「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a deposition method of a metal thin film which functions as the barrier film of Cu diffusion and as a plating seed layer with single film, and exhibits excellent adhesion to Cu.例文帳に追加

単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

Since the organic material has higher fluidity as compared with Cu, the level difference in the organic coating film 30 becomes smaller as compared with the (initial) level difference in the Cu layer 20.例文帳に追加

有機材料はＣｕに比較して流動性が高いので、有機塗布膜３０における段差は、Ｃｕ層２０における（初期）段差に比較して小さくなる。 - 特許庁

Thus, the method improves uniformity and quality of the barrier layer 6 and improves an effect to prevent scattering of Cu from Cu film 7 buried inside of the groove pattern 4.例文帳に追加

これによって、バリア層６の付き廻りや膜質が改善されて、溝パターン４の内部に埋め込まれたＣｕ膜７からのＣｕの拡散を防止する効果が向上する。 - 特許庁

Then, Sn concentration of a Cu matrix inevitably becomes high, since Sn in the Nb tube diffuses the superconductive layer in Nb_3Sn, and diffuses even toward the Cu matrix.例文帳に追加

すると、Ｎｂ管の中のＳｎはＮｂ_３Ｓｎの超電導層を拡散し、Ｃｕマトリックスの方へも拡散してくるため、必然的にはＣｕマトリックスのＳｎ濃度が高くなる。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Ag to Sn-Cu is ≥3 mass% and <30 mass%.例文帳に追加

第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以上、３０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁

As a film of a metal which is more prone to oxidize than Cu (easy to oxidize), an aluminium copper alloy film (AlCu film) 111 is formed on the Cu wiring layer 108.例文帳に追加

銅（Ｃｕ）配線層１０８上には、銅よりも酸化傾向の大きい（＝酸化され易い）金属の膜として、アルミニウム銅合金膜（ＡｌＣｕ膜）１１１を形成する。 - 特許庁

At least a portion of the modified layer 31 is polished through polishing by a CMP method to form a conductive pattern 11 of Cu for the wiring, a conductive plug, etc.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨で改質層３１の少なくとも一部を研磨し、Cuからなる配線や導電性プラグといった導電性パターン１１を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring board on which a Cu plating layer having adhesion performance on both a ceramic layer and an Ag connection layer can be obtained, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

セラミック層とＡｇ接続層の双方に十分な密着性を保ったＣｕメッキ層を形成することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Metal plating is grown from a second conductive layer 120 by electrolytic Cu plating, by allowing the second conductive layer 120 to be a power supply layer so as to form the through-wirings.例文帳に追加

第２の導電層１２０を給電層として、電解Ｃｕめっきにより第２の導電層１２０より金属めっきを成長させ、貫通配線を形成する。 - 特許庁

Preferably, a second metallized layer of a metal selected from Ag, Au or Cu with a thickness of 0.05 to 1.00 μm is formed on the Zn metallized layer or the Sn metallized layer.例文帳に追加

好ましくは、Ｚｎメタライズ層若しくはＳｎメタライズ層の上に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選ばれる厚さ０.０５〜１.００μｍの第２のメタライズ層を成形する。 - 特許庁

As materials, for instance, a Ni-Cr alloy is used for the first buffer layer 31, a Ni-Cu alloy is used for the second buffer layer 32, and Ag is used for the main electrode layer.例文帳に追加

材料として、例えば、第１緩衝層３１はＮｉ−Ｃｒ合金、第２緩衝層３２はＮｉ−Ｃｕ合金、主電極層３３はＡｇが用いられる。 - 特許庁

After forming the Ni-containing layer 16, the Cu-containing layer 18 and the Sn-containing layer 20 through electroplating, the member is subjected to heating and melting or dipped into molten Sn.例文帳に追加

Ｎｉ含有層１６とＣｕ含有層１８とＳｎ含有層２０を電気めっきにより形成した後に加熱溶融処理または溶融Ｓｎ浸漬処理を行う。 - 特許庁

A chip coil has electrodes 13 each of which is composed of a base metallic (Ag) layer 13a, a plated Ni layer 13b, and a plated Sn-Cu layer 13c at both ends of a core 10.例文帳に追加

コア１０の両端部に設けた電極１３を、下から、下地金属（Ａｇ）層１３ａ、Ｎｉメッキ層１３ｂ、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃとしたチップコイル。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that a material of the conductor layer contains Cu as a main component, a main material of the covering layer is CuO, and the thickness of the covering layer is not less than 0.6 μm.例文帳に追加

また、導体層の材質をＣｕを主成分とするものとし、被覆層の主たる材質をＣｕＯとし、被覆層の厚さを０．６μｍ以上とするとよい。 - 特許庁

Further, the boundary between the plated layer and the steel sheet is provided with a preplated layer containing Ni, Co, Fe, Cr, Sn, Zn and Cu, or the outermost surface of the plated layer is provided with a posttreated film.例文帳に追加

さらには、めっき層と鋼板の界面にＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｕを含有するプレめっき層を有すること、ないしはめっき層の最表面に、後処理皮膜を有することも含む。 - 特許庁

On the surface of the semiconductor wafer W of a work piece; the SiOC layer 101, the SiC layer 102, and a Cu interconnection layer 103 are formed from top to bottom.例文帳に追加

被処理物として半導体ウエハＷの表面には、上側から順に、ＳｉＯＣ層１０１、ＳｉＣ層１０２、Ｃｕ配線層１０３が形成されている。 - 特許庁

When the protective layer is made to be a two layer structure, a Co film is laminated as an intermediate layer so as to cover the whole copper (Cu) surface, an Ni film is laminated on the Co film.例文帳に追加

保護層を２層構造とする場合、Ｃｕ表面全面を被覆するようにＣｏ膜を中間層として積層し、Ｃｏ膜の上にＮｉ膜を積層する。 - 特許庁

A core 1 of copper or copper alloy is coated with a zinc layer over the surface and next coated with a Cu-Zn layer over the surface of the zinc layer to form a composite wire rod.例文帳に追加

銅または銅合金からなる心材１の表面に亜鉛層を被覆し、この亜鉛層の表面にＣｕ−Ｚｎ層を被覆して複合線材を形成する。 - 特許庁

A PVD(physical vapor deposition) metal-deposited layer, e.g. PVD Al or PVD Cu is deposited on the layer hard to dissolve under the pressure of 1 milli Torr or lower to give a conformal PVD metal-deposited layer.例文帳に追加

ＰＶＤ金属層、例えばＰＶＤＡｌ、またはＰＶＤＣｕが１ミリトル以下の圧力で溶けにくい層に堆積されて、コンフォーマルなＰＶＤ金属層を与える。 - 特許庁

The process of forming the wiring layer by filling the wiring holes 7a, 7b with the Cu layer 15a and of forming one electrode of the capacitor by filling part of the capacitor holes 9a with the Cu layer 15a are executed as the same process.例文帳に追加

Ｃｕ層１５ａで配線用孔７ａ、７ｂを埋めることにより配線層を形成する工程と、Ｃｕ層１５ａでキャパシタ用孔９ａの一部を埋めることによりキャパシタの一方電極を形成する工程とは同一工程で行なわれる。 - 特許庁

When the multilayer metal layer comprising layers 31, 33 containing Ni and a layer 32 containing Cu are etched, a substance capable of forming an anti-corrosive coating film on the surface of the layer 32 containing Cu and an etching solution containing ferrous chloride and ferric chloride are used.例文帳に追加

Ｎｉを含む層３１，３３とＣｕを含む層３２とからなる多層金属層をエッチングするに当たり、Ｃｕを含む層３２の表面に防食性被膜を形成する物質と、塩化第１鉄と、塩化第２鉄と、からなるエッチング液を使用する。 - 特許庁

The brazing filler metal sheet has a metal layer composed of an In layer or an In alloy layer on the surface of a foil material of Ag, Cu or an Ag-Cu alloy.例文帳に追加

本発明はＡｇ、ＣｕまたはＡｇ−Ｃｕ合金の箔材の表面にＩｎ層またはＩｎ合金層からなる金属層を有するロウ材シートであり、好ましくは前記Ａｇ、ＣｕまたはＡｇ−Ｃｕ合金の箔材の平均厚さが２０〜２００μｍである。 - 特許庁

The Al-Fe-Si-based alloy layer satisfies the condition (1) that the mean thickness of the Al-Fe-Si-based alloy layer is ≤15 μm, and preferably satisfies the condition (2) two layers of a phase A with high Cu concentration and a phase B with low Cu concentration coexist in the Al-Fe-Si-based alloy layer.例文帳に追加

（１）Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層の平均厚さが１５μｍ以下であること （２）Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層は、Ｃｕ濃度が高いＡ相とＣｕ濃度が低いＢ相の２相が混在したものであること - 特許庁

Inside a resist pattern formed on a Cu substrate 40, a Cu plating layer 43 is formed using a strong acid plating bath from the lower part, an Au plating layer 44 is formed thereon using a cyanogen-containing acidic plating bath, and further, an Ni plating layer 45 and an Au plating layer 44 are successively stacked.例文帳に追加

Ｃｕ基板４０上に形成されたレジストパターン内に、下からＣｕメッキ層４３を強酸性メッキ浴を用いてメッキ形成し、その上にシアンを含む酸性メッキ浴を用いてＡｕメッキ層４４をメッキ形成し、さらにＮｉメッキ層４５及びＡｕメッキ層４６を順次積層する。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench pattern in an insulating layer on a substrate, a step of forming a Cu layer that fills the trench pattern and is planarized, and a step of forming an HfOx layer on the planarized Cu layer, before heat-treating the substrate.例文帳に追加

本方法は、基板上の絶縁層内にトレンチパターンを形成させるステップと、上記トレンチパターンを充填するプレーナ化されたＣｕ層を形成させるステップと、上記プレーナ化されたＣｕ層上にＨｆＯｘ層を形成した後に上記基板を熱処理するステップとを含む。 - 特許庁

A metal bump layer including a solder layer 100 used for metal joining and electric connection and a Cu layer 30 due to interdiffusion with the solder layer 100 is deposited on an electrode 2 and a Cu bump 4 provided on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

金属接合による接合および電気的接続に使用される半田層１００と、半田層１００との相互拡散により金属間化合物を形成するためのＣｕ層３０と、を備えるメタルバンプ層が、半導体基板１に設けられた、電極２およびＣｕバンプ４に堆積されている。 - 特許庁

Since Cu wiring layers 300A and 300B are provided on a Cu substrate 3 which consists of Cu with good heat dissipation through an insulating layer 301 and a reflector part 30 is formed by press working, it has good light reflectivity.例文帳に追加

放熱性の良好なＣｕからなるＣｕ基板３に絶縁層３０１を介してＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを設け、プレス加工によってリフレクタ部３０を形成しているので、良好な光反射性を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent generation of a void in forming a Cu wiring and prevent deterioration in adhesiveness between a barrier metal layer and a Cu layer, and a semiconductor device manufactured by this method.例文帳に追加

Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the reflow Sn plated member, a reflow Sn layer is formed on the surface of a base material made of Cu or a Cu based alloy, and the orientation index of the (101) face in the surface of the reflow Sn layer is 2.0 to 5.0.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ基合金からなる基材の表面にリフローＳｎ層が形成され、該リフローＳｎ層の表面の（１０１）面の配向指数が２．０以上５．０以下であるリフローＳｎめっき部材である。 - 特許庁

To provide a technique for accurately simulating the behavior of a laminated substrate wherein a metal layer consisting of any one of Cu, Al, a Cu alloy and an Al alloy and an insulating layer, consisting of insulating ceramics that are laminated.例文帳に追加

Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｕ合金及びＡｌ合金のいずれか１つからなる金属層と、絶縁セラミックスからなる絶縁層が積層された積層基板の挙動を精度よくシミュレーションする技術を提供する。 - 特許庁

The heat radiation component has a buffer layer 22 made of Ni or an Ni alloy and the metal layer 23 made of Cu or Cu alloy and formed by flame spraying on the heat sink 21 made of Al or an Al alloy.例文帳に追加

放熱部品は、Ａｌ又はＡｌ合金からなるヒートシンク２１上に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなるバッファー層２２とＣｕ又はＣｕ合金からなる溶射によって形成された金属層２３とを備えている。 - 特許庁

This composite material has the Cu layer formed on the resin substrate by a sputtering technique with the use of Ar gas, wherein the Cu layer comprises crystals with an average grain size of 37 nm or larger in the surface parallel to the resin substrate.例文帳に追加

樹脂基材上に、Ａｒガスを用いたスパッタによってＣｕ層を設けた複合材料であり、Ｃｕ層の、樹脂基材に対して平行な面での平均結晶粒径を３７ｎｍ以上としたものである。 - 特許庁

Prior to a Cu film 25 is deposited on the surface of an inter- layer insulating film 21 comprising BCB, Ti is implanted in to the surface of the inter-layer insulating film 21 comprising the BCB using a Ti ion 23 extracted from an ionized plasma of Ti.例文帳に追加

BCBで構成される層間絶縁膜２１の表面にCu膜２５を堆積する前に、Tiのイオン化プラズマから引き出されたTiイオン２３で、BCBで構成される層間絶縁膜２１表面にTiを注入する。 - 特許庁

The laminate for forming the substrate with the wiring having a layer 2a consisting of Ag or an Ag alloy on a substrate and a layer 2b consisting of Cu or Cu alloy thereon, the substrate with wiring and the method of forming the same.例文帳に追加

基体上にＡｇまたはＡｇ合金からなる層２ａと、その上に、ＣｕまたはＣｕ合金からなる層２ｂとを有する配線付き基体形成用積層体と、配線付き基体およびその形成方法。 - 特許庁

In a substrate 30 for a CIGS solar cell, an alkali silicate membrane layer 21 is formed on a Cu coating layer 12 having a mean thickness of 0.1 μm or more of a Cu coating steel plate 20.例文帳に追加

平均厚さ０.１μｍ以上のＣｕ被覆層１２を有するＣｕ被覆鋼板２０の、当該Ｃｕ被覆層１２上にアルカリ珪酸塩皮膜層２１を形成したＣＩＧＳ太陽電池用基板３０が提供される。 - 特許庁

By raising the acceleration voltage of nitrogen ions on the Cu 1 as a base body, a mixing layer 2 of Al, Cu, and N is formed, and an AlN film 3 is formed on the mixing layer 2 by lowering acceleration voltage of the nitrogen ions.例文帳に追加

基体としてのＣｕ１上に窒素イオンの加速電圧を高くし、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎのミキシング層２を形成し、そのミキシング層２上に窒素イオンの加速電圧を低くしてＡｌＮ膜３を形成する。 - 特許庁

This oxide semiconductor layer is an oxide semiconductor layer 12 mainly composed of Sr and Cu, and includes an element (for example, Ar) whose reactivity with Sr and Cu is low.例文帳に追加

この酸化物半導体層は、ＳｒおよびＣｕを主成分とする酸化物半導体層１２であって、その酸化物半導体層１２には、ＳｒおよびＣｕとの反応性が低い元素（たとえばＡｒ）が含有されている。 - 特許庁

To provide a wiring board in which adhesion between a board body composed of glass-ceramic and a Cu metallized layer formed to the board body is enhanced, and mounting strength of a conductor pin brazed to the Cu metallized layer is improved.例文帳に追加

ガラス−セラミックからなる基板本体とこれに形成するＣｕメタライズ層との密着性を高め、且つかかるＣｕメタライズ層にロウ付けする導体ピンの取り付け強度を高めた配線基板を提供する。 - 特許庁

An Al-Cu alloy wiring is formed by a method where a Ti/TiN laminated film 34, an Al-Cu alloy layer 36 and a TiN/Ti laminated film 38 are deposited on an interlayer insulating film 32, such as an SiO2 film, to form a wiring layer 40.例文帳に追加

本方法では、ＳｉＯ_2 膜等の層間絶縁膜３２上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜３４、Ａｌ−Ｃｕ合金層３６、及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜３８を堆積して、配線層４０を形成する。 - 特許庁

A second insulation layer 4 is formed so as to cover the Cu plating layers 8b, and a plating layer 10 comprising tin is formed in openings 11.例文帳に追加

Ｃｕめっき層８ｂを覆うように第２絶縁層４が形成され、その開口部１１に錫からなるめっき層１０が形成されている。 - 特許庁

The soldered portion has no exposure of the Cu-Su alloy layer 12 and is covered by the Sn layer 13a to improve a soldering property.例文帳に追加

はんだ付け部ではＣｕ−Ｓｎ合金層１２が露出することなく、Ｓｎ層１３が全面を被覆してはんだ付け性を改善する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a lower layer wiring, which uses Cu as a metal for wiring, and the SiCN film formed on the lower layer wiring.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、Ｃｕを配線用金属とする下層配線と下層配線上に形成されたＳｉＣＮ膜を備える。 - 特許庁

To form an antiferromagnetic layer in a higher-vacuum by suppressing inter-layer bonding caused between a fixed magnetized layer and a variable magnetized layer even when a Cu film forming a nonmagnetic layer is made thin.例文帳に追加

非磁性層となるＣｕ膜を薄膜化した場合でも、磁化固定層と磁化自由層との間に作用する層間結合を抑制することを可能とし、反強磁性層をより高真空の状態で成膜することを可能とする。 - 特許庁

An optional Ni covering layer, a Cu-Sn alloy covering layer and a surface plating layer comprising an Sn covering layer are formed in this order on a copper or copper alloy sheet and graphite particles are dispersedly attached onto the Sn covering layer.例文帳に追加

銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。 - 特許庁

Continually, a conductor layer whose main component is Cu is buried in the wiring groove 16 where the self-forming barrier film is provided.例文帳に追加

続いて、自己形成バリア膜が設けられた配線溝１６にＣｕを主成分とする導電層を埋め込む。 - 特許庁