「data cells」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

When data are written in either of memory cells selected commonly in one read-word-line RWL0, even if the read-word-line RE10 is activated, both levels of the read-bit lines are not reduced to a ground potential by the bit line load circuit 2, so that loads are relieved in both of discharge and charge operation of transistors in a memory cell.例文帳に追加

１つのリードワード線ＲＷＬ０で共通に選択されるメモリセルのうちの一方にデータが書込まれる場合、リードワード線ＲＷＬ０が活性化されてもリードビット線のレベルは、ビット線負荷回路２により、いずれも接地電位までは低下しないため、メモリセル中のトランジスタの放電および充電動作とも、その負荷が軽減される。 - 特許庁

To solve a problem that a charging and discharging control method managing a state detected data of a block (block battery) constituting a cell or a number of cells does not improve the life when Pb-Ca alloy grid is used for a positive electrode plate, in a battery installation or a battery apparatus using a battery pack constituted by combining plural batteries.例文帳に追加

鉛蓄電池セルを複数、組み合わせた組電池を使用する蓄電池設備あるいは機器において、セルあるいはいくつかのセルからなるブロック（ブロック電池）の状態検知データを管理する充・放電制御方法が、正極板にＰｂ−Ｃａ系合金格子を用いた場合、寿命改善につながっていない問題点を解決することにある。 - 特許庁

2) Category 1B: In the case where vivo mutagenicity test data is available, and information suggesting mutagenicity of germ cells Positive results have been obtained in many test methods including in vivo tests, and substances which should be considered to show heritable mutagenicity in humans are determined as Category 1B. Specifically, the following cases apply:例文帳に追加

２）区分１Ｂ：in vivo 変異原性試験データがあり、かつ、生殖細胞の変異原性を示唆する情報がある場合 生殖細胞を用いる in vivo 変異原性試験を含む多くの試験法において陽性の結果が得られており、ヒトにおいて経世代変異原性を示すとみなすべき物質を区分 1B とする。具体的には、以下のような場合などが当てはまる： - 経済産業省

An address discharge of pixel cells of a display panel is selectively generated in an address period according to pixel data based upon a video signal, a sustain pulse is applied between row electrodes forming a row electrode pair in a sustain period as many times as the number of times corresponding to subfields, and lengths of front edge periods of sustain pulses applied by the subfields are set according to load amounts by the subfields.例文帳に追加

アドレス期間に映像信号に基づく画素データに応じて表示パネルの画素セル各々に選択的にアドレス放電を生じせしめ、サスティン期間にサブフィールドに対応した回数だけ行電極対を構成する行電極間にサスティンパルスを印加し、サブフィールド毎に印加されるサスティンパルスの前エッジ期間の長さをサブフィールド毎の負荷量に応じて設定する。 - 特許庁

In the case that a cell transmission scheduler 101 receiving data from a PBX 105, a leased line router 106, an FR router 107 and a LAN 108 transmits a corresponding ATM cell to an ATM channel 110, the cell transmission scheduler 110 adjusts transmission start timing of ATM cells transmitted at an equal interval via each VC so that they do not collide with each other and transmits them to an ATM network via each VC.例文帳に追加

ＰＢＸ１０５、専用線ルータ１０６、ＦＲルータ１０７、ＬＡＮ１０８からのデータを受信して、セル送信スケジューラ１０１は、対応するＡＴＭセルをＡＴＭ回線１１０に送出するに際して、各ＶＣを介して等間隔に送信するＡＴＭセルを、相互に衝突しないように送信開始タイミングを調整し、各ＶＣを介してＡＴＭ網に送信する。 - 特許庁

Further, the discrete cell control portion extracts the wireless power of the radio wave optimal to the mobile terminal in the moved discrete cell from the past wireless powers for the respective mobile terminals recorded in units of discrete cells at an individual data management portion when a mobile terminal monitoring portion detects that the mobile terminal has moved to the discrete cell, and the extracted wireless power is determined.例文帳に追加

また、個別セル制御部は、携帯端末監視部にて携帯端末が個別セルに移動してきたことを検知した際に、個別データ管理部にて個別セル単位に記録されている携帯端末ごとの過去の無線電力の中から、移動した個別セルにおける当該携帯端末に最適な無線電波の無線電力を抽出して、抽出した該無線電力を設定する。 - 特許庁

The method and apparatus for driving the plasma display panel includes a step of supplying an initialization signal, including at least one rise period, where a voltage rises and at least one sustain period where the voltage is sustained to first and second electrodes to make cells initialize, and a step of supplying a scan signal to either the first or the second electrodes and supplying the data to a third electrode and selecting the cell.例文帳に追加

本発明ラズマディスプレイパネルの駆動方法及び装置は、電圧が上昇する少なくとも一つの上昇期間と電圧が維持される少なくとも一つの維持期間を含む初期化信号を第１と第２電極に供給してセルを初期化させて、第１と第２電極のいずれかにスキャン信号を供給して第３電極にデータを供給してセルを選択する。 - 特許庁

The present invention is disclosed to facilitate scale and rotation registration for steganographic decoding, to improve techniques for enhancement in decoding without accessing originals which are not coded and robustness of steganographic coding in motion pictures and/or in the presence of lossy compression/tensile, and to represent data with patterned bit cells for making energy in a spatial domain facilitate decoding registration.例文帳に追加

ステガノグラフィ的復号用のスケール及び回転の較正を容易にすること、符号化されていないオリジナルにアクセスすることなく復号するための改善技術と、動画において及び／又は不可逆圧縮／伸張の存在下でステガノグラフィ的符号化の堅牢性を向上すること、その空間領域におけるエネルギが復号での較正を容易にするパターン化ビットセルによってデータを表すこと。 - 特許庁

According to a QR code 10 related to this embodiment, since a micro QR code 16 is recorded instead of a bright module or dark module of the same color arranged in a square n×n module 11' being an aggregate of unit modules 11 or unit cells constituting a functional pattern, the micro QR code 16 can be recorded without reducing data patterns DP and regions thereof.例文帳に追加

本実施形態に係るＱＲコード１０によると、機能パターンを構成する単位モジュール１１または単位セルの集合体で正方形状のｎ×ｎモジュール１１’に配置される同一色の明モジュールまたは暗モジュールに代えて、マイクロＱＲコード１６を記録していることから、データパターンＤＰやその領域を減らすことなく、マイクロＱＲコード１６を記録することができる。 - 特許庁

An individual layer 2 for plotting individual information Pn and tabulation layers 5A-5D in which spreadsheets 4A-4D having cells with a tabulation processing calculation expression for the individual information Pn set therein are recorded, are formed within one file 7, so that the tabulation data of individual information can be displayed on a spreadsheet only by plotting the individual information to be tabulated.例文帳に追加

集計しようとする個別情報をプロットするだけで、その個別情報の集計データが集計表に表示されるように、個別情報（Ｐｎ）がプロットされる個別レイヤー（２）と、前記個別情報（Ｐｎ）の集計処理計算式が設定されたセルを有する集計表（４Ａ〜４Ｄ）を記録した集計レイヤー（５Ａ〜５Ｄ）を一つのファイル（７）内に作成した。 - 特許庁

A cycle of subfields is shortened by shortening an address period for transferring each of discharge cells from a state of a lighting mode to a state of a light out mode according to pieces of pixel data by every pixel based on an input video signal in comparison with the case that an average value of luminance levels indicated by the input video signal is larger than a predetermined value when the average value is smaller.例文帳に追加

入力映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて放電セル各々を点灯モードの状態から消灯モードの状態に遷移させるアドレス期間を、入力映像信号によって示される輝度レベルの平均値が所定値よりも小なる場合には大なる場合に比して短くすることにより、サブフィールドの周期を短くする。 - 特許庁

In order to detect whether memory cells MC0-MC1 hold the prescribed data or not, the prescribed current Ifail1 is made to flow based on write-in of each memory cell in batch processing unit and finished/unfinished state of erasure operation, and the number of the prescribed unfinished states is detected by detecting whole current quantity in batch processing unit by A/D converter operation.例文帳に追加

メモリセルＭＣ０〜ＭＣｌが所定のデータ保持状態となったかどうかの検出を行うために、一括処理単位内の各メモリセルの書き込み、消去動作の終了／未終了状態に基づき所定の電流Ｉｆａｉｌ１を流し、一括処理単位内の総電流量をＡ／Ｄコンバータ動作により検出することにより、一括動作で所定の未終了状態数を検出することを特徴としている。 - 特許庁

In a magnetic memory provided with a memory cell array in which memory cells having magnetic resistance elements being writable by changing resistance by making current flow are arranged in a matrix state, the test method of the memory includes a writing step performing writing of test data for the memory cell by using a writing pulse having height of writing pulse height or less during use also having narrower width than width of the writing pulse.例文帳に追加

電流を流して抵抗を変化させることにより書き込みが可能な磁気抵抗素子を有するメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイを備えた磁気メモリにおいて、使用時の書き込みパルスの高さ以下の高さを有しかつ当該の書き込みパルスの幅よりも狭い幅を有する書き込みパルスを用いて前記メモリセルに試験データの書き込みを行う書き込みステップを備えている。 - 特許庁

When reading the information codes, an information code reader (optical information reader) detected a predetermined feature part arranged in a code area of image data and composed of a plurality of cells, and calculates a pixel assignment degree to each cell of the feature part on the basis of the image of the detected feature part and a plurality of pixels constituting the image of the feature part.例文帳に追加

情報コードリーダ（光学的情報読取装置）は、情報コードの読み取りに際し、画像データのコード領域に配され且つ複数のセルによって構成される所定特徴部分を検出し、その検出された所定特徴部分の画像と、所定特徴部分の画像を構成する複数の画素と、に基づいて、所定特徴部分の各セルに対する画素割当度合いを算出するように構成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of stably rewriting data to a storage area by preventing power source voltage from decreasing in the nonvolatile semiconductor storage device having the storage area consisting of a plurality of electrically rewritable nonvolatile memory cells and a boosting circuit for boosting the power source voltage to generate voltage required to rewrite the storage area.例文帳に追加

電気的に書き換え可能な不揮発性の複数のメモリセルからなる記憶領域と、電源電圧を昇圧して、前記記憶領域の書き換えに必要な電圧を発生する昇圧回路とを有する不揮発性半導体記憶装置において、装置内部での電源電圧の低下を防止し、安定して記憶領域へのデータの書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory provided with an access sequencer for simultaneously accessing a plurality of memory cells in the direction of data lines 111 to 114 and the direction of word lines 101 to 104 at the time of a write access to the memory array 100 of the above constitution and a test decoder 300 which is a control signal generation circuit improves write access processing efficiency and shortens test access time by using the test decoder 300.例文帳に追加

前記構成のメモリアレイ１００に対して、書込みアクセスにおいてデータ線１１１，１１２，１１３，１１４方向、及びワード線１０１，１０２，１０３，１０４方向に複数のメモリセルを同時にアクセスするアクセスシーケンサ、及び制御信号生成回路としてのテストデコーダ３００を設け、前記テストデコーダ３００を用いて、書込みアクセス処理効率の向上を図り、テストアクセス時間を削減する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加

第１または第２論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises a memory cell array 1 in which block is constituted of one or a plurality of memory cells being a unit of erasing data and which has a plurality of normal blocks BLK and a plurality of redundancy blocks RBLK, and a replacing circuit 7 replacing a defective block by the normal block when the number of defective blocks in the normal block BLK exceed the number of redundancy blocks RBLK.例文帳に追加

半導体記憶装置は、データ消去の単位となる１或いは複数のメモリセルからブロックが構成され、且つ複数のノーマルブロックＢＬＫと、複数のリダンダンシーブロックＲＢＬＫとを有するメモリセルアレイ１と、前記ノーマルブロックＢＬＫ内の不良ブロックの数が前記リダンダンシーブロックＲＢＬＫの数を超えた場合に、前記不良ブロックを前記ノーマルブロックに置き換える置換回路７とを含む。 - 特許庁

The invention concerns a method for OFDM data transmission in a single-frequency multi-cell mobile network from and to mobile terminals MT with channel estimation by means of pilots (PILOT) of a pilot subgrid in an OFDM time-frequency grid, whereby the positions of the pilot subgrids of different cells of the mobile network are randomly or pseudo-randomly distributed.例文帳に追加

本発明は、ＯＦＤＭ時間周波数グリッド中のパイロットサブグリッドのパイロット（ＰＩＬＯＴ）によるチャネル評価を行うモバイル端末ＭＴからのおよびそれへの単一周波数マルチセルモバイルネットワーク内でのＯＦＤＭデータ伝送の方法と、それにより、モバイルネットワークの様々なセルのパイロットサブグリッドの位置をランダムにあるいは擬似ランダムに分配する手段と、ベーストランシーバステーションと、基地局コントローラと、モバイル端末と、それらのためのモバイルネットワークとに関する。 - 特許庁

In the communication system, paging signals to the mobile terminal are synchronously transmitted in a plurality of cells included in an MBSFN synchronous area during the reception of the broadcast type data transmitted from the MBMS exclusive cell.例文帳に追加

下りアクセス方式としてＯＦＤＭ（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）方式を使用し、上りアクセス方式としてＳＣ—ＦＤＭＡ（Single Career Frequency Division Multiple Access）方式を用いる通信システムであって、移動端末に対して一対多型の放送通信サービスであるＭＢＭＳ（Multimedia Broadcast Multicast Service）を提供する放送型データの送信及び移動端末に対して一対一型の個別通信データを送信可能な通信システムにおいて、ＭＢＭＳ専用セルから送信される放送型データを受信中に移動端末に対するページング信号を、ＭＢＳＦＮ同期エリアに含まれる複数のセルにおいて同期して送信する。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁