「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The layer 3 is formed on the layer 2, contains more than at least one kind of the elements selected from a group consisting of Au, Ag, Cu and Al and has a thickness of 20 μm or thicker to 100 μm or thinner.例文帳に追加

第２の中間接合層３は、第１の中間接合層２上に形成され、かつ、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌからなる群から選択される少なくとも１種以上を含み、２０μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

This method of manufacturing a wiring board 1 includes a conductor layer forming step of forming second conductor layers 29 on the surface of a first resin-made insulating layer 7 which is roughened to desired surface roughness, and on which Pd, etc., is deposited by electroless plating and electroplating Cu.例文帳に追加

配線基板１の製造方法は、所望の表面粗さに粗化されＰｄが付着した第１樹脂絶縁層７に、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキにより第２導体層２９を形成する導体層形成工程を備える。 - 特許庁

Even if M^1 (at least one kind selected from among Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag and Au) is added to the ferromagnetic layer within a range of 2 nm from the interface with the nonmagnetic layer, the longest distance is reduced relatively.例文帳に追加

非磁性層との界面から２ｎｍの範囲の強磁性層に、Ｍ^1（Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種）を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。 - 特許庁

To obtain the wiring board which can tightly be joined to a substrate of a protection glass, a resistance body, a Cu plating layer, and a wiring conductor for a ceramic insulating substrate and suitable to a hybrid integrated circuit board equipped with a reliable thick-film resistance body layer.例文帳に追加

セラミック絶縁基板に対して保護ガラス−抵抗体−Ｃｕめっき層−配線導体の基板に対して強固な接合が得られ、信頼性の高い厚膜抵抗体層を具備した混成集積回路基板に適した配線基板を得る。 - 特許庁

A copper or copper-alloy sheet/rod has a surface layer to be bonded by resin adhesives, containing of one or more elements selected from Sn, Cu, Zn, Fe, Si and Al and also has an Ni or Ni-alloy plating layer as an undercoat.例文帳に追加

接着剤にて樹脂と接着する部分の表面に、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌから選ばれる１種又は２種以上の元素よりなる層を有し、その下地にＮｉ又はＮｉ合金めっき層を有する銅又は銅合金板・条材。 - 特許庁

This oxygen gas detection element equipped with a nanowire, including a CU core and a carbon-coating layer formed so as to coat the CU core, is constituted so that the nanowire shows an adsorption/desorption action to oxygen gas at a room temperature, and that the oxygen gas is detected through the adsorption/desorption action of the oxygen gas.例文帳に追加

Ｃｕコアと、このＣｕコアを被覆するようにして形成された炭素被覆層とを含むナノワイヤを具え、このナノワイヤが室温において酸素ガスに対して脱吸着作用を呈し、前記酸素ガスの前記脱吸着作用を通じて前記酸素ガスを検出するようにして、酸素ガス検出素子を構成する。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The permanent magnet is constituted by forming an Ni plating film having characteristics of ≥-0.1 V in natural electrode potential (to an SCE saturated calomel electrode) in an aqueous solution containing 10 ppm Cu ions and ≥0 V in an aqueous solution containing 100 ppm Cu ions on the extreme surface layer of the magnet surface.例文帳に追加

自然電極電位（対ＳＣＥ飽和カロメル電極）がＣｕイオンを１０ｐｐｍ含む水溶液中で−０．１Ｖ以上であり、かつ、Ｃｕイオンを１００ｐｐｍ含む水溶液中で０Ｖ以上の特性を有するＮｉめっき被膜を磁石表面の最表層に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The electrode contact member of the vacuum circuit breaker comprises the Cu-Cr alloy base metal 1 containing 40-80 wt.% of Cu and 20-60 wt.% of Cr, and the Cr fine dispersion layer 2 of 500 μm to 3 mm in thickness formed on the surface of the base metal 1 through surface treatment by friction stir processing.例文帳に追加

真空遮断器の電極接点部材は、Ｃｕの含有量が４０〜８０重量％とＣｒの含有量が２０から６０重量％とを含むＣｕ−Ｃｒ合金母材１の表面に、摩擦攪拌による表面処理で形成した厚さ５００μｍ〜３ｍｍのＣｒ微細分散層２を形成する。 - 特許庁

A thin film transistor substrate having the semiconductor layer 33 of the thin film transistor and source-drain electrodes 28, 29, wherein the source-drain electrodes 28, 29 are composed of nitrogen containing layers that contain nitrogen, or oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a, and thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。 - 特許庁

The gasket material is obtained by forming a rubber layer on one side or the both sides of a steal plate through a film comprising a reaction product of (A) a carbonate of Mg, Co, Zr, Mn, Ni or Cu, (B) water-dispersible silica and (C) an organic acid containing at least one of carboxy or hydroxy in a molecule and having 3-10 carbon number in a molecule.例文帳に追加

鋼板の片面または両面に、(A)Mg、Co、Zr、Mn、Ni、Cuの炭酸塩と、(B)水分散性シリカと、(C)1分子中にカルボキシル基及び水酸基の少なくとも1種を含み、1分子中の炭素数が3〜10の有機酸との反応生成物からなる皮膜を介してゴム層が形成してなることを特徴とするガスケット用素材。 - 特許庁

In the electronic component package, the ceramic base member 11 and the metallic lid member 12 are airtightly sealed by seam welding for continuously performing spot welding by a pair of welding rollers 14 through a metalized layer 13 of the welding member, a Cu plating layer 21, and an Ag plating layer 22 of laminated plating layers.例文帳に追加

セラミックベース部材１１と金属製リッド部材１２とが溶接部材であるメタライズ層１３と積層めっきのＣｕめっき層２１およびＡｇめっき層２２の介在により一対の溶接ローラ１４により連続的にスポット溶接するシーム溶接で気密封着した電子部品用パッケージである。 - 特許庁

To provide an Au-plated or Au-alloy plated stainless steel-made member in which stainless steel is plated with an Au or Au-alloy plating layer without needing any base plating layer such as Ni or Cu, and which is excellent in the adhesiveness of the Au or Au-alloy plating layer to the stainless steel, and is high in corrosion resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ステンレス鋼上に、ＮｉまたはＣｕなどの下地めっき層を介さずに、ＡｕまたはＡｕ合金めっき層で被覆した部材であり、ステンレス鋼とＡｕまたはＡｕ合金めっき層の密着性に優れ、耐食性の高いＡｕまたはＡｕ合金めっきステンレス部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the substrate 10 for the power module where the circuit layer 12 composed of aluminum or an aluminum alloy is arranged on one surface of an insulating layer 11, a metal film 30 is formed on one surface of the circuit layer 12 by a cold spray method, and the metal film is composed of one kind of Ni, Cu, and Ag.例文帳に追加

絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面に、コールドスプレー法によって形成された金属被膜３０が形成されており、金属被膜がＮｉ、Ｃｕ、Ａｇのいずれか一種からなることを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, electroless Cu plating is performed, using a plating solution containing a growth suppressor for suppressing growth of copper, whereby copper is selectively precipitated on the layer 14 on which the layer 17 is formed, thereby forming a copper interconnection 13 in a manner of swelling on the layer 14.例文帳に追加

そして、銅の成長を抑制するための成長抑制剤を含むめっき液を用いた銅の無電解めっきが行われることにより、パラジウム層１７が形成されたバリアメタル層１４上に銅が選択的に析出させられ、銅配線１３がバリアメタル層１４上に隆起した状態に形成される。 - 特許庁

A chip-size package is provided with a wiring layer 7 which is composed of Cu widely existing on the surface of a chip, and is connected to Al electrode 1, a metal post 8 formed via a photosensitive block copolymer polyimide layer P so that it is positioned on the wiring layer 7, and a solder ball 12 formed on the metal post via Pd 9, Ni 10 and Au 11.例文帳に追加

Ａｌ電極１と接続され、チップ表面に延在するＣｕから成る配線層７と、当該配線層７上に位置するように感光性のブロック共重合ポリイミド層Ｐを介して形成されたメタルポスト８と、当該メタルポスト８上にＰｄ９，Ｎｉ１０，Ａｕ１１を介して形成された半田ボール１２とを具備する。 - 特許庁

The memory element 10 comprises a memory layer 3 disposed between a first electrode 2 and a second electrode 6, and consisting of an oxide containing tantalum or silicon and a rare earth element; and an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn and making contact with the memory layer 3.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がタンタル又はシリコンと希土類元素とを含有する酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

With this setup, the Ni-plated layer 2 formed on the surface of the copper foil 3 serves as a barrier layer, a Cu-Zn reaction layer which causes reduction in bonding strength is prevented from being formed, even if a soldering operation is carried out by the use of Sn-Zn solder, so that bonding strength will not be caused to deteriorate.例文帳に追加

このようにすることにより、銅箔３の表面に形成されているＮｉメッキ層２がバリア層となり、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだによりはんだ付けを行った場合でも、接合強度を低下させる原因となるＣｕ−Ｚｎ反応層の形成が防止され、接合強度の低下を招くことがない。 - 特許庁

This magnetoresistive element has an electrical conductor (a lower element 14, a lower wiring, or the like) of an AlCu alloy having composition of Cu of 20 at.% to 90 at.% on a substrate 16, and a multilayered film in which at least a first ferromagnetic layer 11, a nonmagnetic layer 12 and a second ferromagnetic layer 13 are sequentially formed thereon.例文帳に追加

基板１６上に、Ｃｕの組成が２０ａｔ.％以上９０ａｔ.％以下のＡｌＣｕ合金の電気伝導体（下部電極１４や下部配線等）を有し、その上に少なくとも第１の強磁性層１１、非磁性層１２及び第２の強磁性層１３が順次形成された多層膜を有する磁気抵抗素子。 - 特許庁

A copper adhesive layer is deposited on a substrate by feeding a raw material gas consisting of an organic compound of copper (for example, copper hexafluoroacetylacetonate-trimethylvinylsilane [Cu(hfac)TMVS]) in a state in which steam is present in a treatment vessel with the substrate being placed therein.例文帳に追加

基板が載置された処理容器内に水蒸気が存在する状態で、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して基板上に銅の密着層を形成する。 - 特許庁

At the inner circumferential edge part of openings 8a and 18a, solder resist layers 8 and 18 touch the roughened outer circumferential edge part 52p of the Cu plating layer 52 of the metal terminal pad 10, 17.例文帳に追加

そして、ソルダーレジスト層８，１８が、開口８ａ，１８ａの内周縁部にて、金属端子パッド１０，１７のＣｕメッキ層５２の、面粗し処理が施された主表面外周縁部５２ｐと接してなる。 - 特許庁

In this manner by forming a reformed layer on the surface of the interlayer insulating film, the diffusion to the interlayer insulating film of the barrier metal and the wiring material (Cu) can be prevented reliably and easily.例文帳に追加

このようにすれば、層間絶縁膜の表面に改質層を形成することにより、バリアメタルや配線材料（Ｃｕ）の層間絶縁膜への拡散を確実且つ容易に防ぐことができる。 - 特許庁

At the inner circumferential edge part of openings 8a and 18a, solder resist layers 8 and 18 touch the roughened major surface outer circumferential edge part 52p of the Cu plating layer 52 of the metal terminal pad 10, 17.例文帳に追加

ソルダーレジスト層８，１８は開口８ａ，１８ａの内周縁部にて、金属端子パッド１０，１７のＣｕメッキ層５２の、面粗化処理を施した主表面外周縁部５２ｐと接する。 - 特許庁

A second barrier metal layer 20 and a plug material 21 mainly composed of Cu are embedded in a hole formed in the insulating films 17 and 18, and a via plug 22a and a slit-like dummy plug 22b are formed.例文帳に追加

絶縁膜１７，１８に形成されたホール内に第２のバリアメタル層２０とＣｕを主とするプラグ材２１が埋め込まれてヴィアプラグ２２ａ，及びスリット状ダミープラグ２２ｂが形成されている。 - 特許庁

After that, a Cu layer 207 as a partition wall section is formed on a portion not having the pattern by plating.例文帳に追加

ポリイミドフィルム２０１に金属薄膜２０２及びシード層２０３をＣｕで形成し、感光性フィルム２０４を貼り付け所定のパターンを得た後、パターンのない部分にメッキにより隔壁部としてＣｕ層２０７を生成する。 - 特許庁

The nonmagnetic interposing layer 24 contains an element (specifically, at least one element from Nd, Sm, Eu, Gd, and Tb) containing 4f electrons in Cu, Au, Ag, or Zn.例文帳に追加

非磁性介在層２４はＣｕ、Ａｕ、ＡｇまたはＺｎに４ｆ電子を含む元素（具体的には、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＴｂのうち少なくとも１つの元素）を含有して構成される。 - 特許庁

Cu metallization is treated to reduce defects and effect passivation, and to reduce leakage between lines, by removing surface defects subsequent to CMP and barrier layer removal.例文帳に追加

欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Ｃｕメタライゼーションは、ＣＭＰおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。 - 特許庁

An n-contact electrode 31 is formed through deposition and lift-off, and a p-contact electrode 21 made of a silver alloy layer, having a film thickness 400 nm and containing Pd and Cu, is formed by sputtering and lift-off.例文帳に追加

蒸着とリフトオフによりｎコンタクト電極３１を形成し、スパッタリングとリフトオフによりＰｄとＣｕを含む膜厚４００ｎｍの銀合金層から成るｐコンタクト電極２１を形成した。 - 特許庁

By using a reactive gas in which Cl_2 and/or HBr is added to HI, the reactive gas is dissolved with plasma, and the iodine is made to react with the Cu layer not covered with the mask, to produce Culx.例文帳に追加

ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用い、該反応性ガスをプラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層と反応させてＣｕｌｘを生成させる。 - 特許庁

There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer.例文帳に追加

開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。 - 特許庁

A power semiconductor module is formed by bonding a couple of components with a Bi solder material and this module is provided with a Cu layer at the surfaces to be bonded with a Bi solder material of the couple of components.例文帳に追加

２つの部品の間を、Ｂｉ系はんだ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系はんだ材による被接合面にＣｕ層を備える。 - 特許庁

The metal-containing substrate film 13 has a metal nitride layer 106 at an interface with the Cu film 107 in a first region 11 including a part of the sidewall connected to an opening of the contact hole 104.例文帳に追加

コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。 - 特許庁

To sufficiently suppress dispersion of a composition on a surface of lower-layer Cu wiring by sufficiently obtaining processing controllability of a via hole regardless of an opening size of the via hole when a SiOCH film is used as a wiring insulation film.例文帳に追加

配線絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Ｃｕ配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。 - 特許庁

A core material 1, made of copper of 99.99 mass% or more and P of 5-250 ppm to be added, is covered with a coating layer 2 made of Pt or Pd containing Cu of 1-50 mass%.例文帳に追加

芯材１は、９９．９９質量％以上の銅にＰを５〜２５０ｐｐｍ添加したものとし、その芯材１にＣｕ：１〜５０ｍａｓｓ％含有したＰｔ又はＰｄの被覆層２を被覆する。 - 特許庁

In a semiconductor device 70, a first opening is formed on an interlayer insulation film 4 on a cap film 3, and a wiring layer 6 composed of a barrier metal film 5 and Cu (copper) is embedded in the first opening.例文帳に追加

半導体装置７０には、キャップ膜３上の層間絶縁膜４に第１の開口部が設けられ、第１の開口部には、バリアメタル膜５とＣｕ（銅）からなる配線層６が埋設される。 - 特許庁

The subject invention uses the dielectric deposition, spacer formation, and/or selective deposition of a passivating metal such as CoWP, to passivate a Cu inductor that is formed after the last metal layer.例文帳に追加

本発明は、誘電体の堆積、スペーサ形成、および／またはＣｏＷＰのようなパシベーション金属の選択的堆積を使用して、最終金属層の後に形成されたＣｕインダクタをパシベーションする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of restraining the oozing of Cu even when columns superposed in respective layers as a seal ring are deviated into horizontal direction with respect to a wiring layer.例文帳に追加

シールリングとして各層で積み重ねられた支柱が配線層に対して水平方向にずれた場合であってもＣｕの染み出しを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The high resistance layer 24 contains a ceramic material, at least one element selected from a group of Mn, Cr, Co, Fe, Cu, Ni, Mo and V, and/or a rare earth element.例文帳に追加

この高抵抗層２４は、セラミック材料、並びに、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、及び／又は、希土類元素を含有するものである。 - 特許庁

By solution treatment, elements such as Cu, Zn, Mg and Si in the aluminum based bearing alloy layer 4 are allowed to enter into solid solution in the Al matrix, and, by rapid cooling, its strength is increased, and its fatigue resistance is improved.例文帳に追加

溶体化処理によって、アルミニウム基軸受合金層４のＣｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｉなどの元素がＡｌマトリックス中に固溶し、急冷することによって、強度を高め、耐疲労性を向上させる。 - 特許庁

Only one Cu foil layer 3 is allowed to remain in a sprocket hole area at both ends in tape widthwise direction of a long double-sided wiring tape carrier 1 comprising a plurality of semiconductor chip mounting parts 9t.例文帳に追加

複数の半導体チップ搭載部９ｔを有する長尺の両面配線テープキャリア１において、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層３のみを残存させたものである。 - 特許庁

In a second region 12 including the sidewall nearer on the semiconductor substrate 101 side rather than the first region 11, the metal-containing substrate film 13 has a metal layer 105 at the interface with the Cu film 107.例文帳に追加

第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。 - 特許庁

Then, the hillock is prevented from occurring by a thermal history in the following manufacturing step, and the stress migration resistance of wiring, formed of a wiring layer having the Al-Cu film is improved, as a result.例文帳に追加

その後に続く製造工程における熱履歴によってヒロックの発生が抑制され、その結果、このＡｌ−Ｃｕ膜を有する配線層から形成された配線のストレスマイグレーション耐性が向上する。 - 特許庁

The metallic microsphere comprises Cu with a purity of ≥99.99 mass% and has an oxygen content of ≤50 ppm including a surface oxide layer and a diameter of ≤400 μm.例文帳に追加

本発明は純度が９９．９９質量％以上のＣｕからなり、表面酸化層を含む酸素含有量が５０ｐｐｍ以下、直径が４００μｍ以下である金属微小球である。 - 特許庁

In an X-ray diffraction chart made out by irradiating the thin diamond film layer, the diffraction peak intensity on the (110) surface of W exceeds 100 times that on the (200) surface of Cu.例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜層にＸ線を照射して得られるＸ線回折チャートにおいて、Ｗの（１１０）面の回折ピーク強度がＣｕの（２００）面の回折ピーク強度の１００倍以上である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the coverage of an organic resin film is applied to the upper corner of a Cu electrode layer, even without making the organic resin film thick, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

有機樹脂膜全体を特に厚膜化しなくても、Ｃｕ電極層の上面コーナ部における有機樹脂膜のカバレッジを良好にできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁