「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A second metal layer 15 is formed on the first metal layer 14, and contains at least one of Mo, W, and Cu.例文帳に追加

第２金属層１５は、第１金属層１４上に形成され、かつ、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕのうち少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

A wiring main body layer of Cu is formed on the barrier layer of the substrate W placed in the second unit 13.例文帳に追加

次に、第２成膜ユニット１３中にセットされた基板Ｗのバリア層上に、Ｃｕからなる配線本体層を形成する。 - 特許庁

A film where Al or an Al alloy layer is laminated via middle layer is provided on the upper surface of a Cu burial wiring part.例文帳に追加

Ｃｕ埋め込み配線部の上面に中間層を介してＡｌまたはＡｌ合金層が積層された膜を設ける。 - 特許庁

A TiN film 17, an Al-Cu film 18 and a TiN film 19 are formed as an upper layer side wiring layer and patterning is applied thereon.例文帳に追加

上層側配線層としてＴｉＮ膜１７、Ａｌ−Ｃｕ膜１８、ＴｉＮ膜１９を成膜してパターニングする。 - 特許庁

This stamp is applied to the Cu layer, and a first self-assembly monomolecular layer (SAM) (16') is printed according to a desired pattern.例文帳に追加

このスタンプをＣｕ層に適用して、第１の自己集合単分子層（ＳＡＭ）（１６’）を所望のパターンに従って印刷する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a Cu wiring layer 2 formed on a semiconductor substrate 1 as a lower wiring layer and a groove 5 which becomes a via hole is opened in the insulating film 3 until the Cu wiring layer 2 appears by using a resist 4 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１上に下層配線層として形成されているＣｕ配線層２上に、層間絶縁膜３を形成し、レジスト４をマスクとしてヴィアホールとなる溝５をＣｕ配線層２があらわれるまで開口する。 - 特許庁

The electrode connection member 1 is provided with a resin core 2, a Cu-coated layer 3, and a solder layer 4 to cover the Cu-coated layer, and an electronic component 20 is mounted to the circuit board 10 by the electrode connection member 1.例文帳に追加

本発明の電極接続部材１は、樹脂コア２と、樹脂コア２を覆うＣｕ被覆層３と、Ｃｕ被覆層を覆う半田層４とを備え、電子部品２０は、電極接続部材１によって回路基板１０に実装されている。 - 特許庁

Thus it is possible to chamfer the opening tops, without depositing Cu to the opening side walls, even if the lower layer is a Cu wiring, hence avoid diffusing Cu atoms and form metal electrodes contg. no voids.例文帳に追加

これにより、下層が銅配線であっても、開口部側壁に銅が付着することなく開口部上部の角落としが可能となるため、銅原子の拡散を防止しかつ空洞のない金属電極の形成が可能となる。 - 特許庁

When a solder is made to reflow, a Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and a solder composition metal is formed at an interface between a Ni layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46 (Fig.8 (B)).例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁

As a result, when an organic resin film 3 is formed on the surface of the Cu electrode layer 2, the film thickness 3b of the organic resin film 3 can be made large at the upper corner 2g of the Cu electrode layer 2.例文帳に追加

この結果、Ｃｕ電極層２の表面に有機樹脂膜３を形成したとき、有機樹脂膜３のＣｕ電極層２の上面コーナ部２ｇにおける膜厚３ｂを厚くすることができる。 - 特許庁

Between the low-permittivity insulating layer 17 and the Cu wires 18 and 20, an ionization reduction layer 22 is disposed and includes elements each of which has a work function smaller than 3 eV, and has a Cu concentration lower than 10 atom%.例文帳に追加

低誘電率絶縁層１７とＣｕ配線１８、２０との間には、単体の仕事関数が3eV未満の元素を含み、Ｃｕ濃度が10原子％未満であるイオン化抑制層２２が配置されている。 - 特許庁

When reflow soldering is performed, an Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 with Ni and a solder composition metal can be made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図６（Ｂ））。 - 特許庁

In addition, the thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys are connected to the semiconductor layer 33 of the thin film transistor through the nitrogen containing layer or the oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a.例文帳に追加

また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 - 特許庁

When reflow soldering is performed, the Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and solder composition metal is made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁

In the first form of the composite material for brazing, the surface of the base material 11 is provided with a brazed layer obtained by laminating a Cu or Cu alloy layer 14, a Ti or a Ti alloy layer 13 and an Ni or Ni alloy layer 12.例文帳に追加

本発明に係るろう付け用複合材の第１の形態は、基材１１の表面に、Ｃｕ又はＣｕ合金層１４、Ｔｉ又はＴｉ合金層１３、及びＮｉ又はＮｉ合金層１２を積層して設けてなるろう付け層を有するものである。 - 特許庁

To provide a barrier metal polishing solution and a polishing method, by which the processability of a barrier metal layer having high corrosion resistance, can be realized, the processing speed of a Cu layer can be controlled lower than that of a Ta layer, and the smoothness of a Cu layer polishing surface becomes very elaborate.例文帳に追加

高耐食性を示すバリア金属層の加工性を発現し、Ｃｕ層の加工速度はＴａ層より小さく制御でき、更にはＣｕ層研磨面の平滑性が極めて緻密となるバリア金属用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

Since the thickness of the Cu-coated layer 3 is 5% or larger and 7% or smaller of the diameter of the resin core 2, stress at the interface between a Cu land 22a and the solder layer 4 and the interface between an Ni plated layer 13 of the circuit board 10 and the solder layer 4 is alleviated.例文帳に追加

Ｃｕ被覆層３の厚さは、樹脂コア２の直径の５％以上かつ７％以下であるので、Ｃｕランド２２ａと半田層４との界面、および、回路基板１０のＮｉめっき層１３と半田層４との界面における応力が緩和される。 - 特許庁

Practically, the sink main body 12 is made of one of a Cu/Mo/Cu cladding material, Cu/CuO, AlSiC, AlC, CuSiC, or Mo, and the insulation layer 13 is a silica-coated layer 13a which is adhesively layered on a surface of the sink body 12.例文帳に追加

具体的には、シンク本体１２はＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕのクラッド材、Ｃｕ／ＣｕＯ、ＡｌＳｉＣ、ＡｌＣ、ＣｕＳｉＣ又はＭｏのいずれかにより形成され、絶縁層１３はシンク本体１２の表面に積層接着されたシリカコーティング層１３ａである。 - 特許庁

The conductive material has a Cu-Sn alloy covering layer which contains a Cu of 20 to 70at% and has an average thickness of 0.2 to 3.0 m, and an Sn covering layer having an average thickness of 0.2 to 5.0 μm formed formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu plate strip.例文帳に追加

Ｃｕ板条からなる母材の表面に、Ｃｕ含有量が２０〜７０ａｔ％で平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と平均の厚さが０．２〜５．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。 - 特許庁

An electrocmagnetic wave shield molding film consists of a metal shield layer of copper, and a protective layer on the metal shield layer wherein the protective layer is composed of an Sn-Cu-Cr alloy and the thickness of the protective layer is in the range of 40-120% that of the metal shield layer.例文帳に追加

銅からなる金属シールド層と、金属シールド層の上の保護層とからなり、保護層は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなり、かつ、保護層の厚さは、金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％である。 - 特許庁

A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on a main surface side of the resin insulation layer and Cu paste supply process in which a Cu paste is supplied on the groove and the main surface of the resin insulation layer and the conductor layer is formed with the Cu paste.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の主面側に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部及び前記樹脂絶縁層の主面上にＣｕペーストを供給し、このＣｕペーストから前記導体層を形成するＣｕペースト供給工程と、を備える。 - 特許庁

A Cu electroless-plating layer 22 is formed by electroless plating on the surface of an ABS-resin molding 21, the Cu electroless-plating layer 22 is irradiated with a laser beam and worked into a specified pattern, and bright plating is applied on the remaining Cu electroless-plating layer with an Ni electroless-plating layer 23 and an Au electroless-plating layer 24 to form a printed part 25.例文帳に追加

所定形状のＡＢＳ樹脂成形体２１の表面に、無電解めっきにより無電解Ｃｕめっき層２２を形成し、該無電解Ｃｕめっき層２２にレーザ光を照射して所定パターンに加工した後、残った無電解Ｃｕめっき層の上に、無電解Ｎｉめっき層２３および無電解Ａｕめっき層２４による光沢めっき処理を施し、印字部２５を形成する。 - 特許庁

The pad P1 has a three layer structure composed of an Au layer (a first metal layer 11) exposed from the first main surface 20A of the first insulation layer 20, a Pd layer (a second metal layer 12) laminated on the first metal layer 11, and a Cu layer (a third metal layer 13) formed between the second metal layer 12 and the wiring layer 21.例文帳に追加

このパッドＰ１は、第１絶縁層２０の第１主面２０Ａから露出されるＡｕ層（第１金属層１１）と、第１金属層１１に積層されたＰｄ層（第２金属層１２）と、第２金属層１２と配線層２１との間に形成されたＣｕ層（第３金属層１３）とからなる３層構造を有している。 - 特許庁

The Cu-Zn layer as the outermost layer enables batch heat treatment of the composite wire rod to thus improve the productivity.例文帳に追加

更に、最外層がＣｕ−Ｚｎ層であることから、複合線材の一括熱処理が可能になるため、生産性を向上できる。 - 特許庁

A spacer layer 62 is formed on the fixed layer 56 as a formed object having appropriate thickness of an antiferromagnetic material having conductivity as Cu.例文帳に追加

スペーサ層６２は、Ｃｕのような導電性で反強磁性材の、適当な厚さの形成物として、固定層５６の上に形成する。 - 特許庁

To raise the strength at a solder joint while reeling, breakdown, etc., are prevented by using a solder comprising Sn, Ag, and Cu for soldering to an electroless plated nickel/gold which comprises a nickel layer and a gold layer formed over it.例文帳に追加

無電解ニッケル／金メッキに対するはんだ付け強度を高め、はんだ接合部の破壊、特に剥離破壊を防止する。 - 特許庁

An Ni layer 3 is equipped around a metallic core material comprising stainless steel or carbon steel and a Cu layer is equipped over around that.例文帳に追加

ステンレス鋼または炭素鋼からなる金属芯材２の周囲にＮｉ層３を設け、さらにその周囲にＣｕ層４を設ける。 - 特許庁

The Cu-Sn-Ni layer and the Cr layer contain 0-25 wt.% Sn, 0-20 wt.% Ni and 0-15 wt.% Cr.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｓｎ−Ｎｉ層及びＣｒ層は、Ｓｎが０〜２５ｗｔ％、Ｎｉが０〜２０ｗｔ％、Ｃｒが０〜１５ｗｔ％である。 - 特許庁

Then a barrier metal film 32 which is an upper wiring layer and a Cu film 33 (Cu dual damascene wiring) are formed so as to fill up the void 26, and the increase of the contact resistance between the plug of the Cu dual damascene wiring and the Cu wiring 31 is suppressed by increasing the contact area between the plug and wiring 31.例文帳に追加

この空隙２６を埋め込むように上層配線層であるバリアメタル膜３２およびＣｕ膜３３（Ｃｕデュアルダマシン配線）を形成し、このＣｕデュアルダマシン配線のプラグとＣｕ配線３１とのコンタクト面積を大きくし、コンタクト抵抗の増加を抑制する。 - 特許庁

The bump electrode 2 covers the protruding part 16 and connects to the Cu plated layer 13 and the protruding part 16.例文帳に追加

バンプ電極２は、突出部１６を被覆し、Ｃｕメッキ層１３及び突出部１６と接続する。 - 特許庁

The plating layer contains at least either of Cu and Ag and has a thickness of 20-50 μm.例文帳に追加

メッキ層は、ＣｕおよびＡｇのうち少なくとも一方を含み、厚さが２０μｍ乃至５０μｍである。 - 特許庁

The nonmagnetic intermediate layer 304 is made of Ru, Rh, Ir, and Cu, or an alloy containing those.例文帳に追加

非磁性中間層３０４はＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕか、又はその合金により形成されている。 - 特許庁

The Cu alloy film is directly connected to a substrate and/or an insulating film and a semiconductor layer.例文帳に追加

上記Ｃｕ合金膜は、基板および／または絶縁性、並びに半導体層と直接接続されている。 - 特許庁

(c) The surface of the adhesion layer is covered with an auxiliary film made of a Cu alloy containing a first metal element.例文帳に追加

（ｃ）密着層の表面を、第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で被覆する。 - 特許庁

A diffusion preventing layer 4 is provided to prevent Cu diffusion on a silicon oxide film 2 of an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン酸化膜２上にＣｕ拡散を防止する拡散防止層４を設ける。 - 特許庁

The welding layer 3 is formed of an Ni-Cu alloy containing Ni of 20-70 mass %.例文帳に追加

前記溶接層３はＮｉを２０〜７０mass％含有するＮｉ−Ｃｕ合金によって形成される。 - 特許庁

Since a timing when a copper thin film layer Cu is exposed at a hole formation position is detected on the basis of the detected output from photo sensors 75 and 76, the supply of a UV laser beam UL for processing is stopped without damaging the layer Cu at the step of exposing the layer Cu on the bottom of the VIA hole.例文帳に追加

フォトセンサ７５、７６の検出出力に基づいてホール形成位置に銅薄膜層Ｃｕが露出するタイミングを検出するので、銅薄膜層ＣｕがＶＩＡホール底部に露出した段階で銅薄膜層Ｃｕにダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光ＵＬの供給を停止させることができる。 - 特許庁

The protective layer constituted from two kinds of metal kinds is formed on the Cu interconnections by a plating method.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に２種類の金属種から構成される保護層をめっき法により形成する。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

A supercritical carbon dioxide deposition forms a copper (Cu) seed layer 3 to the thermal oxide film 2.例文帳に追加

熱酸化膜２に対して、超臨界二酸化炭素成膜により、銅（Ｃｕ）シード層３を形成する。 - 特許庁

In the reflection electrode layer 22 comprising the silver alloy, palladium (Pd) and copper (Cu) are added, and the oxygen (O) is contained.例文帳に追加

銀合金から成る反射電極層２２は、パラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）を添加し、酸素（Ｏ）を含む。 - 特許庁

A Cu wiring layer 108 is buried in a silicon oxide film 106 on a silicon substrate 100.例文帳に追加

シリコン基板１００上の酸化シリコン膜１０６に、銅（Ｃｕ）配線層１０８を埋め込み形成する。 - 特許庁

The light absorption layer 16 is a sulfide compound semiconductor film including Cu, Zn, Sn and S.例文帳に追加

光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜である。 - 特許庁

A Cu wiring layer 18 is formed on the first TaN film 17 so as to embed the grooves 16.例文帳に追加

第１のＴａＮ膜１７上に、溝１６内を埋め込むように、Ｃｕ配線層１８を形成する。 - 特許庁

The metal coating layer 3 comprises one or more species of metal selected from the group consisting of Au, Ag, Al, Cu, Pt, and Pd.例文帳に追加

金属被覆層３は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄからなる群から選択される１種以上の金属からなる。 - 特許庁