「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The color filter has a colored layer, wherein the colored layer shows a diffraction peak of which the half-value width is ≥0.6° at a Bragg angle of 28±1° in an X-ray diffraction spectrum for a Cu-Kα ray.例文帳に追加

着色層を有するカラーフィルタであって、該着色層が、Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２８±１°に、半値幅が０．６°以上の回折ピークを示すカラーフィルタ。 - 特許庁

An Ag-2 mol% Cu alloy is deposited to 30 nm thickness as a reflecting layer 2 on a flexible substrate 1 made of a polyester film (PET), on which silicon nitride is deposited to 8 nm thickness as a first protective layer 3.例文帳に追加

ポリエステルフィルム（ＰＥＴ）のフレキシブル基板１に反射層２としてＡｇ−２ｍｏｌ％Ｃｕ合金を３０ｎｍ成膜した上に、第１保護層３として窒化シリコンを８ｎｍ形成する。 - 特許庁

The electronic device has the insulating film in which a recess is formed, a wiring layer which is formed in the recess and contains Cu, and the base film which is formed between the insulating film and wiring layer and contains Ta and Mn.例文帳に追加

電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 - 特許庁

The top layer is provided with a wiring layer M5 based on a metal member (Cu, for example) having diamagnetism properties, and it is connected with the high-concentration zone 12 of the substrate through a via hole VIA.例文帳に追加

最上層において、反磁性の性質を有する金属部材（例えばＣｕ）による配線層Ｍ５が設けられており、基板の高濃度領域１２とビアＶＩＡを介して接続されている。 - 特許庁

A resin plate (resin layer) 10 having interlayer conduction structure formed of vias (Ag pin) 13 and a resin plate (resin layer) 20 having an interlayer conduction structure formed of vias (Cu pin) 23 are combined.例文帳に追加

ビア（Ａｇ製のピン）１３により層間導通構造を有する樹脂板（樹脂層）１０と，ビア（Ｃｕ製のピン）２３により層間導通構造を有する樹脂板（樹脂層）２０とを組み合わせる。 - 特許庁

The Cu plating layer 35 of a low melting point metal layer is melted by heating it at less than the maximum heating temperature of 1200°C at lower than a melting point of the Ti group metal base 11 and each of the plating layers 31, 32, 35.例文帳に追加

Ｔｉ基金属基板１１及び各めっき層３１，３２，３５の融点以下で最大加熱温度１２００℃以下で加熱して、低融点金属層のＣｕめっき層３５を溶融させた。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head and a manufacturing method of the thin film magnetic head in which oxidation of a Cu layer of a lead conductor layer and a connection pad can be suppressed without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The W layer 47 is laminated so as to be in contact with the Cu wiring 35, 43 via a barrier metal layer 39, and desirable to be at least 10 nm and at most 100 nm in film thickness.例文帳に追加

Ｗ層４７は、Ｃｕ配線３５，４３にバリアメタル層３９を介して接するように積層されており、特に１０ナノメートル以上、１００ナノメートル以下の膜厚に形成されることが好ましい。 - 特許庁

Also, through a second barrier layer 22 provided on the first barrier layer 21, the connection hole 15 and the wiring groove 16 are respectively provided with a viahole 18 and a wiring 19 composed of Cu.例文帳に追加

また、第１のバリア層２１上に設けられた第２のバリア層２２を介して、接続孔１５および配線溝１６にはＣｕからなるビア１８および配線１９がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

To provide a wiring structure which demonstrates an excellent low contact resistance even if a barrier metal layer, normally provided between a Cu group alloy wiring film and a semiconductor layer, is omitted, with excellent adhesion provided.例文帳に追加

Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。 - 特許庁

In this method, the p-type group III-V compound semiconductor layer contains Al and the catalytic layer contains at least one kind of Ni, Ag and Cu.例文帳に追加

この方法において、本発明の特徴は前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層がＡｌを含んでおり、かつ、触媒層がＮｉ、ＡｇまたはＣｕのうちの少なくとも１種類を含んでいる。 - 特許庁

In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加

基板（１７）は表面にＭｏ導電膜（２）を形成したガラス（１）を用い、その上にＩｎ層（３）とＣｕ−Ｇａ層（４）とが交互に繰り返して前駆体薄膜（５）を形成している。 - 特許庁

By etching after coating and calcining a Ti-Ag-Cu based active metal paste, the heater substrate equipped with the heat generating resister layer having a titanium nitride layer as the main component can be obtained.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ系活性金属ペーストを塗布、焼成した後、エッチングすることにより、窒化チタン層を主成分とする発熱抵抗体層を具備したヒーター基板を得ることができる。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

A partition region 4 is formed by Cu, an aluminum thin film 5 as a light reflection layer is formed on the surface at the inlet side, and a C (carbon) film 6 is formed at the outlet side as a protective layer.例文帳に追加

隔壁領域４はＣｕから形成され、また入口側の表面には光の反射層としてアルミニウム薄膜５が形成され、出口側には保護層としてＣ（炭素）膜６が形成されている。 - 特許庁

Next, the barrier film 108 and the Cu film 111 are removed from a surface of the FSG film 105 by a CMP to form a second wiring layer 112.例文帳に追加

次に、ＣＭＰによりＦＳＧ膜１０５の表面のバリア膜１０８およびＣｕ膜１１１を除去し、第２配線層１１２を形成する。 - 特許庁

The metal material includes a padding layer formed on the surface of a base metal containing Cu of 0.7 to 3.0% in a hot tool steel material.例文帳に追加

熱間工具鋼材料に０．７〜３．０％のＣｕを含有している、金属母材の表面に肉盛り層を形成するための金属材料。 - 特許庁

After this Cu plating, the metal die member 74 is extracted and the Ni plating layer 4 is transferred to the side wall and the bottom of the accommodation space 2 of the package body 3.例文帳に追加

このＣｕメッキの後、金型部材７４を取り出して、Ｎｉメッキ層４を、パッケージ本体３の前記収納空間２の側壁と底部とに転写させる。 - 特許庁

To provide a multi-layer wiring forming technology which can inhibit electrochemical melting of a lower wiring Cu in a wiring forming process and has high reliability.例文帳に追加

配線形成工程における下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解を抑制できる、信頼性の高い多層配線形成技術を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element using a Cu-In-Te thin film having a high carrier mobility in a light absorption layer, and to provide a solar cell.例文帳に追加

キャリア移動度の高いＣｕ−Ｉｎ−Ｔｅ薄膜を光吸収層に用いた光電変換素子および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent a passivation film from being removed from top-layer wiring composed of materials whose principal constituent is Cu.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とする材料からなる最上層配線からのパッシベーション膜の剥離を防止することができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The Cu-Sn alloy layer 23 having an intermediate coefficient of linear expansion of the coatings is formed between the Ni coating 22 and the Sn coating 24.例文帳に追加

Ｎｉめっき被膜２２とＳｎめっき被膜２４との間に、各被膜の中間の線膨張係数を有するＣｕ−Ｓｎ合金層２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a barrier layer of a Cu wiring used in a semiconductor element etc., and the sputtering target.例文帳に追加

半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a copper-based sliding material in which coarsening of a Bi phase in a Cu alloy layer produced by a continuous sintering process is suppressed, and which has excellent fatigue resistance.例文帳に追加

連続焼結法にて作製されるＣｕ合金層中のＢｉ相の粗大化を抑制し、耐疲労性に優れた銅系摺動材料を提供する。 - 特許庁

A void 26 is formed in a wiring groove in which Cu wiring 31 constituting the lower-layer wiring is buried by partially removing the upper part of the wiring 31.例文帳に追加

下層配線層であるＣｕ配線３１の上部の一部を除去し、Ｃｕ配線３１が埋め込まれた配線溝内に空隙２６を形成する。 - 特許庁

According to this method, the oozing of Cu can be restrained even when the columns superposed in respective layers are deviated into horizontal direction with respect to the wiring layer.例文帳に追加

これにより、各層で積み重ねられた支柱が配線層に対して水平方向にずれた場合であっても、Ｃｕの染み出しを抑制することができる。 - 特許庁

The Cu wiring is brought into contact with the second layer insulating film 202 in an upper end portion thereof and covered with the barrier metal film 203 in a lower portion thereof.例文帳に追加

Ｃｕ配線は、第２の層間絶縁膜２０２とその上端部において接し、これよりも下部においてはバリアメタル膜２０３により覆われている。 - 特許庁

In order to make a seed layer have a high adhesive strength to a substrate W, metallic ions of Cu, etc., are brought into collision with the substrate W with higher energy.例文帳に追加

基板Ｗに対するシード層の高い付着強度を確保するために、Ｃｕ等の金属イオンをさらに高エネルギーで基板に衝突させる。 - 特許庁

On the second interlayer insulating film 8, an upper layer wiring 10 made of Cu is buried into a second groove 9 formed by digging down from the top surface.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８には、その上面から掘り下げて形成された第２溝９に、Ｃｕからなる上層配線１０が埋設されている。 - 特許庁

The morphous carbon 19 is shaped spherical and furnished on its outer surface with metal-covered layer 18 consisting of a metal having a high terminal conductivity, for example Cu.例文帳に追加

アモルファスカーボン１９は球状とし、その外表面上に熱伝導性の高い金属として例えばＣｕからなる金属被覆層１８を設けた。 - 特許庁

The electrodes 14a and 14b are provided with a four-layer structure of first electrode layers 16a and 16b to fourth electrode layers 22a and 22b, composed of Ni-Ti and Cu.例文帳に追加

電極１４ａ、１４ｂは、Ｎｉ−Ｔｉ、Ｃｕからなる第１電極層１６ａ、１６ｂ〜第４電極層２２ａ、２２ｂの４層構造を有する。 - 特許庁

To provide an array substrate which has a narrowed frame area and is excellent in reliability of wiring by suppressing the occurrence of voids in a Cu plating layer.例文帳に追加

Ｃｕメッキ層におけるボイドの発生を抑制することにより、額縁領域が狭小化され、且つ配線の信頼性に優れたアレイ基板を提供する。 - 特許庁

A thick reflector layer which is selected from a group including Al, Cu, Au, Rh, Pd and Ag and is combined by any multilayers is deposited on the ohmic contact point material.例文帳に追加

Ａl、Ｃu、Ａu、Ｒh、Ｐd、Ａgを含むグループから選択された、及び何等かの多層組合せの厚い反射器層がオーミック接点材料の上に堆積される。 - 特許庁

The Cu plating layer 17b is connected to a source area 13A and a drain area 13B of the thin-film transistor via a contact hole 18.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース領域１３Ａ及びドレイン領域１３Ｂにコンタクトホール１８を介してＣｕメッキ層１７ｂが電極として接続されている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate low in contact resistivity and excelling in adhesiveness even when a Cu-based alloy wiring film is directly connected to a semiconductor layer.例文帳に追加

Ｃｕ系合金配線膜を半導体層と直接接続しても接触抵抗率が低く、かつ密着性に優れた薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a plating method which can deposit Cu in a recess without depending on a kind of a semiconductor device and the surface area of each wiring layer in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の品種や半導体装置内の各配線層の表面積に依存性せず凹部にＣｕを埋め込むことを目的とする。 - 特許庁

The base metal layer 3 is in the laminated structure of titanium (Ti) or a titanium alloy and copper (Cu) or gold (Au) or palladium (Pd), and is formed by sputtering.例文帳に追加

下地金属層３はチタン（Ｔｉ）又はチタン合金と、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）又はパラジウム（Ｐｄ）との積層構造であり、スパッタリングにより形成される。 - 特許庁

To provide an improved barrier layer for a Cu-Damascine structure with an insulator having low dielectric constant, and a method for producing such structure accompanied therewith.例文帳に追加

低誘電率の絶縁体を有する銅ダマシン構造用の改善されたバリア層、およびそれに伴うこのような構造を製作する方法を提供すること。 - 特許庁

This rare-earth permanent magnet has a plated Cu coating film having an oxidized surface as the outermost layer on its surface.例文帳に追加

その表面が酸化処理されたＣｕめっき被膜を磁石表面の最表層として有することを特徴とする希土類系永久磁石である。 - 特許庁

The tin plating layer 2c has a thickness of 5 μm, for example, and contains tin and copper (Cu) at a weight ratio of 97:3 in this order.例文帳に追加

錫めっき層２ｃは、例えば５μｍの厚さを有するとともに、錫および銅（Ｃｕ）をこの順で例えば９７：３の重量の比率で含む。 - 特許庁

Each of the plurality of the electrodes 12, 22 has an Ag alloy electrode layer 14 or 22 including an Ag alloy containing Ag, Pd and Cu.例文帳に追加

複数の電極１２および２２のそれぞれは、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕを含むＡｇ合金を含むＡｇ合金電極層１４または２２を有する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises an electrically conductive body which includes a Cu film 120 and a barrier metal film 118, and is provided passing through the multi-layer insulating film 140.例文帳に追加

この半導体装置は、多層絶縁膜１４０を貫通して設けられ、Ｃｕ膜１２０およびバリアメタル膜１１８を含む導電体を備える。 - 特許庁

A first methyl group content silicon nitride film 15a is arranged on a lower layer insulating film 12 where first Cu wiring 14a is formed.例文帳に追加

たとえば、第一のＣｕ配線１４ａが形成された下層絶縁膜１２上には、第一のメチル基含有窒化珪素膜１５ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a laminated piezoelectric element capable of suppressing the occurrence of migration of Cu constituting an internal electrode layer and having superior conductivity.例文帳に追加

内部電極層を構成するＣｕのマイグレーション発生を抑制し、優れた導電性を有する積層型圧電体素子とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, a lower layer electrode film 21 made of Ti (or a Ti alloy) is provided between the piezoelectric substrate 2 and the electrode film (or Cu alloy electrode film) 22.例文帳に追加

また、圧電基板２と、Ｃｕ電極膜（又はＣｕ合金電極膜）２２との間に、Ｔｉ（又はＴｉ合金）からなる下層電極膜２１を設ける。 - 特許庁