぞれ対応して設けられる複数のラッチ部ＬＴＵと、不良メモリセル行のアドレスに応じて生成されるフューズデータＦＤを伝達するフューズ回路２０とを設ける。 - 特許庁

A data processor 22 preferentially extracts from the database device 31 cell information on neighboring cells as to the cell in use which is in the end place of the use start order among cells in use stored in the storage device 28.例文帳に追加

データ処理装置２２は、記憶装置２８に記憶された使用中セルのうち使用開始順序が最後の使用中セルについての近隣セルのセル情報を優先してデータベース装置３１から取り出す。 - 特許庁

To provide a calculation method for reproducing highly precise solar cell characteristics, using data of short-circuit current, open voltage and a maximum power operating point of a solar cell with temperature and solar radiation intensity in a reference state.例文帳に追加

温度と日射強度が基準状態における太陽電池の短絡電流、開放電圧、最大電力動作点のデータを用いて、高精度な太陽電池特性を再現する演算方法を提供する。 - 特許庁

The RF disposed in a number of cells is defined as a priority RF, an average value of cell loads of cells using the priority RF is calculated, and MBMS data transmission is performed using the priority RF with a small average value of the cell loads.例文帳に追加

多くのセルに配置されたＲＦを優先ＲＦとし、優先ＲＦを用いるセルのセル負荷の平均値を計算し、そのセル負荷の平均値が小さい優先ＲＦを用いてＭＢＭＳデータ送信を行う。 - 特許庁

Then, the data-holding characteristics of memory cell transistors Tm1 and Tm2 mutually adjacent and interposing the drain contacts DC in Y direction can be maintained, thereby interference between the memory cell transistors Tm1 and Tm2 can be suppressed.例文帳に追加

すると、Ｙ方向にドレインコンタクトＤＣを挟んで隣り合うメモリセルトランジスタＴｍ１およびＴｍ２のデータ保持特性を維持することができ、当該メモリセルトランジスタＴｍ１およびＴｍ２間の干渉を抑制できる。 - 特許庁

Thus, the data of reversed error is corrected cell by changing the parity of the read/write circuit where the errors were found, the error correction circuit 18b, and the local parity cell 18a where the error was found.例文帳に追加

即ち、エラーが検出されたリード／ライト回路及びエラー訂正回路１８ｂ、並びにエラーが検出されたローカルパリティセル１８ａのパリティ値を変更することによって、データ反転したエラーセルを訂正することが可能である。 - 特許庁

In retrieval operation, the storage unit of the first memory cell and that of the second memory cell are selected in parallel, and a current corresponding to stored data is supplied onto a local match line ML1-ML2^k arranged accordingly.例文帳に追加

検索動作時、第１のメモリセルの記憶単位および第２のメモリセルの記憶単位を並行に選択して記憶データに応じた電流を、対応して配置されるローカルマッチ線ＭＬ１−ＭＬ２＾ｋ上に供給する。 - 特許庁

By turning off the power source of a peripheral circuit 2 while maintaining power supply to a memory cell 11 in a standby state, power consumption in a standby state can be reduced while maintaining stored data of the memory cell 11.例文帳に追加

待機状態においてメモリセル１１への電源供給を維持しつつ、周辺回路２の電源をオフすることにより、メモリセル１１の記憶データを保持しつつ待機状態の消費電力を削減することができる。 - 特許庁

Then, the electrical resistance difference between the current paths comes to reflect the electrical resistance difference between the selected memory cell RMC# and the selected reference cell RMC# regardless of address selection, therefore improving the data reading margin.例文帳に追加

したがって、これらの電流経路間の電気抵抗差は、アドレス選択にかかわらず、選択メモリセルＲＭＣ♯および選択リファレンスセルＲＭＣ＃の電気抵抗差を反映するようになるので、データ読出マージンが向上する。 - 特許庁

The sense amplifier 9 reads data from the memory cell based on the voltage of the bit line BL connected to the memory cell 11 to receive a precharge voltage during the reading operation and a reference voltage in response to the control signal.例文帳に追加

センスアンプ９は、制御信号に応答して、メモリセル１１に接続され読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加されたビット線ＢＬの電圧と参照電圧とに基づいて、メモリセルのデータを読み出す。 - 特許庁

To provide a form processing system for specifying a processing target cell by registering the positional information of rules for separating each cell area and inferring the table structure from the information, when registering table structure data in a dictionary.例文帳に追加

辞書に表構造データを登録する際、各セル領域に分割する罫線の位置情報を登録し、その情報より表構造を推測し処理対象セルを特定する帳票処理装置を提供する。 - 特許庁