「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A Cu layer 8 is made of a thick film by constituting the same so as to be projected from the surface of an insulating film 4 whereby the thickness of the insulating film 4 can be thinner than before.例文帳に追加

Ｃｕ層８を絶縁膜４の表面から突出した構造とすることで厚膜にし、絶縁膜４の膜厚を従来よりも薄くできるようにする。 - 特許庁

A cover layer 85 made of a metal lower in melting point than copper, e.g., an Sn-Cu alloy is formed on the outer periphery of one obtained, by copper-plating the connection member 80 to be zinc die cast.例文帳に追加

結合部材８０を亜鉛ダイカストに銅メッキしたものの外周に、銅よりも融点の低い金属、例えばＳｎ−Ｃｕ合金の被覆層８５を形成する。 - 特許庁

The surface layer part 12 may be a metal capable of being solid-soluted for the solder part 11, for example, a metal containing one or more elements selectable from among Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Sb, Ge, In, and Bi.例文帳に追加

表層部１２は、ハンダ部１１に対して固溶可能な金属、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂｉから選択される１種あるいは２種以上の元素を含んだものであればよい。 - 特許庁

The lead frame 1 is formed of, for instance, Cu, and a Au or Pd thin-film layer 14 allowing wire bonding and hardly causing migration is formed on the surface thereof.例文帳に追加

リードフレーム１は、例えばＣｕから構成されていて、その表面にワイヤボンダ可能で、かつ、マイグレーションの発生しにくいＡｕ又はＰｄ薄膜層１４が設けられている。 - 特許庁

The transparent conductive film 11, an underlying adhesion film 30, a main conductor layer 31 having Cu as a main component, and an antioxidation film 32 are formed one by one on the main surface of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の主面に透明導電膜１１、下地密着膜３０、Ｃｕを主成分とする主導体層３１、酸化防止膜３２が順に形成される。 - 特許庁

A film essentially consisting of Ag or Cu or Ti or Ni which can be formed into a film with a small particle size and low surface roughness is used for a reflecting layer 102.例文帳に追加

反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さを小さく膜を形成できる、ＡｇあるいはＣｕあるいはＴｉあるいはＮｉを主成分とした膜を用いる。 - 特許庁

A first groove 7 is formed in a first insulating layer 2, and a first wiring 14 made of a metal material made principally of Cu is buried in the first groove 7.例文帳に追加

第１絶縁層２に第１溝７が形成され、この第１溝７には、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第１配線１４が埋設されている。 - 特許庁

Ni-P making up such a Ni-P layer 11 shows excellent adhesion for both Cu and Au, and can effectively prevent Au from being diffused.例文帳に追加

かかるＮｉ−Ｐ層１１を構成するＮｉ−Ｐは、ＣｕおよびＡｕの両者に対して優れた密着性を示し、また、Ａｕの拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

The bottom and lateral faces of the upper layer wiring 10 and the via 12 are continuously cladded with a barrier film 13 consisting of a material having barrier performance against Cu diffusion.例文帳に追加

上層配線１０およびビア１２の底面および側面は、Ｃｕの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜１３で連続して被覆されている。 - 特許庁

This semiconductor device comprises an insulating film 116 provided between the multi-layer insulating film 140 and the electrically conductive body (the Cu film 120 and the barrier metal film 118).例文帳に追加

この半導体装置は、多層絶縁膜１４０と導電体（Ｃｕ膜１２０およびバリアメタル膜１１８）との間に設けられている絶縁膜１１６を備える。 - 特許庁

The ionization layer 3 contains Cu (copper) and Zr (zirconium) as metal elements together with an ion conductive material such as S (sulfur), Se (selenium), and Te (tellurium) (a chalcogenide element).例文帳に追加

イオン化層３は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）（カルコゲナイド元素）などのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ（銅）およびＺｒ（ジルコニウム）を含有している。 - 特許庁

In the wiring board 1, the metal terminal pad 10, 17 comprises a Cu plating layer 52, Ni plating layers 53 and 55, and Au plating layers 54 and 56 formed from the first major surface CP side.例文帳に追加

配線基板において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３，５５及びＡｕメッキ層５４，５６を積層する。 - 特許庁

As a result, the liquid phase of the Bi is no longer spread, and thereafter, rolling and sintering are repeated to obtain a Cu alloy layer having the Bi phase finely dispersed therein.例文帳に追加

その結果、Ｂｉの液相が拡がらなくなり、その後、圧延、焼結を繰返すことにより、Ｂｉ相を微細に分散させたＣｕ合金層を得ることができる。 - 特許庁

The fine copper powder consisting of Cu, copper oxide, cupric oxide and the surface oxide layer has the particle diameter of <1 μm.例文帳に追加

上記に記載のＣｕ、酸化銅、酸化第二銅、および表面酸化層を有す銅微粉末が、１μｍ未満の粒径を有することを特徴とする鉛フリー高温用接合材料。 - 特許庁

The memory layer 17 is doped with an ion conduction material such as Te or the like, Cu, Ag, Ge or Zn as a metal element, and, further, any one from a group of Si, Zr, Al, Ti and Cr.例文帳に追加

記憶層１７は、Ｔｅなどのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ，Ａｇ，ＧｅまたはＺｎ、更に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，ＴｉおよびＣｒのうちのいずれか１種が添加されている。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is formed by using the Ru group alloy added with ≥1 kind of the material selected from among the group consisting of C, Cu, W, Mo, Cr, Ir, Pt, Re, Rh, Ta, and V into Ru.例文帳に追加

中間層３は、Ｒｕ中にＣ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金を用いて形成される。 - 特許庁

In the Al-Mn alloy coating layer 2, an Al-Mn intermetallic compound is dispersed and precipitated, and elements of Al, Mn, Fe, Si, Zn, Cu, etc., are included.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ合金被覆層２には、Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物が分散析出しており、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素が含有されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a Cu channel wiring together with its manufacturing method, where the base material layer for electrolytic plating which is of low resistance and satisfactory step coverage is formed.例文帳に追加

低抵抗でステップカバレジが良好な電解めっきの下地層が形成されたＣｕ溝配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pad base layer 22 is made of single crystal aluminum and contains at least a metal segregated among Cu, Ta, W and Ti.例文帳に追加

そして、上記のパッド下地層２２は、単結晶アルミニウムで形成されると共に、Ｃｕ，Ｔａ，Ｗ，及びＴｉのうち少なくとも１種類の金属が偏析している。 - 特許庁

In a portion of an inner wall of a wiring groove T1 excepting for an upper end portion thereof, a barrier metal film is formed for preventing copper forming Cu wiring from being diffused over the layer insulating film.例文帳に追加

配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target material for electronic device wiring in which operation characteristics are improved by reducing the parasitic resistance of an oxide reaction layer, and to provide an element structure.例文帳に追加

酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。 - 特許庁

A film consisting essentially of Ag, Cu, Ti or Ni which can form a film having a small particle diameter and low surface roughness is used for a reflection layer 102.例文帳に追加

反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さを小さく膜を形成できる、ＡｇあるいはＣｕあるいはＴｉあるいはＮｉを主成分とした膜を用いる。 - 特許庁

A stacked structure composed of Ti/Al/TiN/Al-Cu/TiN is employed as the upper wiring layer 5 on the interlayer insulating film 3, whereby an eutectic crystal of Ti and Al is produced.例文帳に追加

層間絶縁膜３上の上層配線層５として、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／ＴｉＮからなる積層構造を用いることにより、ＴｉとＡｌとの共晶を生成する。 - 特許庁

A lower groove 6 is formed in a first insulating layer 2 that consists of materials containing Si and O, and a lower electrode 7 consisting of Cu is embedded in this lower groove 6.例文帳に追加

ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層２に下溝６が形成され、この下溝６には、Ｃｕからなる下部電極７が埋設されている。 - 特許庁

At the time of the self-forming reaction for forming the diffusion barrier film, the surface of the Cu layer is exposed to an atmosphere which forms a gas-phase reaction product by reaction with Mn.例文帳に追加

拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 - 特許庁

By covering the bearing made of a Cu based sintered alloy with the tetrafluoroethylene resin layer 53, the bearing 5 having high corrosion resistance can be obtained.例文帳に追加

耐食性を有する四フッ化エチレン樹脂層53によりＣｕ基焼結合金製軸受を覆うことにより、高い耐食性を有する軸受５を得ることができる。 - 特許庁

A network control block CU changes setting of the VLAN in accordance with traffic information collected from the subscriber stations and the repeater stations in a control plane P2 using the layer 3.例文帳に追加

ネットワーク管理ブロックＣＵはレイヤ３を用いた制御プレーンＰ２で加入者局、中継局から収集したトラフィック情報に応じてＶＬＡＮの設定を変更する。 - 特許庁

By depositing the TaN film by means of reactive sputtering using such a sputtering target, the TaN film (barrier layer) excellent in Cu barrier property can be obtained with superior reproducibility.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａＮ膜（バリア層）が再現性よく得られる。 - 特許庁

The composite material is obtained by previously forming the above reaction preventive layer on the surface of SiC powder, and mixing the same with Cu powder, and subsequently subjecting the mixture to press sintering at high temperatures.例文帳に追加

この複合材料は、あらかじめＳｉＣ粉体の表面に上記反応防止層を形成し、その後、Ｃｕ粉末と混合の後、高温下で加圧焼結して得られる。 - 特許庁

Wiredrawing in the phase of the composite wire rod, which wiredraws mainly the portion of the Cu-Zn layer with a low zinc concentration, causes no degradation in the wiredrawing workability.例文帳に追加

複合線材の状態の時に伸線を行えば、伸線されるのは主に亜鉛濃度の低いＣｕ−Ｚｎ層の部分であり、伸線加工性は低下しない。 - 特許庁

To manufacture a metal base circuit board which has a conductive circuit made of Al and Cu on a metal plate across an insulating layer efficiently with high quality in an environmental-friendly way.例文帳に追加

金属板に絶縁層を介してＡｌとＣｕとからなる導電回路を搭載した金属ベース回路基板を、効率的に、高品質に、環境にやさしく製造する。 - 特許庁

A coating layer composed of spinel type composite oxide containing at least one type from Co, Cu, and Mn as well as Ni as metallic element is formed on the surface of the matrix.例文帳に追加

その母材の表面に、金属元素としてＣｏ、Ｃｕ、Ｍｎの少なくとも１種、及びＮｉを含むスピネル型複合酸化物からなる被覆層を形成する。 - 特許庁

A trench for forming a wiring layer on the CF film 21 is etched by using the hard mask 31 as a mask, and a semiconductor device is manufactured by embedding Cu in the trench.例文帳に追加

この後ハ−ドマスク３１をマスクとしてＣＦ膜２１に配線層を形成するための溝をエッチングし、この溝にＣｕを埋め込むことにより半導体装置を製造する。 - 特許庁

A photoresist 22 is formed thereon, an amorphous Ni-P film 8 is accumulated on the substrate 1 including the Cu-sacrifice layer 20 by electroless plating method (electroless Ni-P plating).例文帳に追加

フォトレジスト２２を形成した後、Ｃｕ犠牲層２０上を含む基板１上に、無電解メッキ法（無電解Ｎｉ−Ｐメッキ）によりアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を堆積する。 - 特許庁

Namely, the upper electrode 35a is connected to an upper layer wire (Cu wire 42) through the dummy lower electrode 33b, a dummy cell plug 30, and the local wire 21b.例文帳に追加

すなわち、ダミー下部電極３３ｂ，ダミーセルプラグ３０及び局所配線２１ｂによって上部電極３５ａが上層配線（Ｃｕ配線４２）に接続されている。 - 特許庁

The seed layer is composed of a copper alloy having a composition containing Cr:0.03-0.3 mass%, Zr:0.005-0.1 mass%, and the remainder of Cu or inevitable impurities.例文帳に追加

Ｃｒ：０．０３〜０．３質量％、Ｚｒ：０．００５〜０．１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 - 特許庁

In the exhaust gas purifying catalyst, an alumina oxide on which Pd is supported and an oxygen absorbent oxide, on which Cu is supported, are mixed to be added to the catalyst layer formed on a honeycomb carrier.例文帳に追加

ハニカム状担体に形成された触媒層に、Ｐｄが担持されたアルミナ系酸化物と、Ｃｕが担持された酸素吸蔵性酸化物とを混合して含まれるようにする。 - 特許庁

On the second interlayer insulating film 8, a via 12 that is connected to the bottom face of the upper layer wiring 10 and consists of a metallic material containing Cu is formed in a feed-through manner.例文帳に追加

また、第２層間絶縁膜８には、上層配線１０の底面に接続され、Ｃｕを含む金属材料からなるビア１２が貫通形成されている。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga-based alloy powder with a low oxygen content for producing a light-absorbing thin film layer of a solar cell and a method for producing a sputtering target material.例文帳に追加

太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a double-sided wiring tape carrier capable of reducing amount of warpage in a tape by removing a Cu foil layer remaining at both ends in tape width direction.例文帳に追加

テープ幅方向両端に残存するＣｕ箔層の除去してテープ反り量の低減を図った両面配線テープキャリア及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of rewiring 15 consisting of a two-layer film where a Ni film 15b is laminated on a Cu film 15a, a pad 18 to be connected with a wire is formed.例文帳に追加

Ｃｕ膜１５ａの上部にＮｉ膜１５ｂを積層した２層膜からなる再配線１５の表面には、ワイヤが接続されるパッド１８が形成されている。 - 特許庁

In an electro-optical device 1a, a flexible substrate 7 is configured by laminating a resin base layer 71, a wiring layer 72 comprised of a metal layer of Cu or the like and a resin protecting layer 73 in the order and folded with round corners in both the front surface side corner 18 and the rear surface side corner 19 of an element substrate 10.例文帳に追加

電気光学装置１ａにおいて、可撓性基板７は、樹脂製のベース層７１、Ｃｕなどの金属層からなる配線層７２、および樹脂製の保護層７３がこの順に積層されており、素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９の双方において角丸に折り曲げられている。 - 特許庁

The polarizer is composed by disposing a metal particle layer 2 having a light absorption anisotropy and a transparent dielectric layer 3 on at least one principal plane of a transparent substrate 1, wherein the metals of the metal particle layer 2 are Cu and Ag, and Sn is dispersed in the transparent dielectric layer 3.例文帳に追加

透明基板１の少なくとも一主面上に、光吸収異方性を有する金属粒子層２と透明誘電体層３とを設けてなる偏光子であって、前記金属粒子層２の金属がＣｕ，Ａｇであり、前記透明誘電体層３中にＳｎを分散させた偏光子である。 - 特許庁

Bonding property of a barrier layer to a foundation dielectric is improved by forming a bonding/interlaminar region (410) of a semiconductor substrate element (404) before deposition of a barrier layer (412), strength to the next mutual connection layer is improved without changing function of a barrier layer, and diffusion of Cu into a dielectric substrate is limited.例文帳に追加

バリア層（４１２）の堆積前に半導体基板素子（４０４）の接着／層間領域（４１０）を形成することによって、下地の誘電体に対するバリア層の接着性を改善し、バリア層の機能を変えることなく、次の相互接続層に対する強度を高め、Ｃｕの誘電体基板内への拡散を制限する。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium 100 including at least the soft magnetic layer 14, an orientation control layer 16, an underlayer 18 and the magnetic recording layer 22 for recording a signal deposited in this order on a disk base body 1, the orientation control layer 16 is made of a Cu alloy and the underlayer 18 is made of ruthenium.例文帳に追加

ディスク基体１上に少なくとも軟磁性層１４と、配向制御層１６と、下地層１８と、信号を記録する磁気記録層２２とを、この順に成膜する垂直磁気記録媒体１００において、配向制御層１６は、Ｃｕ合金から成り、下地層１８は、ルテニウムから成ることを特徴とする。 - 特許庁