「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the concentration of Mn remaining in a Cu layer and to reduce the specific resistance when a diffusion barrier film including Mn is formed by self-forming reaction at an interface between the Cu layer and an insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。 - 特許庁

A Y-Ba-Cu-O system thin film laminate is provided, which has a LaNiO_3 thin film layer formed on the surface of a substrate material and a Y-Ba-Cu-O system thin film layer formed on the LaNiO_3 thin film layer.例文帳に追加

基板材料の表面に形成したＬａＮｉＯ_３薄膜層と、当該ＬａＮｉＯ_３薄膜層の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the plating step, the Cu plating layer 6 and the Zn plating layer 7 are formed on the surface of the metallic base wire 3 so that a Cu content can be 51 to 61 wt.% of the brass plating layer 4 after having been solidified.例文帳に追加

このとき、凝固後のブラスめっき層４のＣｕ含有比が５１〜６１ｗｔ％となるように、金属素線３の表面にＣｕめっき層６及びＺｎめっき層７を形成する。 - 特許庁

In the method for producing a copper alloy strip, plating of an Ni layer 2 is applied to the surface of a Cu alloy base material 1, successively, Cu plating of a Cu layer 3 and Sn plating of an Sn layer 4 are applied thereto in such a manner that the ratio of the Sn plating thickness/the Cu plating thickness is controlled to ≤6, and thereafter, reflowing treatment is performed.例文帳に追加

銅合金条の製造方法において、Ｃｕ合金母材１の表面にＮｉ層２のめっきを施した後、続いてＣｕ層３のＣｕめっき、Ｓｎ層４のＳｎめっきを、Ｓｎのめっき厚さ／Ｃｕのめっき厚さ比が６以下となるように施した後、リフロー処理を行う。 - 特許庁

The middle layer can be selected from the group of Cu, Hg, Ag, Pt, and Au.例文帳に追加

中間層は、Ｃｕ、Ｈｇ、Ａｇ、ＰｔおよびＡｕのグループから選択することができる。 - 特許庁

A wiring body layer 46 with Cu as a main component is buried in the aperture 42.例文帳に追加

開口部４２内にＣｕを主成分とする配線本体層４６が埋め込まれる。 - 特許庁

Reaction of Nb in Cu advances further, and increases the superconductive layer of Nb_3Sn.例文帳に追加

Ｃｕ中のＮｂはさらに反応が進み、Ｎｂ_３Ｓｎの超電導層を増加させる。 - 特許庁

Finally, the printed region on the Cu layer is removed by means of a peroxodisulfate etching bath.例文帳に追加

最後にＣｕ層の印刷領域を、ペルオキソジスルファート・エッチング浴を使用して除去する。 - 特許庁

In the contact hole 18, a Cu seed layer 17a is formed only near the bottom part.例文帳に追加

コンタクトホール１８において、底部近傍にのみＣｕシード層１７ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device having anticorrosion effect to a Cu layer.例文帳に追加

Ｃｕ層に対する防食効果を有する電子装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, an upper part 2a of the side of the Cu electrode layer 2 is formed in a forward taper shape.例文帳に追加

これにより、Ｃｕ電極層２の側面上部２ａを順テーパ形状とする。 - 特許庁

The Cu film 12F is a thin film which does not have a passage pattern functioning as a barrier rib layer.例文帳に追加

Ｃｕ膜１２Ｆは隔壁層として機能する流路パターンを持たない薄膜である。 - 特許庁

Dielectric paste is applied so as to cover a Cu wiring layer on a ceramic base.例文帳に追加

セラミック基板１上のＣｕ配線層１２を覆うように誘電体ペーストを塗布する。 - 特許庁

The metal layer 3 contains elements such as Cu, Ni, Au, Pd, etc., and is formed by plating and sticking.例文帳に追加

メタル層３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ等であり、メッキ及び貼付けにより形成する。 - 特許庁

The absorption layer 4 is made typically of a compound containing Cu, In and Se.例文帳に追加

光吸収層４は典型的にはＣｕ、ＩｎおよびＳｅを含む化合物からなる。 - 特許庁

The foundation electrode layer 15 includes a metal which can be diffused in Cu and a ceramic binding material.例文帳に追加

下地電極層１５は、Ｃｕに拡散し得る金属と、セラミック結合材とを含む。 - 特許庁

Outside of the reaction part 1B, an outer layer part composed of Cu or the like may be provided.例文帳に追加

反応部１Ｂの外側に、Ｃｕなどよりなる外層部を設けるようにしてもよい。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate for the power module has a first plating process, in which an NiP plating layer 6 is formed by carrying out an NiP electroless plating on the metallic substrates 2 and 3, and a Cu attaching process in which Cu atoms are attached on the NiP plating layer to form a Cu atom layer 7.例文帳に追加

金属基板２、３上にＮｉＰ無電解メッキを施してＮｉＰメッキ層６を形成する第１のメッキ工程と、前記ＮｉＰメッキ層上にＣｕ原子を付着させてＣｕ原子層７を形成するＣｕ付着工程とを有する。 - 特許庁

The wiring pattern 3 for the signal wire, of a specific height t_1 is formed on a Cu layer 6 of a bilayer tape 7 composed of a base 5 and the Cu layer 6, and the wiring pattern 15 for ground, of a height t_2 (>t_1) is formed on the Cu layer 6 of the other bilayer tape 14.例文帳に追加

基板５とＣｕ層６からなる２層テープ７のＣｕ層６上に所定高さｔ1 の信号線用の配線パターン３を形成すると共に、他の２層テープ１４のＣｕ層６上に高さｔ2 （＞ｔ1 ）のグランド用の配線パターン１５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, when a film of Cu layer/Cu alloy layer/Cu plated buried layer 6 is formed, by conducting this at a room temperature, with the result that a close adhesion between the respective laminated layers have full strength, and a leveling process by a CMP in a next step can be executed.例文帳に追加

またＣｕ層／Ｃｕ合金層／Ｃｕメッキ埋め込み層の成膜時の基板温度は何れも室温で行うことで、各積層間の密着性は十分な強度をもつものとなり、次工程のＣＭＰによる平面化処理を実施することができる。 - 特許庁

As a recording layer with a thickness of 2-4 nm, a first reaction layer the main component of which is Si, a second reaction layer the main component of which is Cu, and a barrier layer the constitutent of which comprises an element which does not form an alloy with Si and Cu and are provided between the first reaction layer and the second reaction layer.例文帳に追加

記録層として、主成分がＳｉである第１反応層、主成分がＣｕである第２反応層および第１反応層と第２反応層の間に構成元素がＳｉ及びＣｕと合金を形成しない元素からなる厚み２ｎｍ以上４ｎｍ以下のバリア層を設ける。 - 特許庁

When forming a BTA-Cu compound layer made of a BTA-Cu compound on the surface of a wiring layer 7 by dipping the wiring layer 7 in a BTA solution 22, voltage is applied with the wiring layer 7 as an anode.例文帳に追加

配線層７をＢＴＡ溶液２２に浸漬させ、この配線層７表面に、ＢＴＡ−Ｃｕ化合物からなるＢＴＡ−Ｃｕ化合物層を形成するにあたって、この配線層７をアノードとして電圧を印加する。 - 特許庁

The nonmagnetic layer 2 is made of Cu, a first magnetic layer 3A and a second magnetic layer 3B are made of CoFeB, and a first insulating layer 4A and a second insulating layer 4B are made of MgO.例文帳に追加

非磁性層２はＣｕからなり、第１磁性層３Ａ及び第２磁性層３ＢはＣｏＦｅＢからなり、第１絶縁層４Ａ及び第２絶縁層４ＢはＭｇＯからなる。 - 特許庁

A wiring layer HL of a top layer having a Cu layer 107 embedded in a trench hole 108 and a via hole 109 is formed on a wiring layer LL of a lower layer by the damascene method.例文帳に追加

下層の配線層ＬＬの上に、トレンチホール１０８及びビアホール１０９に埋め込まれたＣｕ層１０７を有する最上層の配線層ＨＬをダマシン法により形成する。 - 特許庁

When flexibility is emphasized in particular, a plate thickness of the Cu coating steel plate 20 including the Cu coating layer 12 is 0.02-2.00 mm.例文帳に追加

特にフレキシブル化を重視する場合は、Ｃｕ被覆鋼板２０のＣｕ被覆層１２を含む板厚は例えば０.０２〜２.００ｍｍである。 - 特許庁

The electrolyte layer 3 is formed of Li_2S-P_2S_5 based solid electrolyte, the electrode extraction part 20 is formed of a Cu foil, and the insulating film 25 is formed of Li_2CO_3.例文帳に追加

電解質層3はLi_2S‐P_2S_5系固体電解質で形成され、また、電極取り出し部20はCu箔で形成され、絶縁膜25はLi_2CO_3で形成されている。 - 特許庁

Due to Cu layer not being formed, a cylindrical electrode film 6 whose electrical resistance value is low, without precipitation of Cu oxide, is provided.例文帳に追加

Ｃｕ層が形成されていないことにより、Ｃｕ酸化物の析出のない、かつ、電気抵抗値が小さい筒状電極膜６が得られる。 - 特許庁

To enhance characteristics of a sliding member by sufficiently exerting characteristics of a solid lubricating coating layer applied to Al-based and Cu-based bearing alloy surfaces.例文帳に追加

Al系及びCu系軸受合金表面に施される固体潤滑コーティング層の特性を十分に発揮させ、摺動部材の特性を高める。 - 特許庁

The W cap film is formed selectively on the surface of the Cu wiring film after a pre-treatment, and an upper-layer Cu wiring is further manufactured.例文帳に追加

前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing the generation o a projection on a copper (Cu) wiring layer and preventing the diffusion of Cu.例文帳に追加

銅(Ｃｕ)配線層の突起の発生を防止してＣｕの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the outer circumferential portion of the bottom faces of the concave portions 10 to 13 on the metallization layer 9, the metallization layer 9 and a Cu-plating layer undergoing metal reaction.例文帳に追加

そして、金属層９の凹部１０〜１３底面の外周部では、金属層９とＣｕメッキ層１９とが金属反応している。 - 特許庁

The electromagnetic shield layer 15 is composed of a first electromagnetic wave shield layer 17 formed of Cu, and a second electromagnetic wave shield layer 19 formed of Ni.例文帳に追加

電磁波シールド層１５は、Ｃｕから成る第１電磁波シールド層１７と、Ｎｉから成る第２電磁波シールド層１９とから構成される。 - 特許庁

On a wiring layer 11 in the opening region 15, a protruding part 16 comprising, for example, a Cu plated layer is formed.例文帳に追加

開口領域１５内の配線層１１上に、例えば、Ｃｕメッキ層から成る突出部１６が形成される。 - 特許庁

It has a metal layer 4 containing a Cu or Zn layer 3 formed at least in a part on its outer periphery.例文帳に追加

外周部の少なくとも一部に、ＣｕまたはＺｎからなる層３を含む金属層４が形成されている。 - 特許庁

In the opening region 29, a metal layer 34 for plating and a Cu plating layer 36 are laminated on the electrode 26 for connection.例文帳に追加

開口領域２９では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。 - 特許庁

The plated layer 22 is formed by plating the surface of the metallized layer 21 with Cu or Ag.例文帳に追加

メッキ層２２は、焼成した下地メタライズ層２１の表面にＣｕメッキ又はＡｇメッキにより形成したものである。 - 特許庁

The first lubricating layer 3A can be formed of pure copper and the second lubricating layer 3B can be formed of the Cu-Ni alloy.例文帳に追加

第１潤滑層３Ａを純銅で、第２潤滑層３Ｂを前記Ｃｕ−Ｎｉ合金で形成することができる。 - 特許庁

To etch a Cu layer and a base layer by one treatment during reactive ion etching with iodine as a principal.例文帳に追加

ヨウ素を主体として反応性イオンエッチング時に、Ｃｕ層及び下地層を一回の処理でエッチングできるようにする。 - 特許庁

An inner layer is made of nanoparticles coated with Cu or Al, and an outer layer is made of nanoparticles coated with Cr.例文帳に追加

内層は、銅（Ｃｕ）あるいはアルミ（Ａｌ）で覆われたナノ粒子で、外層は、クローム（Ｃｒ）に覆われたナノ粒子である。 - 特許庁

To improve the reliability of a wiring layer and a via plug layer in regard to a semiconductor device with the wiring layer containing copper (Cu) and the via plug layer containing aluminum (Al).例文帳に追加

Ｃｕを含有する配線層及びＡｌを含有するビアプラグ層を備える半導体装置に関し、配線層及びビアプラグ層の信頼性を向上させること。 - 特許庁

In the module, an Ni layer 5 is formed on a Cu layer 4 in the electrodes 12 and 13, a surface layer 6 is formed on the layer 5.例文帳に追加

これらの下部電極１２及び上部電極１３は、Ｃｕ層４の上に、Ｎｉ層５が形成され、更にＮｉ層５の上に、表面層６が形成されて、構成されている。 - 特許庁

The conducting material has a Cu-Sn alloy covering layer consisting mainly of a Cu_6Sn_5 phase, and an Sn covering layer, which are formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu alloy plate strip.例文帳に追加

Ｃｕ合金板条からなる母材の表面に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５相を主体とするＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と、Ｓｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a Cu wiring layer 13 is formed by electrolytic plating, and a resin film 14 is formed to cover the Cu wiring layer 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、電解メッキ法によりＣｕ配線層１３を形成し、Ｃｕ配線層１３を被覆するように樹脂膜１４を形成する。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

Cu wirings 24 protruding onto a third interlayer film 17 and the third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31 made of PBO having characteristic of capturing Cu (Cu ion).例文帳に追加

第３層間膜１７およびこの第３層間膜１７上に突出するＣｕ配線２４は、Ｃｕ（Ｃｕイオン）を捕獲する性質を有するＰＢＯからなる被覆層３１によって被覆されている。 - 特許庁