「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An erasure circuit erases data of the memory cell array in a block unit.例文帳に追加

消去回路は、メモリセルアレイのデータをブロック単位に消去する。 - 特許庁

To improve noise resistance in writing data to a memory cell and reading the data from the memory cell in a storage device.例文帳に追加

記憶装置において、メモリセルへのデータの書き込みとメモリセルからのデータの読み出しを行う際に、ノイズ耐性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a refresh-mode driving method for a semiconductor memory and a cell data protecting circuit which can protect safely cell data at the time of refresh-operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作時、セルデータを安全に保護できる、半導体メモリ装置のリフレッシュモード駆動方法及びセルデータ保護回路を提供する。 - 特許庁

The CPU 60 obtains the sensor data successively cell by cell and produces the AF data indicating the contrast of the sensor image.例文帳に追加

ＣＰＵ６０は、そのセンサデータを各セルごとに順次ＣＰＵ６０により取得しながらセンサ像のコントラストを示すＡＦデータを生成する。 - 特許庁

At the time of a test, first, specific data is written in a memory cell array 30.例文帳に追加

テスト時には、まず、メモリセルアレイ３０に特定のデータを書き込む。 - 特許庁

The memory cell 2 is connected to a first bit line BT and store data.例文帳に追加

メモリセル２は、第１ビット線ＢＴに接続されデータを記憶する。 - 特許庁

The resistive state of the memory cell being read is indicative of the data bit stored by the memory cell.例文帳に追加

上記読み出されるメモリセルの抵抗状態は、上記メモリセルによって記憶されたデータビットを表す。 - 特許庁

The horizontal parity bit is fed to a buffer input output section 32 together with cell data and written in a cell buffer 18.例文帳に追加

水平パリティビットはセルデータと共にバッファ入出力部３２に送られセルバッファ１８に書き込まれる。 - 特許庁

a reading and writing control part arranged between cell arrays controls reading and writing of data for the cell array.例文帳に追加

セルアレイの間に配置された読み書き制御部は、セルアレイに対するデータの読み書きを制御する。 - 特許庁

To accurately perform internal read of memory cell data by compensating defective threshold voltage of a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのしきい値電圧不良を補償して、正確にメモリセルデータの内部読出を行なう。 - 特許庁

To read data by using a dummy memory cell in the same configuration and a shape as the normal memory cell.例文帳に追加

正規メモリセルと同様の構成および形状を有するダミーメモリセルを用いてデータ読出を実行する。 - 特許庁

Furthermore, the FRM cell, whose path in the system is the same as that of a data cell, is used for the band reservation processing.例文帳に追加

また、帯域予約処理はデータセルと装置内経路が同じであるＦＲＭセルにより行われる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory which is provided with a memory cell array 3 and a replacement data cell array 2 is used.例文帳に追加

メモリセルアレイ３と置換データ用セルアレイ２とを具備する不揮発性半導体記憶装置を用いる。 - 特許庁

To check a parity bit while no parity bit data line is provided between a cell buffer monitor and a cell buffer.例文帳に追加

セルバッファとの間にパリティビット用データ線を設けない状態でパリティビットのチェックを可能にする。 - 特許庁

The owner cell CO directly transmits latest data to the request cell CR in response to the snoop request.例文帳に追加

オーナーセルＣＯは、そのスヌープリクエストに応答して最新データをリクエストセルＣＲに直接送信する。 - 特許庁

To improve data read accuracy from a reference cell when whether the reference cell is good or not is determined in an nonvolatile memory device provided with the reference cell and a memory cell.例文帳に追加

参照セルとメモリセルとを備える不揮発性記憶装置において、参照セルの良否を判定する際に参照セルからのデータ読出精度を向上させる。 - 特許庁

The parallel bit test method includes a step in which the test data are stored in the test data storage section, a step in which the test data and the inverted data of the test data are written in the memory cell array and a step in which decision is made to determine whether the data read from the memory cell array are the same as the test data and their inverted data or not.例文帳に追加

並列ビットテスト方法は、テストデータ貯蔵部にテストデータを貯蔵する段階、メモリセルアレイにテストデータやその反転されたデータをライトする段階、メモリセルアレイから読取りしたリードデータが前記テストデータやその反転されたデータと同じであるかを判断する段階を含む。 - 特許庁

A data frame has the multi-connection ATM cell of variable length, whose cell length including an overhead area and a payload area is n (positive integer)-times as much as the cell length of the ATM cell of 53 bytes and which includes a data length display part DL showing cell length as overhead information as a data format mapped on the data frame.例文帳に追加

データフレーム上にマッピングするデータフォーマットとして、データフレームが、オーバヘッド領域とペイロード領域とを含むセル長が５３バイトのＡＴＭセルのセル長のｎ（正の整数）倍であり、かつセル長を示すデータ長表示部ＤＬをオーバヘッド情報として含む可変長のマルチコネクトＡＴＭセルを有する。 - 特許庁

This device has a first bit line pair BM, /BM reading data from an arbitrary memory cell in a memory cell column, a second bit line pair BS, /BS writing data in the other arbitrary memory cell in the memory cell column, and a readout line OLCD for display reading successively display data from the memory cell column.例文帳に追加

メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、メモリセル列から順次表示データを読み出す表示用読み出し線ＯＬＣＤとを有する。 - 特許庁

To make read-out operation speed of memory cell data fast in a latency period by reducing difference of timing at which true memory cell data about an ON-cell and an OFF-cell is detected in a semiconductor memory having a latency period and a serial access period as a read-out operation period of memory cell data.例文帳に追加

メモリセルデータの読み出し動作期間としてレイテンシィ期間及びシリアルアクセス期間を有する半導体記憶装置において、ＯＮセル及びＯＦＦセルについて真のメモリセルデータを検出するタイミングの差を小さくし、レイテンシィ期間におけるメモリセルデータ読み出し動作の高速化を可能とする。 - 特許庁

Cell data comprising the major side direction (MSD) pattern width of a critical pattern included in each cell and capable of reducing manufacturing margin for the manufacture of a semiconductor device, the size of the cell and the arrangement position of the cell are prepared in each cell.例文帳に追加

セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセル毎のセルデータを作成する。 - 特許庁

A RAM (Random Access Memory) 30 holds data that is to be written to the memory cell array 10 or data that is read out.例文帳に追加

ＲＡＭ（Random Access Memory）30は、メモリセルアレイ10に書き込まれるデータ、又は読み出されたデータを保持する。 - 特許庁

When compared results do not coincide, data from a memory cell are read out and outputted as read-out data.例文帳に追加

比較結果が一致しない場合、メモリセルからのデータを読み出しデータとして出力する。 - 特許庁

Burn-in is conducted by writing data of the data signal in the memory cell MC.例文帳に追加

このデータ信号のデータを選択されたメモリセルＭＣに書き込むことにより、バーンインをしている。 - 特許庁

The arithmetic operation auxiliary cell obtains, for example, an absolute difference value between the stored data and the reference data as an arithmetic operation result.例文帳に追加

数値演算結果として、例えば記憶データと参照データとの差分絶対値を得る。 - 特許庁

Data in the I/O data line is written in the bit line 110, successively, written in a memory cell 105.例文帳に追加

次いで、ビット線上の電圧レベルをビット線に接続されているメモリセル内に格納する。 - 特許庁

A flash memory 10 has a data area and a standby area for data writing in a cell array 11.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０は、セルアレー１１にデータ領域及びデータ書き込み用予備領域を備える。 - 特許庁

To accelerate a data transfer rate in data writing in a p-channel MONOS memory cell.例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＮＯＳメモリセルにおいて、データ書込時のデータ転送レートの高速化を実現する。 - 特許庁

After that, the stored data are again read out from the target memory cell and it is determined whether the write data coincide with the read data.例文帳に追加

この後、再び、書込対象のメモリセルの記憶データを読出し、書込データと読出データの一致／不一致を判定する。 - 特許庁

Data to be written into a cell is input via a data bus DB1 and a data bar bus DBB1, so as to be transmitted to a main bit line.例文帳に追加

セルに書込むデータがデータバスＤＢ１とデータバーバスＤＢＢ１を介して入力され、メインビットラインへ伝達される。 - 特許庁

A global write-buffer 12 drives a global data line 13 in accordance with input data <;0>; to be written in a memory cell MC.例文帳に追加

グローバルライトバッファ１２は、メモリセルＭＣに書き込むべき入力データDATA<0>に応じてグローバルデータ線１３を駆動する。 - 特許庁

The column control circuit 2 and the raw control circuit 3 execute data write-in operation for applying voltage required for writing data in the memory cell of the memory cell array 1 and data erasing operation for applying data required for erasing of data to the other memory cell simultaneously.例文帳に追加

カラム制御回路２及びロウ制御回路３は、メモリセルアレイ１の一のメモリセルにデータの書き込みに必要な電圧を印加するデータ書き込み動作と、他のメモリセルにデータの消去に必要な電圧を印加するデータ消去動作とを同時に実行する。 - 特許庁

For example, data of a PF cell 21 having an electrical characteristic being almost same as that of a memory cell MC is read by a data compensating system control circuit 13 in data compensation operation.例文帳に追加

たとえば、メモリセルＭＣとほぼ同等の電気的特性を有するＰＦセル２１のデータを、データ補償動作時に、データ補償システム制御回路１３により読み出す。 - 特許庁

Cell information is referred, and whether the image data read from the DVD-RAM are image data belonging to the static image section or image data belonging to the dynamic image section is decided.例文帳に追加

CELL情報を参照することにより、DVD-RAMから読み出されたピクチャデータが静止画区間に属するピクチャデータであるか動画区間に属するピクチャデータであるかを判定する。 - 特許庁

Data are read from a memory cell to be a refreshing object, stored in a data storage part for refreshing to temporarily store it and after that, the data in the memory cell to be the refreshing object are deleted.例文帳に追加

リフレッシュの対象となるメモリセルからデータを読み出し、一時記憶するリフレッシュ用データ記憶部にデータを記憶し、その後、リフレッシュ対象メモリセルのデータを消去する。 - 特許庁

A cell data integrating means 140 integrates the new table created by the table content information creating means 130 and the data read out from the cell data holding means 120.例文帳に追加

セルデータ統合手段１４０は、表内容情報生成手段１３０によって生成された新たな表と、セルデータ保持手段１２０から読み出したデータとを統合する。 - 特許庁

To reduce delay when data are written in a memory cell by putting a data bus line in full swing in a semiconductor integrated circuit having a memory cell storing data.例文帳に追加

データを記憶するメモリセルを有する半導体集積回路において、データバス線をフルスイングさせてメモリセルへデータを書き込む場合の遅延を低減することを目的としている。 - 特許庁

Next, after second data write-in is performed for a second memory cell MC1, third data write-in in which data of desired threshold voltage is written in the first memory cell is performed.例文帳に追加

次に、第２のメモリセルＭＣ１に第２のデータ書き込みを行った後、第１のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込む第３のデータ書き込みを行う。 - 特許庁

The video data divided into a plurality of unit data (cell), attribute information which indicates the reproduction sequence of the plurality of unit data (cell) and first control information (cell type) which indicates the propriety of the reproduction with respect to each of these unit data (cell) are recorded on the recording medium (optical disk 11).例文帳に追加

複数の単位データ（セル）に区切られた映像データと、この複数の単位データ（セル）の再生順序を指示する属性情報と、この複数の単位データ（セル）毎に再生の可否を指示する第１の制御情報（セルタイプ）とを、記録媒体（光ディスク１１）に記録するようにしている。 - 特許庁

Video data divided into a plurality of unit data (cell), attribute information which instructs the reproduction sequence of the plurality of unit data (cell) and first control information (cell type) which instructs the propriety of the reproduction with respect to each of these unit data (cell) are recorded on the recording medium (optical disk 11).例文帳に追加

複数の単位データ（セル）に区切られた映像データと、この複数の単位データ（セル）の再生順序を指示する属性情報と、この複数の単位データ（セル）毎に再生の可否を指示する第１の制御情報（セルタイプ）とを、記録媒体（光ディスク１１）に記録するようにしている。 - 特許庁

The memory is provided with a data line sense circuit which continuously selects cell data of plural columns, transfers the data to a data line pair DQ and bDQ and detects.例文帳に追加

複数カラムのセルデータを連続的に選択してデータ線対ＤＱ，ｂＤＱに転送して検知するデータ線センス回路を備える。 - 特許庁

Also, when a data amplifier enable signal is activated, the data amplifier 1 is activated and data of the memory cell read by the data amplifier 1 are output.例文帳に追加

また、データアンプエネーブル信号が活性化された時は、データアンプ１を活性化させ、データアンプ１により読み取られたメモリセルのデータを出力する。 - 特許庁

Cell selection circuits 2, 3 are operative to select from the memory cell array MA a memory cell MC whose data is to be read, and to select from the reference cell array RA a reference cell RA at a position corresponding to a position of the memory cell MC selected in the memory cell array MA.例文帳に追加

セル選択回路２，３は、メモリセルアレイＭＡの中からデータを読み出すメモリセルＭＣを選択すると共に参照セルアレイＲＡの中からメモリセルアレイＭＡにおける選択されたメモリセルＭＣの位置に対応する位置の参照セルＲＡを選択する。 - 特許庁

The reproducing apparatus equipped with the programmable circuit cell comprises a communication means, a means for inputting a multimedia data described in the multimedia data format from the communication means, a means for reconfiguring the circuit cell using a circuit cell configuration data in the data, and a means for reproducing the multimedia data using the circuit cell.例文帳に追加

又、プログラム可能な回路セルを備えた再生装置において、通信手段と、該通信手段から前記マルチメディアデータ形式で記述されたマルチメディアデータを入力する手段と、データ中の回路セル構成データを用いて回路セルを再構成する手段と、前記回路セルを使用してマルチメディアデータを再生する手段と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a word line SWD; a first memory cell CELL0 and a second memory cell CELL1 that are connected to the word line; a first data line pair DT0 connected to the first memory cell; a DT; and a second data line pair DB0, DB1 connected to the second memory cell.例文帳に追加

ワード線と、上記ワード線に接続された第１メモリセル及び第２メモリセルと、上記第１メモリセルに接続される第１データ線対と、上記第２メモリセルに接続される第２データ線対とを具備する。 - 特許庁