「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

This is the conductive magnetic powder which has a "non-magnetic conductive layer" consisting of a material, for example, a precious metal and Cu or the like on the surface, and has a saturation magnetization σs of at least 7 emu/g or more, preferably 10 emu/g or more.例文帳に追加

例えば貴金属やＣuなどの物質からなる「非磁性導電層」を表面に有する、飽和磁化σsが少なくとも７ｅｍｕ／ｇ以上、好ましくは１０ｅｍｕ／ｇ以上の導電性磁性粉。 - 特許庁

Also, since an MR ratio is doubled compared to the optical modulation element using the conventional Cu spacer in the optical modulation element 10 using an Ag spacer, the magnetization direction of the magnetization inversion layer is easily inverted.例文帳に追加

また、Ａｇスペーサを用いた光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてＭＲ比が２倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 - 特許庁

In addition, the recording layer 2 contains a mixture of the squalirium metallic chelate compound with the divalent metal such as Ni, Zn or Cu as the center metal and the squalirium metallic chelate compound with Al as the center metal.例文帳に追加

例えば、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕなど２価の金属を中心金属に持つスクアリリウム金属キレート化合物とＡｌを中心金属に持つスクアリリウム金属キレート化合物を混合含有させた記録層２とする。 - 特許庁

When electric current is made to flow between a Cu seed layer (not shown in Figure) and the anode electrode 104, and the growing by plating is performed, electric current is made to flow also from the second cathode electrode in contact with the vicinity of the center of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device in which a wiring is formed on a substrate 10, the barrier metal layer 16 consisting of a Ta-based barrier metal material and an alloy of Cu and/or Ag is firstly formed on the substrate 10.例文帳に追加

基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。 - 特許庁

On the interconnection layer 16 in the pad region 11, the electrode pad 17 is provided as connected electrically with the Cu interconnection 15 in the element region 12 by a lead-out wire 20 insulated with the passivation film 18.例文帳に追加

パッド領域１１内の配線層１６上には、パッシベーション膜１８で絶縁された引き出し配線２０で素子領域１２内のＣｕ配線１５と電気的に接続された電極パッド１７が設けられている。 - 特許庁

The fired body provided with the antifungal glaze layer whose base surface is covered with the antifungal glaze layer containing at least one side of Ag or Cu is obtained by forming a glaze powder layer by applying the glaze powder on at least one part of the surface of a base constituted with ceramic or metal in the form of slurry and firing.例文帳に追加

その釉薬粉末を、セラミック又は金属で構成された素地の表面の少なくとも一部に対し、泥漿の形にて塗布して釉薬粉末層を形成し、これを釉焼することにより、素地表面がＡｇ及びＣｕの少なくとも一方を抗菌金属成分として含有する抗菌釉薬層により覆われた抗菌釉薬層付焼成体を得る。 - 特許庁

The negative electrode material for a lithium secondary cell has a cover layer on the current collector, and the cover layer is a layer formed by applying heat treatment to the plating of Sn or Sn-M (M=Cu, Ni, Co, Fe) having a form including a vacant space, containing the Sn-M group intermetallic compound having a form including vacant space.例文帳に追加

集電体に被覆層を有するリチウム二次電池用負極材料であって、該被覆層が空隙のある形態のＳｎまたはＳｎ−Ｍ（Ｍ＝Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ，Ｆｅ）めっきを熱処理して形成した、空隙のある形態のＳｎ−Ｍ系金属間化合物を含有する層であることを特徴とするリチウム二次電池用負極材料。 - 特許庁

On a surface of deflecting electrode main body 2 constituted of ceramics consisting of electroconductive oxide and sintering additives, a metallized layer composed of an adhering metallized layer 3 constituted by the electroconductive material containing at least one of Ti, Cr, Zr, Ni and a metallized layer 4 for connection constituted by the electroconductive material containing at least one of Cu, Ni, Au, Pt, Ag is installed.例文帳に追加

導電性酸化物と焼結助剤とからなるセラミックスで構成した偏向電極本体２の表面に、少なくとも、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成される密着メタライズ層３と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成される接続用メタライズ層４とからなるメタライズ層を設ける。 - 特許庁

In a laminated film formed on the surface of base material, an abrasion-resistant layer comprising nitride or carbide type ceramics having conductivity is formed on the side of the base material and a soft metal layer comprising at least one component selected from the group consisting of Zn, Sn, Pb, In, Cu, Ni and an alloy based on these metals is formed as an uppermost surface layer.例文帳に追加

基材表面に形成される積層皮膜において、導電性を有する窒化物系又は炭化物系セラミックスからなる耐摩耗層を基材側に形成し、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｎｉ及びこれら金属を主体とする合金よりなる群から選ばれる少なくとも１種からなる軟質金属層を最表面に形成する。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

Connecting conditions of particles are improved by making whiskers 10 growing from the Sn coating layer 7 of adjoining Cu particles 6 intertwine with each other, and separation of particles is prevented in the thermal shock.例文帳に追加

隣接するＣｕ粒子６のＳｎコーティング層７から成長するウィスカ１０同士が絡み合うことで、粒子同士の接合状態を向上させ、熱衝撃時などにおいて、粒子同士が離間するのを阻止することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming an electrically conductive layer whose main component being Cu in a recess in an improved state of the embedding characteristics according to reflow processing even if the reflow processing at a high temperature ≥400°C is not carried out.例文帳に追加

４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the plating material 5 is used for a sliding surface of a terminal or the like, the outermost layer 4 is composed of the rigid Cu-Sn intermetallic compound and therefore, even if the contact pressure between the terminals and the like is made smaller, a fretting phenomenon hardly occurs.例文帳に追加

めっき材料５を、端子などの摺動面に用いたとき、最外層４が硬質のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層からなるため、端子間の接触圧力を小さくしても、フレッティング現象が起き難い。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive member where Sn plating is applied to the outermost surface having a substrate Ni plated layer on the surface of a Cu-based base material, and that has high contact resistance during exposure at a high temperature, and to provide a method for manufacturing the conductive member.例文帳に追加

Ｃｕ系基材の表面に下地Ｎｉめっき層を有する最表面にＳｎめっきが施された、高温での暴露時に優れた接触抵抗性を有する導電性部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a laminated conductive film 116 made of TaN, Ta or the like is deposited, the laminated conductive film 116 at the bottom of the hole 115 is removed, and further etching to dig a Cu film 109 constituting lower layer wiring is performed.例文帳に追加

次にＴａＮ、Ｔａなどからなる積層導電性膜１１６を堆積し、ホール１１５の底部の積層導電性膜１１６を除去し、さらに下層配線を構成するＣｕ膜１０９を掘り込むエッチングを行う。 - 特許庁

The seed layer is composed of a copper alloy having a composition containing Ag:0.05-2 mass%, total 0.03-0.3 mass% of one or more than one kind of V, Nb and Ta, and the remainder of Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ａｇ：０．０５〜２質量％を含み、さらにＶ，ＮｂおよびＴａの内の１種または２種以上を合計で０．０３〜０．３質量％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 - 特許庁

In the Cu-Zn based alloy tin-plated strip using a copper based alloy comprising, by mass, 15 to 40% Zn as a base metal, the concentration of C in the boundary face between a plated layer and the base metal is controlled to ≤0.10%.例文帳に追加

１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｚｎ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

Stainless steel is Au-plated or Au-alloy plated without needing any base plating layer such as Ni or Cu by using an Au or Au-alloy plating bath containing cyan Au ions being pH ≤2 and trivalent Au.例文帳に追加

ステンレス鋼上に、ＮｉまたはＣｕなどの下地めっき層を介さずに、ｐＨ２以下でかつＡｕが３価であるシアンＡｕイオンを含有するＡｕまたはＡｕ合金めっき浴を用いて、ＡｕまたはＡｕ合金めっきをおこなう。 - 特許庁

To provide a sputtering target through which a TaN film that is used as a barrier layer for Cu wirings and whose thickness uniformity is, for instance, less than 5% through its surface can be obtained with high reproducibility.例文帳に追加

Ｃｕ配線のバリア層などとして用いられるＴａＮ膜において、膜厚の面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなＴａＮ膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

The reaction layer mainly consists of a carbide of at least one of metals 2 selected from elements of 4a, 5a and 6a groups, and the metal matrix is formed at least of one of metals selected from Ag, Cu, Au, Al, Mg and Zn.例文帳に追加

該反応層は、４ａ、５ａ及び６ａ族元素から選ばれた一種以上からなる金属２の炭化物を主成分とし、該金属マトリックスはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎより選ばれた一種以上の金属からなる。 - 特許庁

To provide a sputtering target through which a TaN film that is used as a barrier layer for Cu wirings and whose in-plane uniformity is, for instance, lens than 5% can be obtained with high reproducibility.例文帳に追加

Ｃｕ配線のバリア層などとして用いられるＴａＮ膜において、面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなＴａＮ膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

Since inclined surfaces of the sides of a projection 5 and a depression 6 are sputtered by priority and the speed of sputtering of the flat surface is low; sputtering proceeds from the sides of the projection and depression 5 and 6 toward the in-plane part, and the surface of the Cu layer 4 is planarized.例文帳に追加

凹凸部５、６の側面の傾斜した面が優先的にスパッタされ、平坦面のスパッタ速度は遅いので、凹凸ぶ５、６の側面から面内方向にスパッタが進行してＣｕ層４表面は平坦になる。 - 特許庁

The center of light emission is formed by at least one material selected from the element of Ce, Sm, Eu, Tb, Tm, Pr, Nd, Er, Yb, Lu, Pm, Gd, Dy, Ho, Mn, Cu, Pb, and the above luminous layer 4 is constructed of a fluorescent material which dissolves the above material 80-100 mol%.例文帳に追加

発光中心は、Ｃｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｐｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｐｂの元素から選択される少なくとも１つの材料により形成し、上記発光層４は、該材料を８０〜１００モル％固溶した蛍光材料により構成する。 - 特許庁

The X-ray transmissive film constituting the X-ray transmitting portion has a layer composed of at least one kind of metal selected from Al, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu or of their metal compounds.例文帳に追加

このＸ線透過部を構成するＸ線透過膜は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉもしくはＣｕのうち少なくとも１つの金属、または、その金属化合物により構成される層を有することを特徴とする。 - 特許庁

Since the alloy of Cu and Ni, and Ni, have a hardness higher than Au forming the surface layer, the protrusion 23 is not easily deformed even if the elastic contact 20 comes into contact with the external electrode 42 by a great pressing force.例文帳に追加

ＣｕとＮｉの合金及びＮｉは、表面層を形成するＡｕより高い硬度を有するため、弾性接触子２０が外部電極４２に大きな押圧力で当接しても突出部２３が容易に変形することがなくなる。 - 特許庁

This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が被覆されてなること。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

An SiO_2 film and a photoresist film are then formed sequentially on the seed layer (S3, S4), an opening is formed by patterning the photoresist film and the SiO_2 film (S5, S6), and a Cu film and a mask Al film are laminated in the opening (S7, S8).例文帳に追加

シード層の上にＳｉＯ_２膜及びフォトレジスト膜を順次形成し（Ｓ３、Ｓ４）、フォトレジスト膜、ＳｉＯ_２膜をパターニングして開口を形成し（Ｓ５，Ｓ６）、開口内にＣｕ膜及びマスクＡｌ膜を積層する（Ｓ７、Ｓ８）。 - 特許庁

A TEOS(tetraethylorthosilicate) oxide film 2 is formed on an Si wafer 1, a Ti film 3 and a TiN film 4 of barrier metal are formed thereon, and then an Al/Cu alloy layer 5 is deposited thereon, e.g. by magnetron sputtering method.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１上にＴＥＯＳ酸化膜２が形成された後、その上にＴｉ膜３およびＴｉＮ膜４からなるバリアメタルが形成され、さらにその上にたとえばマグネトロンスパッタ法によってＡｌ・Ｃｕ合金膜５が堆積される。 - 特許庁

A second diffusion prevention film 21, a second low-k film 22 and a second cap film 23 are formed thereon, and a barrier film 25 and a Cu film 26 are buried in these films to form a second conductivity type layer.例文帳に追加

その上に、第２拡散防止膜２１と第２ｌｏｗ−ｋ膜２２と第２キャップ膜２３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜２５とＣｕ膜２６が埋め込まれることにより第２導電層が形成されている。 - 特許庁

The second intermediate layer contains at least one element selected from Co and Fe, contains Cu as a principal component is constituted of an alloy whose total rate of Co and Fe is 10 to 30 at.%, and has a film thickness between 5 nm and 100 nm.例文帳に追加

第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 - 特許庁

A soft-magnetic layer 23 is formed of a high permeability ferrite having the composition of Fe-O or M-Fe-O (where, the element M is at least one or more of Mn, Co, Ni, Ba, Sr, Y, Gd, Cu and Zn).例文帳に追加

軟磁性層２３を、組成がＦｅ−ＯあるいはＭ−Ｆｅ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｕ、Ｚｎのうち少なくとも１種類以上）で構成される高透磁率フェライトで形成する。 - 特許庁

The power module is constituted by stacking an underlay conductive member 28 formed by a melt-spraying process (cold spraying process), a solder layer 14, and a semiconductor chip 11 in order on a metal wiring 23 made of a first material (Cu).例文帳に追加

パワーモジュールは、第１の材料（Ｃｕ）からなる金属配線２３の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された下敷き導電部材２８と、半田層１４と、半導体チップ１１とを順次積層して構成されている。 - 特許庁

The transition metal (Ti) which forms a level for acquiring holes when the nitride semiconductor layer 2 is an (n) conductivity type or transition metal (Cu) forming a level for acquiring electrons when a (p) type conductivity type is introduced.例文帳に追加

窒化物半導体層２がｎ型導電型の場合は正孔を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｔｉ）、またｐ型導電型の場合は電子を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｃｕ）を導入する。 - 特許庁

To provide a TAB (Tape Automated Bonding) tape increasing the reliability in a semiconductor package manufacturing process by preventing generation of foreign matter such as Cu particles with no presence of a Cu or metal pattern layer in a sprocket hole part where friction is generated due to a drive roller in progress of assembling a panel with a drive IC (Integrated Circuit) or a chip/drive IC; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ドライブＩＣまたはチップ／ドライブＩＣとパネルとのアセンブリ進行時に、駆動ローラにより摩擦が発生するスプロケットホールの部位にＣｕまたは金属パターン層が存在せず、Ｃｕパーティクルなどの異物の発生を防止することによって、半導体パッケージの製造工程において信頼性を向上させることができるＴＡＢテープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, the thickness of the barrier film 30 is set to the film thickness for preventing the diffusion of the Cu atoms on an interlayer insulating film 7 below upper-layer wiring 21, thus improving EM resistance, and forming optimum wiring structure in terms of the prevention of Cu contamination.例文帳に追加

上層配線のビアプラグ１１と下層配線５との間に挟まれるバリア膜２０の膜厚をＣｕ原子が上下に互いに拡散出来る膜厚とし、さらに、上層配線２１の下の層間絶縁膜７上ではＣｕ原子の拡散を防止できる厚さのバリア膜３０とすることにより、ＥＭ耐性向上、Ｃｕ汚染防止の面から見て最適な配線構造を形成することができる。 - 特許庁

In a semiconductor device having a damascene structure, a TaN film 7 and a Ti film 8 composed of Ti exhibiting good wettability to Cu are formed respectively, as a barrier layer, on the inside walls of a wiring groove G2 and a via hole V2 formed in a second interlayer insulating film 6, so that a Cu seed film 9a can be formed uniformly on the Ti film 8.例文帳に追加

ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。 - 特許庁

Since the working speed of the Ta-based metallic film can be lowered without changing significantly the working speed of the Cu-based metallic film at the time of polishing a copper wiring layer containing the Ta-based metallic film as a barrier layer by CMP by using a polishing solution containing TETA, TEPA, and PEHA, the Ta barrier layer can be polished nondefectively without degrading the productivity.例文帳に追加

ＴＥＴＡ、ＴＥＰＡ、ＰＥＨＡを含有してなる研磨液では、Ｔａ系金属膜をバリア層とする銅配線層をＣＭＰ研摩する際に、Ｃｕ系金属膜の加工速度は大きく変化することなく、Ｔａ系金属膜の加工速度を低下させることが出来るため、生産性を落とすことなく、Ｔａバリア層の欠陥のない研磨加工をすることができる。 - 特許庁

The conductive covering material comprises a lower layer region 2 made of one element selected from the group IV-X elements of the periodic table or an alloy predominantly composed of the element, an intermediate layer region 3 made of a Cu-Sn intermetallic compound, and an upper layer region 4 made of an Sn alloy containing an Ag-Sn intermetallic compound that are formed in this order on the surface of a base 1.例文帳に追加

基材１の表面に、周期律表４〜１０族に属する元素のいずれか１種またはその元素を主成分とする合金から成る下層領域２と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物から成る中間層領域３と、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物を含有するＳｎ合金から成る上層領域４とがこの順序で形成されている導電性被覆材料。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a conductive support, and the photosensitive layer contains a phthalocyanine pigment having a maximum peak at 27.2±0.2° of Bragg angle 2θ based on X-ray diffraction spectra using a Cu-Kα characteristic X-ray (wavelength 1.541 Å), and polyglutamic acid.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体であって、該感光層が、Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線（波長１．５４１Å）を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角２θが２７．２±０．２°に、最大ピークを有するフタロシアニン顔料およびポリグルタミン酸を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

To provide wiring which has high adhesion to a glass substrate, and can suppress diffusion of Cu into a layer containing Si to reduce contact resistance between the wiring and the layer containing Si, and to provide a TFT circuit board using a wiring material, and a target material for the wiring material.例文帳に追加

ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。 - 特許庁

To provide: an electrode contact member of a vacuum circuit breaker, which is obtained by forming a thick Cr fine dispersion layer on a surface of a Cu-Cr alloy base metal and which brings about improved dielectric strength and interrupting performance; and a method for easily producing the electrode contact member of the vacuum circuit breaker through easy formation of the Cr fine dispersion layer.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｃｒ合金母材の表面に厚いＣｒ微細分散層を形成して耐電圧や遮断性能を向上できる真空遮断器の電極接点部材、及びＣｒ微細分散層を容易に形成できて、製造が簡単な真空遮断器の電極接点部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make conduction with high productivity and high reliability between wirings on both sides of a double-sided flexible wiring board, ensure high adhesion between an insulation layer (esp., polyimide layer) and conductive layers (esp., Cu layers) on both sides thereof, form wiring patterns by the finable additive method and avoid curling.例文帳に追加

両面フレキシブル配線板の両面の配線間を高い生産性且つ高い信頼性で導通させ、また、絶縁層（特にポリイミド層）とその両側の導電層（特に銅層）との間に高い密着性を確保し、しかも配線パターンをファイン化可能なアディティブ法により形成できるようにし、更にカールを生じないようにする。 - 特許庁