「cu layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The counter electrode substrate is made of Al, Cu, Ag, Au or stainless steel, the corrosion resistant conductive layer is made of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is made of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or a conductive polymer.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

This reflection preventing optical member has a reflection preventing layer on at least one face on a transparent basic material, and layers of metals such as Mg, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Si, Mo, Sn, etc., are provided between a pollution preventing layer of organic silane compound containing perfluoropolyether group and a reflection preventing film.例文帳に追加

透明基材上の少なくとも片面に反射防止層を有する反射防止光学部材において、パーフルオロポリエーテル基を含有する有機シラン化合物等の防汚層と反射防止膜との間に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｓｎ等の金属層が設けられた反射防止光学部材を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for improving deterioration of contact resistance with elapsed time under a high temperature environment by controlling the oxygen concentration in Ni phase for enhancing heat resistance, in a reflow Sn-plated material, whose undercoat layer is Cu/Ni double layer, and which is suitable for a conductive spring material for electronic parts such as connector and terminal.例文帳に追加

コネクタや端子等の電子部品の導電性ばね材として好適な、Ｃｕ／Ｎｉ二層下地めっきリフローＳｎめっき材について、耐熱性を向上させるためＮｉ相中の酸素濃度を適度に制御することにより高温環境下における接触抵抗の経時劣化を改善する技術を提供する。 - 特許庁

A gain medium 11 is ground thin, and an anti-reflection(AR) coating layer 12 which is anti-reflective to excitation wavelength and laser oscillation wavelength is applied to one face, and a high reflection(HR) coating layer 13 which is high reflective to the both wavelength is applied to the other face, and this gain medium 11 is mounted on a heat sink 17 made of Cu for heat radiation.例文帳に追加

利得媒質１１は薄く研磨し、その片面に励起波長とレーザー発振波長に対し無反射（ＡＲ）のＡＲコーティング層１２を施し、もう片面には両波長に対し高反射（ＨＲ）のＨＲコーティング層１３を施し、これを放熱のために、Ｃｕ製のヒートシンク１７にマウントする。 - 特許庁

Further, since it is judged whether or not irradiation with the laser beam UL is continued on the basis of a variable m, etc., obtained from the result of detection by the photo sensors 75 and 76, it is judged whether or not the layer Cu exposed on the bottom of the VIA hole is a conductive layer to be pierced by the hole formation of this case.例文帳に追加

さらに、フォトセンサ７５、７６の検出結果から得た変数ｍ等に基づいて紫外レーザ光ＵＬの照射を継続するか否かを判断するので、ＶＩＡホール底部に露出した銅薄膜層Ｃｕが今回のホール形成で貫通すべき導電層であるか否かを判断することができる。 - 特許庁

(1) In the optical recording medium containing a substrate and a recording layer over the substrate, the recording layer primarily contains Bi and O (oxygen), and further contains B and at least one element X selected from Ge, Li, Sn, Cu, Fe, Pd, Zn, Mg, Nd, Mn and Ni.例文帳に追加

（１）基板上に少なくとも記録層を形成した光記録媒体であって、記録層の構成元素の主成分がＢｉ及びＯ（酸素）であり、Ｂを含有し、更にＧｅ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有する光記録媒体。 - 特許庁

In wirings having a structure that consists of a first layer metal film wiring, a second metal film wiring having a constant side etching portion and an insulating film pattern, a field plating processing is performed to the concave region corresponding to a side etching portion of the second layer metal film wiring and low resistance metal such as Cu and Ag is made to electrodeposit thereon.例文帳に追加

第１層金属膜配線と、一定のサイドエッチング部を有する第２層金属膜配線と、絶縁膜パターンの３層膜から成る構造の配線に於いて、電界メッキ処理により前記第２層金属膜配線のサイドエッチング部に相当する凹形領域に、銅や銀の低抵抗金属を電着させる。 - 特許庁

This ferrite magnetic layer is composed of 40 to 50 mol% Fe2O3, 15 to 35 mol% ZnO, 0 to 20 mol% Cu, and NiO and inevitable impurities for the rest, and an area having 5 mol% CuO, or lower density is formed in the ferrite magnetic layer nearby the interface contacting the top surface of the Si substrate.例文帳に追加

フェライト磁性層の組成がＦｅ_2Ｏ_3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ_2Ｏ_3：０〜１０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯ及び不可避不純物からなる磁性槽のＳｉ基板表面に接する界面近傍のフェライト磁性層にＣｕＯ濃度が５ｍｏｌ％以下の領域を形成する。 - 特許庁

The information recording medium of surface light incident type is characterized in that the reflective layer containing Ag-Cu alloy and a magneto-optical recording layer are provided in this order on at least one surface of a support.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、Ａｇ−Ｃｕ合金を含む反射層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁

The nickel hydroxide particles with the covering layer containing cobalt in which the average oxidation number of cobalt in the covering layer exceeds 2 is used, and high crystalline lithium cobaltate particles in which a half-value width (2θ) of a peak of a (101) face in powder X-ray diffraction using Cu-Kα is 0.15° or less is used.例文帳に追加

コバルトを含む被覆層を備える水酸化ニッケル粒子としては、被覆層のコバルトの平均酸化数が２を超えたものを用い、コバルト酸リチウム粒子としては、Ｃｕ−Ｋαを用いた粉末Ｘ線回折における（１０１）面のピークの半値幅（２θ）が０．１５°以下の結晶性の高いものを用いる。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

Piezoelectric ceramics 21, with a main crystal of a Bi layer compound containing at least Sr, Bi and Ti, contain Mn in 0.05-1 weight % expressed in terms of MnO2 and Cu in 0.05-1 weight % expressed in terms of CuO.例文帳に追加

少なくとも、Ｓｒ、ＢｉおよびＴｉを含むＢｉ層状化合物を主結晶とする圧電磁器２１であって、ＭｎをＭｎＯ_2換算で、全量中０．０５〜１重量％、ＣｕをＣｕＯ換算で全量中０．０５〜１重量％含有する。 - 特許庁

Next, each wiring substrate 10, 20 and 30 is laminated to align each wiring layer so as to be mutually connected through the Cu post 17 and each connection terminal 27, 36, and a resin is filled between each substrate after each substrate is electrically connected.例文帳に追加

次に、各配線基板１０，２０，３０を、Ｃｕポスト１７及び各接続端子２７，３６を介して各配線層が相互に接続されるように位置合わせして積層し、各基板間を電気的に接続した後、各基板間に樹脂を充填する。 - 特許庁

As compared with a conventional structures where the first protective layers are not formed or structures where the first protective layers are formed of Al, Ti, Cu or IrMn, magnetostriction of the free magnetic layer can be reduced effectively, while sustaining high change rate in the resistance.例文帳に追加

これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、高い抵抗変化率を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に低減できる。 - 特許庁

In succession, a copper (Cu) as a conductive material is deposited to a thickness of 2 to 2 μm by a sputtering method over the entire surface and is then subjected to a planatarization treatment by polishing the material by CMP(chemical and mechanical polishing) until the surface of the lower shielding layer 3 thereafter is exposed.例文帳に追加

続いて、全面に導電材料として銅（Ｃｕ）をスパッタ法により２〜３μｍの厚さに堆積した後、ＣＭＰ（Chemical andMechanical Polishing : 化学的機械研磨）により下部シールド層３の表面が露出するまで研磨し、平坦化処理を行う。 - 特許庁

A first diffusion prevention film 11, a first low-k film 12 and a first cap film 13 are formed on a silicon substrate 1, and a barrier film 15 and a Cu film 16 are buried in these films to form a first conductivity type layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１拡散防止膜１１と第１ｌｏｗ−ｋ膜１２と第１キャップ膜１３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜１５とＣｕ膜１６が埋め込まれることにより第１導電層が形成されている。 - 特許庁

More specifically, it is preferable that the insulating board 12 be formed of AlN, Si3N4 or Al2O3, the heat sink 13 is formed of Al or Cu, and the buffer layer 14 is formed of AlSiC, a carbon board or an AlC composite material.例文帳に追加

具体的には絶縁基板１２がＡｌＮ，Ｓｉ_3Ｎ_4又はＡｌ_2Ｏ_3により形成され、ヒートシンク１３がＡｌ又はＣｕにより形成され、緩衝層１４がＡｌＳｉＣ、カーボン板又はＡｌＣ複合材により形成されることが好ましい。 - 特許庁

The protective layer 10 includes MgO particles as a first particle 97 and compound particles comprising at least one element selected from the group consisting of V, Mn, Co, Ni, Cu, Mo and W, Ca and O, as a third particle 99.例文帳に追加

保護層１０は、第１粒子９７としてＭｇＯ粒子と、第３粒子９９としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物粒子とを有する。 - 特許庁

Even when an M^1 (at least one kind selected among Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, and Au) is given in a region of 2 nm from the boundary with the nonmagnetic layer, the maximum distance is relatively reduced.例文帳に追加

非磁性層との界面から２ｎｍの範囲の強磁性層に、Ｍ^1（Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種）を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。 - 特許庁

To establish a technology of easily forming a silicon nitride film from generally available raw material gases which is used as a layer insulation film, has a low dielectric constant, is preferable for combination with copper (Cu) wirings and suited to fine and ultra-high integration devices.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いて低誘電率でありまた銅（Ｃｕ）系配線と組合せるに好ましい、微細・超高集積デバイスに好適なシリコン窒化膜を、汎用される原料ガスから容易に成膜できる技術の確立が課題である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can prevent film peeling of an alloy film on a side surface of a groove without increasing the remaining amount of Mn in a Cu layer formed so as to fully fill the groove.例文帳に追加

溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ceramics-metal joined body has a nitride ceramic member and a metal member which is joined to a nitride ceramic substrate through an Ag-Cu brazing material layer containing at least one active metal selected from Ti, Zr and Nb.例文帳に追加

窒化物系セラミック部材と、Ｔｉ、ＺｒおよびＮｂから選ばれた少なくとも１種の活性金属を含むＡｇ−Ｃｕ系ろう材層を介して、窒化物系セラミックス基板に接合された金属部材とを具備するセラミックス−金属接合体である。 - 特許庁

An aluminum foil having a bulk layer that has undergone a surface roughening treatment on the inner cross-section thereof is used for the positive electrode valve metal foil 23, and an aluminum foil of the same type, an Ni foil, a Cu foil, or an aluminum foil to which carbon is added is used for the collector metal foil 24.例文帳に追加

陽極用弁金属箔23に内部断面に粗面化処理されていないバルク層を有するアルミニウム箔を用い、集電体用金属箔24に同様のアルミニウム箔、Ｎｉ箔、Ｃｕ箔、又はカーボンを加えたアルミニウム箔を用いる。 - 特許庁

As a material of the second or subsequent source or the drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.例文帳に追加

二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁

As a material of the second source or subsequent or drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.例文帳に追加

二層目以降のソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁

The catalyst layer 12 is formed by stacking nitride/transition metal in this order or transition metal/nitride/transition metal in this order from the substrate side by using a sputtering apparatus and contains at least one element selected from Cu, Fe, Ni, and Co.例文帳に追加

この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode wire for wire electric discharge machining, which is inexpensive in manufacturing cost, reliably obtains a Cu-Zn alloy layer having a desired Zn concentration and is excellent in electric discharge machinability and wire drawability.例文帳に追加

製造コストが安価で、かつ所望のＺｎ濃度を有するＣｕ−Ｚｎ合金層を確実に得ることができ、さらに放電加工性及び伸線加工性が非常に優れるワイヤ放電加工用電極線の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer, in which the yield is improved in a post-process by preventing an SF from occurring in an epitaxial layer and effectively reducing the Cu concentration in a substrate.例文帳に追加

エピタキシャル層に発生するＳＦを防止するとともに、基板内部のＣｕ濃度を効果的に低減することによって、後工程での歩留まりを向上することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The composite electric wire includes the electric wire body W consisting of the center conductive wire AL, and an outer layer conductive wire CU which is extended along the outer peripheral face of this center conductive wire AL in Z direction, and arranged so as to surround this center conductive wire AL.例文帳に追加

複合電線は、中心導線ＡＬとＺ方向にこの中心導線ＡＬの外周面に沿って延長すると共にこの中心導線ＡＬを囲むように配置される外層導線ＣＵとからなる電線本体Ｗを含んでいる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.例文帳に追加

この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁

The porous layer 12 is formed of metal powder mainly composed of Cu powder and Fe powder, and the thrust dynamic pressure generating part 13 composed of a plurality of dynamic pressure grooves 14 formed into a spiral shape by press working is also formed on its end surface.例文帳に追加

多孔質層１２は、Ｃｕ粉末とＦｅ粉末とを主成分とする金属粉末で形成され、かつ、その端面にはプレス加工によりスパイラル形状をなす複数の動圧溝１４からなるスラスト動圧発生部１３が形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the permanent magnet includes at least the step of forming the plated Cu coating film as the outermost layer on the surface of the magnet and a step of oxidizing the surface of the coating film.例文帳に追加

また、磁石表面の最表層としてＣｕめっき被膜を形成する工程、その後に前記Ｃｕめっき被膜の表面を酸化処理する工程を少なくとも含むことを特徴とする希土類系永久磁石の製造方法である。 - 特許庁

In the latter half of a heat-treatment in a vacuum or inert gas atmosphere of a superconductive precursor wire rod without a diffused barrier layer, the atmosphere is replaced with one having an oxygen partial pressure in which components other than Cu in the matrix are oxidized, and is maintained in that state.例文帳に追加

拡散障壁層のない超伝導前駆線材の真空または不活性ガス雰囲気での熱処理の後半において、マトリックス中のＣｕ以外の成分が酸化される酸素分圧を有する雰囲気に替え、その状態に保持する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light-emitting layer for inorganic electroluminescence in which excess Cu component added as an acceptor can be treated by a method suitable for a thin film, without being removed by washing using a harmful aqueous solution, or the like, of sodium cyanide.例文帳に追加

アクセプターとして添加された過剰なＣｕ成分の除去を有害なシアン化ナトリウム水溶液等の洗浄によらず、かつ薄膜に適した方法で処理できる無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法を提供することである。 - 特許庁

This ceramic electronic part is equipped with a ceramic element, outer electrodes provided to the ceramic element, lead terminals connected to the outer electrodes with solder that contains a Cu component but no Pb component, and a resin outer sheath which is formed so as to cover the ceramic element and outer electrodes where a Cu-Sn intermetallic compound layer is provided at an interlayer between the outer electrodes and solder.例文帳に追加

本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に設けられた外部電極と、Ｃｕ成分を含有しＰｂ成分を含有しない半田により外部電極に接続されたリード端子と、セラミック素体と外部電極を覆うように形成された外装樹脂とからなるセラミック電子部品であって、外部電極と半田との界面に、ＣｕＳｎ金属間化合物層を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a pressurizing/heating process, a CuAu alloy layer 522 being an alloy layer of Cu constituting the pad 31 and Au constituting the stud bump 52a is formed by bonding the pad 31 with the stud bump 52a and the electrode 51a with the stud bump 52a by solid-phase diffusion bonding, and all Al of the electrode 51a are made into AuAl alloy and an AuAl alloy layer 521 which does not include Al is formed.例文帳に追加

また、加圧・加熱工程では、パッド３１とスタッドバンプ５２ａ、及び電極５１ａとスタッドバンプ５２ａとを固相拡散接合により接合することによって、パッド３１を構成するＣｕとスタッドバンプ５２ａを構成するＡｕとの合金層であるＣｕＡｕ合金層５２２を形成すると共に、電極５１ａのＡｌを全てＡｕＡｌ合金化してＡｌを含まないＡｕＡｌ合金層５２１とする。 - 特許庁

The purpose is achieved by forming the plated Cu rectangular conductive body having 0.5-2.0 μm thickness of the total plated layer and 0.3-1.0 μm thickness of the pure Sn plated layer or the Sn based alloy plated layer.例文帳に追加

少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上には、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであるめっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。 - 特許庁

This is a negative electrode material for lithium secondary battery having a coating layer at the current collector, and the coating layer is a granular rough plated film of Cu formed on the current collector and an Sn alloy plated film having a minute convex shape part including at least a curved face portion formed on top of it.例文帳に追加

集電体に被覆層を有するリチウム二次電池用負極材料であって、該被覆層が集電体上に形成されたＣｕの粒状粗化めっき被膜および更にその上に形成された少なくとも曲面部分を含む微小凸状部を有するＳｎ合金めっき膜であることを特徴とするリチウム２次電池用負極材料。 - 特許庁

Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

Since a heavy metal acquisition layer composed of a crystal alteration layer is formed on the reverse-surface side of the silicon substrate through laser beams irradiation, Cu and Ni mixed principally in the reverse-surface grinding and polishing processes and heavy metal mixed in a process following the thin thickness processing can be also obtained in a reverse-surface neighborhood region.例文帳に追加

本発明によれば、レーザー光の照射によってシリコン基板の裏面側に結晶変質層からなる重金属捕獲層を形成していることから、主に裏面研削・研磨工程において混入するＣｕ、Ｎｉや薄厚加工後の次工程で混入する重金属も裏面近傍領域に捕獲することが可能となる。 - 特許庁

In an insulative heat sink of semiconductor device and a method of manufacturing the same, the heat sink is formed of a carbon fiber composite Al or carbon fiber composite Al alloy, an insulating plate is formed of Cu layer or AlN joined with the Al layer and the insulating plate and heat sink are joined with the Sn-Pb based alloy or conductive resin.例文帳に追加

この発明に係わる半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法は、放熱板を炭素繊維複合Ａｌまたは炭素繊維複合Ａｌ合金とし、絶縁板はＣｕ層またはＡｌ層が接合されたＡｌＮとし、絶縁板と放熱板の接合材はＳｎ−Ｐｂ系合金または導電性樹脂とするものである。 - 特許庁

In an external electrode 8 provided on a semiconductor device 1 of P-VQFN as one of non-lead surface mounting, a metal plating layer 8b composed of a metal such as copper (Cu) and a solder plating layer 8c composed of a solder are respectively formed on the upper surface and lower surface of an electrode part 8a (on the mount face side and opposite side of a package 7).例文帳に追加

ノンリード表面実装の１つであるＰ−ＶＱＦＮの半導体装置１に設けられた外部電極８には、電極部８ａの上面と下面（パッケージ７の実装面側とその反対面側）に銅（Ｃｕ）などの金属による金属めっき層８ｂ、およびはんだによるはんだめっき層８ｃがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method comprises heating the steel material in a heating furnace having an atmosphere of a low oxygen concentration to form a scale layer formed of only a wustite layer, and to evaporate/dissipate molten Cu existing in the interface between the scale/matrix; or alternatively heating the steel material, extracting it from the heating furnace, and carrying out descaling treatment on it twice or more times during the first hot rolling process.例文帳に追加

また、その製造方法は、加熱炉での加熱を低酸素濃度雰囲気条件で行ってウスタイト層のみからなるスケール層とすることでスケール／地鉄界面の溶融Ｃｕを蒸発・飛散させるか、または、鋼材を加熱し加熱炉から抽出した後、最初の熱間圧延の間に２回以上のスケール除去処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

By forming a diffusive metal compound layer 9a of Cu and Zn surrounding the metal grain 7 inside melting solder 3' of the junction, a diffusive metal compound layer 9b in a joint interface of the melted solder 3' with the copper terminal 2 and the copper bump 5 is suppressed; the strength degradation is prevented and the reliability after joining is ensured.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

This information recording medium of surface light incident type has a feature that a granular structural reflective layer containing a metal selected from among Ag, Au, Al and Cu, and a magneto-optical recording layer are provided in this order at least on one surface of a supporting body.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、及びＣｕから選択される金属を含むグラニュラー構造の反射層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁