「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The Cu of the alloy used for the surface layer is 0.1-3.0 wt.%, and Mn is 0.0001-1 wt.%.例文帳に追加

表面層に用いる合金のＣｕは、０．１〜３．０重量％、Ｍｎは０．０００１〜１重量％である。 - 特許庁

The surface of a first Cu wiring 109 is exposed in a gas containing silicon to form a silicon transformation layer 110.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線１０９の表面をシリコンを含んだガスに曝し、シリコン変質層１１０を形成する。 - 特許庁

At this point, the surplus Mn that does not contribute to the formation of the second barrier film 13 is diffused into the Cu layer 20.例文帳に追加

このとき、第２バリア膜１３の形成に寄与しない余剰のＭｎは、Ｃｕ層２０中に拡散する。 - 特許庁

A protrusion 32 reaching the interior of the upper layer Cu interconnect line 41 is provided at the upper end of the Al plug 31.例文帳に追加

Ａｌプラグ３１の上端には、上層Ｃｕ配線４１の内部に到達する突出部３２を設ける。 - 特許庁

By using a conductive layer including Cu as a long lead wiring, increase in wiring resistance is suppressed.例文帳に追加

引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。 - 特許庁

This reduces the production quantity of residual ions (Cu^2+) on the adhesive layer 3 beneath the solder resist 6.例文帳に追加

これにより、ソルダーレジスト６の下の接着層３上における残留イオン（Ｃｕ^2+等）の生成量を減らす。 - 特許庁

A conformal barrier layer 40 is formed on a Cu film 30 filling trenches 15 of a dielectric film 10.例文帳に追加

誘電体膜（１０）のトレンチ（１５）を満たす銅の膜（３０）上に共形障壁体層（４０）が形成される。 - 特許庁

Thus, the terminal coupling portion 5 has a hard Cu-Sn alloy layer partly exposed to reduce a friction coefficient.例文帳に追加

これにより端子嵌合部５では硬いＣｕ−Ｓｎ合金層１２が一部露出して摩擦係数を下げる。 - 特許庁

On the other surface of this polyimide film 15a, a Cu foil 15b as a conductive layer is also attached.例文帳に追加

このポリイミドフィルム１５ａの他方の表面にも導電性層であるＣｕ箔１５ｂが貼り付けられている。 - 特許庁

To suppress the increase of the contact resistance between lower-layer wiring and the plug of Cu dual damascene wiring provided on the wiring.例文帳に追加

下層配線とその上のＣｕデュアルダマシン配線のプラグとの間のコンタクト抵抗の増加を抑制すること - 特許庁

To stably form a metal layer for applying a capping on Cu wiring formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成されたＣｕ配線にキャップするための金属層を安定して形成させることを目的とする。 - 特許庁

So-called inert gas inverse spattering with fast etching rate of 45° is performed on the Cu electrode layer 72.例文帳に追加

その後、Ｃｕ電極層７２に対して、４５°のエッチングレートが早い、いわゆる不活性ガス逆スパッタを施す。 - 特許庁

In the copper foil for the electromagnetic-wave shielding, a fine roughened particle layer composed of Cu or a Cu alloy is formed on at least one surface of the copper foil, and a smoothened layer composed of Co, Ni and In or these alloy is formed on the particle layer.例文帳に追加

本発明の電磁波シールド用銅箔は、銅箔の少なくとも片面にＣｕ又はＣｕ合金からなる微細粗化粒子層が設けられ、該微細粗化粒子層上に、Ｃｏ，Ｎｉ、Ｉｎ又はこれらの合金からなる平滑層が設けられている。 - 特許庁

The CNT and Cu are simultaneously sputtered to form the CNT-containing metal layer 13, so that the CNT can be homogeneously mixed into the Cu, and interface resistance between the CNT and the Cu can be reduced to improve the electric conductivity of the wiring.例文帳に追加

ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。 - 特許庁

In this electrode wire 10 for electrically discharge machining, a coating layer 12 formed by alternately stacking Zn layers 13a, 13b and Cu-Zn alloy layers 14a, 14b on the outer periphery of a core material 11 formed of Cu or Cu alloy.例文帳に追加

本発明に係るワイヤ放電加工用電極線１０は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる心材１１の外周に、Ｚｎ層１３ａ，１３ｂとＣｕ−Ｚｎ合金層１４ａ，１４ｂとを交互に積層してなる被覆層１２を設けたものである。 - 特許庁

The composite electric wire includes the electric wire body W consisting of the center conductor CU, and an outer layer conductive wire AL which is extended along the outer peripheral face of this center conductor CU in Z direction, and arranged so as to surround this center conductor CU.例文帳に追加

複合電線は中心導線ＣＵとＺ方向にこの中心導線ＣＵの外周面に沿って延長すると共にこの中心導体ＣＵを囲むように配置される外層導線ＡＬとからなる電線本体Ｗを含んでいる。 - 特許庁

Thereby, as the anti-corrosive coating film is formed on the surface of the layer 32 containing Cu, the etching of Cu is suppressed and, on the other hand, the etching of Ni is accelerated by the ferrous chloride.例文帳に追加

これにより、Ｃｕを含む層３２の表面には防食性被膜が形成されてＣｕのエッチングが抑制される一方、塩化第１鉄によってＮｉのエッチングが促進される。 - 特許庁

A soft magnetic backing layer is film-formed on a nonmagnetic substrate, and, a seed film with a composition composed of Cu and Ge is film-formed thereon using a sputtering target whose composition is composed of Cu-Ge.例文帳に追加

非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。 - 特許庁

The laminate comprises forming an adhesive layer on the surface of the adherent which is composed of Cu, V, a Cu alloy or a V alloy and in which deposits with a height of 500 nm or below are scattered.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｖ、Ｃｕ合金またはＶ合金からなり、かつ、５００ｎｍ以下の高さの析出物が点在する被接着体表面に、接着剤層を形成してなる積層体。 - 特許庁

Then, a Cu film 107 is deposited on the barrier metal film 106, and then the Cu film 107 and the barrier metal film 106 are polished to form a via plug 108 and an upper layer interconnection 109.例文帳に追加

次に、バリアメタル膜１０６上にＣｕ膜１０７を堆積し、Ｃｕ膜１０７及びバリアメタル膜１０６を研磨してビアプラグ１０８及び上層配線１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a CMP(chemical-mechanical polishing) composition for planerizing a metal layer of Cu and a Cu alloy, hardly causing dishing, capable of improving surface flatness, and capable of reducing a production cost by improving through-put.例文帳に追加

ＣｕおよびＣｕ合金の金属層を平坦化するための、ディッシングが少なく、表面平坦度が向上し、スループットを上げて製造コストを下げ得るＣＭＰ組成物を提供する。 - 特許庁

The repeating bases 7 are made of a metal such as Cu, Cu alloy, Al or Al alloy or ceramic, such as Al_2O_3 having an electrical conductive layer formed on its top surface.例文帳に追加

中継台７は、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ又はＡｌ合金等の金属製であるか、又は少なくとも上面に電気伝導層が形成されたＡｌ_２Ｏ_３等のセラミックス製である。 - 特許庁

Then, the method also has a process for forming a metal post 8 that is made of Cu on the wiring layer 7 via the photo resist layer PR2.例文帳に追加

続いて、前記ホトレジスト層ＰＲ２を介して前記配線層７上にＣｕから成るメタルポスト８を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the substrate W is set in a third deposition unit 15 through the transfer apparatus 10 and a Cu main wiring layer is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、次に、搬送装置１０を介して第３成膜ユニット１５中に基板Ｗをセットし、バリア層上にＣｕからなる配線本体層を形成する。 - 特許庁

Before forming an insulating resin layer R which coats a wiring layer 7 of Cu and a metal post 8 in a first slot, a coating material H is formed over the entire surface of a wafer.例文帳に追加

Ｃｕより成る配線層７、メタルポスト８を被覆する絶縁樹脂層Ｒを第１の溝に形成する前に、ウェハ全面に被覆材Ｈを形成する。 - 特許庁

After a barrier metal layer 20 is formed in concave portions 16, 17 formed in an interlayer insulating film 15, a Cu wiring layer 23 is formed in the concave portions 16, 17.例文帳に追加

層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a wiring layer 4 and a Cu wiring layer 13 disposed on a surface side of a silicon substrate 2 and coated with resin films 10, 15.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、シリコン基板２の表面側に配線層４やＣｕ配線層１３が配置され、樹脂膜１０、１５により被覆される。 - 特許庁

In a second dielectric layer 118 comprised of organosiloxane, a metal barrier layer 124 comprised of TaN and a conductive metal feature part 126 comprised of Cu are formed.例文帳に追加

オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。 - 特許庁

Where, the metallic lid member 12 is constituted of applying the Cu plating layer 21 to a cobal material 20 as a ground, and applying the Ag plating layer 21 to the surface of the ground.例文帳に追加

ここで、金属製リッド部材１２は、コバール材２０に銅Ｃｕめっき層２１を下地とし、この下地上に銀Ａｇめっき層２２を施して構成する。 - 特許庁

The projecting region of the Cu plated layer 14 increases joint force between the bump electrode 2 and a wiring layer 12, and reduces the resistance value in the bump electrode 2.例文帳に追加

更に、Ｃｕメッキ層１４の突出領域は、バンプ電極２と配線層１２との接合力を増大させ、バンプ電極２での抵抗値を低減させる。 - 特許庁

The wiring board is composed of a insulating layer of the low temperature fired ceramic and conductive layer of low melting point metal such as Cu or Ag.例文帳に追加

本発明の配線基板は、上記低温焼成磁器からなる絶縁層と、ＣｕやＡｇ等の低融点の金属からなる導体層とを備える。 - 特許庁

On the flat portion of the conductive resin layer 5, a pillar-shaped bump 7 made of, for example, copper (Cu) is formed via a second closely contact layer 6.例文帳に追加

更に、導電性樹脂層５の平坦部上には、第２の密着層６を介して、例えば銅（Ｃｕ）からなる柱状バンプ７が形成されている。 - 特許庁

A layer positioned at a sliding face side to the utmost among layers constituting the Sn group overlay layer 15 contains Sn and ≥3 mass% of Cu.例文帳に追加

Ｓｎ基オーバレイ層１５を構成する層のうち最も摺動面側に位置する層は、Ｓｎと３質量％以上のＣｕとを含んでいる。 - 特許庁

A surface layer covering the elastic layer is formed with Au, and the protrusion 23 is formed with any one of: an alloy of Cu and Ni; Ni; and Au.例文帳に追加

弾性層を覆う表面層はＡｕで形成されており、突出部２３はＣｕとＮｉの合金、ＮｉまたはＡｕのいずれかで形成される。 - 特許庁

A hydrogen-absorbing alloy powder has a metal surface layer containing more Ni, Co and Cu than a matrix and the relative density of the surface layer is ≥30%.例文帳に追加

また、母相よりＮｉ，Ｃｏ，Ｃｕリッチの金属表面層を有し、その表面層の相対密度が３０％以上である水素吸蔵合金粉末。 - 特許庁

The light absorbing layer 16 of the chalcopyrite-type solar cell 10 is formed by having an alloy layer 26 formed by making a Cu-In-Ga alloy selenium.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池１０の光吸収層１６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなる合金層２６をセレン化することで形成される。 - 特許庁

The Al electrode layer 4 and the Cu electrode layer 5 in the alternately laminated electrode part 6 are constituted of epitaxial films having a twin crystal structure.例文帳に追加

交互積層電極部６にあるＡｌ電極層４およびＣｕ電極層５は、双晶構造を有するエピタキシャル膜によって構成される。 - 特許庁

A plurality of Ni-made ferroelectric materials 15 are arranged on a TiW layer 9 and a Cu layer 10 in the laminate film 14 into a matrix.例文帳に追加

積層膜１４においては、ＴｉＷ層９及びＣｕ層１０上に、Ｎｉからなる強磁性体１５を複数個マトリクス状に配列する。 - 特許庁

The Cu-Sn alloy layer 12 is not exposed at the solder-bonding part and the Sn layer 13 covers the whole area, which improves the solderability of the solder-bonding part.例文帳に追加

はんだ付け部ではＣｕ−Ｓｎ合金層１２が露出することなく、Ｓｎ層１３が全面を被覆してはんだ付け性が改善される。 - 特許庁

A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁

After forming an extremely thin Ti-based film on a base material 1 as a first film 2, by having a compound film including a slope structure of a Ti-based material of a Ti-based material and a Cu-based material formed as a second film 3, and a third film 4 formed on the compound film as a Cu-based electrode, a precursor having a three-layer structure is formed.例文帳に追加

極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。 - 特許庁

A Cu plating layer 35, an Ni plating layer 31 and an Au plating layer 32 are formed on an exposed part 53 by removing a part of an oxide film 51 to cover a Ti group metal base 11.例文帳に追加

Ｔｉ基金属基板１１を被覆する酸化被膜５１の一部を除去して、露出部５３にＣｕめっき層３５、Ｎｉめっき層３１、Ａｕめっき層３２を形成した。 - 特許庁

An Ni plating layer 2 is formed on a Cu electrode part 1 by nonelectrolytic plating, Au is deposited on the Ni plating layer 2 by a sputter film forming method, and an Au layer 6 is formed.例文帳に追加

Ｃｕ電極部１上に無電解めっきによりＮｉめっき層２を形成し、スパッタ成膜法によりＮｉめっき層２上にＡｕを堆積させＡｕ層６を形成した。 - 特許庁

The Ni covering layer has an average thickness of 0.1-1.0 μm, the Cu-Sn alloy covering layer has an average thickness of 0.1-1.0 μm and the Sn covering layer has an average thickness of 0.1-2.5 μm.例文帳に追加

Ｎｉ被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｓｎ被覆層の平均厚さは０．１〜２．５μｍとされている。 - 特許庁

The metal oxide layer (5) is formed by immersion plating of metal such as Sn or Zn on the Cu wiring layer (4) and then conducting heat treatment on the plated layer under the oxidation atmosphere.例文帳に追加

金属酸化物層（５）は、Ｃｕ配線層（４）上にＳｎまたはＺｎなどの金属を浸漬メッキし、その後このメッキ層を酸化性雰囲気中で加熱処理して形成する。 - 特許庁