「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device suppressing the amount of sidewall etching of a Cu wiring layer due to galvanic corrosion in UBM (under bump metal) etching and having a mark of a bonding position in bonding.例文帳に追加

ＵＢＭエッチング時に異種金属接触腐食によるＣｕ配線層の側壁エッチング量を抑え、ボンディング時にボンディング位置の目印を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A diffusion preventing Cr layer 14 is formed tightly on the electrode pad 13 and first and second Cu layers 15 and 16 are formed tightly thereon.例文帳に追加

電極パッド１３上に拡散防止用としてＣｒ層１４が密着形成され、Ｃｒ層１４上に第１のＣｕ層１５、第２のＣｕ層１６が積層され密着形成されている。 - 特許庁

The composite material contains an SiC phase by 20 to 75% in a volume ratio, and the balance mainly Cu, and has a structure in which the boundary of both is provided with a reaction preventive layer.例文帳に追加

この複合材料は、ＳｉＣ相を体積割合で２０〜７５％有し、残部が主にＣｕにより構成され、両者の界面に、反応防止層を有する構造を持つ。 - 特許庁

To provide the evaluation method that can conveniently and accurately evaluate the inspection of a microdefect caused by Cu contamination against an SOI wafer, especially a semiconductor layer.例文帳に追加

ＳＯＩウエーハ、特に半導体層に対するＣｕ汚染などに起因する微小欠陥の検査を簡便に、精度良く評価できる評価方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent the Al produced on a sidewall of a Al-Cu alloy wiring layer from disolving when cleaning with an agent liquid to peel off the sidewall polymer of a multiplayer.例文帳に追加

積層膜配線のサイドウォールポリマの剥離除去において、薬液（希酢酸水溶液）による洗浄の際に、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層の側壁に生じるＡｌ溶解を防止する。 - 特許庁

To provide a sintered body for heatsink in which the peeling of plated metal caused by the falling out of Cu does not occur from the vicinity of the surface layer of the sintered body which is the peculiar phenomenon of powder metallurgical method.例文帳に追加

粉末冶金法特有の現象である焼結体の表面層の付近からのＣｕ抜けを起因とするメッキ剥がれが生じないヒートシンク用焼結体を提供する。 - 特許庁

A microwave assisted magnetic recording (MAMR) structure 20 comprises: an PMA multilayer 23 such as [CoFe/Ni]_X overlying on a composite seed layer 22 having a Ta/M1/M2 configuration where, for example, M1 is Ti and M2 is Cu.例文帳に追加

ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。 - 特許庁

Next, after the successive formation of a Ti film 14 and a TiON film 16 on the substrate surface by sputtering, an Al alloy layer 18 such as Al-Si-Cu etc., is formed by sputtering.例文帳に追加

基板上面にＴｉ膜１４及びＴｉＯＮ膜１６を順次にスパッタ法で形成した後、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金層１８をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a novel method of manufacturing an electrode wire for wire electric discharge machining that is inexpensive in production cost and can reliably produce a Cu-Zn alloy layer with a desirable Zn concentration.例文帳に追加

生産コストが安価で、かつ所望のＺｎ濃度を有するＣｕ−Ｚｎ合金層を確実に得ることができる新規なワイヤ放電加工用電極線の製造方法の提供。 - 特許庁

In an abrasive grain layer 2 of the hybrid grinding wheel 1, super-abrasive grain 6 such as diamond and CBN is dispersed and mixed to a metal bond phase 4 obtained by mixing-sintering a powder of Cu and Sn.例文帳に追加

ハイブリッド砥石１の砥粒層２は、ＣｕとＳｎの粉末を混合焼結した金属結合相４にダイヤモンドまたはＣＢＮ等の超砥粒６を分散混合している。 - 特許庁

The orientational properties of the Ru intermediate film can be improved by film-forming the Ru intermediate layer on the Cu-Ge seed film, thus the noise of a recording medium can be reduced.例文帳に追加

該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。 - 特許庁

The fork terminal 1 is formed by punching a metal plate with plated layer of Au, Ag, etc., on the surface of metal plate material 2 made of Cu alloy, etc.例文帳に追加

このフォーク端子１は、Ｃｕ合金等からなる金属板の母材２の表面にＡｕ，Ａｇ等のメッキ層３が形成された金属板をパンチ処理により打ち抜いて形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

Super-abrasive grains 6 of diamond, or CBN, etc., are dispersed and mixed in a metallic bond phase 4 mixing and sintering powder of Cu and Sn in an abrasive grain layer 2 of a metal bonded grinding wheel 1.例文帳に追加

メタルボンド砥石１の砥粒層２は、ＣｕとＳｎの粉末を混合焼結した金属結合相４にダイヤモンドまたはＣＢＮ等の超砥粒６を分散混合している。 - 特許庁

The under plating layer 16 is made of metal or an alloy comprising one or more metal elements selected from the group consisting of Ni, Cu and Ag and has 1 to 500 nm thickness.例文帳に追加

この下地メッキ層１６は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇの群の中から選択される１種以上の金属元素からなる金属または合金とされ、厚みは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされる。 - 特許庁

The Sn containing layer may additionally contain at least one acid soluble metal ion supply source substance to be a Cu^2+ ion, Ni^2+ ion, or Cr^3+ ion supply source.例文帳に追加

Ｓｎ含有層は、Ｃｕ^2+イオン、Ｎｉ^2+イオンまたはＣｒ^3+イオンの供給源となる少なくとも１種の追加の酸可溶性金属イオン供給源物質をさらに含有していてもよい。 - 特許庁

The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.例文帳に追加

析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inexpensive Fe-Cu composite powder in which the amount of free copper powder is reduced and the increase in the hardness of a coating copper layer is suppressed.例文帳に追加

本発明は、遊離銅粉が少なく、被覆銅層の硬さの上昇を抑えた安価なＦｅ−Ｃｕ複合粉末を提供するため、その製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of forming multilayer interconnect structure in which wiring grooves are not exposed to prevent film peeling when a Cu layer on the outer peripheral edge of a wafer is removed.例文帳に追加

膜剥がれを防止するために、ウエハ外周縁部上のＣｕ層を除去する際、配線溝を露出させないようにした多層配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

An opening 14 for exposure of this diffusion layer 13 and a wiring groove 15 are formed and wiring materials are embedded mainly by a Cu wiring member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 0, an interlayer insulation film 10 formed on the substrate 0, a groove 10a on which a barrier metal layer 2 is formed, and a Cu interconnection line 100 formed in the groove 10a.例文帳に追加

半導体基板０上に形成された層間絶縁膜１０に設けられ、表面にバリアメタル層２が形成された溝１０ａにＣｕ配線１００が形成されてなる。 - 特許庁

In addition, since the Mo has a low contact resistance to the carbon nanotube 6, the good carbon nanotube 6 can be formed by securing a low-resistance connection with the lower-layer Cu wiring 1.例文帳に追加

さらに、Ｍｏはカーボンナノチューブ６との間の接触抵抗が低いため、下層Ｃｕ配線１との低抵抗接続を確保しつつ、良好なカーボンナノチューブ６を形成することができる。 - 特許庁

The surface-treating layer further can contain at least one kind of additional acid-soluble metal compound which becomes a feed source of Cu^2+ ion, Ni^2+ ion or Cr^3+ ion and a pigment.例文帳に追加

表面処理層はさらに、Ｃｕ^2+イオン、Ｎｉ^2+イオンまたはＣｒ^3+イオンの供給源となる少なくとも１種の追加の酸可溶性金属化合物および顔料を含有しうる。 - 特許庁

The photoelectric element includes a sulfide system compound semiconductor that contains Cu, Zn, Sn, and S and that does not contain a substance having Na and O and that uses this sulfide system compound semiconductor as a light-absorbing layer.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含み、Ｎａ及びＯを含む物質を含まない硫化物系化合物半導体、及びこれを光吸収層として用いた光電素子。 - 特許庁

By limiting an additional element amount of the core material and by limiting the area ratio of the copper or copper alloy coating layer, a Cu/Al composite wire excellent in extensibility and conductivity is provided.例文帳に追加

芯材の添加元素量の限定と銅または銅合金被覆層の面積比を限定することで、伸線性と導電性に優れたＣｕ／Ａｌ複合線を得ることができる。 - 特許庁

A wiring film is equipped with a TaN film formed using the above sputtering target, and concretely the wiring film is equipped with a barrier layer of a TaN film and a Cu film formed on it.例文帳に追加

配線膜はこのようなスパッタターゲットを用いて成膜したＴａＮ膜を具備し、具体的にはＴａＮ膜からなるバリア層とその上に形成されたＣｕ膜とを有する。 - 特許庁

The wiring pattern 7a is composed of copper (Cu), etc., and the coating layer 7b of a high resistance metal material such as nickel (Ni) coated on the entire peripheral surface of the pattern 7a is formed.例文帳に追加

配線パターン７ａは、銅（Ｃｕ）などからなり、この配線パターン７ａの全周面には、ニッケル（Ｎｉ）などの高抵抗金属材料がコーティングされたコーティング層７ｂが形成されている。 - 特許庁

The nickel alloy exhibits an antibacterial action originating in the photocatalytic function of the oxide which contains dispersed Ti in the surface layer, and further the alloy exhibits bactericidal action when it contains Cu in addition to Ti.例文帳に追加

このニッケル合金は、表面層に分散するチタンを含む酸化物により光触媒機能に基づく抗菌作用を示し、銅を含有する場合はさらに殺菌作用を示す。 - 特許庁

A Cu-Sn plating can be thereby omitted, the plating layer by Au plating or Pd plating or Pt plating can be made thin or omitted and the cost can be drastically reduced.例文帳に追加

これにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金メッキを省き、Ａｕメッキ又はＰｄメッキ又はＰｔメッキによるメッキ層を薄くしたり省くことができ、コストを大幅に下げることができる。 - 特許庁

A lower wiring layer A is composed of a first titanium film 102, a first titanium nitride film 103, a first Al-Cu film 104, a second titanium film 105, and a second titanium nitride film 106.例文帳に追加

下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。 - 特許庁

To provide the forming technology of multi-layers wiring capable of preventing the generation of pin holes on an etching stopper film upon forming a wiring, and suppressing the dissolution of Cu (copper) in an underlying wiring layer.例文帳に追加

配線形成時において、エッチングストッパー膜にピンホールが発生することを防止して下層配線層Ｃｕの溶解を抑制できる多層配線形成技術を提供する。 - 特許庁

Thus, the electrode of the chip 10 is patterned to be relocated at a desired position, and a Cu post 15 formed by electrolytically plating at the electrode position relocated by the layer 14.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１０の電極が所望の位置に再配置されるようにパターン化され、メタル層１４により再配置された電極位置には電解めっきでＣｕポスト１５が形成される。 - 特許庁

A power semiconductor module is formed by bonding two components by a Bi-based soldering material, and the surfaces to be bonded of the two components by the Bi-based soldering material are provided with a Cu layer.例文帳に追加

２つの部品の間を、Ｂｉ系ハンダ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系ハンダ材による被接合面にＣｕ層を備える。 - 特許庁

To attain a stable plasma state over a long period of time in the case where e.g. a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film is deposited by applying e.g. bias sputtering.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などを、例えばバイアススパッタを適用して形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状態を実現する。 - 特許庁

The active material layer is covered with a coating containing a complex compound consisting of at least one element of Y and Yb, and at least one element of Mn, Al, Fe, Cu, and Ag, or a complex compound consisting of at least one of Y and Yb, at least one of Mn, Al, Fe, Cu, and Ag, and at least one of Co and Ni.例文帳に追加

多孔性のニッケル焼結基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質が充填されてなるアルカリ蓄電池用ニッケル極において、多孔性のニッケル焼結基板に形成された活物質の表面部に、Y,Ybから選択される少なくとも１種の元素と、Mn,Al,Fe,Cu,Agから選択される少なくとも１種の元素との複合化合物又はY,Ybから選択される少なくとも１種の元素と、Mn,Al,Fe,Cu,Agから選択される少なくとも１種の元素と、Co,Ni から選択される少なくとも１種の元素との複合化合物を含む被覆層を設けた。 - 特許庁

A bilaminar structured electromagnetic shielding film comprising a first layer and a second layer is obtained by forming the first layer with a Cu-Ni gradient alloy with a current for evaporating a monel alloy varied from a low current value to a high current value in a vacuum evaporation method, and after that, by forming the monel alloy with the second layer by evaporating the monel alloy in the alloy composition.例文帳に追加

真空蒸着法を用いて、モネル合金を蒸発させるための電流を低電流値より高電流値として第１層をＣｕ−Ｎｉ傾斜合金で形成し、その後、モネル合金をその合金組成で蒸発させて第２層をモネル合金で形成することで、第１層と第２層からなる二層構造である電磁波シールド膜を得る。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

Deposited on a base substrate is a metal layer containing an alloy consisting of Cu and another metal of 20-50 weight % or a composite layer of Cu and the alloy, which is heat-treated to obtain an electrode with a thin film containing more other metals in the surface than the other portions.例文帳に追加

Ｃｕと２０〜５０ａｔ％の他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基体上に形成し、金属層を熱処理することにより、金属層の表面に、表面以外の部分より他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成することを特徴とする電極の形成方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

When an oxide superconductor is formed on Ag of the base material for forming the oxide superconductor of tape shape, Cu composition of the oxide superconductor layer that is formed directly on the above Ag is formed by supplying excessively than the Cu composition ratio of the oxide superconductor layer that is formed on top of it.例文帳に追加

テープ状の酸化物超電導体形成用基材のＡｇ上に酸化物超電導体を形成するに当たり、前記Ａｇ上に直接形成する酸化物超電導体層のＣｕ組成を、その上に形成する酸化物超電導体層のＣｕ組成割合よりも過剰となるように供給して形成することによって、目的とする酸化物超電導体を提供する。 - 特許庁

A sliding layer is formed from an alloy containing Sn, Sb, and Cu, wherein the mix proportion is 5-20 wt.% St, 0.5-20 wt.% Cu, and Sn as remainder, characterized by that lead content is <0.7 wt.%, the total content of the other components is <0.5 wt.%, and that Sn crystals in the sliding bearing layer have chiefly globular shape.例文帳に追加

滑り層は合金成分スズ、アンチモンおよび銅を含む合金から形成され、前記成分の割合が、アンチモン：５〜２０重量％、銅：０．５〜２０重量％、残部：スズであり、ここで、鉛の含有量が＜０．７重量％、他の成分の総含有量が＜０．５重量％であり、滑り軸受層においてスズ結晶が主に球状であることを特徴とする。 - 特許庁

An AlN layer or Si3N4 layer is used as the insulation board 24, a hard brazing material containing the active element is used as the first and second joining materials 26, 28, and an SiC composite material and a C/Cu composite material are used as the heat sink material 20.例文帳に追加

そして、絶縁基板２４としてＡｌＮ層又はＳｉ_3Ｎ_4層を用い、第１及び第２の接合材２６及び２８として、活性元素を含む硬ろう材を用い、ヒートシンク材２０として、ＳｉＣ／Ｃｕ複合材やＣ／Ｃｕ複合材を用いる。 - 特許庁

A hydrogen-absorbing alloy powder has a metal surface layer containing more Ni, Co and Cu than a matrix and the surface layer is dissociated from the matrix by ≥50% of the whole circumference length at the cross section of the powder owing to change/discharge for obtaining initial activity.例文帳に追加

母相よりＮｉ，Ｃｏ，Ｃｕリッチの金属表面層を有し、その表面層が初期活性のための充放電によって粉末断面における全周長の５０％以上母相から解離している水素吸蔵合金粉末。 - 特許庁

The joining part 2 is formed by arranging an Ag/Cu-based brazing material 5 having the thickness of 0.01 to 0.1 mm between an electrolytic nickel plating layer 6, by applying the electrolytic nickel plating layer 6 having the thickness of 3 μm or more to an interface surface of the opposed stainless sheets 1.例文帳に追加

接合部分２は、対向するステンレスシート１の接合面に厚さ３μｍ以上の電解ニッケルメッキ層６を施し、更に電解ニッケルメッキ層６間に厚さ０．０１〜０．１ｍｍのＡｇ／Ｃｕ系ロウ材５を配置したものである。 - 特許庁

Further, the thin film wiring is made such that the film having Cu or Ag as the main body is used as an intermediate layer, and upper and lower layers of the intermediate layer are formed with the alloy film containing Mo and V and/or Nb, and these three layers are laminated.例文帳に追加

また、ＣｕまたはＡｇを主成分とする膜を中間層として、該中間層の上層と下層をＭｏを主体としてＶおよび／またはＮｂを含有する合金膜で形成する３層で積層されている薄膜配線である。 - 特許庁

This method comprises steps of bringing the gas into contact with a catalyst layer containing one or more types of elements selected from the group consisting of Pd, Fe, Ni, Co, Mn and Cu and then bringing the gas into contact with a particulate matter layer of a bicarbontate such as sodium bicarbonate.例文帳に追加

前記ガスを、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ及びＣｕからからなる群より選ばれる一種以上の元素を含む触媒層に接触させ、次いで炭酸水素ナトリウム等の炭酸水素塩の粒状物層に接触させる。 - 特許庁