「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A lower electrode 18b of a capacitor is formed simultaneously with a first Cu wiring layer 18a using a first Cu film 18.例文帳に追加

キャパシタの下部電極１８ｂを第１のＣｕ膜１８を用いて第１のＣｕ配線層１８ａと同時に形成する。 - 特許庁

To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加

多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁

A level difference is provided between regions 11 and 12 on the upper surface of the Cu layer 20.例文帳に追加

Ｃｕ層２０の上面は、領域１１，１２間で段差を有している。 - 特許庁

A resist pattern 25 is formed on the whole surface of the Cu sputtered layer 13.例文帳に追加

次に、Ｃｕスパッタ層１３の表面全体に、レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

A natural oxide present on a Cu layer is removed in HCl solution.例文帳に追加

ＨＣｌ溶液中で、Ｃｕ層上に存在する自然酸化物を除去する。 - 特許庁

In the second layer 10b, a highly heat-conductive material 12 (Cu) is arranged for the structure.例文帳に追加

第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁

As a material of the recording layer, a sulfide of Cu, S, GeS or the like is used.例文帳に追加

記録層の材料としてはＣｕＳ，ＧｅＳ等の硫化物を用いる。 - 特許庁

In the second layer 10b, a right heat conduction material 12 (Cu) is arranged for the structure.例文帳に追加

第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR USING BARRIER LAYER AS STRUCTURE LAYER, AND Cu ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR SPUTTERING DEPOSITION OF THE BARRIER LAYER例文帳に追加

バリア層を構成層とする薄膜トランジスターおよび前記バリア層のスパッタ成膜に用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device with a bonding pad 130 on a semiconductor substrate 10 includes an upper Cu layer 100 formed on a lower surface of the bonding pad 130 via a barrier metal and having a larger Cu area ratio than a layer on which circuit wiring is formed, and a lower Cu layer 200 electrically insulated from the upper Cu layer 100 and formed on the side of the semiconductor substrate 10 from the upper Cu layer 100.例文帳に追加

半導体基板１０上にボンディングパッド１３０を有する半導体装置であって、ボンディングパッド１３０の下面にバリアメタルを介して形成され、回路配線が形成される層よりもＣｕ面積率が大きな上部Ｃｕ層１００と、上部Ｃｕ層１００と電気的に絶縁され、上部Ｃｕ層１００よりも半導体基板１０側に形成された下部Ｃｕ層２００とを有する。 - 特許庁

After the surface of the parent material is coated with the Ni plated layer, it is coated with the Cu plated layer and the Sn plated layer in that order once, twice or more, and then is given a heat treatment to complete the Cu-Sn alloy layer.例文帳に追加

母材表面にＮｉめっき層を形成した後、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層をこの順に１回又は２回以上繰り返し形成し、熱処理を行って前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層を形成する。 - 特許庁

A Ti-Cr-(Mo-Nb-Fe) based hydrogen storage alloy is coated with Cu and Ni in order by electroless plating, mechanical alloying or the like, and heat treatment is performed at 400 to 1,000°C to form an Ni-added layer containing a Ti-Ni intermetallic compound such as TiNi and a Cu- containing layer at the inside thereof on the surface of the alloy.例文帳に追加

Ti−Cr− (Mo−Nb−Fe) 系の水素吸蔵合金に、無電解めっきまたはメカニカルアロイング等によりCuおよびNiを順に被覆し、 400〜1000℃で熱処理して、合金表面に、TiNi等のTi−Ni金属間化合物を含むNi付加層と、その内側のCuを含む層を形成する。 - 特許庁

It is preferable that the conductive layer is made of Cu or a Cu alloy, or Al or an Al alloy, and that the metal layer comprises at least one metal selected from a group consisting of W, Mo, Ni, Au, Cu, Ag, and Ti.例文帳に追加

導体層がＣｕ又はＣｕ合金若しくはＡｌ又はＡｌ合金からなり、金属介在層がＷ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。 - 特許庁

In an Sn-Ag-Cu based solder joint on a Cu electrode, a layer of a Cu_3Sn intermetallic compound is formed directly on the Cu electrode, and, a Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is formed thereon.例文帳に追加

Ｃｕ電極上のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ接合部では、Ｃｕ電極の直上にＣｕ_3Ｓｎ金属間化合物の層が形成され、さらにその上にＣｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層が形成される。 - 特許庁

The graft polymer layer 6 is patterned so as to cover the ITO layer 3, and a Cu layer 6 is formed on a surface of the graft polymer layer 6 by plating processing.例文帳に追加

グラフトポリマー層６はＩＴＯ層３の上を覆うようにパターニングされ、グラフトポリマー層６の表面にＣｕ層６がメッキ処理によって形成される。 - 特許庁

The alloy layer of a second metallic layer 19 and the Cu plating layer 24 is formed in the coarse region of the Cr layer, and the connection resistance value is reduced.例文帳に追加

そして、Ｃｒ層の粗な領域には、第２の金属層１９とＣｕメッキ層２４との合金層が形成され、接続抵抗値が低減される。 - 特許庁

Thereafter, the film 111 is subjected to a heat treatment, and a CuAl layer 112 (pad electrode layer) is formed extending from a part of the Cu wiring layer 108 to the AlCu layer 111.例文帳に追加

その後、熱処理を行い、Ｃｕ配線層１０８の一部とＡｌＣｕ膜１１１に渡って、ＣｕＡｌ層１１２（＝パッド電極層）を形成する。 - 特許庁

The first conductor film 14 is composed of a nickel (Ni) layer 12 in contact with the dielectric layer 11 and a copper (Cu) layer 13 formed on the Ni layer.例文帳に追加

第１の導体膜１４は、誘電体層１１に接する側のニッケル（Ｎｉ）層１２とこのＮｉ層上に形成された銅（Ｃｕ）層１３とからなる。 - 特許庁

A flip chip gold bump structure comprises a nickel layer on a gold bump formed on a chip and a copper layer on the nickel layer, to form a Ni/Cu barrier layer.例文帳に追加

フリップチップ金バンプ構造は、チップ上に形成された金バンプの上にニッケル層と、ニッケル層の上に銅層とを含み、Ｎｉ／Ｃｕ障壁層を構成する。 - 特許庁

In the metallic material for a connector, on the base material of Cu or a Cu alloy, a Cu-Sn alloy layer and Sn or an Sn alloy layer are formed in this order, and the average thickness of the Sn or Sn alloy layer is 0.001 to 0.05 μm.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の母材上にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎまたはＳｎ合金層がこの順で形成され、前記ＳｎまたはＳｎ合金層の平均厚さが０．００１〜０．０５μｍであるコネクタ用金属材料。 - 特許庁

In this manufacturing method, after a wiring groove 3 is formed in an interlayer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1, a Cu layer 5 and a Cu alloy layer 7 are laminated by a sputtering method via a barrier metal layer 4, thereby burying into a Cu groove by a plating film forming methods.例文帳に追加

半導体基板上の層間絶縁膜に配線用の溝を形成した後、バリアメタル層を介してスパッタ法によりＣｕ層と、次いでＣｕ合金層を積層して、めっき成膜法によってＣｕの溝への埋め込みを行う。 - 特許庁

Although the intermediate layer 5 of the film thickness of monomolecular level is formed between the ITO layer 3 and CU layer 8, the film thickness of the intermediate layer 5 causes the intermediate film to lose its original insulation, and the ITO layer 3 and Cu layer 8 are electrically connected to each other.例文帳に追加

ＩＴＯ層３とＣｕ層８との間には単分子膜レベルの膜厚で中間層５が形成されているが、この膜厚では中間層５がもつ本来の絶縁性が失われ、ＩＴＯ層３とＣｕ層８とを電気的に接続することが可能となる。 - 特許庁

The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁

The deposition rate of the Cu film 107 on the surface of the metal layer 105 is greater than that of the Cu film 107 on the surface of the metal nitride layer 106.例文帳に追加

金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 - 特許庁

After that, a Cu seed layer is formed in the via hole 8 by a non-electrolytic plating method.例文帳に追加

その後、無電解めっき法によりＣｕシード層をビアホール８内に形成する。 - 特許庁

The first Cu plating film 16 is formed on the foundation electrode layer 15.例文帳に追加

第１のＣｕめっき膜１６は、下地電極層１５の上に形成されている。 - 特許庁

Next, a Cu electrode layer 2 is formed in the opening 55a through plating method.例文帳に追加

次に、その開口部５５ａにめっき法によりＣｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

By further adding one kind of a metal selected from the group consisting of Ag, Cu and Zn to the photocatalyst layer, bacteria bonded to the surface of the photocatalyst layer can be killed.例文帳に追加

また、光触媒層には、更に、Ag、Cu、Znからなる群から選ばれた１種の金属を含むことにより、表面に付着した細菌を死滅させることができる。 - 特許庁

A semiconductor element mounting substrate or a heat sink has at least a thin film layer 2 consisting of an active metal layer, a thin film layer 3 consisting of an Ni3Mo layer, a thin film layer 4 consisting of a Cu layer, a thin film layer 5 consisting of an Ni layer and an Au thin film layer 6 on an AlN substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ基板１に活性金属からなる薄膜層２と、Ｎｉ_3 Ｍｏからなる薄膜層３と、Ｃｕからなる薄膜層４と、Ｎｉからなる薄膜層５と、Ａｕ薄膜層６とを少なくとも有することを特徴としている。 - 特許庁

The compound film serves as a variable resistance layer of a resistance memory, and has a Cu/(Cu+Si) mole percentage of 1 to 15%.例文帳に追加

混合膜は、抵抗メモリの可変抵抗層として使用され、混合膜のＣｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率は、１〜１５％である。 - 特許庁

On a low thermal resistance Cu or CuW heat sink 1, a Ni film layer in the range of 2-6 μm is formed by plating.例文帳に追加

熱抵抗の小さいCuまたはCuWからなるヒートシンク１上にメッキ法によりNi薄膜層を２μm以上６μm以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

The upper electrode 24b is formed simultaneously with a second Cu wiring layer 24a using a second Cu film 24 of a dual damascene wiring.例文帳に追加

上部電極２４ｂはデュアルダマシン配線である第２のＣｕ膜２４を用いて第２のＣｕ配線層２４ａと同時に形成する。 - 特許庁

The aluminum layer 11 has an Al-Cu structure wherein at least a small amount of Cu is contained (about 0.5%) in the aluminum.例文帳に追加

ここで、アルミニウム層１１は、例えばアルミニウムに少なくともＣｕを僅か（０．５％程度）に含有させたＡｌ−Ｃｕ構造としている。 - 特許庁

Thereafter, a Cu film 14c is stacked on the Cu film 14b within the wiring depositing grooves 12a and 12b by plating method using the sacrificial conductor film 12 and the Cu film 14b as a current carrying layer.例文帳に追加

その後、犠牲導体膜１２とＣｕ膜１４ｂを通電層としてめっき法によって配線形成用溝１２ａ，１２ｂ内のＣｕ膜１４ｂ上にＣｕ膜１４ｃを積み増す。 - 特許庁

The silicide layer 6 prevents diffusion of Cu from the Cu interconnection M1 and enhances adhesion between the Cu interconnection M1 and an overlying silicon nitride film 7.例文帳に追加

このシリサイド層６によって、Ｃｕ配線Ｍ_1 からのＣｕの拡散を防ぎ、また、Ｃｕ配線Ｍ_1 とＣｕ配線Ｍ_1 の上層に形成される窒化シリコン膜７との接着性を向上させる。 - 特許庁

When the Al or Al alloy foil is melted by the heating, the Al or Al alloy is infiltrated into the Cu or Cu alloy plate, and a Cu-Al alloy layer is formed.例文帳に追加

この加熱によりＡｌまたはＡｌ合金箔が溶融すると、そのＡｌまたはＡｌ合金は、ＣｕまたはＣｕ合金板中に溶浸し、Ｃｕ−Ａｌ合金層を形成する。 - 特許庁

Moreover, when the protective layer is made to be a single-layer structure, the copper (Cu) surface as a whole is covered by a Co-Ni alloy film.例文帳に追加

また、保護層を単層構造とする場合、Ｃｏ−Ｎｉ合金膜でＣｕ表面全体を被覆する。 - 特許庁

A Ti sputtered layer 11 and a Cu sputtered layer 13 are formed on the whole surface of the surface side of a base board 3.例文帳に追加

ベース基板３の表側の表面全体に、Ｔｉスパッタ層１１及びＣｕスパッタ層１３を形成する。 - 特許庁

The outermost Cu layer 14 of the three-layered pasted single-sided board 1 is processed into a patterned conductor layer 14.例文帳に追加

３層貼片面板１の最表面であるＣｕ層１４を加工して，パターン付きの導体層１４とする。 - 特許庁

The lower layer and upper layer wiring 14 and 30 and the via 28 are provided with the barrier metals 16 and 32 and Cu 18 and 36.例文帳に追加

下層及び上層配線１４，３０とビア２８とは、バリアメタル１６，３２とＣｕ１８，３６とを有している。 - 特許庁

Soldering is performed with a solder comprising Sn, Ag, and Cu to an electroless plated nickel/gold which comprises a nickel layer formed by an electroless nickel-phosphorus plating method as well as a gold layer formed over it.例文帳に追加

無電解ニッケル／金メッキへのはんだ付けを、スズ、銀、銅を含んだはんだを用いて行う。 - 特許庁

An insulating resin layer R which covers a wiring layer 7 consisting of Cu and a metal post 8 is also formed in a first trench.例文帳に追加

Ｃｕより成る配線層７、メタルポスト８を被覆する絶縁樹脂層Ｒを第１の溝にも形成する。 - 特許庁

Further, in the second form of the composite material for brazing, the surface of the base material 11 is provided with a brazed layer obtained by laminating a Cu or Cu alloy layer 14 and a Ti or Ti alloy layer 13 at least layer by layer.例文帳に追加

また、本発明に係るろう付け用複合材の第２の形態は、基材１１の表面に、Ｃｕ又はＣｕ合金層１４とＴｉ又はＴｉ合金層１３を少なくとも一層づつ積層して設けてなるろう付け層を有するものである。 - 特許庁

A core wire material 1 is externally coated in a Zn layer 2 and furthermore externally coated in a Cu-Zn alloy layer 3, before wiredrawing followed by heat treatment of diffusing Zn in the Zn layer 2 into the Cu-Zn alloy layer 3 to increase the Zn concentration of the Cu-Zn layer 3 to a desirable one.例文帳に追加

心線材１の外周にＺｎ層２を被覆形成すると共に、その外周にＣｕ−Ｚｎ合金層３を被覆し、伸線加工後、熱処理を施して上記Ｚｎ層２中のＺｎをＣｕ−Ｚｎ合金層３側に拡散させてそのＣｕ−Ｚｎ層３中のＺｎ濃度を所望の濃度まで高める。 - 特許庁