「data cells」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Overhead data of a SONET frame and monitor data are input by subjected to cellularizing of ATM, the overhead data and the monitor data are separated and extracted from the input ATM cells, and detection of the change point in the overhead data is carried out independently parallel to a process with respect to the monitor data.例文帳に追加

ＳＯＮＥＴフレームのオーバヘッドデータと、監視データをＡＴＭセル化して入力し、この入力されるＡＴＭセルから前記オーバヘッドデータと、監視データを分離抽出し、前記オーバヘッドデータの変化点の検出を、前記監視データに対する処理と独立並行して行うことを特徴とする。 - 特許庁

When write data includes set data, it is determined, for the memory cell in which the set data is written, whether or not there is an error in read data read from a memory cell and write data, and writing is repeatedly implemented using a first mode of writing data in all memory cells until there is no more error.例文帳に追加

書込データがセットデータを含む場合、セットデータが書き込まれるメモリセルに対し、そのメモリセルから読み込んだ読込データと書込データとに誤りがあるか否かを判定し、誤りがなくなるまで全てのメモリセルに繰り返しデータの書き込みを行う第１モードで書込動作を実施する。 - 特許庁

A solar power generator is equipped with multiple solar cells 52 electrically series connected, bypass diodes 60 parallel-connected to respective multiple solar cells 52, photocouplers 62 parallel-connected to respective multiple solar cells 52 as well as a processor 64 outputting the data on failed solar cells 52 according to the signals from the photocoupler 62.例文帳に追加

電気的に直列に接続された複数のソーラーセル５２と、該複数のソーラーセルのそれぞれに並列に接続されたバイパスダイオード６０と、該複数のソーラーセルのそれぞれに並列に接続されたフォトカプラ６２と、該フォトカプラからの信号に基づき故障したソーラーセルを表す情報を出力する処理装置６４、とを備えている。 - 特許庁

In the data writing sequence, write currents are fed sequentially in the memory cells according to the write data, or initial resistor states are changed according to the write data after the resistor states of the memory cells are set a predetermined initial resistor states.例文帳に追加

このデータ書込シーケンスとしては、書込データに応じて順次メモリセルに電流を流す方法および書込前にメモリセルの抵抗状態を所定の初期抵抗状態に設定した後に、書込データに応じて初期抵抗状態を変化させる態様を取ることができる。 - 特許庁

When the deletion of ruled-line data is instructed and table cells are merged, a CPU 2 merges character string data according to the setting of a merging mode flag 5b in a RAM 5 and arranges the character string data in the merged table cells according to the setting in a character string arrangement information memory 5g in the RAM 5.例文帳に追加

ＣＰＵ２は、罫線データの削除が指示され、表セルの結合を行なう際に、ＲＡＭ５内の結合モードフラグ５ｂの設定に応じて文字列データの結合を行ない、ＲＡＭ５内の文字列配置情報メモリ５ｇの設定に従って結合後の表セル内に文字列データを配置する。 - 特許庁

To provide an integration data backup device for storing and backing up integration data when integration data quantity to be transferred to a backup data memory is large, or when a storage time in memory cells inside the backup data memory is long concerning an integration data backup device which stores integration data when a power supply voltage drops.例文帳に追加

電源電圧が低下したとき、積算データを記憶する積算データバックアップ装置に関し、バックアップデータメモリに転送する積算データ量が多い場合、または、バックアップデータメモリ内部のメモリセルへの記憶時間が長い場合において、積算データを記憶してバックアップができる積算データバックアップ装置を提供すること。 - 特許庁

For all the memory cells included in the first storage area 12, the control unit 20 performs control to polarize the memory cells into a first polarized state before data are written in each memory cell based on new data 32 entered from the outside, and then to polarize the memory cells into a second polarized state.例文帳に追加

制御部２０は、第１の記憶領域１２に含まれるすべてのメモリセルについて、外部から入力される新たなデータ３２に基づいて各メモリセルにデータを書き込む前に、当該メモリセルを第１の分極状態に分極させた後、さらに当該メモリセルを第２の分極状態に分極させる制御を行う。 - 特許庁

The memory is provided with; a memory core section comprising a plurality of cell array blocks equipped with a plurality of nonvolatile memory cells, a plurality of word lines, and a plurality of bit lines; and a means to erase data simultaneously in a plurality of memory cells in one cell array block and write data in the plurality of memory cells in the plurality of cell array blocks simultaneously.例文帳に追加

複数の不揮発性のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線を備えたセルアレイブロックを複数有するメモリコア部と、１つのセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて同時にデータを消去し、複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータを書込む手段とを具備する。 - 特許庁

The memory circuit has a memory cell array in which a plurality of memory cells where "0" and "1" of binary data can be written are arranged.例文帳に追加

メモリ回路は、２値データ”０”及び”１”を書き込み可能なメモリセルが複数配置されたメモリセルアレイを含む構成とする。 - 特許庁

To a word line WL1 of an MC array 1, memory cells corresponding to data input terminals (DQ2 and DQ3) are connected.例文帳に追加

ＭＣアレイ１のワード線ＷＬ１には、データ入力端子（ＤＱ２、ＤＱ３）に対応するメモリセルが接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that is easy to rewrite memory cells and that has a high data-retention characteristic.例文帳に追加

メモリセルに対する書き換えが容易であり、かつ、高いデータ保持特性を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The design support apparatus associates the arrangement position of the first terminal and the arrangement position of the second terminal with the layout data of the cells.例文帳に追加

設計支援装置は、第１の端子の配置位置と、第２の端子の配置位置と、セルのレイアウトデータとを関連付ける。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device for improving the data erasure speed with respect to MONOS memory cells.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリセルに対するデータの消去速度を改善させる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile memory device includes a clock terminal, a command terminal, a data terminal, a control circuit, and a plurality of nonvolatile memory cells.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置はクロック端子、コマンド端子、データ端子、制御回路、及び複数の不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁

Each of the memory cell circuits 300-1,300-2 includes memory cells 311-314, a data transfer means and a control circuit.例文帳に追加

各メモリセル回路３００−１，３００−２は、メモリセル３１１〜３１４と、データ伝達手段と、制御回路とを備えている。 - 特許庁

This MPLS capsuled header 100 is added in front of the data such as frames or cells in accordance with a label adding procedure.例文帳に追加

このＭＰＬＳカプセル化ヘッダ１００は、規定されたラベル付加手順に従って、フレーム、セル等のデータの前に付与される。 - 特許庁

Conversion to partial two-dimensional information codes corresponding to the set number of cells is carried out for every divided data value.例文帳に追加

各分割されたデータ値毎に、上記のように設定したセル数の対応する部分二次元情報コードに変換する。 - 特許庁

The threshold voltage Vt is uniformed at a fixed level by performing data write-in operation for all memory cells (d).例文帳に追加

全てのメモリセルに対してデータ書き込み動作を実施することによってスレショルド電圧Ｖｔが一定レベルに揃う（ｄ）。 - 特許庁

The nonvolatile memory device has a clock terminal, a command terminal, a data terminal, a control circuit, and a plurality of nonvolatile memory cells.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置はクロック端子、コマンド端子、データ端子、制御回路、及び複数の不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic disk memory device capable of surely writing data in a plurality of magnetic storage cells.例文帳に追加

複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる磁気メモリ装置を提供することにある。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device having a dummy bit line structure where data reading accuracy of memory cells is improved is disclosed.例文帳に追加

メモリセルのデータ読み取り精度が改善されるダミービット線構造の不揮発性半導体メモリ装置が開示される。 - 特許庁

Each bit of 8-bit data is stored in eight memory cells ML of each unit UN of a memory cell array 110 in advance.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１０の各ユニットＵＮの８個のメモリセルＭＬに、予め、それぞれ８ビットのデータの各ビットを記憶する。 - 特許庁

The layout data are provided with a recognition layer to be used for recognizing each of a plurality of cells in verifying the layout.例文帳に追加

そのレイアウトデータは、レイアウト検証時に複数のセルの各々を認識するために用いられる認識層を有する。 - 特許庁

To prevent the loss of retention data of a plurality of memory cells caused by a charge accumulated in a body region of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのボディ領域に蓄積された電荷により生じる複数のメモリセルの保持データの消失を防ぐ。 - 特許庁

For this purpose, the terminals for the power supply to the data-retention circuits are designed in advance in the cells as similar to usual signal lines.例文帳に追加

望ましくは、データ保持回路の電源を信号線扱いとして、自動配置配線時に配線することである。 - 特許庁

A network monitoring system identifies congestion levels in network cells based upon data traffic captured from network interfaces.例文帳に追加

ネットワークモニタリングシステムは、ネットワークインタフェースから収集したデータトラフィックに基づいてネットワークセル内の過剰レベルを特定する。 - 特許庁

Ferroelectric capacitor cells 211, 212, 213, 214 stores data by inversion/non- inversion of polarization of a ferroelectric substance.例文帳に追加

強誘電体キャパシタセル２１１，２１２，２１３，２１４は、強誘電体の分極の反転／非反転によりデータを記憶している。 - 特許庁

A first bit FB of multi-bit data is programmed in one of the plurality of memory cells in the memory cell array from the storage unit.例文帳に追加

マルチ-ビットデータの第１ビットＦＢは、記憶ユニットからメモリーセルアレイ内の複数のメモリーセルの中に１つにプログラムされる。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure device for quickly producing exposure data for respective column cells, and an electron beam exposure method.例文帳に追加

各コラムセルの露光データを迅速に作成できる電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。 - 特許庁

The data storing system includes the magnetic random access memory (MRAM) device (500) having several memory cells (102).例文帳に追加

テ゛ータを格納するためのシステムは、複数のメモリセル（１０２）を有する磁気ランタ゛ムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）テ゛ハ゛イス（５００）を含む。 - 特許庁

If no cells having the state dependent delay exist, the 1st current delay time data are displayed as the delay time about a genuine critical path.例文帳に追加

Ｔｔmax ≧Ｔｓ(2) のときはそのクリティカルパス候補を真のクリティカルパスと決定し、最大遅延時間Ｔｔmax を表示する。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 can hold data of (n) bits corresponding to a threshold value level of 2^n pieces.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００中のメモリセルの各々は、２^n個のしきい値レベルに対応してｎビットのデータを保持できる。 - 特許庁

The flat panel display device, includes a timing controller for receiving the input of digital data, a data converter for converting the digital data so as to have a gray scale number varying according to the colors of the digital data, and a data drive circuit for driving pixel cells, by converting the digital data from the data converter into analog data.例文帳に追加

本発明に係る平板表示装置は、デジタルデータの入力を受けるタイミングコントローラーと、前記デジタルデータの色に応じて異なる階調数を有するように前記デジタルデータを変換するデータ変換器と、前記データ変換器からのデジタルデータをアナログデータに変換して画素セルを駆動するためのデータ駆動回路とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the ADSL transmission system including an ATU-R and a DSLAM connected by an ADSL line, either of the ATU-R and the DSLAM deletes headers of a plurality of the ATM cells, converts the plurality of ATM cells whose headers are deleted into capsulated data of one frame, transmits the data to the other, the other receiving the data restores the plurality of ATM cells from the capsulated data.例文帳に追加

ＡＤＳＬ回線で接続されたＡＴＵ−ＲとＤＳＬＡＭとを含むＡＤＳＬ伝送システムにおいて、ＡＴＵ−Ｒ及びＤＳＬＡＭのいずれか一方が、複数のＡＴＭセルのヘッダーを削除し、前記ヘッダーを削除した複数のＡＴＭセルを１つのフレームのカプセル化データに変換して他方に送信し、受信した他方の側で、前記カプセル化データから前記複数のＡＴＭセルを復元する。 - 特許庁

If they do not match, the read data RD (scrambled data SRD) scrambled with seed data SD that is location information about defective memory cells output from a fuse circuit 12 is selected by the selector 25 to be output as data DT.例文帳に追加

不一致の場合、ヒューズ回路１２から出力される不良メモリセルの位置情報をシードデータＳＤとしてスクランブルされた読み出しデータＲＤ（スクランブルデータＳＲＤ）が、セレクタ２５で選択されてデータＤＴとして出力される。 - 特許庁

To correctly read out data stored in a storage node while rewriting the data in the storage node without reversing the read-out data even if a DRAM is composed of gain cells including three transistors.例文帳に追加

３個のトランジスタを含むゲインセルからＤＲＡＭが構成されている場合においても、読み出しデータを反転せずに記憶ノードに書き戻すことを可能としつつ、記憶ノードに記憶されたデータを正しく読み出す。 - 特許庁

A write circuit reads first data held in a first memory cell out of a plurality of memory cells, and writes second data corresponding to the first data in a second memory cell different from the first circuit.例文帳に追加

書き込み回路は、複数のメモリセルのうちの第１のメモリセルに保持された第１データを読み出して第１のメモリセルとは別の第２のメモリセルに第１データに対応する第２データを書き込む。 - 特許庁

In a second operating mode, a data input-output circuit 1086 converts N pieces of data in parallel which are supplied serially in synchronization with the first internal clock signal to supply write data to selected N pieces of memeory cells.例文帳に追加

同期型半導体記憶装置１０００は、シングルデータレートＳＤＲＡＭ動作モードでは、外部クロック信号ｅｘｔ．ＣＬＫに同期して、入出力バッファ回路１０７２〜１０８２を動作させる。 - 特許庁

A pixel data storage part for storing one pixel data in which the respective color components of R (red), G (green), and B (blue) are composed of a 6-bit data has 18 memory cells CELL1-CELL18.例文帳に追加

Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色成分がそれぞれ６ビットのデータで構成される１つの画素データを格納するための画素データ格納部は、１８個のメモリセルＣＥＬＬ１〜ＣＥＬＬ１８を有する。 - 特許庁

The ECC code for relieving normal data of pages P1 to P30 being assembly of cells MC1 to MC30 being cells other than the above by lower error detection correcting capability than normal data of pages P0, P31 is stored in the memory region 11b-2.例文帳に追加

メモリ領域１１ｂ-2には、それ以外のセルＭＣ１〜ＭＣ３０の集合であるページＰ１〜Ｐ３０の通常データを、ページＰ０，Ｐ３１の通常データよりも低いエラー検出訂正能力によって救済するためのＥＣＣコードを格納させる。 - 特許庁

A horizontal drive circuit 7 is constituted of a shift register (not shown) and has a plurality of cells, the cells hold video data for one horizontal line in video signals; and writing is performed to pixels according to video data in synchronism with the scanning.例文帳に追加

水平駆動回路７は、図示しないシフトレジスタで構成され、複数のセルを有し、これらのセルが、映像信号中の１水平ライン分の映像データを保持し、前記走査に同期して、映像データに応じて画素に書き込みが行なわれる。 - 特許庁

To provide a method for erasing a NAND flash memory, which prevents an influence on the memory cells of word lines adjacent to word lines subjected to data erasure and simultaneously erases data in the memory cells of at least one word lines in a short period.例文帳に追加

データ消去するワード線に隣接するワード線のメモリセルへの影響を防止しかつ短時間で少なくとも１本のワード線のメモリセルのデータを同時に消去することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology which gives regularity not to the numerical computation of data but to the arrangement of color cells, and detects arrangement errors depending on whether or not the arrangement follows the rule, in an optical automatic recognition code in which the color cells are arranged to represent predetermined data.例文帳に追加

色彩セルを配置して所定のデータを表す光学式自動認識コードにおいて、データの数値演算ではなく、色彩セルの配列に規則性を持たせ、その規則に則している否かにより、配列のエラーを検知する技術を提供する。 - 特許庁

A first bit line pair BM, /BM for reading data from the desired memory cells of a memory cell array and a second bit line pair BS, /BS for writing data to the desired memory cells of another memory cell array are respectively formed in different layers via an interlayer insulation film 32.例文帳に追加

メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、層間絶縁膜３２を介して、それぞれ異なる層に形成される。 - 特許庁

The ATM cell distribution control device 100 is provided with a data memory 104 for storing inputted cells, an address managing part 108 for managing the addresses of the data memory 104 in each sort of cells, an input interface 102, and an output interface 106.例文帳に追加

ＡＴＭセル分配制御装置１００は、入力されるセルを格納するデータメモリ１０４、データメモリ１０４のアドレスを、セルの種別毎に管理するアドレス管理部１０８、入力インタフェース部１０２及び出力インタフェース部１０６を備える。 - 特許庁