「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, formation of a contaminated layer of particles due to re-reaction of residual Cl^* is suppressed, the surface of the Cu layer is kept clean and the surface of a member 11 to be etched is kept clean.例文帳に追加

これにより残留するＣｌ^*が再反応してコンタミ層の形成やパーティクルの形成を抑えてＣｕ層の表面を清浄に保ち、被エッチング部材１１の表面を清浄に保つ。 - 特許庁

An Al-based or Cu-based bearing ally layer comprises a resin coating layer in which a solid lubricant having a relative C-axial strength ratio defined by the following equation of 85% or more is dispersed.例文帳に追加

Ａｌ系又はＣｕ系軸受合金層に、下記式で定義される相対Ｃ軸強度比が85％以上である固体潤滑剤を分散した樹脂系コーティング層を設ける。 - 特許庁

A bonding layer A17 is in contact with a Cu foil 15b as the conductive layer formed on one surface of a polyimide film 15a as a resin film forming FPC(Flexible Printed Circuit board).例文帳に追加

接着層Ａ１７には、ＦＰＣを構成する樹脂フィルムであるポリイミドフィルム１５ａの一方の表面に形成された導電性層であるＣｕ箔１５ｂが接触している。 - 特許庁

The objective exhaust gas cleaning catalyst has a substrate, an alumina-base carrier layer supported on the surface of the substrate and Pd and Cu supported on the carrier layer.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化用触媒は、基材と、該基材表面に担持されたアルミナを主成分とする担体層と、該担体層に担持されているＰｄおよびＣｕを有することを特徴とする。 - 特許庁

A buffer layer 6 for relaxing crystal lattice mismatch is formed between the substrate 2 and the lower electrode 5 and epitaxial Cu film is provided to the face of the buffer layer 6 at the side of the substrate 2.例文帳に追加

基板２と下電極５との間に、結晶格子不整を緩和するためのバッファ層６を形成し、このバッファ層６の、基板２側の面を、エピタキシャルＣｕ膜によって与える。 - 特許庁

The thickness of the barrier film 20 held between a via plug 11 of upper-layer wiring and lower-layer wiring 5 is set to film thickness where Cu atoms can be mutually diffused up and down.例文帳に追加

また、上下配線界面のバリア膜を除去した構造においても、ビアホール側面のバリア膜とビアホールに埋め込まれたＣｕの界面の密着性が劣化して、ＥＭ寿命が劣化する。 - 特許庁

To provide a process for producing a metal multilayer film where the upper surface of a metal film (e.g. a Cu film) at a lower layer portion is covered with a metal film (e.g. a Cr film) at an upper layer portion neither too much nor too less.例文帳に追加

下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜）の上面が上層部の金属膜（例えば、Ｃｒ膜）によって過不足無く覆われた金属多層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed.例文帳に追加

その語、第２配線用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１配線層４ａを形成するのと同時に第２配線層７を形成する。 - 特許庁

Each layer 22 is comprised of a carbide, an oxide, a Si-compound, an intermetallic compound containing Si as an constitutive component or a surface active compound being surface active to Cu, and the layer suppresses the reaction of SiC constituting the honeycomb sintered compact 12 and Cu being a main component of the metal 16.例文帳に追加

この層２２は、炭化物、酸化物、Ｓｉ化合物、Ｓｉを構成成分の１つとする金属間化合物、またはＣｕに対して表面活性物質からなり、ハニカム状焼結体１２を構成するＳｉＣと金属１６の主成分であるＣｕとが互いに反応することを抑制する。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the oxide semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To obtain a rubber reinforcing material in which the Cu plated layer of steel wire does not has a defect part, the thickness of the Cu plated layer is a limit necessary for initial adhesion and progress of crosslinking reaction with passage of time is avoided as much as possible while surely preventing unevenness of adhesion by crosslinking reaction.例文帳に追加

スチール素線のＣｕめっき層の欠損部分がなく、かつ、当該Ｃｕめっき層の厚さを初期接着に必要な限度として、架橋反応による接着のむらを確実に防止しつつ、時間の経過に伴う架橋反応の進行を可及的に回避できるようにすること。 - 特許庁

Only the dummy structure 16 is removed to leave the sidewall films 17, a part of lower-layer wiring 14 is exposed, an opening 18a formed on the interlayer insulation film 18 is embedded with Cu, and the surface layer of Cu is flattened in plane with the surface of the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。 - 特許庁

The cladding material is formed by jointing a nickel alloy layer 2 containing Cu by 0.2 to 5.0 mass%, or preferably, 0.4 to 3.5%, practically composed of Ni-Cu alloy composed of residual nickel, and an aluminum layer 3 composed of pure Al or Al group alloy containing Al as a main ingredient.例文帳に追加

本発明のクラッド材は、Ｃｕを０．２〜５．０mass％、好ましくは０．４〜３．５％含み、残部実質的にＮｉからなるＮｉ−Ｃｕ合金で形成されたニッケル合金層２と、純ＡｌあるいはＡｌを主成分とするＡｌ基合金で形成されたアルミニウム層３とが接合されたものである。 - 特許庁

For example, a layer 4 composed of a heat resistant elastic material (such as polyimide) is formed over all the surface of a wiring pattern composed of Cu foil 3 formed on a semiconductor chip, a part of this layer is removed later and the Cu foil under that is exposed in the shape having ruggedness along with the peripheral part thereof.例文帳に追加

例えば、半導体チップに形成されたＣｕ箔３からなる配線パターンの全面上に耐熱性の弾性材料（例えばポリイミド）からなる層４を形成した後、この層の一部を除去してその下のＣｕ箔を周辺部に凹凸を有する形状に露出させる。 - 特許庁

The magnetic sensor includes a first metal layer 8 made of Ti or Ti-based material disposed on a semiconductor circuit 1 via a dielectric film 4, a second metal layer 9 made of Cu or Cu-based material disposed on the first metal layer 8, and the magnetic material 11 with a magnetic amplification function disposed on the second metal layer 9.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、半導体回路１上に絶縁膜４を介して設けられたＴｉ又はＴｉ系材料からなる第１の金属層８と、この第１の金属層８上に設けられたＣｕ又はＣｕ系材料からなる第２金属層９と、この第２の金属層９上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体１１とを備えている。 - 特許庁

An Sn coating layer group X observed as a plurality of parallel lines is formed as a surface coating layer, and a Cu-Sn alloy coating layer 2 is exposed to the outermost surface on both sides of individual Sn coating layers 1a-1d constituting the Sn coating layer group X.例文帳に追加

表面被覆層として複数の平行線として観察されるＳｎ被覆層群Ｘが形成され、該Ｓｎ被覆層群Ｘを構成する個々のＳｎ被覆層１ａ〜１ｄの両側でＣｕ−Ｓｎ合金被覆層２が最表面に露出している。 - 特許庁

To provide a technique to improve reliability of Cu wiring in a damascene process which employs a low dielectric constant material for an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層に低誘電率材料を採用したダマシンプロセスにおけるＣｕ配線の信頼度を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method of forming a layer structure that keeps a barrier property and adhesiveness high for, for example, a Cu film.例文帳に追加

例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持することができる層構造を形成する成膜方法を提供する。 - 特許庁

This connection lead plate 20 is composed by forming, in a stripe-like form, conductive layers 202 and 203 formed of Cu on a welding layer 201 formed of Ni.例文帳に追加

接続リード板２０は、Ｎｉからなる被溶接層２０１上に、Ｃｕからなる導電層２０２、２０３がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

In the metallic material for an electronic component, a substrate layer of Cu plating with a thickness of 0.05 to 3 μm is formed on the surface, and Sn plating is applied to the surface thereof.例文帳に追加

電子部品用金属材料表面に厚さ０．０５〜３μｍのＣｕメッキの下地層を施し、その上にＳｎメッキを施した。 - 特許庁

The thick film conductor layer 2 is made of metal mainly of Ag or Cu, and formed by printing and firing metallic paste.例文帳に追加

厚膜導体層２は、ＡｇまたはＣｕを主体とする金属からなり、金属ペーストを印刷し焼成することにより形成されている。 - 特許庁

The first layer low-dielectric-constant interlayer insulating film 11a is arranged to be brought into contact on a semiconductor wafer to form Cu wiring 10.例文帳に追加

半導体基板９の上に、これに接触させて第１層低誘電率層間絶縁膜１１ａを設け、Ｃｕ配線１０を形成する。 - 特許庁

A Cu film layer 6 is formed on an organic substrate 5, and Ni plating 7 and Au plating 8 are conducted, to form a film structure of a wiring pattern 10.例文帳に追加

有機基板５上に、Ｃｕ膜層６を形成し、Ｎｉめっき７，Ａｕめっき８を施して、配線パターン１０の膜構成とする。 - 特許庁

The dissolution of the Ag plated layer used in a printed wiring board can be prevented by adding Pd to an Sn-Cu solder alloy.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕはんだ合金にＰｄを添加することで、プリント配線基板に用いられているＡｇの食われを防止することができる。 - 特許庁

The Cu plating is carried out on this groove, and the flattening process (CMP) is carried out to form the upper layer coil 22, then the subject two layers coil is completed.例文帳に追加

この溝にＣｕめっきを行い、平坦化処理（ＣＭＰ）を行いと上層コイル２２が形成でき、本発明の２層コイルができる。 - 特許庁

The thick conductor layer 2 is formed of a metal composed mainly of silver Ag or copper Cu and formed by printing and firing metal paste.例文帳に追加

厚膜導体層２は、ＡｇまたはＣｕを主体とする金属からなり、金属ペーストを印刷し焼成することにより形成されている。 - 特許庁

The nickel alloy contains 0.1-13% Ti and optionally 0.1-15% Cu and an oxide containing Ti on its surface layer.例文帳に追加

チタンを０．１〜１３％含有し、必要に応じて銅を０．１〜１５％含有し、その表面層にチタンを含む酸化物を含有するニッケル合金。 - 特許庁

Then, a Cu film 9 is deposited inside the hole 8, the via 4 and the trench 5 and a via plug 10 and upper layer wiring 11 are formed.例文帳に追加

そして、掘れ込み８、ビア４およびトレンチ５内にＣｕ膜９を堆積させて、ビアプラグ１０および上層配線１１を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents oxidization of a barrier film in a wiring layer as well as leak of Cu from wiring, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線層のバリア膜の酸化を防ぎ、配線からのＣｕの漏れを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A supporting substrate 46 provided with a base metal layer 47 made of Cu on its surface is used as a ground surface for forming pattern wiring of a contact probe.例文帳に追加

コンタクトプローブのパターン配線の形成のための下地として、表面にＣｕ製のベースメタル層４７が設けられた支持基板４６を用いる。 - 特許庁

A third interlayer film 17 and a Cu wiring 24 protruding over a third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31.例文帳に追加

第３層間膜１７およびこの第３層間膜１７上に突出するＣｕ配線２４は、被覆層３１によって被覆されている。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

The rear side (on the side of the metallic layer 15) of this sub mount 10 is directly joined with an upper face of a heat sink 19 made of copper (Cu) with a solder material (2nd conductivity type material) made of In/Sn whose melting temperature T2 is about 117°C.例文帳に追加

このサブマウント１０の裏側（金属層１５側）は、銅(Cu)製のヒートシンク１９の上面と融点温度Ｔ２が約１１７℃のＩｎ／Ｓｎより成る半田材（第２導電性材料）１２により直接接着されている。 - 特許庁

After a Cu interconnection M1 is formed by Damascene process, a semiconductor substrate 1 is heat treated at about 350°C in a pressure reduced atmosphere of silane based gas thus forming a silicide layer (CuSix) 6 selectively on the surface of the Cu interconnection M1.例文帳に追加

ダマシンプロセスでＣｕ配線Ｍ_1 を形成した後、半導体基板１に減圧状態においてシラン系ガス雰囲気中で約３５０℃の熱処理を施し、Ｃｕ配線Ｍ_1 の表面に選択的にシリサイド層（ＣｕＳｉ_x ）６を形成する。 - 特許庁

(1) The Al-Cu joined structure using a brazed structure using Ag as an insert of a joining surface between an Al member and a Cu member, and an Ag layer is remained on the joining surface after the brazing.例文帳に追加

（１）Ａｌ部材とＣｕ部材との接合面のインサート材としてＡｇを用いたろう付け接合構造物であって、ろう付け後に前記接合面にＡｇ層が残存していることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ接合構造物である。 - 特許庁

In this case, a contact Cu foil 4 having its surface roughened through Cu roughening processing is used and then a surface (principal surface MP1) of a dielectric layer B1 provided in contact therewith also has sufficient roughness.例文帳に追加

この際、Ｃｕ粗化処理によって表面が粗化された密着Ｃｕ箔４を用いていることから、これと密着して設けられる第１誘電体層Ｂ１の面（主面ＭＰ１）も十分な粗度を有するものとなる。 - 特許庁

A metal film 7 bonded to the pad electrode 2 is formed over the substrate 1 in the shape of a re-wiring pattern, and a plated power supply layer metal film 8 and a Cu plated layer 11 are formed in sequence on the metal film 7 to form a wiring layer.例文帳に追加

基板１上にパッド電極接着メタル膜７が再配線パターン状に形成され、このメタル膜７上にメッキ給電層メタル膜８及びＣｕメッキ層１１が順次形成されて配線層が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, the Al electrode of the semiconductor element is connected with a bonding layer made of Ag or Cu interposed, and the bonding layer and the Al electrode are bonded to each other with an amorphous layer interposed therebetween.例文帳に追加

半導体素子のＡｌ電極がＡｇ又はＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記接合層と前記Ａｌ電極とが非晶質層を介して接合している構造を備えた半導体装置を特徴とする。 - 特許庁

With the thickness of the first Ni plating layer 31 being 1.5 μm or more, a Cu-Ni alloy layer present at a surface is less even the copper of a heat radiation member 21 diffuses to the first Ni plating layer 31.例文帳に追加

１回目のＮｉメッキ層３１の厚さを１．５μｍ以上と厚くしたため、放熱部材２１の銅の１回目のＮｉメッキ層３１への拡散があっても、その表面に存在するＣｕ−Ｎｉ合金層を少なくできる。 - 特許庁

A plating material 5 is provided with a base layer 2 of Ni or the like on a conductive base body 1, an intermediate layer 3 of copper or a copper alloy thereon, and an outermost layer 4 composed of a Cu-Sn intermetallic compound thereon.例文帳に追加

導電性基体１上にＮｉなどの下地層２が設けられ、その上に銅または銅合金の中間層３が設けられ、その上にＣｕ−Ｓｎ金属間化合物からなる最外層４が設けられためっき材料５。 - 特許庁

Parts other than a region of the seed layer 14 in the groove 10A are selectively removed by etching and thereafter, a metal 15 (e.g. copper (Cu)) is selectively grown on the seed layer 14 by plating to form a wire layer L1.例文帳に追加

エッチングにより、シード層１４の溝１０Ａ内の領域以外の部分を選択的に除去した後、めっきによりシード層１４上に金属１５（例えば銅（Ｃｕ））を選択的に成長させて配線層Ｌ１を形成する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor device which has the low-cost rear surface electrode 5 capable of high-speed operating with the lower electric resistance aluminum (Al) layer than the silver (Ag) without using an expensive gold (Au) layer or a copper (Cu) layer can be realized.例文帳に追加

これにより銀（Ａｇ）よりも低電気抵抗のアルミニウム（Ａｌ）層を有する高速動作が可能な、且つ高価な金（Ａｕ）層や銅（Ｃｕ）層を用いない安価な裏面電極５を有する、半導体装置が実現できる。 - 特許庁

The molding surface constituting member 20 is constituted of a substrate layer comprising one of an Ni-Al alloy and an Ni-Cr alloy and the surface layer 22 present on the substrate layer and comprising one of a Cu alloy and pure iron.例文帳に追加

成形面構成体２０は、Ｎｉ−Ａｌ系合金およびＮｉ−Ｃｒ系合金の一方よりなる下地層と、その下地層上に在り、且つＣｕ系合金および純鉄の一方よりなる表面層２２とより構成される。 - 特許庁

In the circuit board, at least a metal circuit layer principally comprising Cu out of the metal circuit layer and a heat dissipation layer is bonded onto a ceramic substrate through a solder material comprising 6.0-60% of Sn, 2.0-9.5% of at least one kind of Ti, Nb, Hf and Zr, and the remainder of Cu and not containing Ag.例文帳に追加

本回路基板はセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及び放熱層のうちの少なくとも金属回路層がろう材によって各々接合されており、上記ろう材は、６．０〜６０％のＳｎ、２．０〜９．５％のＴｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種、及び残部Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しない。 - 特許庁

The storage element 10 is configured, such that a storage layer 5 is sandwiched between a first electrode 1 and a second electrode 4, the storage layer 5 comprises an oxide layer 2 and an ionized layer 3 containing Cu which are laminated, the oxide layer 2 consists of a rare earth element oxide, and the ionized layer 3 contains one or more kinds of elements selected from among S, Se and Te.例文帳に追加

第１の電極１及び第２の電極４の間に記憶層５が挟まれて構成され、この記憶層５が酸化物層２とＣｕを含有するイオン化層３とを積層して成り、酸化物層２が希土類元素酸化物から成り、イオン化層３がＳ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上の元素を含有する記憶素子１０を構成する。 - 特許庁