「data cells」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Data is written according to this determination, and a function to preferentially allocate vacant memory cells to data with high frequencies of updates is newly provided.例文帳に追加

判定に基づいてデータの書き込みを行い、更新頻度の高いデータへ優先的に空きメモリセルを割り当てる機能を新たに設ける。 - 特許庁

An accumulation data generating mechanism writes the accumulation data in the cells of an accumulation matrix based on the table of the accumulation source and the literal table.例文帳に追加

集計データ生成機構は、集計元の表及びリテラル・テーブルに基づいて、集計マトリックスのセルに集計データを書き込む。 - 特許庁

Consequently, a better and more uniform distribution of data access current for reading and data writing is acquired to all memory cells.例文帳に追加

全てのメモリセルに対して、読み出し及びデータ書き込みのデータアクセス電流のより良好で、より一様な分布がもたらされる結果となる。 - 特許庁

Two memory cells 50A, 50B are provided for storage data of one bit, and store data being reversed mutually.例文帳に追加

１ビットの記憶データに対して２つのメモリセル５０Ａ，５０Ｂが備えられ、メモリセル５０Ａ，５０Ｂは、互いに反転されたデータを記憶する。 - 特許庁

A control circuit 7 controls potentials of the word lines and the bit lines in response to input data and hence controls data write, read, and erase operations of data with respect to memory cells.例文帳に追加

制御回路７は、入力データに応じてワード線、ビット線の電位を制御し、メモリセルに対するデータの書き込み、読み出し及び消去動作を制御する。 - 特許庁

A CLAD device 4 multiplexes voice signal coding output data and a G3 facsimile signal coding output data, assembles the multiplexed data into cells and transmits them to a transmission line.例文帳に追加

ＣＬＡＤ装置４は音声信号符号化出力データｂ及びＧ３ファクシミリ信号符号化出力データｃを多重しセル化して伝送回線へ送信する。 - 特許庁

The second resistive memory cell field is formed with a plurality of resistive memory cells storing data at a second data storage speed lower than the first data storage speed.例文帳に追加

第２の抵抗メモリセルフィールドは、上記第１のデータ記憶速度より低い第２のデータ記憶速度にてデータを記憶する複数の各抵抗メモリセルを備えて形成される。 - 特許庁

Each array 14 is a matrix of a plurality of coplanar data storage diode cells 16 connected by row lines 18 and column lines 20 for data recording, addressing and data reading.例文帳に追加

各アレイ１４は、データの記録、アドレス指定、読み出しのための行ライン１８及び列ライン２０により接続された複数のコプレーナ・データストレージダイオードセル１６のマトリクスである。 - 特許庁

The device 11 forms the layout data by selecting the cells having the process patterns adapted to process specification data 16a from various kinds of the data stored in these libraries.例文帳に追加

パターン作成装置１１は、それらライブラリに格納された各種データからプロセス仕様データ１６ａに適合したプロセスパターンを持つセルを選択してレイアウトデータを作成する。 - 特許庁

On the basis of relation between a result of "0" margin test and writing data DI, the writing data DI are inverted by write data inversion sections 36 and written into the memory cells 1.例文帳に追加

“０”マージンテストの結果と、書き込みデータＤＩとの関係に基づいて、書き込みデータＤＩを書き込みデータ反転部３６で反転させてメモリセル１に書き込む。 - 特許庁

The electric charge compensation circuits 56A, 56B are cross-connected, and latch data stored in the memory cells 50A, 50B.例文帳に追加

電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂは、交差接続され、メモリセル５０Ａ，５０Ｂに記憶されるデータをラッチする。 - 特許庁

Redundancy data showing the inversion are stored in the memory cells 1 (j,m) connected to a bit line BL(m).例文帳に追加

反転を示す冗長データがビット線ＢＬ（ｍ）に接続されたメモリセル１（ｊ、ｍ）に格納される。 - 特許庁

Then, the sense amplifier continuously outputs data of the plurality of memory cells connected to the first bit line.例文帳に追加

そして、センスアンプは、第１のビット線に接続された複数のメモリセルのデータを連続的に出力する。 - 特許庁

The AAL2 SAR 10 disassembles ATM cells from an ATM network 11 into packets to extract packet data.例文帳に追加

ＡＴＭ網１１からのＡＴＭセルはＡＡＬ２ ＳＡＲ１０で分解され、パケットデータが抽出される。 - 特許庁

An entry (ERY) including multiple bits of unit cells (UC) each storing data bit is coupled to a match line (ML).例文帳に追加

データビットを格納するユニットセル（ＵＣ）を複数ビット含むエントリ（ＥＲＹ）が、マッチ線（ＭＬ）に結合される。 - 特許庁

To provide a battery management system with synchronized data sampling for a battery pack including multiple battery cells.例文帳に追加

複数のバッテリセルを含むバッテリパックに対して同期したデータサンプリングを有するバッテリ管理システムを開示する。 - 特許庁

The electric charge compensating circuit 56A, 56B are cross-connected and latch data stored in the memory cells 50A, 50B.例文帳に追加

電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂは、交差接続され、メモリセル５０Ａ，５０Ｂに記憶されるデータをラッチする。 - 特許庁

To provide a wireless communication system which improves throughput of data transmission in cells with lower priorities.例文帳に追加

優先順位の低いセルにおけるデータ伝送のスループットを向上可能な無線通信システムを提供する。 - 特許庁

The memory cell is connected in parallel with a paired bit line and 1-bit data is stored by two memory cells.例文帳に追加

対をなすビット線に並行してメモリセルを接続し、２つのメモリセルで１ビットのデータを記憶する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance storage device preventing data from being written in non-selected memory cells.例文帳に追加

非選択メモリセルに対するデータ誤書込を防止する薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A data storage device is provided with an array 165 of resistive memory cells 170, 173, 175, 177, and a circuit connected electrically to the array 165.例文帳に追加

データ記憶デバイスは、抵抗性メモリセル(170,173,175,177)のアレイ(165)と、アレイ(165)に電気的に接続される回路を備える。 - 特許庁

Link information and shaping setting data for ATM cells are recorded in a database 3, being related to each other.例文帳に追加

データベース3 にリンク情報とＡＴＭセルのシェーピング設定データとが関連付けて記録されている。 - 特許庁

The sampling data of the output signals of the load cells is transmitted from the rotating side to the stationary side in this way.例文帳に追加

このようにして回転側から静止側へロードセルの出力信号のサンプリングデータを伝送する。 - 特許庁

The memory cells are arrayed between the pair of the data lines so as to share the bit lines.例文帳に追加

前記メモリセルは前記ビットラインを共有するように前記一対のデータラインの間に配列されている。 - 特許庁

To improve reliability for reading data by preventing variation of a cell current due to positions of selected cells.例文帳に追加

選択セルの位置によるセル電流の変動を防止してデータ読み出し時の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which has a small sense amplifier and can write data in memory cells without fail.例文帳に追加

センスアンプが小さく、かつデータをメモリセルへ確実に書き込める半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To increase read-out speed of data of a semiconductor memory device having memory cells in which non-destroy read-out can be performed.例文帳に追加

非破壊読み出しが可能なメモリセルを有する半導体記憶装置のデータ読み出しを高速化する。 - 特許庁

Cells 200 to 207 generated by putting bit map data one over another are combined to generate a timing chart.例文帳に追加

ビットマップデータを重ね合わせて作成したセル２００〜２０７を合成させ、タイミングチャートを作成する。 - 特許庁

If you create a table of data, sometimes you have not to fill all cells with different values. 例文帳に追加

テーブルを作成する際に、すべてのセルに異なる値を指定するというわけではないこともあるでしょう。 - PEAR

Further, write bit lines WBLn are also arranged for writing the data into the memory cells 1.例文帳に追加

さらに、メモリセル１へのデータ書き込みを行うため書き込みビット線ＷＢＬｎも配列されている。 - 特許庁

To evaluate cell characteristics after depolarization in a short time and at the same time to screen faulty cells whose coercive voltage are small without reading out data right after the data is written in ferroelectric memory cells but by reading out the data after applying electric potential which weakens polarization to the memory cells.例文帳に追加

強誘電体メモリセルにデータを書き込み、直ちに読み出しを行うのではなく、書き込んだデータに対応する分極を弱めるような電位差を加えた後、読み出しを行うことにより、短時間でデポラリゼーションした後のセル特性を評価でき、合わせて抗電圧が小さい不良セルをスクリーニングすることが可能となる。 - 特許庁

In this data storage method for the ferroelectric storage device, the program cycle or the read cycle is executed to a plurality of selection memory cells selected from a plurality of memory cells, and each of the program cycle and the read cycle includes a data '0' writing period and a data '1' writing period to the plurality of selection memory cells.例文帳に追加

複数のメモリセルの中から選択された複数の選択メモリセルに対してプログラムサイクル又はリードサイクルを実施し、かつ、プログラムサイクル及びリードサイクルの各々が、複数の選択メモリセルに対する“０”データ書き込み期間及び“１”データの書き込み期間を含む強誘電体記憶装置のデータ記憶方法である。 - 特許庁

To quickly and completely erase data in a group of memory cells in a semiconductor storage that uniformly executes data erasure until an entire cell threshold is set to standard value or less with the group of memory cells, and replenishes, the memory cell with electric change where the cell threshold is set to the minimum one or less in the group of memory cells where data has been erased.例文帳に追加

データ消去を全部のセル閾値が基準以下となるまで一群のメモリセルで一様に実行し、データ消去した一群のメモリセルのうちセル閾値が下限閾値以下のものには電荷を補充する半導体記憶装置において、一群のメモリセルでのデータ消去を迅速に完了できるようにする。 - 特許庁

The ferroelectric storage device controls so that "L" data write time (4) of the reference cell, "H" data write time (5) of the reference cell, or data read time (6) becomes shorter than the "L" data write time (1) of the normal cells, "H" data write time (2) or the data read time (6), respectively.例文帳に追加

ノーマルセルの“Ｌ”データ書き込み時間（１）、“Ｈ”データ書き込み時間（２）又はデータ読み出し時間（３）に対して、各々、リファレンスセルの“Ｌ”データ書き込み時間（４）、“Ｈ”データ書き込み時間（５）又はデータ読み出し時間（６）が短くなるように制御する。 - 特許庁

The method of driving the display panel 2 includes a step of precharging the data lines X1-Xm to prescribed voltages, and a step of supplying data signals to the liquid crystal cells 9 via the data lines X1-Xm, after precharging the data lines X1-Xm, so as to drive the liquid crystal cells 9.例文帳に追加

液晶表示パネル２の駆動方法は、データ線Ｘ１〜Ｘｍを所定電圧にプリチャージするステップと、データ線Ｘ１〜Ｘｍをプリチャージした後にデータ線Ｘ１〜Ｘｍを介して液晶セル９にデータ信号を供給して液晶セル９を駆動するステップとを具備する。 - 特許庁

When a data collection process part 20 is inputted with a series of digital data from an input part 22, the data are compressed by a cell formation part 24, and stored in a data memory 32 by forming the cells.例文帳に追加

ＰＣ８のデータ収集処理部２０は、一連のデジタルデータがデータ入力部２２から入力されると、セル生成部２４によりデータ圧縮をし、セルを生成してデータ記憶部３２に蓄積していく。 - 特許庁

Before performing the first writing, reading of data from the plurality of memory cells MCs is performed, the read data is stored in the sense amplifier 13, and the data stored in the sense amplifier 13 is overwritten depending on the writing data.例文帳に追加

第１の書き込みを行う前に、複数のメモリセルＭＣからデータの読み出しを行い、読み出したデータをセンスアンプ１３に保持し、書き込みデータに応じてセンスアンプ１３が保持するデータを上書きする。 - 特許庁

One or more encoders 418 are connected to integrate 4 data cells with an error correction code for generation of a data burst, and to integrate the data burst with a synchronizing burst so as to generate a data frame.例文帳に追加

１つ以上のエンコーダ４１８が、４つのデータ・セルをエラー訂正コードと統合してデータ・バーストを発生し、データ・バーストを同期バーストと統合してデータ・フレームを発生するように接続されている。 - 特許庁

A table-aligning part 18 aligns cells included in each row and each column and generates table structure data representing the structure of a table formed by respective cells.例文帳に追加

表整列部18はそれぞれの行および列に含まれるセルを整列させて、それぞれのセルにて形成される表の構造を表わす表構造データを生成する。 - 特許庁

A cell arrangement section 42 arranges cells automatically resting on circuit data 51, and a wiring route determination section 43 determines wiring routes between the arranged cells automatically.例文帳に追加

セル配置部４２は、回路データ５１に基づいてセルの配置を自動的に行い、配線経路決定部４３は、配置されたセル間の配線経路を自動的に決定する。 - 特許庁

Voltage application means applies predetermined voltage to the memory cells through the first wiring lines and the second wiring lines when the data are written and formed with respect to the memory cells.例文帳に追加

電圧印加手段は、メモリセルに対するデータの書き込み又はフォーミング時に、第１の配線及び第２の配線を介してメモリセルに所定の電圧を印加する。 - 特許庁

A memory cell driving circuit repeats a data verify write operation in units of memory cells corresponding to N bits until all the cells pass verification.例文帳に追加

メモリセルの駆動回路は、Ｎビットに対応するメモリセルを一つの書き込みセル単位としてデータのベリファイ書き込み動作のサイクルを、全セルが検証パスとなるまで繰り返す。 - 特許庁

The data acquiring process is for acquiring, from the cross-sectional image, numerical information indicating the distributed state of the plurality of visualized fibrous tissues (ortho cells 52a and para cells 52b).例文帳に追加

データ取得工程では、可視化された複数種類の繊維状組織（オルト細胞５２ａ、パラ細胞５２ｂ）の分布状態を示す数値情報を断面画像より取得する。 - 特許庁

A memory part has a plurality of memory cells in which a plurality of kinds of data can be stored and an internal voltage generation circuit which generates internal voltage for accessing the memory cells.例文帳に追加

メモリ部は、複数種類のデータを記憶可能な複数のメモリセル、及びメモリセルをアクセスするための内部電圧を発生させる内部電圧発生回路を有する。 - 特許庁

The selectors S0, S1 supply a write data WD or values held in mating sides of the cells C0, C1 in the set, to the cells C0, C1, in response to a mask signal MASK.例文帳に追加

セレクタＳ０，Ｓ１は、ライトデータＷＤかセット内の相手側のセルＣ１，Ｃ２が保持する値かをマスク信号ＭＡＳＫに応じて対応するセルＣ０，Ｃ１に供給する。 - 特許庁