「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a copper-plating device wherein a Cu layer remaining at the edge and near it of a plated substrate formed in a copper-plating process is entirely removed, and possibility of causing Cu contamination (cross- contamination) is eliminated while the next CMP process is performed in a short time after copper plating.例文帳に追加

銅めっき処理により形成された被めっき基板のエッジ部及びエッジ部の近傍に残るＣｕ層を完全に除去し、Ｃｕ汚染（クロスコンタミ）が生じる恐れがなく、銅めっき処理後、短時間で次工程であるＣＭＰ処理が実施できる銅めっき装置を提供すること。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

The thick copper sheet comprises a rolled sheet made of pure Cu or a Cu alloy, and a particle deposition layer formed on one or both sides of the rolled sheet, which contains a mixture of metallic particles (1) having diameters of less than 2 μm and metallic particles (2) having diameters of 2 μm or larger.例文帳に追加

純ＣｕまたはＣｕ合金から成る圧延シートと、圧延シートの片面または両面に形成され、粒径２μｍ未満の金属粒子（１）および粒径２μｍ以上の金属粒子（２）が混在した状態で付着して成る粒子付着面とを備えている厚銅シート。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

(3) In the Al-Cu joined structure manufacturing method, when brazing the Al member and the Cu member by using Al-Si brazing filler metal, Ag is used for the insert of the joining surface thereof, the brazing temperature is > 813°K, and the Ag layer is remained thereon.例文帳に追加

（３）Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いてＡｌ部材とＣｕ部材とをろう付け接合するに際し、これらの接合面のインサート材としてＡｇを用い、ろう付け温度を８１３Ｋ超えとして、当該Ａｇ層を残存させることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a metal substrate or a substrate provided with a metal film, a copper (Cu) plating film on the metal substrate or the metal film, a barrier film on the Cu plating film, a single-crystal silicon film on the barrier film, and an electrode layer on the single-crystal silicon film.例文帳に追加

金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。 - 特許庁

By setting the diameter of a NbTi filament 17 embedded in the Cu/NbTi-based reinforcing material layer 11 is set at an appropriate value, its strength can be enhanced, and, when the diameter of the NbTi filament 17 is set to 10-40 μm, the tensile strength of the elemental NbTi filament 17 can be set over 600 MPa.例文帳に追加

Cu/NbTi系強化材層１１に埋設されたNbTiフィラメント１７の径を適切な値にすることで、その強度を高めることができ、NbTiフィラメント１７の径を10μｍ以上40μｍ以下とした場合には、NbTiフィラメント１７単体の引張強度を600MPa超とすることが可能となる。 - 特許庁

A Ti film 2 is formed on the surface of an alumina substrate 1, a Cu film 3 is formed in film thickness of 3-4 μm by an electroplating method using the Ti film 2 as a foundation layer, and a spiral inductor element I is formed by the pattern shape of the Cu film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１の表面にＴｉ膜２を形成した後、このＴｉ膜２を下地層としてＣｕ膜３を電気メッキ法によって３〜４μｍの膜厚に形成し、このＣｕ膜３のパターン形状によって例えば渦巻き形状のインダクタ素子Ｉを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the light-emitting layer for the inorganic electroluminescence includes a process of film-forming ZnS:Cu, obtained by adding Cu of 1.0 atom% or more to ZnS on a substrate, a process of making the Cu component as chloride not contained in ZnS crystal grain, and a process of removing the chloride through rinsing.例文帳に追加

基体上にＺｎＳへ１．０ａｔｏｍｉｃ％以上のＣｕが添加されたＺｎＳ：Ｃｕを成膜する工程、該ＺｎＳ結晶粒に含有されないＣｕ成分を塩化物とする工程、該塩化物を水洗にて除去する工程、を有することを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法。 - 特許庁

A patterned Ti/Au film and a Ti/Au connecting conductor are formed on the magnetic thin film, a polyimide film of thickness 10 μm, and Cu coils each of height 35 μm, width 90 μm, and space 25 μm and a polyimide layer filling a space between the Cu coils are formed thereon.例文帳に追加

この磁性薄膜上にパターニングされたＴｉ／Ａｕ膜とＴｉ／Ａｕの接続導体が形成され、その上に１０μｍ厚のポリイミド膜と、高さ３５μｍ、幅９０μｍ、スペース２５μｍのＣｕコイルとＣｕコイル間のスペースを充填したポリイミド層が形成される。 - 特許庁

When the Al is added to the Te, and further the Cu and the Zr are added, it is desirable that a composition ratio of the high-resistance layer 4 is adjusted in a range of, excepting oxygen, 30≤Te≤100 atm%, 0≤Al≤70 atm% and 0≤Cu+Zr≤36 atm%.例文帳に追加

ＴｅにＡｌを添加し、更にＣｕおよびＺｒを加えたものとする場合、高抵抗層４の組成比は、酸素を除いて、３０≦Ｔｅ≦１００原子％、０≦Ａｌ≦７０原子％、および０≦Ｃｕ＋Ｚｒ≦３６原子％の範囲で調整することが望ましい。 - 特許庁

The junction layer of formed by a junction material containing Cu oxide particles whose average particle size is 1 nm to 50 μm and a reducing agent composed of an organic substance by junction in a reducing atmosphere, and the excellent strength of junction with the Ni or Cu electrode can be obtained.例文帳に追加

上記接合層は、平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍのＣｕ酸化物粒子と、有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、還元雰囲気中において接合を行うことで形成され、Ｎｉ又はＣｕ電極に対して優れた接合強度が得ることができる。 - 特許庁

In the tinned strip of Cu-Sn-P-based alloy comprising, as a base material, a Cu-based alloy containing Sn in an amount of 1-12 mass% and P in an amount of 0.01-0.35 mass%, the C-concentration in the boundary face between a plated layer and the base material is adjusted to be ≤0.10 mass%.例文帳に追加

１〜１２質量％のＳｎ及び０．０１〜０．３５質量％のＰを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

The heat sink 50 comprises a substrate 51 containing a metal having low coefficient of thermal expansion and Cu and having surface roughness R1 of 1-5 μm, an intermediate layer 52 formed on the surface 54 of the substrate 51, and a thin diamond film layer 53 formed on the surface of the intermediate layer 52.例文帳に追加

ヒートシンク５０は、低熱膨張係数の金属とＣｕとを含み、その表面の粗さＲ_Z が１μｍ以上５μｍ以下である基板５１と、基板５１の表面５４に形成された中間層５２と、中間層５２の表面に形成されたダイヤモンド薄膜層５３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The progress of the oxidation of a copper (Cu) interconnection layer 104 is suppressed by supplying oxygen plasma 105 to the surface layer thereof thereby forming an oxidation layer 106 where the number of CuO bonds is larger than that of Cu_2O bonds (e.g. CuO bonds occupy 50% or more).例文帳に追加

銅（Ｃｕ）配線層１０４の表層部に、酸素プラズマ１０５を供給して、Ｃｕ_2Ｏ結合よりも、ＣｕＯ結合が多い状態の酸化層１０６（例：ＣｕＯ結合の占める割合が５０％以上）を形成し、銅（Ｃｕ）配線層１０４の酸化の進行を抑制する。 - 特許庁

At heat treatment, in a reaction in the interface of the core material and the coating layer 2 when Cu is included in the coating layer 2, a diffusion reaction is loosened compared to a reaction between a coating layer 2 consisting of a pure metal and the copper core material 1, so that sufficient adhesion is obtained even when the heat treatment temperature is raised.例文帳に追加

被覆層２にＣｕを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層２の界面における反応は、純金属からなる被覆層２と銅芯材１との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。 - 特許庁

A method of manufacturing the electronic device includes forming a solder connection portion 1 by the steps of: forming a Ni plating layer 3 on a Cu layer as an electrode of a substrate 5; forming a solder ball; and having a compound layer 2 between a Sn-based solder 8 which includes a Cu6Sn5 phase in a temperature range from a room temperature to 200°C.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、基板５の電極となるＣｕ層上にＮｉめっき層３が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から２００℃においてＣｕ６Ｓｎ５相を含有するＳｎ系はんだ８との間に化合物層２を有する。 - 特許庁

To provide a phase transition type optical information recording medium which has a reflection layer consisting of a metal having high reflectance/high heat conductivity of which the main component is Ag, Au, Cu, or the like, especially, Ag or Ag alloy, and an organic layer being adjacent this layer, and in which preservation reliability in a high temperature and high humidity state is good.例文帳に追加

Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどを主成分とする高反射率・高熱伝導率の金属、特にＡｇ又はＡｇ合金からなる反射層と、これに隣接する有機物層を有し、高温高湿状態での保存信頼性の良好な相変化型光情報記録媒体の提供。 - 特許庁

A semi-intermediate layer 32 consisting of an oxide, a nitride and/or a carbide and an intermediate layer 33 consisting of at least one of Si, B, Al, Ti, Cr, V, Ni, Cu, Fe, Co, Gd, Sm, and Nd are provided from the side of the substrate 31 between the substrate 31 and the magnetic layer 34.例文帳に追加

基板３１と磁性層３４との間に、基板３１側から酸化物、窒化物および／または炭化物からなる準中間層３２と、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｇｄ、ＳｍおよびＮｄのうちの少なくとも１つからなる中間層３３を設ける。 - 特許庁

A plated member 10 is obtained by performing Ni strike plating on the metal member 1 and after that, forming an Ni primary plating layer by electroplating and further performing electroplating on the Ni primary plating layer using a plating solution containing silver cyanate and copper cyanate to form an Ag-Cu containing alloy plating layer 5.例文帳に追加

金属部材１上にＮｉストライクめっきを行った後、電解めっきによってＮｉ下地めっき層３を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いＡｇ−Ｃｕ含有合金めっき層５を形成しためっき部材１０。 - 特許庁

The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加

これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁

The lead wire is constituted of an electroconductive base body 1, a plated layer 2 of a Sn-alloy of Sn and Bi, Cu, Ag or Zn, which covers the surface of the base body 1, and an upper plated layer 3 of Zn, Ag, a SnZn alloy, a SnAg alloy or a SnBi alloy, which is formed on the plated layer 2.例文帳に追加

導電基体１と、その表面を被覆するＳｎとＢｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎとのＳｎ合金メッキ層２と、その上層に形成されたＺｎメッキ、Ａｇメッキ、ＳｎＺｎ合金メッキ、ＳｎＡｇ合金メッキ又はＳｎＢｉ合金メッキの上層メッキ３とで構成した。 - 特許庁

The catalyst for the purification of exhaust gas contains a 1st catalyst layer contg. a Pt and/or Pd component, a Ba component and a Ti component and a 2nd catalyst layer contg. a Cu and/or Rh component disposed on the 1st catalyst layer.例文帳に追加

白金（Ｐｔ）及び／又はパラジウム（Ｐｄ）成分と、バリウム（Ｂａ）成分と、チタン（Ｔｉ）成分とを含有する第１触媒層と、銅（Ｃｕ）及び／又はロジウム（Ｒｈ）成分を含有する第２触媒層とを含み、第１触媒層の上に第２触媒層が設けられている。 - 特許庁

This composite electromagnetic wave shielding material comprises a conductive core made of metal foil whose main component is Al, a dry Ni alloy plated layer, a dry Cu plated layer and a metal plated layer in order from bottom up on both sides of an organic resin film and has an elongation of 5% or more.例文帳に追加

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式Ｎｉ合金めっき層、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層から成り、伸びが５％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To reduce friction coefficient and improve minute slide wear resistance in a fitting type connector consisting of a female terminal and a male terminal manufactured from a plate material with a surface covered layer in which a Cu-Sn alloy layer and an Sn layer are formed in this order on a surface of copper or copper alloy mother material.例文帳に追加

銅又は銅合金母材の表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層がこの順に形成された表面被覆層付板材から製造されたメス端子とオス端子からなる嵌合型コネクタにおいて、摩擦係数を低減しかつ耐微摺動摩耗性を改善する。 - 特許庁

Thus, the alloy layer 3 containing Ni and Sn, comprising a Ni-Sn alloy or a Ni-Cu-Sn alloy or both of them, is formed on the surface of the copper alloy substrate 1; and a pure Sn layer 4 as the outermost surface layer is formed thereon to obtain a plated copper alloy material for a fuse.例文帳に追加

銅合金基材１の表面にＮｉ−Ｓｎ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金、又はその両者からなるＮｉ，Ｓｎ含有合金層３が形成され、その上に最表層として純Ｓｎ層４が形成されたヒューズ用めっき付き銅合金材が得られる。 - 特許庁

On a bottom surface of a connection hole 8 formed on the metal cap layer 6 consisting of a Cu wiring portion CL1, a silicide region 6s, and a non-silicide region 6n, a barrier metal layer 13a and the silicide region 6s of the cap metal layer 6 are selectively removed through Ar sputtering processing.例文帳に追加

Ｃｕ配線部ＣＬ１及びシリサイド領域６ｓ及び非シリサイド領域６ｎよりなるキャップメタル層６上に形成される接続孔８の底面において、Ａｒスパッタ処理により、バリアメタル層１３ａ及びキャップメタル層６のシリサイド領域６ｓを選択的に除去する。 - 特許庁

The present invention relates to a connector, wherein the outermost surface of at least contact part of at least one of male and female terminals is made of a Cu-Sn alloy layer of which copper concentration of the layer is reduced gradually toward the surface.例文帳に追加

オス端子およびメス端子の少なくとも一方の、少なくとも接点部分の最表面が表面に向けて徐々にＣｕ濃度を減少させたＣｕ−Ｓｎ合金層である金属材料により形成されているコネクタ。 - 特許庁

This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside.例文帳に追加

最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。 - 特許庁

To provide a sliding structure excellent in seizure resistance, including a sliding member having a Cu-based bearing alloy layer and a sliding object member having a diamond like carbon layer, and to provide a sliding member used for the sliding structure.例文帳に追加

Ｃｕ基軸受合金層を有する摺動部材とダイヤモンドライクカーボン層を有する被摺動部材とを備えたものであって、非焼付性に優れる摺動構造およびその摺動構造に用いる摺動部材を提供する。 - 特許庁

Pair of Ta_2N layer 11 and Ta layer area alternately and continuously formed in two pairs or more on the surface of Cu wiring 5a of the pad of a semiconductor device 1 and a barrier metal film 13 of pad in the composite lamination structure is also provided.例文帳に追加

半導体装置１のパッド部Ｃｕ配線５ａの表面上にＴａ_2Ｎ層１１およびＴａ層１２のペアを連続して交互に２ペア以上積層し、複合積層構造のパッド部バリアメタル膜１３を設ける。 - 特許庁

Stress migration occurs at the connection between the dummy Cu pattern 43B and the dummy via plug 47D of the lower wiring layer at the tip, and occurrence of the stress migration is prevented at the connection between the via plug 47C and the lower-layer wiring pattern 43A.例文帳に追加

ストレスマイグレーションは先端部の下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄの接続部で発生し、ビアプラグ４７Ｃと下層配線パターン４３Ａの接続部ではストレスマイグレーションの発生は防止される。 - 特許庁

The sintered alloy layer is densified, and the surface of the bearing alloy layer is coated with a resin with sliding property.例文帳に追加

本発明のスワッシュプレートは、青銅粉末を焼結したマトリックス中にCuメッキされた固体潤滑剤が均一に点在しており、しかも焼結合金層が緻密になっているとともに、軸受合金層の表面には摺動性樹脂がコーティングされている。 - 特許庁

Such a film as above has not only high adhesiveness to a silicon and a glass, etc. but low specific resistance, and the Cu is hardly diffused into a silicon layer, so that the film is suitable for especially an electrode and a metal wiring, etc. formed on the silicon layer and a glass substrate surface, etc.例文帳に追加

このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。 - 特許庁

Further, the connector terminal has at least one foundation layer formed between the conductive base and the ruthenium layer made of at least one kind of metal selected from a group consisting of Ni, Cu, Au and Ag.例文帳に追加

また、本発明のコネクタ端子は、導電性基体とルテニウム層との間に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなる下地層が少なくとも一層形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a highly-reliable ceramic electronic component having a foundation electrode layer formed on a ceramic base body and an external electrode including a Cu plating film formed on the foundation electrode layer.例文帳に追加

セラミック素体の上に形成された下地電極層と、下地電極層の上に形成されたＣｕめっき膜とを有する外部電極を備えるセラミック電子部品であって、高い信頼性を有するセラミック電子部品を提供する。 - 特許庁

The high-resistance layer is formed out of the oxide film of Gd (gadolinium), and the ion-source layer contains such metal elements as Cu (copper), Zr (zirconium), Al (aluminum), and so forth together with such chalcogenide elements as S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and so forth.例文帳に追加

高抵抗層はＧｄ（ガドリニウム）の酸化膜により形成され、イオン源層は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）などのカルコゲナイド元素と共に、Ｃｕ（銅），Ｚｒ（ジルコニウム），Ａｌ（アルミニウム）などの金属元素を含有する。 - 特許庁

In the circuit substrate 50 in which solder balls 65 composed of a lead(Pb)-free solder are connected to an electrode 55, the electrode 55 has a first layer 51 mainly composed of copper(Cu), a second layer 52 mainly composed of nickel(Ni) and formed on the first layer, and a third layer 54 mainly composed of a tin-nickel(Sn-Ni) alloy and formed on the second layer.例文帳に追加

電極５５に、鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボール６５を接続される回路基板５０において、前記電極５５は、銅（Ｃｕ）を主成分とする第１の層５１と、前記第１の層上に形成されたニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２の層５２と、前記第２の層上に形成された錫ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）合金を主成分とする第３の層５４とを有する。 - 特許庁

An opening 14 for exposing the diffusion layer 13 and an interconnection trench 15 are made and filled with an interconnection material principally comprising a Cu interconnection member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁

A tappet 1 is constituted of the metal body 2 and the ceramic body 3 integrated by bonding through a solder material layer 4 containing at least ≥90 wt.% Cu.例文帳に追加

タペット１は、Ｃｕを少なくとも９０ｗｔ％以上含有しているロー材層４を介して、金属体２とセラミック体３とが接合により一体化されて構成されている。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

The wiring line 12 is composed of a first wiring line 12a and a second wiring line 12b which are formed mutually facing via the resin layer 13, and it can be composed of Cu and the like, for example.例文帳に追加

配線１２は、樹脂層１３を介して互いに対向して形成される第１配線１２ａと第２配線１２ｂとからなり、例えば、Ｃｕなどから構成されていればよい。 - 特許庁