「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The Ni/Cu barrier layer obstructs interaction between the gold bump and a solder.例文帳に追加

Ｎｉ／Ｃｕ障壁層は、金バンプとハンダとの相互作用を妨げる。 - 特許庁

The metal which can be diffused in Cu is diffused in at least a surface layer of the foundation electrode layer 15 in the first Cu plating film 16.例文帳に追加

第１のＣｕめっき膜１６の少なくとも下地電極層１５側の表層には、Ｃｕに拡散し得る金属が拡散している。 - 特許庁

A second electrode formed on the capacitor insulating film is formed of one of a Cu layer and a Cu layer containing the substances.例文帳に追加

キャパシタ絶縁膜上に形成された第２の電極は、Ｃｕ層と、前記物質を含むＣｕ層のうちの１つにより形成されている。 - 特許庁

Then, the organic resin film 74 is formed on the Cu electrode layer 2.例文帳に追加

その後、Ｃｕ電極層２上に有機樹脂膜７４を形成する。 - 特許庁

The light absorbing layer is formed of a compound containing Cu and Te.例文帳に追加

そして、光吸収層はＣｕとＴｅからなる化合物からなる。 - 特許庁

A Cu-Sn compound layer is formed between the Ni plating layer and the Sn plating layer by heat-treating the connector having the characteristics at a temperature of the melting point of Sn or higher.例文帳に追加

前記の特徴を有するコネクタをSnの融点以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層とSnめっき層との間にCu-Sn化合物層を形成する。 - 特許庁

A Zn layer, a Cu layer and the NiP plated film are successively formed on the surface of an aluminum alloy substrate and the Cu layer has 0.2 to 4 g/m^2 deposit.例文帳に追加

アルミニウム合金基板の表面上に、Ｚｎ層、Ｃｕ層及びＮｉＰメッキ膜が順次形成されており、前記Ｃｕ層の付着量は、０．２乃至４ｇ／ｍ^^２である。 - 特許庁

The fine roughened particle layer in which a copper-alloy fine roughened particle layer consisting of the Cu alloy is laminated on the copper fine roughened particle layer composed of Cu is used as the particle layer, and it is preferable that the fine roughened particle layer is formed of a Cu-Co-Ni alloy.例文帳に追加

前記微細粗化粒子層は、Ｃｕからなる銅微細粗化粒子層の上にＣｕ合金からなる銅合金微細粗化粒子層を積層した微細粗化粒子層であり、前記微細粗化粒子層はＣｕ−Ｃｏ−Ｎｉ合金で形成するとよい。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with structure in which a semiconductor element is connected to a Cu or Ni electrode through a junction layer composed of Cu and the Cu junction layer and the Cu or a Ni electrode are joined to each other by diffused junction.例文帳に追加

半導体素子と、ＣｕまたはＮｉ電極がＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記Ｃｕ接合層と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置。 - 特許庁

An Sn-Ag based fusion forming layer 17 is formed tightly on the second Cu layer 16.例文帳に追加

第２のＣｕ層１６にはＳｎ−Ａｇ系溶融成形層１７が密着形成されている。 - 特許庁

An SiNx layer and an SiO_2 layer are successively formed on a Cu wiring layer formed on a wafer and the SiO_2 layer and the SiNx layer are dry etched using a resist layer as a mask.例文帳に追加

ウエハに形成したＣｕ配線層の上にＳｉＮｘ層、ＳｉＯ_２層を順次形成し、レジスト層をマスクとしてＳｉＯ_２層およびＳｉＮｘ層をドライエッチングする。 - 特許庁

Each electrode 4 has a three-layer structure having a Cu layer 4a, an Ni-plated film layer 4b and an Sn-plated film layer 4c of an outermost layer.例文帳に追加

そして、外部電極４は、Ｃｕ層４ａ、Ｎｉメッキ膜層４ｂ、最外層であるＳｎメッキ膜層４ｃからなる三層構造を有している。 - 特許庁

After Cu is deposited over the entire surface, Cu on the insulating layer 12 is removed by CMP operation, Cu is selectively filled into the via hole 13, and the wiring groove 14 forms a Cu damascene wiring.例文帳に追加

そして、Ｃｕを全面に堆積した後、ＣＭＰを行って絶縁層１２上のＣｕを除去して、ヴィアホール１３及び配線溝１４に選択的にＣｕを埋め込んで、Ｃｕダマシン配線を形成する。 - 特許庁

In the joining layer, an Al-Cu layer consisting substantially of Al and Cu is formed on the structure 10 side, and a mixed layer of the hard metal for cladding by welding with a metal consisting mainly of Cu is formed on the hard built-up layer 53 side.例文帳に追加

また、接合層中には、実質的にＡｌ及びＣｕよりなるＡｌ−Ｃｕ系層が構造体本体１０側に形成される一方、肉盛硬質金属とＣｕ主体の金属との混合層が硬質肉盛層５３側に形成される。 - 特許庁

In this electrode wire for electrically discharging machining, a Cu-Zn alloy layer 14 is provided on the outer periphery of a core material 11, and at least the surface layer of the core material 11 is provided with a Cu-Zn alloy intermediate layer formed of Cu-Zn alloy, the Zn concentration of which is higher than that of the Cu-Zn alloy constituting the Cu-Zn alloy layer 14.例文帳に追加

本発明に係るワイヤ放電加工用電極線は、心材１１の外周にＣｕ−Ｚｎ合金層１４を設けたものであり、心材１１の少なくとも表層に、Ｃｕ−Ｚｎ合金層１４を構成するＣｕ−Ｚｎ合金よりもＺｎ濃度の高いＣｕ−Ｚｎ合金からなるＣｕ−Ｚｎ合金中間層を設けたものである。 - 特許庁

In such a way, the unevenness on the surface of the formed Cu-Sn intermetallic compound layer 5 is small one of ≤0.5 μm Rmax.例文帳に追加

このようにして、形成されたCu-Sn金属間化合物層５の表面の凹凸は小さくRmaxは0.5μｍ以下である。 - 特許庁

Next, the Cu plating is performed by an electroplating method, thereby filling the via holes 13 and the wiring groove 14 with a Cu layer 18.例文帳に追加

次に、電解メッキ法でＣｕメッキすることにより、ビアホール１３及び配線溝１４をＣｕ層１８で埋め込む。 - 特許庁

The device also has a Cu sputtering layer 8a and Cu plating layers 8b electrically connected to the input/output terminal 5.例文帳に追加

そして入出力端子５と電気的に接続されたＣｕスパッタ層８ａ及びＣｕめっき層８ｂを備えている。 - 特許庁

The plating treatment material comprises a substrate 3 made of Cu or a Cu alloy, and a metal plating layer 6 formed on the surface of the substrate 3.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金製の基体３と、基体３の表面に形成された金属めっき層６とを有する。 - 特許庁

The seed layer 6 includes a Cu-Ti alloy comprising essentially Cu and having a face-centered cubic structure as a main material.例文帳に追加

シード層６は、Ｃｕを主成分とし、面心立方構造を有するＣｕ−Ｔｉ合金を主材料とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating film 21 provided on a semiconductor substrate 10 and having a trench 22, a Cu seed layer 26 provided along an inside surface of the trench 22, a Cu silicide layer 28 provided along a surface of the Cu seed layer 26, and a Cu wiring layer 30 provided on a surface of the Cu silicide layer 28 so as to be embedded in the trench 22.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１０上に設けられた、溝部２２を有する絶縁膜２１と、溝部２２の内面に沿って設けられたＣｕシード層２６と、Ｃｕシード層２６の表面に沿って設けられたＣｕシリサイド層２８と、溝部２２に埋め込まれるように、Ｃｕシリサイド層２８の表面上に設けられたＣｕ配線層３０と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

In addition, in the case where a metal low resistance layer 26 consisting primarily of Cu is formed on a surface of the barrier film 25, Cu does not diffuse to the semiconductor layer 30.例文帳に追加

また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 - 特許庁

The overlay layer of the sliding member includes Cu, and a Sn-Cu compound which is formed so as to project into itself from the intermediate layer by heat treatment.例文帳に追加

オーバレイ層にＣｕを含ませ、熱処理によってオーバレイ層中に中間層から凸状に延びるＳｎ−Ｃｕ系の化合物を形成した。 - 特許庁

Then, the metal layer 6 is etched so as to be left on the surface of the Cu foil 5, on the side of the resin film 4 and on the surface of the Cu plating layer 3.例文帳に追加

次いで、Ｃｕ箔５の表面上、樹脂フィルム４の側面上及びＣｕメッキ層３の表面上に残存するように金属層６をエッチングする。 - 特許庁

The bump electrode 2 is connected to the projecting region of the Cu plated layer 14.例文帳に追加

バンプ電極２は、Ｃｕメッキ層１４の突出領域と接続する。 - 特許庁

The Cu wiring layer 13 and Cu plating layer 16 are formed using the same feeder to improve the mounting reliability while suppressing the manufacturing cost.例文帳に追加

Ｃｕ配線層１３とＣｕメッキ層１６とは同じ給電線を用いて形成されることで、製造コストを抑えつつ、実装信頼性が向上される。 - 特許庁

Direct contact between Al and Cu is avoided by the passivation layer 32.例文帳に追加

このパッシベーション層３２がＡｌとＣｕとの直接接触を回避させる。 - 特許庁

The first Cu compound layer 22 may be formed to contain Cu_2O.例文帳に追加

前記第１銅化合物層２２は、Ｃｕ_２Ｏを含んで形成されてもよい。 - 特許庁

In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

Sn and Cu in the Cu-added solder ball bump 6 drastically react with Ni in the Ni junction layer 3 to form a diffusion suppression alloy layer 7.例文帳に追加

Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６中のＳｎおよびＣｕとＮｉ接合層３中のＮｉとが急激に反応し拡散抑制合金層７が形成される。 - 特許庁

A spiral inductor 14 is formed at the Cu wiring layer 9B, and a grounding pattern 15 and a pad 16 for external connection are formed at the Cu wiring layer 9C.例文帳に追加

Ｃｕ配線層９Ｂには、スパイラルインダクタ１４が形成され、Ｃｕ配線層９Ｃには、接地パターン１５及び外部接続用のパッド１６が形成される。 - 特許庁

A package substrate 6 having Cu wiring of at least one layer is formed.例文帳に追加

また、１層以上のＣｕ配線を有したパッケージ基板６を形成する。 - 特許庁

The slide bearing material includes a Cu single layer and a Cu-Sn alloy layer, and disperses phosphor bronze, TiO_2, C, and FeP therein.例文帳に追加

Ｃｕ単層とＣｕ−Ｓｎ系合金層を含有するとともに、燐青銅、ＴｉＯ_２、ＣおよびＦｅＰを分散させてなる滑り軸受材料とする。 - 特許庁

An Al plug 31 penetrating the interlayer dielectric 1 and coming into contact with both the lower layer Cu interconnect line 21 and the upper layer Cu interconnect line 41 is provided.例文帳に追加

層間絶縁膜１を貫通して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１との双方に接触するＡｌプラグ３１を設ける。 - 特許庁

These Cu wirings 7 are respectively one formed by laminating a 15-μm thick electrolytic Cu-plated layer 11 on an electroless Cu-plated layer 9 of a thickness in the range of a thickness of 0.3 to 0.9 μm, such as a thickness of 0.7 μm.例文帳に追加

このＣｕ配線７は、厚さ０．３〜０．９μｍの範囲の例えば０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層９の上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層１１を積層したものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a Cu pattern in which adhesiveness between a resin and a metal Cu layer is excellent, and the substrate with a Cu pattern obtained thereby.例文帳に追加

樹脂と金属Ｃｕ層の接着性が良好であるＣｕパターン付基板の製造方法及びそれにより得られるＣｕパターン付基板を提供する。 - 特許庁

A surface layer is obtained by fixing and solidifying an Sn-Cu-Mn molten alloy on a surface of an electrode formed of Cu or an alloy containing Cu as a primary element.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕを主要要素とする合金からなる電極の表面に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｍｎ溶融合金を定着・凝固させて表面層を得る。 - 特許庁

A Cu alloy layer is provided between a barrier metal and an alloy composed of either Cu or an alloy whose main component is Cu.例文帳に追加

バリアメタルと、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金のいずれかからなるＣｕ系メッキ層との間に、Ｃｕ系メッキ層とは組成の異なるＣｕ合金層を設ける。 - 特許庁

The layer 44 is constituted by an Al-Cu alloy layer which constitutes a wiring main body, a Ti layer 44b, and a TiN layer 44c.例文帳に追加

下層配線は、配線本体を構成するＡｌ−Ｃｕ合金層４４ａと、Ｔｉ層４４ｂと、ＴｉＮ層４４ｃとから構成される。 - 特許庁

The composite wire rod is subjected to heat treatment in a heating furnace to diffuse zinc in the zinc layer into the Cu-Zn layer and thus form the Cu-Zn alloy layer 5.例文帳に追加

この複合線材に対して加熱炉により熱処理を施し、亜鉛層中の亜鉛を前記Ｃｕ−Ｚｎ層中に拡散させることにより、Ｃｕ−Ｚｎ合金層５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of detinning a Sn plating layer on a Cu-based material, by which a Sn layer and a CuSn layer and the like of a Cu-based material with the Sn plating layer containing the Sn layer and/or the CuSn layer can be easily subjected to detinning even when machining oil or the like is adhering thereto, and the Cu-based material can be recycled as a raw material.例文帳に追加

加工油等が付着していても、Ｓｎ層および／またはＣｕＳｎ層を含有するＳｎめっき層付きＣｕ系材料のＳｎ層およびＣｕＳｎ層等を容易に剥離し、Ｃｕ系材料を再び原料化することができるＣｕ系材料のＳｎめっき層の剥離方法を提供する。 - 特許庁

The lower layer and upper layer wiring 12, 30 and the via 28 have barrier metals 14, 32 and Cu 18, 36.例文帳に追加

下層及び上層配線１２，３０とビア２８とは、バリアメタル１４，３２とＣｕ１８，３６とを有している。 - 特許庁

In a favorable embodiment, a Sn-plated layer is further formed on top of the Cu-Sn-plated layer.例文帳に追加

好適な態様においては、上記Ｃｕ−Ｓｎメッキ層の上にさらにＳｎメッキ層が形成されてなる。 - 特許庁

With this diffusion of Mn into the sacrificial layer 31, an amount of Mn included in the Cu layer 20 is reduced.例文帳に追加

この犠牲層３１へのＭｎの拡散により、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。 - 特許庁

The metallic layer 125 is provided with a Cu layer 126 projected from the main face side opening 121 over the board main surface 102, and an Ni layer 127 coating the surface of the Cu layer 126 to configure the surface of the metallic layer 125.例文帳に追加

この金属層１２５は、主面側開口１２１内から基板主面１０２を越えて突出するＣｕ層１２６と、このＣｕ層１２６の表面上に被着し、金属層１２５の表面をなすＮｉ層１２７とを有する。 - 特許庁