「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A Sn-containing layer 25 is formed so as to cover an exposure part of a Ni-containing internal conductor 12 of a ceramic element 9, a Cu-containing layer 26 is formed thereon, and a Sn-Cu-Ni intermetallic compound layer is formed between the internal conductor 12 and the Cu-containing layer 26 by heat-treating them.例文帳に追加

セラミック素体９の、Ｎｉを含有する内部導体１２の露出部を被覆するようにしてＳｎ含有層２５を形成し、その上にＣｕ含有層２６を形成し、これらを熱処理することによって、内部導体１２とＣｕ含有層２６との間にＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層を形成する。 - 特許庁

Then, a metal layer 17 containing Cu is formed on the upper layer of the barrier metal layer 16 by electrolytic plating using the barrier metal layer 16 as an electrode, and the barrier metal layer 16 and the metal layer 17 are processed into a wiring pattern.例文帳に追加

次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 - 特許庁

A Zn layer is formed by substitution plating on the surface of an Al substrate, and an Ni layer, or an Ni layer and an Sn layer, or the Ni layer and a Cu layer are plated thereon to form a material for a terminal.例文帳に追加

Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層、もしくはＮｉ層とＣｕ層をめっきにより形成させて端子用材料とする。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁

A first surface layer 2 of the one surface side is formed with Cu-Zn alloy consisting of ≥45 wt.% Zn and the balance essentially of pure Cu or with Cu, and a second surface layer 3 of the other surface side is formed with a non-magnetic metal having a silvery white color.例文帳に追加

一方の表面側の第１表層２がＺｎ４５wt％以下、残部Ｃｕを主成分とするＣｕＺｎ合金あるいは純Ｃｕで形成され、他方の表面側の第２表層３が銀白色を呈する非磁性金属で形成される。 - 特許庁

To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

A Cu wiring layer 6 is formed on a wafer W, an amorphous carbon film 7 is formed as a Cu diffusion barrier by CVD using a process gas containing a hydrocarbon gas on the Cu wiring layer 6, and a Low-k film 8 is formed on it.例文帳に追加

ウエハＷにＣｕ配線層６を形成し、Ｃｕ配線層６の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたＣＶＤによりＣｕ拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜７を成膜し、その上にＬｏｗ−ｋ膜８を形成する。 - 特許庁

A contact portion of the vacuum valve is formed of Cu-TiC alloy and a bonding layer is a Ag-Cu-Mn based bonding layer formed of Ag (all or part of Ag substituted by Cu) and Mn (all or part of Mn substituted by one of Ti, Zr and Cr).例文帳に追加

真空バルブの接点部をＣｕ−ＴｉＣ合金、接合層をＡｇ（Ａｇの一部またはすべてをＣｕで置換）とＭｎ（Ｍｎの一部またはすべてをＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒの一つで置換）とからなるＡｇ−Ｃｕ−Ｍｎ系接合層とする。 - 特許庁

In succession, a resin film 4 is etched by the use of a laser beam using the Cu foil 5 as a mask, by which the tapered (trapezoidal) resin film 4 is left on the Cu plating layer 3, so as to become gradually larger in cross-sectional area going toward the Cu plating layer 3.例文帳に追加

続いて、例えばレーザを使用しＣｕ箔５をマスクとして樹脂フィルム４をエッチングすることにより、Ｃｕ箔５側からＣｕメッキ層３側にかけて面積が広くなるテーパ形状（台形状）に樹脂フィルム４を残存させる。 - 特許庁

Further, a groove pattern 6 for wiring, a contact hole, etc., is formed by etching on the low dielectric constant insulating film 3, and a plating layer 10 made of Cu is deposited.例文帳に追加

さらに、エッチングによって低誘電率絶縁膜３に配線やコンタクトホールなどの溝パターン６を形成し、Cuからなるめっき層１０を析出させる。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Cu to Sn is ≥3 mass% and <20 mass%.例文帳に追加

第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎに対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁

The Cu film is grown isotropically, so that the upper corner 2g of the Cu electrode layer can be made round in shape.例文帳に追加

この場合、Ｃｕ膜を等方的に成長させるので、Ｃｕ電極層の形状を上面コーナ部２ｇが丸みを有する形状とすることができる。 - 特許庁

The selected element can be directly deposited on Cu embedded in the dielectric in the lower layer, without causing short-circuiting between the Cu wires.例文帳に追加

選択された元素は、Ｃｕ配線間のショートを引き起こすことなしに、下層の誘電体中に埋込まれたＣｕの上に直接堆積することができる。 - 特許庁

Next a Cu seed layer 11 is formed by sputtering, and a Cu-plated film 12 is formed by electroplating to bury the contact hole 8 and wiring groove 9.例文帳に追加

次にスパッタ法でＣｕシード層１１を形成後、電解メッキ法によりＣｕメッキ膜１２を形成し、コンタクトホール８、配線溝９を埋め込む。 - 特許庁

The dielectric layers 12A, 12B and 12C are formed of a benzocyclobutene film, and the Cu grounding layer 13 and the Cu wiring layers 9A, 9B and 9C are prepared by a plating method.例文帳に追加

誘電体層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、ベンゾシクロブテン膜で形成し、Ｃｕ接地層１３、Ｃｕ配線層９Ａ、９Ｂ、９Ｃは、メッキ法により作成される。 - 特許庁

The inner layer 4 is formed of P-Cu alloy containing P 0.7-3.2 wt.%, or pure Ni or Ni-Cu alloy containing Ni 4.0 wt.% or more.例文帳に追加

前記内層４はＰを０．７〜３．２mass％含むＰ−Ｃｕ合金又は純ＮｉあるいはＮｉを４．０mass％以上含むＮｉ−Ｃｕ合金で形成される。 - 特許庁

To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.例文帳に追加

下層Ｃｕの配線上にＣｕの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁

In the copper foil with the resin for laser beam boring, a surface layer of an alloy mainly containing Zn and Cu is formed on the surface on the laser beam irradiation side of the copper foil.例文帳に追加

銅箔のレーザ照射側の表面に、ZnとCuを主体とする合金からなる表面層が形成されているレーザ穴あけ加工用樹脂付き銅箔。 - 特許庁

A Cu layer 3 formed on a surface of a substrate 1 is overlaid with a photo resist pattern 4 that constitutes a mask corresponding to Cu wiring to be formed.例文帳に追加

基板１の表面に形成したＣｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターン４を設ける。 - 特許庁

The Cu layer 20 is subjected to CMP processing at a subsequent step and planarized ideally up to the dot line part, thus forming a Cu interconnect.例文帳に追加

このＣｕ層２０は、後の工程でＣＭＰ処理を施されることにより、理想的には点線部分まで平坦化され、Ｃｕ配線となるものである。 - 特許庁

The high-temperature conductive oxide coat is formed in (1) a method for applying sputter coating to Cu and Al under an oxygen containing depressurized atmosphere, or in (2) a method for applying sputter coating to Cu and Al under a non-oxidized atmosphere to form a Cu-Al alloy layer and then oxidizing a surface layer portion of the Cu-Al alloy layer.例文帳に追加

この高温導電性酸化物皮膜は、例えば（１）酸素含有減圧雰囲気下でＣｕおよびＡｌをスパッタコーティングする方法、（２）ＣｕおよびＡｌを非酸化性雰囲気下でスパッタコーティングすることによりＣｕ−Ａｌ系合金層を形成した後、そのＣｕ−Ａｌ系合金層の表層部を酸化させる方法などにより形成させることができる。 - 特許庁

After formation of the sacrificial layer 31, a second barrier film 13 made of MnSiO is formed between the Cu layer 20 and a second insulating layer 6 by heat treatment.例文帳に追加

そして、犠牲層３１の形成後、熱処理により、Ｃｕ層２０と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 - 特許庁

The wiring board is provided with the insulation layer composed of the low temperature fired porcelain and a Cu conductor layer provided on the surface and/or the inside of the insulation layer.例文帳に追加

更に、配線基板は、この低温焼成磁器からなる絶縁層と、この絶縁層の表面及び／又は内部に設けられたＣｕ導体層とを備える。 - 特許庁

The terminal pad 15 for power feeding is obtained by forming an electrolytic Ni plating layer 55 and an electrolytic Au plating layer 57 on a Cu plating layer 53.例文帳に追加

給電用端子パッド１５は、Ｃｕメッキ層５３の上に電解Ｎｉメッキ層５５および電解Ａｕメッキ層５７を形成することにより得られる。 - 特許庁

The cover layer is formed with Ag having a reflectance higher than that of Cu composing the element attaching part 3 and the cover layer is laminated on the barrier layer.例文帳に追加

素子取付け部３をなしたＣｕの反射率よりも高い反射率を有するＡｇでカバー層を形成し、この層をバリア層に積層する。 - 特許庁

After a connecting layer 2 is formed by depositing Mo on lower-layer Cu wiring 1, the carbon nanotube 6 is grown on the connecting layer 2 by using the CVD method.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線１上にＭｏを堆積して接続層２を形成し、この接続層２上にＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブ６を成長させる。 - 特許庁

A layer contacting with the Ni group intermediate layer 14 among the layers constituting the Sn group overlay layer 15 contains Sn and ≥8 mass% of Cu.例文帳に追加

Ｓｎ基オーバレイ層１５を構成する層のうちＮｉ基中間層１４に接する層は、Ｓｎと８質量％以下のＣｕとを含んでいる。 - 特許庁

The terminal pad 10 for device is obtained by forming an electroless Ni plating layer 64 and an electroless Au plating layer 66 on a Cu plating layer 54.例文帳に追加

素子用端子パッド１０は、Ｃｕメッキ層５４の上に無電解Ｎｉメッキ層６４および無電解Ａｕメッキ層６６を形成することにより得られる。 - 特許庁

Thereby the cohesion is not produced on Cu, and during etching, it functions as a protection layer.例文帳に追加

これにより、Ｃｕに凝集を生じさせず、しかもエッチングの際の保護層として機能する。 - 特許庁

The barrier layer BR is provided between the interlayer insulating film IL and Cu wiring WR.例文帳に追加

バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。 - 特許庁

Further, the plating 12 containing Sn-Ag-Cu can be performed on a ground plating layer 21.例文帳に追加

さらに、錫−銀−銅含有めっき１２を下地めっき層２１の上に施すこともできる。 - 特許庁

To avoid operation failures or degraded yield, even if a wiring layer is formed using Cu.例文帳に追加

Ｃｕを使用して配線層を形成した場合でも、動作不良や歩留まりの低下を起こさない。 - 特許庁

The coating layer, in particular, desirably comprises a lamination of copper-cobalt-iron-nickel (Cu-Co-Fe-Ni).例文帳に追加

特に、前記コーテイング層は銅-コバルト-鉄-ニッケル(Ｃｕ-Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ)からなることが望ましい。 - 特許庁

Thus, a Cu connection part 22 directly connected to the lower-layer wiring 14 is formed.例文帳に追加

以上により、下層配線１４と直接的に接続されるＣｕ接続部２２を形成する。 - 特許庁

The nonmagnetic metal layer 541 is composed of Cu, and has a thickness within a range of 0.3-1.5 nm.例文帳に追加

非磁性金属層５４１は、Ｃｕよりなり、０．３〜１．５ｎｍの範囲内の厚みを有している。 - 特許庁

The Cu sacrifice layer 20 is removed by etching to make the amorphous Ni-P film 8 into a beam structure.例文帳に追加

Ｃｕ犠牲層２０をエッチングにより除去してアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を梁構造にする。 - 特許庁

For reducing the concentration of Cu in the outermost surface layer, flowing water washing or acid washing is effective.例文帳に追加

極表層のＣｕ濃度を低減するには流水洗浄または酸洗浄が効果的である。 - 特許庁

The Cu plating layer is connected to a wiring pattern formed on a surface of the relay board.例文帳に追加

Ｃｕめっき層は、中継基板の表面に形成された配線パターンに接続されている。 - 特許庁

The Sn-Cu layer 103 includes a Cu6Sn5 area 103a and an Sn area 103b.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕ層１０３はＣｕ6Ｓｎ5領域１０３ａとＳｎ領域１０３ｂを有している。 - 特許庁

Cu alloy powders are sintered on the surface of a back plate 1 to form a porous alloy layer 2.例文帳に追加

裏金１の表面に、Ｃｕ合金粉末を焼結して多孔質の合金層２を形成する。 - 特許庁

The barrier metal film 10 and a wiring layer 11 formed of Cu (copper) are embedded in the T-shaped opening.例文帳に追加

Ｔ字型開口部には、バリアメタル膜１０とＣｕ（銅）からなる配線層１１が埋設される。 - 特許庁

The external electrodes 13 and 14 have a foundation electrode layer 15 and a first Cu plating film 16.例文帳に追加

外部電極１３，１４は、下地電極層１５と、第１のＣｕめっき膜１６とを有する。 - 特許庁

Thereby the steel back metal is metallically connected with and firmly jointed to the Cu-Al alloy layer.例文帳に追加

このため、鋼裏金とＣｕ−Ａｌ合金層とは金属的に結合し、強固に接合する。 - 特許庁

Then, after alloying the barrier metal 13 and the impurity layers 14, 17, the embedded wiring layer consisting of a Cu seed layer 15 and a Cu plating layer 16 is formed in the groove 12, and then the thermal diffusion of the impurity element in the alloyed barrier metal layer 13 into the embedded wiring layer is carried out.例文帳に追加

その後、バリアメタル層１３と不純物層１４、１７とを合金化した後、溝１２内にＣｕシード層１５及びＣｕメッキ層１６からなる埋め込み配線層を形成し、然る後、合金化されたバリアメタル層１３内の不純物元素を埋め込み配線層内に熱拡散させる。 - 特許庁

The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁