「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After formation of a Cu layer 20, a sacrificial layer 31 made of high purity Cu is laminated on the Cu layer 20.例文帳に追加

Ｃｕ層２０の形成後、Ｃｕ層２０上に、高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層される。 - 特許庁

First layer TaN films 8 and first layer Cu wirings 4 are formed in the grooves 7.例文帳に追加

溝７に第１層TaN膜８および第１層Cu配線４を形成する。 - 特許庁

A two-layered tape 7 composed of a film 5 and a Cu layer 6 is prepared (a), and a Cu layer 8 is plated on the Cu layer 6.例文帳に追加

まず、フィルム５とＣｕ層６からなる２層テープ７を用意し（ａ）、Ｃｕ層６上にＣｕ層８をメッキする（ｂ）。 - 特許庁

METHOD OF INTEGRATING AND MANUFACTURING Cu GERMANIDE AND Cu SILICIDE AS Cu CAPPING LAYER例文帳に追加

Ｃｕキャップ層としてＣｕゲルマナイドおよびＣｕシリサイドを集積および作製する方法 - 特許庁

This electromagnetic wave shielding film comprises a first layer film and a second layer film formed on the surface of a molded plastic product, wherein the first layer film consists of a Cu material, and the second layer film consists of a Sn-Cu-Ni alloy or a Sn-Cu-chromium (Cr) alloy.例文帳に追加

プラスチック成形品の表面に形成された第１層被膜および第２層被膜であり、該第１層被膜の材質はCu、第２層被膜の材質は、Sn-Cu-Ni合金またはＳn-Cu-クロム(Cr)合金である。 - 特許庁

The spraying layer of the surface of swash plate is made of Al alloy, Cu alloy, or Au-Cu composite material, while the surface of the shoe is formed as a boron impregnation processed layer.例文帳に追加

斜板表面の溶射層をAl合金、Cu合金もしくはAl-Cu複合材料とし、且つシュー表面を浸ホウ素処理層とする。 - 特許庁

Second layer Cu wirings 12, an interlayer connection Cu wiring 13 and second layer TaN films 14 are formed in the grooves 10 and the hole 11.例文帳に追加

溝１０および孔１１に第２層Cu配線１２、層間接続用Cu配線１３、第２層TaN膜１４を形成し、半導体装置を得る。 - 特許庁

The Cu alloy layer 5 serves both as contact layer and seed layer.例文帳に追加

Ｃｕ合金層５は、密着層兼シード層としての役割を果たす。 - 特許庁

A barrier layer and a Cu wiring layer are formed in the wiring groove.例文帳に追加

配線溝にバリア層とＣｕ配線層を形成する。 - 特許庁

The Cu electrode layer is formed as follows.例文帳に追加

Ｃｕ電極層を以下のように形成する。 - 特許庁

A Cu foil 5 is etched so as to be left partially on a Cu plating layer 3.例文帳に追加

Ｃｕメッキ層３上に残存するように、Ｃｕ箔５をエッチングする。 - 特許庁

Further a Sn4 is plated thin on the surface of the Cu-Sn intermetallic compound layer 5.例文帳に追加

その後、Cu-Sn金属間化合物層５の表面にSn４を薄くめっきする。 - 特許庁

After that, a Cu-Sn intermetallic compound layer 5 is formed up to the surface by reflow.例文帳に追加

その後リフローして表面までCu-Sn金属間化合物層５を形成する。 - 特許庁

An aluminum phosphate compound coating film is formed on the surface of a Cu-Al sprayed layer.例文帳に追加

Cu-Al系溶射層の表面にリン酸アルミニウム化合物皮膜を形成する。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is an Al layer 3a made of Al or Al alloy, or a Cu layer 3c made of Cu or Cu alloy.例文帳に追加

中間層３は、Ａｌ若しくはＡｌ合金で形成されたＡｌ層３ａであるか、又は、Ｃｕ若しくはＣｕ合金で形成されたＣｕ層３ｃである。 - 特許庁

The laminated metals are Cu and Fe-Ni and the metals are laminated as a first Cu layer 31, a Fe-Ni layer 32, and a second Cu layer 33.例文帳に追加

ここで積層される金属は、ＣｕおよびＦｅ−Ｎｉであり、第１Ｃｕ層３１、Ｆｅ−Ｎｉ層３２、および第２Ｃｕ層３３として積層されている。 - 特許庁

The solder-coated lid includes an Ni base material constituting a lid body, a Cu plating layer provided on the base material, and a Bi-Sn solder alloy layer provided while joined to the Cu plating layer.例文帳に追加

はんだコートリッドを、リッド本体を構成するNiベース基材と、該基材の上に設けられたCuめっき層と、該Cuめっき層に接合して設けられたBi-Snはんだ合金層から構成する。 - 特許庁

A Cu plating layer 15 and an Ni plating layer 17 are formed on the Cu sputtered layer 13 by first electroplating.例文帳に追加

次に、第１電解メッキにより、Ｃｕスパッタ層１３上にＣｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層１７を形成する。 - 特許庁

A lower layer Cu interconnect line 21 and an upper layer Cu interconnect line 41 are arranged through an interlayer dielectric 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１を介して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１とを配置する。 - 特許庁

A Cr-Cu alloy layer containing a Cu matrix and Cr of 30 mass% or more and 80 mass% or less is disposed on at least one surface of an organic resin-containing electrically insulating layer.例文帳に追加

有機樹脂を含有する電気絶縁層の少なくとも片面に、Cuマトリックスと30質量％超え80質量％以下のCrを含有するCr−Cu合金層を配置する。 - 特許庁

Especially, the surface layer 103 is composed of Cu, W or Cu-W alloy.例文帳に追加

特に、表面層１０３は、Ｃｕ、Ｗ、またはＣｕ及びＷの合金から成る。 - 特許庁

Furthermore, preferably this has an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni layer, and an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer.例文帳に追加

さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 - 特許庁

Further, it is preferable to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni diffusion layer, and to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer.例文帳に追加

さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 - 特許庁

The sacrificial layer 31 made of high purity Cu is laminated on the Cu layer 20, so that part of the Mn diffused into the Cu layer 20 is attracted and moved to the sacrificial layer 31 in the Cu layer 20, and is diffused in the sacrificial layer 31.例文帳に追加

Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。 - 特許庁

On one surface of a semiconductor substrate 1; an interlayer dielectric 4A, an Al wiring layer 5, the interlayer dielectric 4B, a Cu wiring layer 9A, a dielectric layer 12A, a Cu grounding layer 13, the dielectric layer 12B, the Cu wiring layer 9B, the dielectric layer 12C, and the Cu wiring layer 9C are successively provided.例文帳に追加

半導体基板１の一面に層間絶縁膜４Ａ、Ａｌ配線層５、層間絶縁膜４Ｂ、Ｃｕ配線層９Ａ、誘電体層１２Ａ、Ｃｕ接地層１３、誘電体層１２Ｂ、Ｃｕ配線層９Ｂ、誘電体層１２Ｃ、Ｃｕ配線層９Ｃが、順に設けられる。 - 特許庁

This head is provided with a thin film magnetic head element, a lead conductor layer including a Cu layer connected electrically to the thin film magnetic head element, a connection pad layer including a Cu layer connected electrically to the lead conductor layer, and a resist material layer formed being adjacent to the Cu layer of the connection pad layer and the Cu layer of the lead conductor layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド素子と、薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含むリード導体層と、リード導体層に電気的に接続されたＣｕ層を含む接続パッド層と、接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接して形成されたレジスト材料層とを備えている。 - 特許庁

When a layer of Sn is interposed between metal layer Cu and Cu of the columnar substances 18 and heated, Cu and Sn are alloyed, so that the metal layers and the end surfaces of the respective columnar substances 18 are connected with the SnCu alloy present between them.例文帳に追加

金属層Cuと柱状物質１８のCuの間にSnの層を介在させておいて加熱すると、CuとSnが合金化し、金属層と各柱状物質１８の端面が両者の間に存在するSnCu合金で接続される。 - 特許庁

The metallic layer is formed of an Ni layer and a Cu layer, and the Ni layer is preferably an uppermost layer.例文帳に追加

該金属層が、Ｎｉメッキ層とＣｕメッキ層とからなり、該Ｎｉメッキ層が最表層であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device allowing a Cu bump to be formed on a Cu wiring layer.例文帳に追加

Ｃｕ配線層上にＣｕバンプを形成可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a Cu wire mounted on a Cu wiring layer.例文帳に追加

Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER, Cu(InGa)(S, Se)2 THIN FILM LAYER, SOLAR BATTERY AND METHOD FOR FORMING Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法 - 特許庁

After the Cu-Mn alloy layer is formed, a step is provided for depositing the first Cu layer on the Cu-Mn alloy layer without exposure to the atmospheric air.例文帳に追加

前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層の形成の後、大気に露出することなく、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に前記第１のＣｕ層を堆積する工程を設ける。 - 特許庁

The transparent thin-film electrode includes a Cu-based conductive layer containing Cu and other metals, and a metal capping layer formed at the upper portion of the Cu-based conductive layer.例文帳に追加

Ｃｕ及び他の金属を含むＣｕ系導電層とＣｕ系導電層の上部に形成される金属キャッピング層とを含む透明薄膜電極である。 - 特許庁

The thickness of the Sn layer 4 formed on the surface of Cu-Sn intermetallic compound layer is ≥0.3 μm and ≤0.8 μm.例文帳に追加

また、Cu-Sn金属間化合物層の表面に形成するSn層４の膜厚は0.3μｍ以上0.8μｍである。 - 特許庁

In this Cu/NbTi-based reinforced type Nb_3Sn wire 10, a Cu/NbTi-based reinforcing material layer 11 is formed in its center part in order to enhance strength of the Nb_3Sn wire being a superconductive wire.例文帳に追加

Cu/NbTi系強化型Nb_3Sn線材１０は、超電導線材であるNb_3Sn線材の強度を高めるために、中心部にCu/NbTi系強化材層１１を形成している。 - 特許庁

A surface plated layer made of an Ni layer, a Cu-Sn alloy layer and an Sn layer is formed in that order on the surface of a parent material made of Cu or a Cu alloy, with the Cu-Sn alloy layer made of a η layer (Cu_6Sn_5) of a thickness of 0.5 to 100 μm.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層はη層（Ｃｕ_６Ｓｎ_５）からなり、その厚さが０．５〜１００μｍである。 - 特許庁

The second conductor film 15 is composed of a single Cu layer or composed of an Ni layer at a side in contact with the dielectric layer 11 and a Cu layer formed on the Ni layer.例文帳に追加

第２の導体膜１５は、単一のＣｕ層からなり、又は、誘電体層１１に接する側のＮｉ層とこのＮｉ層上に形成されたＣｕ層とからなる。 - 特許庁

The lamination film 14 is formed by laminating a TiW layer 9, Cu layer 10, a ferromagnetic layer 15 of Ni, Cu layer 11, and a TiW layer 12 in this order.例文帳に追加

積層膜１４は、ＴｉＷ層９、Ｃｕ層１０、Ｎｉからなる強磁性体層１５、Ｃｕ層１１及びＴｉＷ層１２をこの順に積層して形成する。 - 特許庁

Subsequently, a reflowing process is conducted to form a Cu-Sn alloy layer 12 from the Cu-plated layer and the Sn-plated layer and the Sn-plated layer 13 is smoothed.例文帳に追加

続いてリフロー処理して、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層からＣｕ−Ｓｎ合金層１２を形成し、Ｓｎめっき層１３を平滑化する。 - 特許庁

A three-layered pasted single-sided board composed of a resin layer 11, a very thin Cu layer 12, an Ni-release layer 13, and a 35 μm thick Cu layer 14 of which are adjacent to each other is prepared.例文帳に追加

樹脂層１１，極薄Ｃｕ層１２，Ｎｉ離型層１３，３５μｍのＣｕ層１４の順に隣接している３層貼片面板を用意する。 - 特許庁

The method further includes subjecting the strip to reflow treatment to form a Cu-Sn alloy layer 12 from the Cu-plated layer and the Sn-plated layer and also to obtain a smoothed Sn layer 13.例文帳に追加

続いてリフロー処理して、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層からＣｕ−Ｓｎ合金層１２を形成し、かつ平滑化したＳｎ層１３を得る。 - 特許庁

To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁

The metal exterior case material is based on a cold rolled steel sheet as a ground, and has a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, a metal Cr or Cu layer, a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, and a metal Cr layer from the lower layer side on the face corresponding to the case interior face.例文帳に追加

冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側から、Ｃｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層、金属Ｃｒ、又はＣｕ層、Ｃｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層、金属Ｃｒを有する金属外装ケース用素材。 - 特許庁

In a later step involving a temperature rise, the Cu-plated film 12 and Cu seed layer 11 are formed into a single Cu film 13.例文帳に追加

その後の温度上昇を伴う工程によりＣｕメッキ膜１２とＣｕシード層１１は一つのＣｕ膜１３となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device allowing a Cu wire to be mounted on a Cu wiring layer.例文帳に追加

Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。 - 特許庁