「data cells」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of controlling mode switching between normal mode (one bit is composed of one memory cell) and highly reliable mode (one bit is composed of two memory cells) in a cache memory; and a method of arranging highly reliable data to the cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリにおいて通常モード（１ビットを１メモリセルで構成）と高信頼性モード（１ビットを２メモリセルで構成）のモード切替を行う制御方法、キャッシュメモリへの高信頼性データの配置方法を提供する。 - 特許庁

Next, a time required for write or erase fail is reduced by setting both of VERIFY 1, 2 to the level 'L', and judging whether or not all the memory cells except one memory cell have resulted in a desired data.例文帳に追加

次に、ＶＥＲＩＦＹ１，２ともに“Ｌ”レベルに設定し、すべてのメモリセルから１個のメモリセルを除いて所望のデータになったか否かを判定し、書込または消去フェイルに要する時間の短縮を図る。 - 特許庁

An information conversion function 308 rewrites the VPI/VCI of the copied data and decides an output port based on the information 305 and a cell transfer function 309 transfers respective cells to each port.例文帳に追加

コピーされたデータは情報変換機能３０８において情報３０５をもとに、それぞれのデータのＶＰＩ／ＶＣＩの書き換えと出力ポートを決定し、セル転送機能３０９が各ポートへそれぞれのセルを転送する。 - 特許庁

In a writing or erasing circuit, write or erase data are verified in parallel among memory cells groups altogether, and further writing or erasing in a correctly verified cell is selectively inhibited.例文帳に追加

書き込みもしくは消去回路において、一度にメモリセルのグループで並列に書き込みもしくは消去データのベリファイを行い、正しくベリファイされたセルへのさらなる書き込みもしくは消去を選択的に禁止する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a memory cell array constituted by arranging a plurality of memory cells 1, each of which includes an anti-fuse element 11 on which data can be written by destroying a gate insulation film by high voltage.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、ゲート絶縁膜を高電圧で破壊することによりデータ書き込みが可能なアンチヒューズ素子１１を含むメモリセル１を複数個配置して構成されるメモリセルアレイを備えている。 - 特許庁

At this time, menu information in accordance with scenarion templates and management information associated with a recording areas of cells which are to be recorded in video file data are to be recorded in the disk information file 502 and the video file management information 504.例文帳に追加

この時、ディスク情報ファイル５０２及びビデオファイル管理情報５０４には、前記シナリオテンプレートに対応したメニュー情報、及びビデオファイルデータに記録されるセルの記録領域についての管理情報が記録される。 - 特許庁

In its operation, in order to detect a failure and/or poor work of the cells, the battery centralized monitoring system can poll each cell monitoring device in order and analyze data received from the cell monitoring device polled.例文帳に追加

動作において、バッテリ集中監視システムは、セルの故障および／または低い働きを検出するために、各セル監視装置を順次ポーリングして、ポーリングされたセル監視装置から受信したデータを分析できる。 - 特許庁

When hierarchial keywords obtained by concatenating keywords assigned to each layer and fixed character strings are input (step S101), they are set individually for any of a plurality of cells included in layout data (step S102).例文帳に追加

各階層に割り当てられたキーワードが連結された階層キーワードと固定文字列が入力される（ステップＳ１０１）と、これらは、個々に、レイアウトデータに含まれる複数のセルの中のいずれかに設定される（ステップＳ１０２）。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory unit (8) having a rewritable non-volatile memory cell, and a variable logic unit (3) of which the logic function can be decided in accordance with logical configuration definition data loaded into a plurality of memory cells.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセルを有する不揮発性メモリユニット（８）と、複数の記憶セルにロードされる論理構成定義データに従って論理機能が決定される可変論理ユニット（３）とを有する。 - 特許庁

A mobile phone 100 of this invention stores information to identify all cells designated by an active set update message to a storage section 4 when receiving the active set update message by which a cell to receive outgoing data is designated.例文帳に追加

移動電話装置１００は、下りデータを受信するセルが指定されたアクティブセット更新メッセージを受信すると、このメッセージで指定された全てのセルを識別するための情報を、記憶部４に記憶する。 - 特許庁

The device is constituted so as to be provided with a reference page buffer 35d receiving a set start signal and generating the set signal, and plural data page buffers 35a-35c receiving the set signal and storing the contents of plural memory cells.例文帳に追加

セット開始信号を受信して、セット信号を生成する基準ページバッファ３５ｄと、セット信号を受信して、複数のメモリセルの内容を記憶する複数のデータページバッファ３５ａ〜３５ｃとを備えるように構成される。 - 特許庁

The memory area 110 is composed of LCD system bit lines LCDBL1-LCDBLN or the like in which the display data stored in each of the memory cells MC11-MCMN are read.例文帳に追加

記憶領域１１０は、ＬＣＤ表示アドレス回路３８により、メモリセルのＭＣ_11〜ＭＣ_MNの各々に記憶された表示データが読み出されるＬＣＤ系ビット線ＬＣＤＢＬ_1〜ＬＣＤＢＬ_Nなどを有して構成されている。 - 特許庁

More specifically, this constitution is so changed as to include different combinations of the cells of the detector array, interconnection parts and one or more data collection channels, by which the trouble separation information is formed.例文帳に追加

更に具体的に言えば、この構成が、検出器配列のセルの異なる組合せ、相互接続部及び１つ又は更に多くのデータ収集チャンネルを含むように変更することにより、故障分離情報が作成される。 - 特許庁

The IC driver has a main read line MR which is shared by plural memory cells M11-Mn1 arranged along the line direction and transmits a display data read from a single memory cell sequentially selected in the line direction.例文帳に追加

列方向に沿って配列された複数のメモリセルＭ１１〜Ｍｎ１に共用され、列方向で順次選択される一つのメモリセルから読み出された表示データが伝送されるメイン読み出し線ＭＲを有する。 - 特許庁

At manufacture or during use, each logical block ECC encoded data and/or the corresponding set of storage cells are evaluated to determine suitability for continued use, or whether remedial action is necessary.例文帳に追加

製造時又は使用時に、ECC符号化データの各論理ブロック及び／又はそれに対応する一組の記憶セルが評価されて、継続的な使用が適切であること、又は補修措置が必要であるか否かが判定される。 - 特許庁

In the case, the finish flag of extra test objective path list 400 are turned to "1", the correction part 316 corrects the connection information 301 so as to insert the dummy buffer into the data pins of the extra test objective cells.例文帳に追加

すべてのテスト対象外パスリスト４００の終了フラグが「１」に変更された場合、修正部３１６は、テスト対象外セルのデータピンにダミーバッファを挿入するように、接続情報３０１を修正する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device according to one embodiment includes word lines connected to multiple nonvolatile memory cells, and a control circuit for selecting the nonvolatile memory cell and controlling a data reading operation.例文帳に追加

一の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数の不揮発性メモリセルに接続されるワード線と不揮発性メモリセルを選択してデータ読み出し動作を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

The MRAM includes a memory cell array having magnetic memory cells arranged in lines and columns at intersection of word, bit and digit lines, and a sense amplifier for sensing data stored in a selected magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、ワードライン、ビットライン、及びデジットラインの交差点に行及び列に配列されたマグネチックメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたマグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを感知する感知増幅器とを含む。 - 特許庁

In the case of changing the design for the semiconductor integrated circuit, the basic cells in the arranging area and the non-arranging area are wired corresponding to the functions after changing the design on the basis of design change data.例文帳に追加

半導体集積回路に対して設計変更を行う場合は、設計変更データに基づいて、配置領域および非配置領域のベーシックセルを設計変更後の機能に対応して配線するようになっている。 - 特許庁

A limited color cell 202 holding cells for (p) colors less than (n) is held in a color look-up table 201 and the full-color image data are color-reduced to (p) colors based on the limited color cell 202 and displayed.例文帳に追加

カラールックアップテーブル２０１には、ｎよりも小さいｐ色分のセルを保持した限定色セル２０２が保持されており、フルカラーイメージデータは限定色セル２０２に基づいてｐ色に減色されて表示される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory made of memory cells accessible in units of a byte and permitting ECC processing in units of an optimal data size for required access, a memory controller, a nonvolatile memory accessing method, and a program.例文帳に追加

メモリセルとしてバイト単位のアクセスが可能であり、求められるアクセスに対して最適な単位でＥＣＣ処理を行うことが可能な不揮発性メモリ、メモリコントローラ、不揮発性メモリのアクセス方法、およびプログラムを提供する。 - 特許庁

This plasma display device has barrier ribs 13 to partition a plurality of main discharge cells 15 each formed with a scanning electrode 6, a sustaining electrode 7 and a data electrode 10, and a plurality of priming discharge cells 16 each formed with the scanning electrode 6 and a priming electrode 12; and is provided with a second dielectric layer 20 covering the priming electrodes 12 and having a multilayer structure.例文帳に追加

走査電極６および維持電極７とデータ電極１０とで形成される複数の主放電セル１５と、走査電極６とプライミング電極１２とで形成される複数のプライミング放電セル１６とを区画するように形成した隔壁１３とを有し、プライミング電極１２を覆って多層構造の第２誘電体層２０を設ける。 - 特許庁

The methods of operating the multi-level non-volatile memory device include the steps of: accessing data stored in the device and associated with read voltages; and modifying the read voltages applied to a plurality of multi-level non-volatile memory cells to discriminate between states stored by the cells in response to a read operation to the multi-level non-volatile memory device.例文帳に追加

前記方法は、前記装置に格納され、読み出し電圧に関連したデータをアクセスするステップと、前記マルチレベル不揮発性メモリ装置に対する読み出し動作に応じて多数のマルチレベル不揮発性メモリセルに印加された前記読み出し電圧を変更して、前記セルにより格納された状態の間を区別するステップとを含むことができる。 - 特許庁

This electromagnetic wave simulation device has a dividing means 1 dividing a space wherein three-dimensional model data are present into a plurality of cells; and a transmission means 2 generating transmission information 6 on electromagnetic wave energy between the corresponding cell and another cell adjacent to the corresponding cell according to electromagnetic wave energy transmission conditions about the corresponding cell, in each of the plurality of cells.例文帳に追加

電磁波シミュレーション装置は、３次元モデルデータの存在する空間を複数のセルに分割する分割手段１と、複数のセルの各々について、当該セルについての電磁波のエネルギ伝達条件に従って、当該セルと隣接する他のセルとの間の電磁波のエネルギの伝達情報６を生成する伝達手段２とを備える。 - 特許庁

The method comprises a step of splitting a clock cycle of the integrated circuit chip into a plurality of periods, a step of splitting the integrated circuit chip into a plurality of cells, a step of performing a static timing analysis to make the plurality of cells to acquire electric wave data by cell and by period and a step of performing the electric power allocation by using the wave data.例文帳に追加

集積回路チップにおける電力分配を分析する本発明の方法は、集積回路チップのクロック・サイクルを複数の期間に分割するステップと、集積回路チップを複数のセルに分割するステップと、静的タイミング分析を実行して上記複数のセルがセルごと期間ごとに電流波形データを取得するようにするステップと、この電流波形データを用いて電力分配分析を実行するステップとを備えている。 - 特許庁

The flash memory includes an array of memory cells arrayed in rows and columns, and a randomization and derandamization circuit configured to randomize data stored in the array, and the randomization and derandamization circuit generates an initial seed corresponding to random data according to whether data stored in the array is the random data, generates a random sequence based upon the initial seed, and randomizes the random data based upon the random sequence.例文帳に追加

ここに提供されるフラッシュメモリ装置は行と列に配列されたメモリセルのアレイと、前記アレイに格納されるデータをランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を含み、前記ランダム化及びデランダム化回路は前記アレイに格納されるデータがランダムデータであるか否かにしたがって前記ランダムデータに対応する初期シードを生成し、前記初期シードに基づいてランダムシークェンスを発生し、前記ランダムシークェンスに基づいて前記ランダムデータをランダム化させる。 - 特許庁

The semiconductor memory device where nonvolatile memory cells (mm0 to mm15) including control gate and memory gate electrodes to which predetermined voltages are supplied in writing, erasing and reading operations are formed, is provided with a control circuit for increasing reading currents from the memory cells by increasing the potential of the memory gate electrode by coupling the control gate and memory gate electrodes when data are read from the nonvolatile memory cells.例文帳に追加

書込み、消去、及び読み出しの各動作においてそれぞれ所定電圧が供給されるコントロールゲート電極及びメモリゲート電極を含む不揮発性メモリセル（ｍｍ０〜ｍｍ１５）が形成された半導体記憶装置において、上記不揮発性メモリセルからデータ読み出しが行われるときに、上記コントロールゲート電極と上記メモリゲート電極との間のカップリングによりメモリゲート電極の電位を上げることでメモリセルからの読出し電流を増大させるための制御回路を設ける。 - 特許庁

The cell processing system where received multiplexed frame data are shared into a plurality of CN and assembled into cells, is provided with a CN dependent cell processing buffer 103 that stores frame data shared by each CN at a partial filling rate and a partial filling control section 104 that controls a data storage start timing to the CN dependent cell processing buffer to decentralize concentration of cell processing requests.例文帳に追加

多重入力されるフレームデータを複数のＣＮに振り分けてセル化を行うセル化処理システムに、ＣＮ毎に振り分けられたフレームデータを部分充填率で蓄積するＣＮ別セル化バッファ１０３と、ＣＮ別セル化バッファへのデータ蓄積開始タイミングを制御しセル化要求の集中を分散する部分充填制御部１０４とを備えることを特徴とするセル化処理システム。 - 特許庁

Since the three memory cells of M00c, M11c and M22c are connected to a different column line and a different signal line, normal memory data can be set as output data OUTc even when abnormality is caused in any of column lines or signal line, when other two column lines or signal lines are normal, that is, normal memory data can be output.例文帳に追加

３つのメモリセルＭ００ｃ、Ｍ１１ｃ、Ｍ２２ｃは、異なる行線及び異なる信号線に接続されているため、何れかの行線又は信号線に異常が生じた場合であっても、他の２つの行線又は信号線が正常であれば、出力データＯＵＴｃとして正常な記憶データを設定することができ、すなわち、正常な記憶データを出力することができる。 - 特許庁

In a write control circuit 113, after memory cells in a unit region, selected from a main array 100 and a monitor bit region 101 corresponding to the unit region, are erased when writing data, data are written in the unit region selected from the main array 100 and data determined in accordance with the number of times of rewriting of the unit region is written in the monitor bit region 101.例文帳に追加

書き込み制御回路１１３は、データ書き込み時に、メインアレイ１００から選択された単位領域と、当該単位領域に対応するモニタービット領域１０１内のメモリセルを消去した後、メインアレイ１００から選択された単位領域にデータを書き込み、当該単位領域の書き換え回数に対応して定められたデータをモニタービット領域１０１に書き込む。 - 特許庁

In an 8-valued NAND type multivalued flash memory designed to execute the multivalued parallel write with the bit line voltage set according to write data, a pulse-like word line voltage is applied to a word line to write while the pulsewidth of an effective word line voltage corresponding to the time taken for substantially writing data in memory cells to be written is controlled according to the write data.例文帳に追加

書き込みデータに応じてビット線電圧を設定し、多値並列書き込みを行うようにした８値のＮＡＮＤ型多値フラッシュメモリにおいて、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加して書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御する。 - 特許庁

A device encoder 80 is constituted so that data is recorded in an encoded bit cell on a magnetic medium 30 by giving an encoded data signal, the encoded data signal comprises a sequence of signal transition comprising an added equalizing signal transition, the equalizing signal transition is added so that plural encoded bit cells comprise intensity of average magnetizing magnetic field which is substantially null.例文帳に追加

装置エンコーダ８０は、符号化されたデータ信号を与えて、磁気媒体３０上の符号化されたビットセル内にデータを記録するよう適合され、符号化されたデータ信号は、加えられた等化信号遷移を含む信号遷移のシーケンスを含み、等化信号遷移は、複数個の符号化されたビットセルが実質的にヌルである平均磁化磁界強さを含むように加えられる。 - 特許庁

In a television receiver 100, a receiving means receives broadcast program data and programs information data about broadcast programs; a preparing means prepares an electronic program table configured by arranging program cells storing programs information of the broadcast programs on the basis of the received program information data; and a display means displays the prepared electronic program table on a display part.例文帳に追加

テレビジョン受像機１００において、受信手段は放送番組データ及び放送番組に関する番組情報データを受信し、作成手段は、受信された番組情報データに基づいて、放送番組の番組情報を格納する番組セルが配列されて成る電子番組表を作成し、表示手段は、作成された電子番組表を表示部に表示する。 - 特許庁

In this semiconductor memory, read-out of data is performed by conducting selectively nodes of memory cells MC (MC11-MCij) to bit lines (B1-Bi) and /B (/B1-/Bi) by activation of word lines (W1-Wj).例文帳に追加

この半導体メモリは、ワード線Ｗ（Ｗ１〜Ｗｊ）の活性によってメモリセルＭＣ（ＭＣ１１〜ＭＣｉｊ）のノードが選択的にビット線Ｂ（Ｂ１〜Ｂｉ）及び／Ｂ（／Ｂ１〜／Ｂｉ）に導通されることでデータの読み出しが行われる。 - 特許庁

To enhance detection accuracy of other cells by making possible to receive common well-known signal with a sufficient receiving quality, in a CDMA system for transmitting data signal and the common well-known signal on the same channel while time multiplexing.例文帳に追加

データ信号と共通既知信号を時間多重して同一チャネルで送信するＣＤＭＡ方式において、当該共通既知信号を十分な受信品質で受信できるようにすることで、他セル検出精度を上げること。 - 特許庁

A plurality of memory cells of the nonvolatile semiconductor memory device includes a data storage memory cell, and a flag memory cell of a writing or reading operation used for storing flag information indicating a writing operation state or an erasing operation state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の複数のメモリセルには、データ格納メモリセルと、書込み動作状態または消去動作状態を示すフラグ情報の格納に用いられる書込み動作または消去動作のフラグメモリセルが含まれる。 - 特許庁

An 8-bit shift register 72 comprises eight cells b0-b7, fetches each bit of data Data1 to the cell b0 in synchronization with a leading edge of a clock CLK from a transmitter 10, and shifts the content of each cell to a high-order cell.例文帳に追加

８ビット・シフトレジスタ７２は８個のセルｂ０〜ｂ７からなり、送信装置１０からのクロックＣＬＫの上がりエッジに同期して、データＤａｔａ１の各ビットをセルｂ０に取り込み、各セルの内容を上位セルにシフトする。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile semiconductor storage device of a structure, wherein with the humidity resistances of memory cells raised, data can be prevented from being broken with H+ discharged from a silicon nitride film, which is the uppermost protective film, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

耐湿性を向上させるとともに、最上層保護膜のシリコン窒化膜から放出されたＨ^+によってデータが破壊されるのを防止できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dot pattern generating method, a correction method of threshold value matrix, a data structure of the threshold value matrix, and a recording medium that can eliminate or relax the periodicity (moire) caused in a dot pattern comprising multi-dot cells when only one dot cell has a dot different in growth by one pixel in the dot pattern.例文帳に追加

マルチ網点セルからなる網点パターン中、１つの網点セルのみが、１画素分成長が異なる網点を有することにより網点パターンに発生する周期性（モアレ）を解消しまたは緩和する。 - 特許庁

Then, the user is not required to carry out the selection operation of the cells to the angle blocks in reproduction the video data and, therefore, the user is able to view the videos displayed on a display device connected to an output section 4 with composure in reproducing.例文帳に追加

したがって、ユーザはビデオデータの再生時にアングルブロックに対するセルの選択操作を行わなくてもよいので、再生時に出力部４に接続されている表示装置で表示されている映像をおちついて見ることができる。 - 特許庁

All bit lines BL in one word line WL are opened by logical combination of a column activation signal CAS and a test mode signal TM, a test data pattern is written simultaneously in all cells in the word line ML.例文帳に追加

本発明では、１つのワード線ＷＬにおける全ビット線ＢＬを、カラム活性化信号ＣＡＳと試験モード信号ＴＭとの論理的な組み合わせにより開いて、該ワード線ＷＬにおける全セルにテストデータパターンを同時に書き込む。 - 特許庁

Binary bit addresses for detecting an error corresponding respectively to addresses indicating each bit of multi-level memory cells holding binary bits data are allotted so that each figure of two binary bits addresses corresponding to one memory cell is made exclusive.例文帳に追加

２ビットのデータを保持する多値のメモリセルの各ビットを示すアドレスにそれぞれ対応する誤り検出用の２進ビットアドレスが、１つのメモリセルに対応する２つの２進ビットアドレスの各桁が互いに排他的になるように割り当てられる。 - 特許庁

Each time, the writing of data with respect to one display line group among plural display line groups in a plasma display panel is completed, a sustaining discharging operation is executed with respect to respective light emitting cells belonging the one display line group.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおける複数の表来ラインの内の１表示ライン群に対する画素データ書込が終了する度に、その１表示ライン群に属する発光セルの各々に対して維持放電動作を実行する。 - 特許庁

To properly set transmission power for a mid-amble part and data part of a transmission signal to each communication terminal so as to improve the reception quality of each communication terminal while suppressing interference on other cells.例文帳に追加

他セルに対する干渉を抑えつつ、各通信端末装置の受信品質が良好となるように、各通信端末装置に対する送信信号におけるミッドアンブル部分およびデータ部分の送信電力を適切に設定すること。 - 特許庁

To provide a fuel battery system, a fuel battery cell degradation determination method and a fuel battery system control method which make it possible to determine the degradation of fuel battery cells with high accuracy while restricting the amount of data to be saved.例文帳に追加

保存するデータ量を抑制しつつ高い精度で燃料電池セルの劣化を判定することができる燃料電池システム、燃料電池セルの劣化判定方法、および燃料電池システムの制御方法を提供する。 - 特許庁