「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

(2) In this manufacturing method of the optical recording medium relating in (1), the recording layer is made of a Bi oxide or of the Bi oxide and the oxide of at least one element selected from the group consisting of B, Cu, Fe and Zn.例文帳に追加

（２）記録層がＢｉ酸化物、又は、Ｂｉ酸化物とＢ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物からなる（１）記載の光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A super resolution mask containing a polymer acquired by reacting for example, a porphyrin polymer coordinated by a Cu atom and iodine, is arranged at a incident side where a recording and reproducing beam to a recording layer of the optical recording medium having the recording layer set up on a substrate, enters.例文帳に追加

基板上に記録層を設けた光記録媒体の該記録層への記録・再生光が入射する側に、例えばＣｕ原子が配位したポルフィリン重合体とヨウ素を反応させて得られた重合体を含有する超解像マスクを設ける。 - 特許庁

After the preliminary solder layer 10 is aligned with and contacted to the solder bump 13, they are heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the preliminary solder layer 10 and the solder bump 13, for melting to form a solder connection part 6 made of Sn alloy containing Ag and Cu.例文帳に追加

予備半田層１０と半田バンプ１３とを位置合せしつつ接触させた後、予備半田層１０及び半田バンプ１３の融点以上の温度に加熱して溶融させ、Ａｇ及びＣｕを含むＳｎ合金からなる半田接続部６を形成する。 - 特許庁

A connection pitch L4 is made smaller than that of a connecting method using Cu core-containing solder balls by using metal paste for electric connection between an upper layer-side wiring board 20 and a lower layer-side wiring board 10 which are stacked, and the connection is made at low temperature.例文帳に追加

積層された上層側配線基板２０および下層側配線基板１０の電気的接続に金属ペーストを使用することで、Ｃｕコア入り半田ボールを使用した接続方法に比べ接続ピッチＬ４を小さくし、低温での接続を実現する。 - 特許庁

A bump electrode 26, composed of a Cu plating layer 22 having straight side walls and a solder plating layer 24, is provided on each electrode pad 14 via a double-structured common electrode film 21 in the opening 16a of the film 16 on the top surface of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

その絶縁膜（１６）の開口部（１６ａ）を通して、各電極パッド（１４）上にそれぞ２層構造の共通電極膜（２１）を介して、両側壁がストレートウオール状の銅めっき層（２２）と半田めっき層（２４）からなる突起電極（２６）を設けている。 - 特許庁

The recording layer contains one or two or more elements selected from the group consisting of Ge, Sb and Si and the reflective layer contains one or two or more elements selected from the group consisting of Al, Cu, Ag and Au for reflecting reproducing light.例文帳に追加

記録層としては、Ｇｅ、Ｓｂ及びＳｉからなるグループから選ばれた１種又は２種以上の元素よりなり、反射層としては、再生光を反射させるための、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕからなるグループから選ばれた１種又は２種以上の元素よりなる。 - 特許庁

An uppermost layer of an electrode pad whereto a bump and a plating film are to be applied is formed of a metal of large ionization tendency, especially Al, and an uppermost layer of an electrode pad whereto a bump and a plating film are not to be applied is formed of a metal of small ionization tendency, especially Cu.例文帳に追加

バンプやめっき被膜をつけようとする電極パッドの最上層部をイオン化傾向の大きい金属、特にＡｌで形成し、バンプやめっき被膜をつけようとしない電極パッドの最上層部をイオン化傾向の小さい金属、特にＣｕで形成する。 - 特許庁

A wiring board is one constituted into a structure, wherein a base layer 5 consisting of an epoxy resin is formed on the surface of an about 0.8-mm thick BT board 3 consisting of a bismaleimide triazine(BT) resin containing a glass fiber and moreover, Cu wirings 7 are formed on the layer 5.例文帳に追加

配線基板１は、ガラス繊維を含むビスマレイミド・トリジアン（ＢＴ）樹脂からなる厚さ約０．８ｍｍのＢＴ基板３の表面上に、エポキシ樹脂からなる下地層５が形成され、更に下地層５の上にＣｕ配線７が形成されたものである。 - 特許庁

A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm.例文帳に追加

半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁

This bearing 1 has the sliding surface 10 composed of a white metal layer 13 on the base 11 composed of the Cu alloy, and is characterized in that the base 11 forms a fine recess-projection part 15 on the sliding surface 10 side, and is covered with a plating layer 12 composed of ferromagnetic metal or its alloy, and is formed with the white metal layer 13 via the plating layer 12.例文帳に追加

Ｃｕ合金からなる基台１１にホワイトメタル層１３からなる摺動面１０を有する軸受１であって、前記基台１１は前記摺動面１０側に微細凹凸部１５が形成されるとともに強磁性金属又はその合金からなるめっき層１２が被覆され、前記めっき層１２を介してホワイトメタル層１３が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer and a charge generation layer on a conductive support, the charge generation layer contains a moisture agent and the titanylphthalocyanine pigment having the maximum peak when the Bragg angle 2θ of X-ray diffraction spectrum using Cu-Kα characteristic X-ray (wavelength 1.541A) is 27.2±0.2°, and also the intermediate layer contains titanium oxide particles.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層、電荷発生層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層がＣｕ−Ｋα特性Ｘ線（波長１．５４１Ａ）を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角２θが２７．２±０．２°に、最大ピークを有するチタニルフタロシアニン顔料と保湿剤を含有し、且つ中間層が酸化チタン粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The oxide superconductor SA comprises an oxide superconductor base TA composed of a tape-form metallic main material a and an Ag layer b possessing rolled texture formed on at least one surface side of the metallic main material a, a diffused layer c formed with Cu diffused on a surface layer part of the Ag layer b of the base TA, and an oxide superconducting layer d formed on the diffused layer c.例文帳に追加

テープ状の金属母材ａと、該金属母材ａの少なくとも一面側に形成された圧延集合組織を有するＡｇ層ｂとを備えた酸化物超電導導体用基材Ｔ_Aと、前記基材Ｔ_AのＡｇ層ｂの表層部にＣｕが拡散されて形成された拡散層ｃと、前記拡散層ｃ上に形成された酸化物超電導層ｄとを備えたことを特徴とする酸化物超電導導体Ｓ_A及びその製造方法を採用する。 - 特許庁

The oxide superconductor S has an oxide superconducting layer b obtained through a method to form a film by a chemical reaction of oxide superconductor raw material gas on at least one surface side of a tape- form base material 38 containing Ag in it, on a surface layer part of the base material 38 formed a diffused layer c with Cu diffused, and the oxide superconducting layer formed on the diffused layer c.例文帳に追加

Ａｇを含むテープ状の基材３８の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させて前記基材上に成膜する方法により得られた酸化物超電導層ｂを有し、前記基材３８の表層部に、Ｃｕが拡散された拡散層ｃが形成され、該拡散層ｃ上に前記酸化物超電導層が形成されたことを特徴とする酸化物超電導導体Ｓ及びその製造方法。 - 特許庁

To enable the effective development of an action of a metal such as Ag, Cu and Zn in a surface-treatment of a substrate having a glass layer and provide a product having a glass layer, etc., imparted with excellent surface characteristics and producible with suppressed loss of the metal.例文帳に追加

ガラス層をもつ基体の表面処理方法及びガラス層をもつ製品に関し、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属による作用を効果的に発揮可能とするとともに、それらの金属の無駄を生じさせず、かつ製品に優れた表面性状をもたせ得るようにする。 - 特許庁

An insulating layer 3 made up of Al_2O_3 is formed on the inside surface of the base plate 1 to cover the whole mounting areas of the three flat plates 2, and wiring layers 4 composed of Cu are formed on the surface of the insulating layer 3 corresponding to the mounting areas of each flat plates 2.例文帳に追加

また、ベース板１の内面上には３つの平板部分２の搭載領域全体を覆うようにＡｌ_２Ｏ_３からなる絶縁層３が成膜され、絶縁層３の表面上には各平板部分２の搭載領域に対応してＣｕからなる配線層４が成膜されている。 - 特許庁

The sliding member is composed of a first member and a second member which relatively move to each other, wherein a sliding surface of the first member is formed of a hard carbon layer (for example, DLC) containing 1B group metal (Cu, Ag and Au), and a sliding surface of the second member is formed of a hard carbon layer.例文帳に追加

互いに相対移動する第１部材と第２部材とで構成される摺動部材において、第１部材の摺動面を１Ｂ族金属（Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ）を含有する硬質炭素層（例えば、ＤＬＣ）とし、第２部材の摺動面を硬質炭素層とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a copper alloy strip, when three layer plating of Ni/Cu/Sn is applied to the surface of a copper alloy strip, and thereafter, reflowing treatment is performed, after the reflowing, an Sn or Sn alloy layer is left on the outermost surface, and intermetallic compound phases are not exposed to the surface.例文帳に追加

銅合金条の表面にＮｉ／Ｃｕ／Ｓｎの３層めっきを施した後、リフロー処理を行う場合、リフロー後に最表面にＳｎまたはＳｎ合金層が残存し、金属間化合物相が表面に露出することがない銅合金条の製造方法を提供する。 - 特許庁

An Al metal layer 22 is formed on the entire outer surface of a water-side tube 20 the base material 21 of which includes Cu metal, and the Al metal layer 22 of the water-side tube 20 and a refrigerant-side tube 30 the base material 31 of which is Al metal are joined using metal by brazing.例文帳に追加

母材２１がＣｕ金属で構成された水側チューブ２０の外面全体に、Ａｌ金属層２２を形成し、水側チューブ２０のＡｌ金属層２２と、母材３１がＡｌ金属である冷媒側チューブ３０とを、ろう接によって金属的に接合する。 - 特許庁

In the semiconductor device 100 in which an insulating layer 105 having an overhung section 109 protruded from the end face of a silicon substrate 101 is formed on the element forming surface of the substrate 101, the overhung section 109 has Cu wiring 107 buried in the insulating layer 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１の素子形成面に絶縁層１０５が設けられ、絶縁層１０５がシリコン基板１０１の端面から突出した張出部１０９を有する半導体装置１００において、張出部１０９は絶縁層１０５中に埋設されたＣｕの配線１０７を有する。 - 特許庁

On the surface of the substrate 11 provided with the alloy layer 17, a washing liquid which dissolves Mn selectively to Cu is supplied and dissolves the Mn in the alloy layer 17 which does not contribute to forming of the self-forming barrier film into the washing liquid to remove selectively.例文帳に追加

次いで、合金層１７が設けられた状態の基板１１の表面に、Ｃｕに対してＭｎを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層１７中のＭｎを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device having a wiring structure which can avoid problems arising when a Cu material is used and suppress a disclination defect due to a step of a lower-layer side wiring line and a wire breaking defect of an upper-layer side wiring line, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A first green sheet 10 containing a foundation material such as a non-glass-based material is formed, a metal paste layer 11 containing metal components such as Ag and Cu is provided thereupon, and a restriction layer 12 is formed thereupon using paste containing a hard-to-sinter ceramic material.例文帳に追加

本発明においては、まず、非ガラス系材料等の素地材料を含むグリーンシート１０を形成し、その上に、ＡｇやＣｕ等の金属成分を含む金属ペースト層１１を設け、さらに、その上に、難焼結性のセラミック材料を含むペーストを用いて拘束層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a barrier layer material which is suitable for preventing the diffusion of oxygen in Ta_2O_5 by heat treatment while the dielectric constant of the Ta_2O_5 is maintained at a high level in a MIM capacitor using a Ta_2O_5 dielectric layer on Cu wiring, and to provide a method of manufacturing the MIM capacitor.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に誘電体層Ｔａ_２Ｏ_５を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、Ｔａ_２Ｏ_５の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるＴａ_２Ｏ_５中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することである。 - 特許庁

The Tin-plated extra-fine copper wire 11 has ≤0.1 mm wire diameter and can be manufactured by forming an Sn-(0.2 to 7.0) mass% Cu-(0.002 to 0.05) mass% Fe plating layer 13 on the outer periphery of an extra-fine copper wire 12 composed of copper or copper alloy to ≥0.05 μm layer thickness.例文帳に追加

本発明に係るＳｎめっき極細銅線１１は、線径が０．１ｍｍ以下のＳｎめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線１２の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ−０．００２〜０．０５ｍａｓｓ％Ｆｅめっき層１３を、０．０５μｍ以上の層厚で形成したものである。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell.例文帳に追加

溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

This composite electromagnetic shielding material comprises a conductive core made of metal foil whose main component is Al, a dry Cu plated layer and a metal plated layer in order from bottom up on either side of an organic resin film and has a fracture elongation of 5% or more.例文帳に追加

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔からなる導電性芯体、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層が形成されてなり、破断伸度が５％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In this lead-acid battery equipped with a negative electrode lattice having a lattice base material provided with the ear porion 1 and lattice portions 2, 3 and a surface layer disposed only on the surface of the ear potion, the surface layer contains lead as a main material and at least one kind of Ag, Bi, Co, Cu, Fe, Ge, Ni, and Zn.例文帳に追加

耳部１と格子部２、３とを備えた格子基材と前記耳部の表面にのみ配された表面層とを有する負極格子を備えた鉛蓄電池において、前記表面層は鉛を主材としてＡｇ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｎｉ，およびＺｎの少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁

A metal/insulator thin film heterostructure is used for a cold- cathode material forming a field emission element, one of diamond, AIN, and c-BN is used for an insulator layer, and one of Cu, Sn-Pb, Al, Ag, Au, W is used for a metal layer.例文帳に追加

電界放出素子を構成する冷陰極材料に金属／絶縁体薄膜ヘテロ構造を用いるにあたり、絶縁体層としてダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃ−ＢＮのいずれか一種を用い、金属層としてＣｕ、Ｓｎ−Ｐｂ，Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗのいずれか一種を用いる。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

A mixed gas including the desired amount of CO gas and O_2 gas in addition to the CO_2 gas as the major element is used for baking, in the reducing atmosphere, a laminated body 1 of a dielectric material layer 2 of oxide such as PZT, and an internal electrode layer 3 which is mainly formed of base material such as Cu.例文帳に追加

ＰＺＴ等の酸化物誘電体層２とＣｕ等の卑金属を主成分とする内部電極層３との積層体１を、還元雰囲気中で焼成する際に、ＣＯ_2 ガスを主成分とし、任意量のＣＯガスおよびＯ_2 ガスを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁

In a Sn-plated extra fine copper wire with a diameter of 0.1 mm or less, the objective copper wire 11 is characterized by having a Cu-base plated layer 13 containing Sn of 0.2-0.7 mass% with layer thickness of 0.05 μm or more, around the extra fine copper wire 12 consisting of copper or a copper alloy.例文帳に追加

本発明に係るＳｎめっき極細銅線１１は、線径が０．１ｍｍ以下のＳｎめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線１２の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ系めっき層１３を、０．０５μｍ以上の層厚で形成したものである。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric element that uses an inexpensive base metal material such as Cu as an electrode, can sufficiently join an electrode material such as the Cu to a ceramic material, and can fully show characteristics in a dielectric ceramic layer, to provide a method for manufacturing the laminated dielectric element, and to provide a paste material for electrodes.例文帳に追加

Ｃｕ等の低価格の卑金属材料を電極として使用して，Ｃｕ等の電極材料とセラミック材料とを十分に接合させることができると共に誘電セラミック層の特性を十分に発揮させることができる積層型誘電素子及びその製造方法，並びに電極用ペースト材料を提供すること。 - 特許庁

The Cu-plated steel sheet for a spring comprises a substrate steel sheet and a Cu-plating layer and has a spring limit value of 250 MPa or higher and a conductivity of 12% IACS or higher.例文帳に追加

基材鋼板が下記（１）式，（２）式を満たす化学組成と、フェライト＋球状セメンタイト組織，フェライト＋パーライト組織，パーライト組織のいずれかの加工された金属組織と、３００ＭＰａ以上のばね限界値を有し、Ｃｕめっき層が下記（３）式を満たす厚さである、ばね限界値２５０ＭＰａ以上、導電率１２％ＩＡＣＳ以上のばね用Ｃｕめっき鋼板。 - 特許庁

By using a reactive gas in which Cl_2 and/or HBr is added to HI, the reactive gas is dissolved with high density plasma, and the iodine is made to react with the Cu layer not covered with the mask, to produce Culx.例文帳に追加

ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用いて、該反応性ガスを高密度プラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層を反応させＣｕｌｘを生成させる。 - 特許庁

The protective layer 10 includes MgO as a base material 94 and a compound comprising at least one element selected from the group consisting of V, Mn, Co, Ni, Cu, Mo and W, Ca and O, as a metal oxide 95.例文帳に追加

保護層１０は、母材９４としてＭｇＯと、金属酸化物９５としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物とを有する。 - 特許庁

As compared with conventional structures where the first protective layers are not formed or structures where the first protective layers are formed of Al, Ti, Cu or IrMn, magnetostriction is indicated low in the free magnetic layer and change rate in the resistance is high.例文帳に追加

これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、フリー磁性層の磁歪が低く、かつ高い抵抗変化率を示す。 - 特許庁

Consequently, Cu having less resistance than Al is usable and the lower-layer wiring line can be formed thickly, so the display quality of the liquid crystal display device which is large-sized and has high density and a large aperture ratio can be improved.例文帳に追加

これによりＡｌよりも抵抗の小さいＣｕを使用可能とし、下層配線を厚く形成できるため、大型、高密度かつ開口率の大きい液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。 - 特許庁

The seal ring body 10 is soldered surely and hermetically to the seal layer of a semiconductor package, using silver solder produced by melting the Ag plating 14 and Cu plating 12, such that no leakage path is generated.例文帳に追加

そして、そのＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とを溶融させてなる銀ろうを用いて、シールリング本体１０を半導体パッケージのシール層にリークパスが発生しないように的確に気密にろう付けできるようにする。 - 特許庁

The substrate layer 40 consists of a material mainly consisting of at least one kind of metal selected from Cu, Co, Pd, Au, Ag, In, Sn, Ni, Ti, Zn, Cr, Al and Fe or an alloy containing the same metal.例文帳に追加

下地層４０は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、ＡｌおよびＦｅのうちの少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を主とする材料で構成されるものである。 - 特許庁

Since the Cu plated layer 36 extends, the concentrated stress to a tip on the principal surface 28 can be dispersed and a crack caused in mounting external electrodes 23, 24 can be suppressed.例文帳に追加

このように、Ｃｕめっき層３６を伸ばすことにより、外部電極２３，２４の、主面２８上での先端部分への応力の集中を分散することが可能となり、実装時に生じ得るクラックを抑制することができる。 - 特許庁

An FSG film 3 is subjected to moisture proofing, by covering the FSG film 3 formed on a laminated wiring layer 2 consisting of a TiN film 2a, an Al-Cu film 2b, a Ti film 2c and a TiN film 2d with an NSG film 4.例文帳に追加

ＴｉＮ膜２ａ、Ａｌ−Ｃｕ膜２ｂ、Ｔｉ膜２ｃおよびＴｉＮ膜２ｄからなる積層配線層２上に形成されたＦＳＧ膜３を、ＮＳＧ膜４で覆うことにより、ＦＳＧ膜３を防湿する。 - 特許庁

A structure connected by a dummy Cu pattern 43B and a dummy via plug 47D of the lower wiring layer is added to a region of a tip relative to the extension 47B in order to prevent a poor connection by stress migration at the connection thereof.例文帳に追加

この接続部でのストレスマイグレーションによる接続不良を防止するため延出部４７Ｂより先端部の領域に下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄで接続する構造を追加する。 - 特許庁

A laminate structure 20 formed on lower-layer Cu wiring 3 includes a cap insulation film 4 containing silicon and carbon, and a SiOCH film as a wiring insulation film 5 formed on the cap insulation film 4.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。 - 特許庁

Then, after a protection film 16 composed of an organic resin is formed on the whole surface thereof, an opening is formed therein to expose the barrier layer 13, and a mold for a copper (Cu) electrode 17 is formed of the protection film 16.例文帳に追加

そして、その全面に有機樹脂からなる保護膜１６を成膜した後、バリア層１３が表出されるようにこれを開口し、該保護膜１６によって銅（Ｃｕ）電極１７の型枠材を形成する。 - 特許庁